JPS5921128A - 電界効果半導体装置 - Google Patents
電界効果半導体装置Info
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- JPS5921128A JPS5921128A JP57129928A JP12992882A JPS5921128A JP S5921128 A JPS5921128 A JP S5921128A JP 57129928 A JP57129928 A JP 57129928A JP 12992882 A JP12992882 A JP 12992882A JP S5921128 A JPS5921128 A JP S5921128A
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- Japan
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- voltage
- substrate potential
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- programmably
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/30—Modifications for providing a predetermined threshold before switching
- H03K17/302—Modifications for providing a predetermined threshold before switching in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電ｙ′Ｃ効果型半導体装１ｉ’ｚ（ＦＥ’ｌｌ
’という）に関する。
’という）に関する。
ＦＥＴ特に絶縁ゲート型ＦＥＴ（八・ＩＩＳ ＦＥ’
ｌ”という）は犬谷是メモリ全始め多くの応用回路素子
として用いらｈ今日のエレクトロニクス発展の基礎を川
っている。特に最近においてはリニア回路にも盛んに用
いられるようになｐその応用範囲が広がるとともに、取
扱う信号レベル（電圧、電流ともに）も多岐にわたるよ
うになって来ている。これに対して従来のＦ Ｅ Ｔは
一つの製品毎に取扱い得る信号レベルは固定されている
ので、信号レベルに応じて幾つかの種類の異るＦ Ｅ
’１１’を用意しなければならないこと、更には所望の
Ｆ Ｂ ’Ｉ’が得られないということが発生している
。このため一種類の１・＋ ＥＴでもってその取扱い得
る信号をプログラマブルに変えることのできるｌｉ’ｌ
Ｊ、； ＩＩＩの実現が強く望ｊれるに至っている。
ｌ”という）は犬谷是メモリ全始め多くの応用回路素子
として用いらｈ今日のエレクトロニクス発展の基礎を川
っている。特に最近においてはリニア回路にも盛んに用
いられるようになｐその応用範囲が広がるとともに、取
扱う信号レベル（電圧、電流ともに）も多岐にわたるよ
うになって来ている。これに対して従来のＦ Ｅ Ｔは
一つの製品毎に取扱い得る信号レベルは固定されている
ので、信号レベルに応じて幾つかの種類の異るＦ Ｅ
’１１’を用意しなければならないこと、更には所望の
Ｆ Ｂ ’Ｉ’が得られないということが発生している
。このため一種類の１・＋ ＥＴでもってその取扱い得
る信号をプログラマブルに変えることのできるｌｉ’ｌ
Ｊ、； ＩＩＩの実現が強く望ｊれるに至っている。
本発明の目的（は、かかる要望を実現するために、基板
電位をプログラマブルに変化させることによりＦ１号Ｔ
のしきい値電圧を変化させることにより、取扱いイ０る
信−号レベルをプログラマブルに変えられるところの１
・” Ｅ Ｔ ｆ：提供することにある。
電位をプログラマブルに変化させることによりＦ１号Ｔ
のしきい値電圧を変化させることにより、取扱いイ０る
信−号レベルをプログラマブルに変えられるところの１
・” Ｅ Ｔ ｆ：提供することにある。
本発明のＪ・Ｎ Ｊ５ Ｉｌｌは、基板電位をプログラ
マグルに制御する基板電位制御回路をイ１することがら
なっている。
マグルに制御する基板電位制御回路をイ１することがら
なっている。
以下本発明についで図面全参照して詳細に説明する。
まず本発明の基礎となるＦ Ｅ ’］’のしきい値電圧
ＶＴ と基板電位ＶＢＳの関係について簡単に説明する
。なお以下の説明はＦ Ｅ ’１’としてＭｏ８ Ｆ’
ＥＴをと力上げて行う。
ＶＴ と基板電位ＶＢＳの関係について簡単に説明する
。なお以下の説明はＦ Ｅ ’１’としてＭｏ８ Ｆ’
ＥＴをと力上げて行う。
Ｍｏ８Ｉ”ＥＴのしきい値電圧ＶＴ及びドレイン電流■
ｐはそれぞれ次式で与えられる。
ｐはそれぞれ次式で与えられる。
■Ｔ＝ｉ＝■ぐ、−４−に、 ン’：π）２＄、Σ
・旧・・（１）ＩＤ”β
（ＶＧ ＶＴ）’／２ （飽和領域） −・”
（２）たｙし、 工ぐＩ＋Ｋｔ；材料と構造で定まる定数、％；フェ゛ル
ミ準位（を圧表示）β：利得定数 ＶＧ；ゲート電圧。
