JPH022161B2 - - Google Patents
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- JPH022161B2 JPH022161B2 JP55151329A JP15132980A JPH022161B2 JP H022161 B2 JPH022161 B2 JP H022161B2 JP 55151329 A JP55151329 A JP 55151329A JP 15132980 A JP15132980 A JP 15132980A JP H022161 B2 JPH022161 B2 JP H022161B2
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- Japan
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- current
- operational amplifier
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- voltage
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
- G05F1/468—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC characterised by reference voltage circuitry, e.g. soft start, remote shutdown
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Devices For Supply Of Signal Current (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、可変電流源、特にプログラム可能な
電流供給回路網を有する可変電流源装置に関す
る。
電流供給回路網を有する可変電流源装置に関す
る。
プログラム可能な電流源は、種々の回路又は回
路素子に選択的に電流を供給するため電子機器に
広く応用されている。プログラム可能な電流源の
最も一般的な構成は各出力端子に個々の電流源を
設けることであり、基板の大きさ、電力消費量及
び実効電流を問題としないなら、この構成は好適
である。しかし、高精度及び可変の電流が要求さ
れる場合、単一可変電流源を設け、適当な出力端
子に出力電流を供給するのが最も望ましい。この
回路の従来の構成は、可変抵抗器によるソース抵
抗を有する単一電界効果トランジスタ（FET）
及び適当な電流路を形成するためのドレイン回路
内における多くのリレーを含んでいる。しかし、
かかる従来の回路は、大きな回路基板面積を必要
とし、相当大きな電力を消費するという欠点を有
する。
路素子に選択的に電流を供給するため電子機器に
広く応用されている。プログラム可能な電流源の
最も一般的な構成は各出力端子に個々の電流源を
設けることであり、基板の大きさ、電力消費量及
び実効電流を問題としないなら、この構成は好適
である。しかし、高精度及び可変の電流が要求さ
れる場合、単一可変電流源を設け、適当な出力端
子に出力電流を供給するのが最も望ましい。この
回路の従来の構成は、可変抵抗器によるソース抵
抗を有する単一電界効果トランジスタ（FET）
及び適当な電流路を形成するためのドレイン回路
内における多くのリレーを含んでいる。しかし、
かかる従来の回路は、大きな回路基板面積を必要
とし、相当大きな電力を消費するという欠点を有
する。
したがつて、本発明の目的は、複数の出力端の
１つに極めて高精度の出力電流を選択的に供給す
ることが可能な可変電流源装置を提供することで
ある。
１つに極めて高精度の出力電流を選択的に供給す
ることが可能な可変電流源装置を提供することで
ある。
本発明の他の目的は、消費電力が小さく、小形
化が可能な可変電流源装置を提供することであ
る。
化が可能な可変電流源装置を提供することであ
る。
本発明のその他の目的及び利点は、後述の説明
により当業者には明らかとなるであろう。
