JPS592092B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPS592092B2 JPS592092B2 JP1209676A JP1209676A JPS592092B2 JP S592092 B2 JPS592092 B2 JP S592092B2 JP 1209676 A JP1209676 A JP 1209676A JP 1209676 A JP1209676 A JP 1209676A JP S592092 B2 JPS592092 B2 JP S592092B2
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- magnetic
- permanent magnet
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- magnetic head
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するものである
。
。
最近、Ｆｅ−Ｎｉ系、Ｎｉ−Ｃｏ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ
系等の磁性材料で磁気抵抗効果を有した素子（今後ＭＲ
素子と呼ぶ）に磁性記録媒体内の記録信号が発する磁束
玉が通過するとき前記ＭＲ素子と相互作用を起こす事に
依つて前記ＭＲ素子の有する電気抵抗が変化し、この変
化を磁性記録媒体からの再生出力Ｅとして読み出す磁気
ヘッドが提言されている。
系等の磁性材料で磁気抵抗効果を有した素子（今後ＭＲ
素子と呼ぶ）に磁性記録媒体内の記録信号が発する磁束
玉が通過するとき前記ＭＲ素子と相互作用を起こす事に
依つて前記ＭＲ素子の有する電気抵抗が変化し、この変
化を磁性記録媒体からの再生出力Ｅとして読み出す磁気
ヘッドが提言されている。
この種磁気ヘッドにおいては、出力Ｅと磁界Ｈとは第１
図に示す様に非線型の関係にある。
図に示す様に非線型の関係にある。
したがつて上記Ｅ−Ｈ関係の線型領域を用いる事を目的
として所要のバイアス直流磁界Ｈｂを該ＭＲ素子に印加
させて動作点をＰ点に移動させ更に磁性記録媒体からの
記録信号ａをちよう畳させることに依つてｂの如く出力
を取り出すことが考えられるが、所要のバイアス直流磁
界ＨｂをＭＲ素子に与える方法の従来例として第２図に
示された磁気ヘッドではＭＲ素子１が形成された基板３
上でしかも前記ＭＲ素子１の高さ方向（第２図ではＹ方
向）で記録媒体ＩＴから離れた位置にバルク伏の永久磁
石４１を配し該永久磁石４１の端面４１ａにネジ４２の
先端部を接触させネジ４２で調整して所要のバイアス直
流磁界Ｈｂを前記ＭＲ素子１に印加させていた。しかし
機械的な操作を伴つているので微調整を行う事が困難で
ある。又ＭＲ素子１の材料には機械的なひずみに磁気特
性例えば比抵抗変化率は影響される場合もあつて、該Ｍ
Ｒ素子１が配されている基板３上に永久磁石４１及びネ
ジ４２を配する製造工程で前記ＭＲ素子１にひずみを与
える恐れがある。他の方法として同一基板上においてＭ
Ｒ素子の近傍もしくは下部に永久磁石膜等の硬磁性膜を
配する方法があつたが、該ＭＲ素子及び永久磁石膜が蒸
着法及びスパッタリング法で作製される際、所要の磁気
特性を得るのに必要な基板温度を与えるが、ＭＲ素子の
基板温度及び永久磁石膜の基板温度が一致していない時
には（例としてＭＲ素子部はパーマロイ膜の場合２００
〜４００〔℃〕、永久磁石膜はＳｍ−Ｃｏ系の場合７０
０〔゜Ｃ〕付近で製造される。）ＭＲ素子、永久磁石膜
のうち、先に製造される範膜は少なからず特性の劣化が
生じる場合がある。他の方法としてＭＲ素子の近傍もし
くは下部に導電性薄膜を配し、該薄膜に直流の定電流を
流して磁界を発生させてＭＲ素子にバイアヌ直流磁界Ｈ
ｂを与える方法があつたが、該直流の定電流が前記導電
性薄膜に流れることに伴ない該薄膜中にジユール熱が生