・旧・・（１）ＩＤ”β
（ＶＧ ＶＴ）’／２ （飽和領域） −・”
（２）たｙし、 工ぐＩ＋Ｋｔ；材料と構造で定まる定数、％；フェ゛ル
ミ準位（を圧表示）β：利得定数 ＶＧ；ゲート電圧。
（１）式から明らかなようにしきい値電圧ＶＴは基板電
圧Ｖｎｓによって制御できることが分る。この関係を図
示したのが第２図で、 ＶＢＳの値を変え７ＶＢ８＋２
５％の値が点Ａから点Ｂに変えられると、ＶＴはＶＴＡ
からＶＴＢへと増大することを示しである。なお、第１
図はＮチャネル型Ｍ（Ｊ８ Ｉｉ’ＥＴの基板電圧Ｖ
ＢＳを変えたときのドレイン電流ＩＤの測定回路を示し
たもので、ＶＤＳはドレイン電圧である。
圧Ｖｎｓによって制御できることが分る。この関係を図
示したのが第２図で、 ＶＢＳの値を変え７ＶＢ８＋２
５％の値が点Ａから点Ｂに変えられると、ＶＴはＶＴＡ
からＶＴＢへと増大することを示しである。なお、第１
図はＮチャネル型Ｍ（Ｊ８ Ｉｉ’ＥＴの基板電圧Ｖ
ＢＳを変えたときのドレイン電流ＩＤの測定回路を示し
たもので、ＶＤＳはドレイン電圧である。
第３図は本発明の一実ｊｉ［ｉ例の相補型ＭＯ８１ｉ”
ＥＴのプログラマブルＱスレッショルド（論理しきい値
）可変回路を示す。この回路は相補型ＭＯＳインバータ
１ＯＮチヤンネルＦＥ’ｌ’ Ｑ、のソースＳとＶｓｓ
（接地側）端子間に、抵抗Ｒを４個直列に接ｆｔＪ、−
スイッチＳＷ１〜Ｓ Ｗ ４の切換えによυ任意の抵抗
間の電圧がソースＳに対して基板Ｓ Ｕ Ｉ：３にかか
るように゛した基板電位制御回路２を挿入したものであ
る。
ＥＴのプログラマブルＱスレッショルド（論理しきい値
）可変回路を示す。この回路は相補型ＭＯＳインバータ
１ＯＮチヤンネルＦＥ’ｌ’ Ｑ、のソースＳとＶｓｓ
（接地側）端子間に、抵抗Ｒを４個直列に接ｆｔＪ、−
スイッチＳＷ１〜Ｓ Ｗ ４の切換えによυ任意の抵抗
間の電圧がソースＳに対して基板Ｓ Ｕ Ｉ：３にかか
るように゛した基板電位制御回路２を挿入したものであ
る。
この抵抗几に電流ｉが流れると、Ｑ、＋のソースＳと基
板ＳＵＢ間に電圧が生じて、ソースＳに対して基板ＳＵ
Ｂが逆バイアスされるので前述の第２図に示したように
Ｑ、のしきい値電圧ＶＴは増加する。ＶＴが増加すると
前述の（２）式に従いドレイン電流ＩＤは減少し、その
結果インバータのしきい値軍、圧■Ｔｈが基板電位ＶＢ
ＳがＯｖのときよりも上昇する。従って、第３図に示す
ように抵抗値をスイッチ等によりプログラマブルに可変
にすれば、基板電位Ｖｎｓが変化することにより、イン
バータ回路のしきい値電圧Ｖｒｈがプログラマブルに変
ることになる。
板ＳＵＢ間に電圧が生じて、ソースＳに対して基板ＳＵ
Ｂが逆バイアスされるので前述の第２図に示したように
Ｑ、のしきい値電圧ＶＴは増加する。ＶＴが増加すると
前述の（２）式に従いドレイン電流ＩＤは減少し、その
結果インバータのしきい値軍、圧■Ｔｈが基板電位ＶＢ
ＳがＯｖのときよりも上昇する。従って、第３図に示す
ように抵抗値をスイッチ等によりプログラマブルに可変
にすれば、基板電位Ｖｎｓが変化することにより、イン
バータ回路のしきい値電圧Ｖｒｈがプログラマブルに変
ることになる。
この実施例においては、スイッチＳＷｌ〜ＳＷ４の組合
せによ、！７第４図に示すようにしきい値電圧Ｖｒｈの
異なる４通ｐの入出力１時性が得られる。な ５
おこの場合のスイッチの組合せは次表のとおシである。
せによ、！７第４図に示すようにしきい値電圧Ｖｒｈの
異なる４通ｐの入出力１時性が得られる。な ５
おこの場合のスイッチの組合せは次表のとおシである。
か
２としては通常の抵抗とスイッチとで表わしけれども、
実際にはＭｏ８ Ｆ、ＥＴによる抵抗及びアナログスイ
ッチとしても良いし、あるいは抵抗としては拡散抵抗を
用いても良い。さらに適当なプログラマブルな電圧発生
回路を設けても良い。
実際にはＭｏ８ Ｆ、ＥＴによる抵抗及びアナログスイ
ッチとしても良いし、あるいは抵抗としては拡散抵抗を
用いても良い。さらに適当なプログラマブルな電圧発生
回路を設けても良い。
又、以上の説明においてはＦ Ｅ ＴとしてＭｏ５Ｆ
Ｅ ’ｌ’をと９上げたけれども他の１．ｍ Ｆ Ｔに
も同様に適用されることはいうまでもない。
Ｅ ’ｌ’をと９上げたけれども他の１．ｍ Ｆ Ｔに
も同様に適用されることはいうまでもない。
以上詳細に説明したとおυ、本発明のＦＥＴは基板電位
をプログラマブルに制御する基板電位制御回路を有して
いるので、一種類のＦ Ｅ Ｔでもって取扱い得る信号
レベルをプログラマブルに変えることができる。従って
広範な用途に適応したＦＥ ’１’ ′ｆ：提供できる
ことになりその効果は大である。
をプログラマブルに制御する基板電位制御回路を有して
いるので、一種類のＦ Ｅ Ｔでもって取扱い得る信号
レベルをプログラマブルに変えることができる。従って
広範な用途に適応したＦＥ ’１’ ′ｆ：提供できる
ことになりその効果は大である。
第１図はＭｏ８ Ｉ”Ｅ’Ｌ’の基板電圧Ｖｎｓ対ドレ
イン電流の測定回路図、第２図はＭｏ８ ｌ”ＥＴの基