により当業者には明らかとなるであろう。
本発明の可変電流源装置は、複数のFETを含
み、何れか１つのFETのドレインから所望の出
力電流を得るものである。複数のFETの各ゲー
トはそれぞれスイツチ素子を介して１つの演算増
幅器の出力端に接続され、各ソースはこの演算増
幅器の反転入力端に共通接続される。演算増幅器
の反転入力と基準電位源間に電流設定用抵抗器が
接続され、基準電位源と演算増幅器の非反転入力
端間に可変電圧源が接続される。更に、制御手段
が、複数のFETの何れか１つを導通させ、この
導通されたFETのゲートと演算増幅器の出力端
間のスイツチ素子も導通させて、他のFETを確
実に非導通に維持する。この結果、導通された
FET、スイツチ素子及び演算増幅器により電圧
フオロワが形成され、可変電圧源の出力電圧が正
確に電流設定用抵抗器に印加される。この電流設
定用抵抗器を流れる正確な所望出力電流は、導通
したFETのドレインのみから出力される。また、
本発明の可変電流源装置は、消費電力が少ないの
で、小形且つ低電力の回路素子により容易に構成
することができ、回路基板上における占有面積が
減少し小形化が容易である。
み、何れか１つのFETのドレインから所望の出
力電流を得るものである。複数のFETの各ゲー
トはそれぞれスイツチ素子を介して１つの演算増
幅器の出力端に接続され、各ソースはこの演算増
幅器の反転入力端に共通接続される。演算増幅器
の反転入力と基準電位源間に電流設定用抵抗器が
接続され、基準電位源と演算増幅器の非反転入力
端間に可変電圧源が接続される。更に、制御手段
が、複数のFETの何れか１つを導通させ、この
導通されたFETのゲートと演算増幅器の出力端
間のスイツチ素子も導通させて、他のFETを確
実に非導通に維持する。この結果、導通された
FET、スイツチ素子及び演算増幅器により電圧
フオロワが形成され、可変電圧源の出力電圧が正
確に電流設定用抵抗器に印加される。この電流設
定用抵抗器を流れる正確な所望出力電流は、導通
したFETのドレインのみから出力される。また、
本発明の可変電流源装置は、消費電力が少ないの
で、小形且つ低電力の回路素子により容易に構成
することができ、回路基板上における占有面積が
減少し小形化が容易である。
図は、プログラム可能な電流供給回路網を有す
る可変電流源の簡略回路図である。複数のFET
１０―１〜１０―Ｎは、動作中電流を供給すると
共にそれらのドレイン（出力電極）が複数の電流
出力端子１２―１〜１２―Ｎに接続された負荷に
対して高インピーダンスの電流源の一部分を構成
する。
る可変電流源の簡略回路図である。複数のFET
１０―１〜１０―Ｎは、動作中電流を供給すると
共にそれらのドレイン（出力電極）が複数の電流
出力端子１２―１〜１２―Ｎに接続された負荷に
対して高インピーダンスの電流源の一部分を構成
する。
演算増幅器１４は、複数FETから選択された
FETを介して出力端が反転入力端（−）に接続
され、ボルテージ・フオロワを形成する。抵抗器
１６は、電流源の電流設定用抵抗器であり、増幅
器１４の反転入力端（即ち、FET１０―１〜１
０―Ｎのソース（共通電極））及び適当な電圧源
−V1間に接続される。電圧発生器１８は、増幅
器１４の非反転入力端（＋）及び供給電圧源−
V1間に接続され、抵抗器１６の両端電圧を設定
し、その結果抵抗器１６を流れる電流を設定す
る。電圧発生器１８及び抵抗器１６は、電子的又
は手動的に可変とすることができ、或いは予め決
められた電圧値及び抵抗値を生じるようにプログ
ラムできる。
FETを介して出力端が反転入力端（−）に接続
され、ボルテージ・フオロワを形成する。抵抗器
１６は、電流源の電流設定用抵抗器であり、増幅
器１４の反転入力端（即ち、FET１０―１〜１
０―Ｎのソース（共通電極））及び適当な電圧源
−V1間に接続される。電圧発生器１８は、増幅
器１４の非反転入力端（＋）及び供給電圧源−
V1間に接続され、抵抗器１６の両端電圧を設定
し、その結果抵抗器１６を流れる電流を設定す
る。電圧発生器１８及び抵抗器１６は、電子的又
は手動的に可変とすることができ、或いは予め決
められた電圧値及び抵抗値を生じるようにプログ
ラムできる。