じ、該ジユール熱がＭＲ素子に伝導して該ＭＲ素子の有
していた磁気特性を劣化する恐れがある。更に先に記し
た永久磁石材を配する方法に加べてバイアス直流磁界Ｈ
ｂをＭＲ素子に印加させるために直流の定電流を流すの
で余分な電力消費を必要とする。なお第二図中における
２１，２２はＭＲ素子１の端部を示し該端部２１，２２
においてリード線２を電気的に接合させ該リード線２を
通してＭＲ素子１部に一定の直流電流が流されるもので
ある。本発明の磁気ヘツドは上記の問題を解決するもの
である。
として所要のバイアス直流磁界Ｈｂを該ＭＲ素子に印加
させて動作点をＰ点に移動させ更に磁性記録媒体からの
記録信号ａをちよう畳させることに依つてｂの如く出力
を取り出すことが考えられるが、所要のバイアス直流磁
界ＨｂをＭＲ素子に与える方法の従来例として第２図に
示された磁気ヘッドではＭＲ素子１が形成された基板３
上でしかも前記ＭＲ素子１の高さ方向（第２図ではＹ方
向）で記録媒体ＩＴから離れた位置にバルク伏の永久磁
石４１を配し該永久磁石４１の端面４１ａにネジ４２の
先端部を接触させネジ４２で調整して所要のバイアス直
流磁界Ｈｂを前記ＭＲ素子１に印加させていた。しかし
機械的な操作を伴つているので微調整を行う事が困難で
ある。又ＭＲ素子１の材料には機械的なひずみに磁気特
性例えば比抵抗変化率は影響される場合もあつて、該Ｍ
Ｒ素子１が配されている基板３上に永久磁石４１及びネ
ジ４２を配する製造工程で前記ＭＲ素子１にひずみを与
える恐れがある。他の方法として同一基板上においてＭ
Ｒ素子の近傍もしくは下部に永久磁石膜等の硬磁性膜を
配する方法があつたが、該ＭＲ素子及び永久磁石膜が蒸
着法及びスパッタリング法で作製される際、所要の磁気
特性を得るのに必要な基板温度を与えるが、ＭＲ素子の
基板温度及び永久磁石膜の基板温度が一致していない時
には（例としてＭＲ素子部はパーマロイ膜の場合２００
〜４００〔℃〕、永久磁石膜はＳｍ−Ｃｏ系の場合７０
０〔゜Ｃ〕付近で製造される。）ＭＲ素子、永久磁石膜
のうち、先に製造される範膜は少なからず特性の劣化が
生じる場合がある。他の方法としてＭＲ素子の近傍もし
くは下部に導電性薄膜を配し、該薄膜に直流の定電流を
流して磁界を発生させてＭＲ素子にバイアヌ直流磁界Ｈ
ｂを与える方法があつたが、該直流の定電流が前記導電
性薄膜に流れることに伴ない該薄膜中にジユール熱が生
じ、該ジユール熱がＭＲ素子に伝導して該ＭＲ素子の有
していた磁気特性を劣化する恐れがある。更に先に記し
た永久磁石材を配する方法に加べてバイアス直流磁界Ｈ
ｂをＭＲ素子に印加させるために直流の定電流を流すの
で余分な電力消費を必要とする。なお第二図中における
２１，２２はＭＲ素子１の端部を示し該端部２１，２２
においてリード線２を電気的に接合させ該リード線２を
通してＭＲ素子１部に一定の直流電流が流されるもので
ある。本発明の磁気ヘツドは上記の問題を解決するもの
である。
本発明の磁気ヘツドの一実施例を第３図を用いて説明す
る。
る。
磁気抵抗効果を有したＦｅ−Ｎｉ系、Ｎｉ−ＣＯ系、Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ａｉ系等の磁性薄膜で構成されたＭＲ素子１
を基板３上で（第３図ではＸ方向）しかも記録媒体１７
と当接もしくは近傍する部分に形成させ、Ａｌ，Ｃｕ，
Ｆｅ−Ｎｉ系、Ｎｉ−ＣＯ系、Ｆｅ−Ｓ１−Ａ１系等の
導電性材からなる電流導入部膜２ａ，２ａ″を前記ＭＲ
素子１の端部１ｂ，１ｂ″に於いて電気的に接合させて
前記ＭＲ素子１に一定の直流電流を流す、なお第３図で
はＭＲ素子１と電流導入部膜２ａ，２ａ″を同一の材料
で配した場合が示されている。続いて磁性記録媒体１７
を挟んだ前記ＭＲ素子１の前方でしかも該記録媒体１７
と当接もしくは近接する部分に少なくとも一部にＳｍ−
ＣＯ系、Ｇｄ−ＣＯ系、ＣＯ−Ｐ系等で略たんざく形の
永久磁石材５を前記ＭＲ素子１が形成されてる基板３と
は別の基板６上に（第３図ではＸ方向）配すする。なお