板電圧■ＢＳとしきい値電圧ＶＴの関係を示す特性曲線
図、第３図は本発明の一実施例の回路図、第４図はこの
一実施例の回路の入出力１時性図である。 ｌ・・・・・・インバータ回路、２・・・・・・基板電
位制御回路、Ｑ、、Ｑ、・・・・・・ＦＥＴ、几・・・
・・・抵抗、ＳＷＩ〜ＳＷ４ ・・・・・・スイッチ、
Ｖｔｎ・・・・・・入力電圧、Ｖａｓｔ・・・・・・出
力電圧、ＶＤＤ・・・・・・電源電圧端子、Ｖｓｓ・・
・・・・ソース電源端子、ＩＤ・・・・・・ドレイン電
流、ＶＴ旧〜ＶＴ１１４・・・・・・インバータのしき
い値電圧。 ′−一 ・−一、 的 へ ＼ 「−’−−１ 第３図 巧 端４区
イン電流の測定回路図、第２図はＭｏ８ ｌ”ＥＴの基
板電圧■ＢＳとしきい値電圧ＶＴの関係を示す特性曲線
図、第３図は本発明の一実施例の回路図、第４図はこの
一実施例の回路の入出力１時性図である。 ｌ・・・・・・インバータ回路、２・・・・・・基板電
位制御回路、Ｑ、、Ｑ、・・・・・・ＦＥＴ、几・・・
・・・抵抗、ＳＷＩ〜ＳＷ４ ・・・・・・スイッチ、
Ｖｔｎ・・・・・・入力電圧、Ｖａｓｔ・・・・・・出
力電圧、ＶＤＤ・・・・・・電源電圧端子、Ｖｓｓ・・
・・・・ソース電源端子、ＩＤ・・・・・・ドレイン電
流、ＶＴ旧〜ＶＴ１１４・・・・・・インバータのしき
い値電圧。 ′−一 ・−一、 的 へ ＼ 「−’−−１ 第３図 巧 端４区
Claims (1)
- 基板電位をプログラマブルに制御する基板電位制御回路
を有することを特徴とする電界効果型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57129928A JPS5921128A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 電界効果半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57129928A JPS5921128A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 電界効果半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5921128A true JPS5921128A (ja) | 1984-02-03 |
Family
ID=15021879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57129928A Pending JPS5921128A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 電界効果半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921128A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126822A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-18 | Kawasaki Steel Corp | プログラマブル入力回路 |
| JPH04155693A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-28 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体記憶装置のデータ出力回路 |
| WO2006027709A3 (en) * | 2004-09-08 | 2006-08-17 | Koninkl Philips Electronics Nv | Fast switching circuit with input hysteresis |
-
1982
- 1982-07-26 JP JP57129928A patent/JPS5921128A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126822A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-18 | Kawasaki Steel Corp | プログラマブル入力回路 |
| JPH04155693A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-28 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体記憶装置のデータ出力回路 |
| WO2006027709A3 (en) * | 2004-09-08 | 2006-08-17 | Koninkl Philips Electronics Nv | Fast switching circuit with input hysteresis |
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