、基板６上の永石磁石材５がバルク伏である必要は必ず
しもない。次に本発明の磁気ヘツドの動作を説明すると
ＭＲ素子１に電流導入部膜２ａ，２ａ″を通して一定の
直流電流を流し、記録媒体１７を挟んだ前記ＭＲ素子１
の前方に配された永久磁石５から発する磁束が前記ＭＲ
素子１に加わつてバイアス直流フ磁界Ｈｂとなり第１図
に示した動作点Ｐが定められ、磁性記録媒体１７に記録
された信号ａがｂのように読み出される。
ｅ−Ｓｉ−Ａｉ系等の磁性薄膜で構成されたＭＲ素子１
を基板３上で（第３図ではＸ方向）しかも記録媒体１７
と当接もしくは近傍する部分に形成させ、Ａｌ，Ｃｕ，
Ｆｅ−Ｎｉ系、Ｎｉ−ＣＯ系、Ｆｅ−Ｓ１−Ａ１系等の
導電性材からなる電流導入部膜２ａ，２ａ″を前記ＭＲ
素子１の端部１ｂ，１ｂ″に於いて電気的に接合させて
前記ＭＲ素子１に一定の直流電流を流す、なお第３図で
はＭＲ素子１と電流導入部膜２ａ，２ａ″を同一の材料
で配した場合が示されている。続いて磁性記録媒体１７
を挟んだ前記ＭＲ素子１の前方でしかも該記録媒体１７
と当接もしくは近接する部分に少なくとも一部にＳｍ−
ＣＯ系、Ｇｄ−ＣＯ系、ＣＯ−Ｐ系等で略たんざく形の
永久磁石材５を前記ＭＲ素子１が形成されてる基板３と
は別の基板６上に（第３図ではＸ方向）配すする。なお
、基板６上の永石磁石材５がバルク伏である必要は必ず
しもない。次に本発明の磁気ヘツドの動作を説明すると
ＭＲ素子１に電流導入部膜２ａ，２ａ″を通して一定の
直流電流を流し、記録媒体１７を挟んだ前記ＭＲ素子１
の前方に配された永久磁石５から発する磁束が前記ＭＲ
素子１に加わつてバイアス直流フ磁界Ｈｂとなり第１図
に示した動作点Ｐが定められ、磁性記録媒体１７に記録
された信号ａがｂのように読み出される。
なお本発明の磁気ヘツドでは所要のバイアス直流磁界Ｈ
ｂを得る方法として磁性記録媒体１７と永久磁石材６と
のスペーシング長さｄを変化さるために該永久磁石材５
の記録媒体１７との当接もしくは近接する面（第３図で
は５１部で示したＸＺ面）をラツピングする方法がある
。異なる実施例を第４図によつて説明する。
ｂを得る方法として磁性記録媒体１７と永久磁石材６と
のスペーシング長さｄを変化さるために該永久磁石材５
の記録媒体１７との当接もしくは近接する面（第３図で
は５１部で示したＸＺ面）をラツピングする方法がある
。異なる実施例を第４図によつて説明する。
ＭＲ素子１と該素子１にバイアス直流磁界Ｈｂを与える
ために具備された部分との配置関係は先に記した配置と
概略同じである。基板６上にＳｍ−ＣＯ系、Ｇｄ−ＣＯ
系、ＣＯ−Ｐ系等の永久磁石材からなる永久磁石膜５を
形成させつづいて磁性記録媒体１７に当接もしくは近接
する付近の永久磁石膜５上（第４図ではＸ方向）にＳｌ
Ｏ，ＳｌＯ２等の非磁性薄膜７を形成させ、更にＦｅ−
Ｎｉ系、Ｎｌ−ＣＯ系、Ｆｅ−Ｎｉ−Ａｌ系等の磁性材
からなる磁性薄膜８を前記非磁性薄膜７及び該薄膜７が
形成されていない永久磁石膜５上（第４図ではＸ方向）
に形成させると、前記非磁性薄膜部７をギヤツプとして
一定の磁束が漏洩して前記ＭＲ素子１に加わりバイアス
直流磁界Ｈｂとなる。なお第４図では基板６と永久磁石
膜５とを区別してえがかれているが、バルク伏の永久磁
石を基板として兼ねることも出来る。以上のように本発
明の磁気ヘツドにおいては次のような効果が得られる。
ために具備された部分との配置関係は先に記した配置と
概略同じである。基板６上にＳｍ−ＣＯ系、Ｇｄ−ＣＯ
系、ＣＯ−Ｐ系等の永久磁石材からなる永久磁石膜５を
形成させつづいて磁性記録媒体１７に当接もしくは近接
する付近の永久磁石膜５上（第４図ではＸ方向）にＳｌ
Ｏ，ＳｌＯ２等の非磁性薄膜７を形成させ、更にＦｅ−
Ｎｉ系、Ｎｌ−ＣＯ系、Ｆｅ−Ｎｉ−Ａｌ系等の磁性材
からなる磁性薄膜８を前記非磁性薄膜７及び該薄膜７が
形成されていない永久磁石膜５上（第４図ではＸ方向）
に形成させると、前記非磁性薄膜部７をギヤツプとして
一定の磁束が漏洩して前記ＭＲ素子１に加わりバイアス
直流磁界Ｈｂとなる。なお第４図では基板６と永久磁石
膜５とを区別してえがかれているが、バルク伏の永久磁
石を基板として兼ねることも出来る。以上のように本発
明の磁気ヘツドにおいては次のような効果が得られる。
１ＭＲ素子１部に印加させるバイアス直流磁界Ｈｂを記
録媒体１７を挟んた前記ＭＲ素子１の前方で該記録媒体
１７と当接もしくは近接する部分に少くとも一部に永久
磁石材５を配して前記ＭＲ素子１にバイアス直流磁界Ｈ
ｂを加え、所要のＨｂを得る方法として前記記録媒体１
７と永久磁石材５とのスペーシング長さｄを該永久磁石
材５の記録媒体との当接もしくは近接する面をラツピン
グする方法であるので比較的容易に所要のバイアス直流
磁界Ｈｂを得ることが出来る。
録媒体１７を挟んた前記ＭＲ素子１の前方で該記録媒体
１７と当接もしくは近接する部分に少くとも一部に永久
磁石材５を配して前記ＭＲ素子１にバイアス直流磁界Ｈ
ｂを加え、所要のＨｂを得る方法として前記記録媒体１
７と永久磁石材５とのスペーシング長さｄを該永久磁石
材５の記録媒体との当接もしくは近接する面をラツピン
グする方法であるので比較的容易に所要のバイアス直流
磁界Ｈｂを得ることが出来る。
２ＭＲ素子１部とバイアス直流磁界Ｈｂを発生させる永
久磁石材５が形成される基板３，６は別の基板であるた
めに、それぞれ別々に製造することが出来るので回一基
板上で永久磁石材５、ＭＲ素子１を製造する際に生じて
いた基板温度の相違による特性の劣化が生じる機会がな
くなり、さらにＭＲ素子１が製造され続いて同一基板上
にバルク伏の永久磁石等を配する際に生じていたＭＲ素
子１へのひずみの加わりも無くなり、また磁気抵抗効果
型磁気ヘツドとして要求される特性を有したＭＲ素子１
部、バイアス直流磁界Ｈｂを発生させる部分（即ち、少
なくとも一部に永久磁石材を有した部分）をくみ合わす
ことが出来るために信頼性の高い磁気ヘツドを製造する
ことが出来る。
久磁石材５が形成される基板３，６は別の基板であるた
めに、それぞれ別々に製造することが出来るので回一基
板上で永久磁石材５、ＭＲ素子１を製造する際に生じて
いた基板温度の相違による特性の劣化が生じる機会がな
くなり、さらにＭＲ素子１が製造され続いて同一基板上
にバルク伏の永久磁石等を配する際に生じていたＭＲ素
子１へのひずみの加わりも無くなり、また磁気抵抗効果
型磁気ヘツドとして要求される特性を有したＭＲ素子１
部、バイアス直流磁界Ｈｂを発生させる部分（即ち、少
なくとも一部に永久磁石材を有した部分）をくみ合わす
ことが出来るために信頼性の高い磁気ヘツドを製造する
ことが出来る。
３また、磁性記録媒体１７から発する磁束のうち該媒体
１７の運動方向（第３図ではＸ方向）と垂直をなす方向
（第３図ではＹ方向）の成分を利用した垂直型の磁気抵
抗型磁気ヘツドでは、ＭＲ素子１の幅方向（第２図では
Ｙ方向）に於いて前記磁束に伴なう磁界が前記媒体１７
に近いＭＲ素子１の先端部程前記磁界が大きく、また反
磁界の影響を受けやすいために、先端部程大きなバイア
ス直流磁界Ｈｂを必要とするが、本発明の磁気ヘツドで
はＭＲ素子１の前記先端部程大きなバイアス直流磁界Ｈ
ｂを加えることが出来る。
１７の運動方向（第３図ではＸ方向）と垂直をなす方向
（第３図ではＹ方向）の成分を利用した垂直型の磁気抵
抗型磁気ヘツドでは、ＭＲ素子１の幅方向（第２図では
Ｙ方向）に於いて前記磁束に伴なう磁界が前記媒体１７
に近いＭＲ素子１の先端部程前記磁界が大きく、また反
磁界の影響を受けやすいために、先端部程大きなバイア
ス直流磁界Ｈｂを必要とするが、本発明の磁気ヘツドで
はＭＲ素子１の前記先端部程大きなバイアス直流磁界Ｈ
ｂを加えることが出来る。
なお、基板３上に磁気抵抗効果型磁気ヘツドを複数個形
成させた多素子磁気抵抗効果型磁気ヘツドにも、本発明
の趣旨を十分適用出来る。本発明は、基板の端縁に沿つ
て形成した磁気抵抗効果素子膜に対して、磁気記録媒体
に関してそれとは反対側に配置した永久磁石部材によつ
てバイアス磁界を印加するよう購成しているので、反磁
界の影響を受けやすい磁気抵抗効果素子薄膜の磁気記録
媒体側の部分ほど大きなバイアス磁界を印加することが
でき、この素子をきわめて容易に最適バイアス伏態とす
ることができる。
成させた多素子磁気抵抗効果型磁気ヘツドにも、本発明
の趣旨を十分適用出来る。本発明は、基板の端縁に沿つ
て形成した磁気抵抗効果素子膜に対して、磁気記録媒体
に関してそれとは反対側に配置した永久磁石部材によつ
てバイアス磁界を印加するよう購成しているので、反磁
界の影響を受けやすい磁気抵抗効果素子薄膜の磁気記録
媒体側の部分ほど大きなバイアス磁界を印加することが
でき、この素子をきわめて容易に最適バイアス伏態とす
ることができる。
第１図はＭＲ素子の有する出力電圧Ｅと磁界の強さＨと
の関係図、第２図は従来の磁気ヘツドを示す図、第３図
は本発明の磁気ヘツドを示す図、第４図は他の実施例を
示す図である。 １・・・・・・ＭＲ素子、１ｂ，１ｂ（・・・・・端部
、２ａ，２ａ″・・・・・・電流導入部膜、３，６・・
・・・・基板、５・・・・・・永久磁石膜、１７・・・
・・・記録媒体、５１・・・・・・端面。
の関係図、第２図は従来の磁気ヘツドを示す図、第３図
は本発明の磁気ヘツドを示す図、第４図は他の実施例を
示す図である。 １・・・・・・ＭＲ素子、１ｂ，１ｂ（・・・・・端部
、２ａ，２ａ″・・・・・・電流導入部膜、３，６・・
・・・・基板、５・・・・・・永久磁石膜、１７・・・
・・・記録媒体、５１・・・・・・端面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上の一端縁側に磁気抵抗効果素子薄膜を形成す
るとともに、前記基板の一端縁側端面に永久磁石部材の
端面を向上させ、前記対向部間に磁気記録媒体を配する
ことを特徴とする磁気ヘッド。 ２ 磁気抵抗効果素子と永久磁石材の対向面が平行であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1209676A JPS592092B2 (ja) | 1976-02-05 | 1976-02-05 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1209676A JPS592092B2 (ja) | 1976-02-05 | 1976-02-05 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5295208A JPS5295208A (en) | 1977-08-10 |
| JPS592092B2 true JPS592092B2 (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=11796033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1209676A Expired JPS592092B2 (ja) | 1976-02-05 | 1976-02-05 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592092B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5489613A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-16 | Toshiba Corp | Magnetic recording information reproducer |
-
1976
- 1976-02-05 JP JP1209676A patent/JPS592092B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5295208A (en) | 1977-08-10 |
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