増幅器１４の出力端は、スイツチ素子として作
用するダイオード２０―１〜２０―Ｎを介して
FET１０―１〜１０―Ｎのゲートに接続される。
バイアス抵抗器２２―１〜２２―Ｎは、それぞれ
FET１０―１〜１０―Ｎのゲートに接続される。
動作中FET１０―１〜１０―Ｎの内の１個の選
択、即ちボルテージ・フオロワ帰還ループへの接
続は、デジタル・スイツチング低レベル電流源２
４によつて行なわれる。この制御手段の要部とし
て機能する電流源２４は、バイアス抵抗器２２―
１〜２２―Ｎの内の１個に電流を流して電圧を発
生させ、関連するFETを導通させる。電流源２
４は複数のスイツチング・トランジスタ２６―１
〜２６―Ｎを含み、それらのエミツタは、それぞ
れ電流設定用抵抗器２８―１〜２８―Ｎを介して
適当な電圧源＋Ｖに接続される。発生電流は
FETのバイアス電圧を発生させる目的のみに使
用されるので、これらのトランジスタ及び抵抗器
は小容量のものでよい。実際には、所定バイアス
電圧が発生すると、このFETのゲートに接続さ
れたダイオードが順バイアスされて導通する。
用するダイオード２０―１〜２０―Ｎを介して
FET１０―１〜１０―Ｎのゲートに接続される。
バイアス抵抗器２２―１〜２２―Ｎは、それぞれ
FET１０―１〜１０―Ｎのゲートに接続される。
動作中FET１０―１〜１０―Ｎの内の１個の選
択、即ちボルテージ・フオロワ帰還ループへの接
続は、デジタル・スイツチング低レベル電流源２
４によつて行なわれる。この制御手段の要部とし
て機能する電流源２４は、バイアス抵抗器２２―
１〜２２―Ｎの内の１個に電流を流して電圧を発
生させ、関連するFETを導通させる。電流源２
４は複数のスイツチング・トランジスタ２６―１
〜２６―Ｎを含み、それらのエミツタは、それぞ
れ電流設定用抵抗器２８―１〜２８―Ｎを介して
適当な電圧源＋Ｖに接続される。発生電流は
FETのバイアス電圧を発生させる目的のみに使
用されるので、これらのトランジスタ及び抵抗器
は小容量のものでよい。実際には、所定バイアス
電圧が発生すると、このFETのゲートに接続さ
れたダイオードが順バイアスされて導通する。
スイツチング論理信号は、電流源２４を選択的
にデジタル・スイツチングするために、図中
PNP型で示されるトランジスタ２６―１〜２６
―Ｎのベースに印加される。この実施例では、ト
ランジスタは、論理信号が低レベルのとき導通
し、高レベルのとき非導通になる。Ｎ個の内から
１個を選ぶ場合、択一論理信号がトランジスタ２
６―１〜２６―Ｎの内１個だけを所定時に確実に
導通するように印加される。
にデジタル・スイツチングするために、図中
PNP型で示されるトランジスタ２６―１〜２６
―Ｎのベースに印加される。この実施例では、ト
ランジスタは、論理信号が低レベルのとき導通
し、高レベルのとき非導通になる。Ｎ個の内から
１個を選ぶ場合、択一論理信号がトランジスタ２
６―１〜２６―Ｎの内１個だけを所定時に確実に
導通するように印加される。
回路動作の１例を説明する。低レベル信号がト
ランジスタ２６―１のベースに印加され、トラン
ジスタ２６―２〜２６―Ｎのベースは高レベルに
保たれると仮定する。バイアス電流IB1は抵抗器
２２―１を流れ、抵抗器２２―１の両端にバイア
ス電圧が生じてFET１０―１及びダイオード２
０―１が導通する。抵抗器１６によつて生じた電
流は、出力電流IOUT1としてFET１０―１を介し
て出力端子１２―１に流れる。
ランジスタ２６―１のベースに印加され、トラン
ジスタ２６―２〜２６―Ｎのベースは高レベルに
保たれると仮定する。バイアス電流IB1は抵抗器
２２―１を流れ、抵抗器２２―１の両端にバイア
ス電圧が生じてFET１０―１及びダイオード２
０―１が導通する。抵抗器１６によつて生じた電
流は、出力電流IOUT1としてFET１０―１を介し
て出力端子１２―１に流れる。
出力回路３０は、図示の例にあつてはプログラ
ム可能に制御される電流が出力端子１２―１〜１
２―Ｎから利用できる回路である。ここでは、複
数の負荷抵抗器３２―１〜３２―Ｎが電流―電圧
変換器を形成するためにそれぞれ出力端子１２―
１〜１２―Ｎ及び接地間に接続される。抵抗器３
２―１〜３２―Ｎの抵抗値は、異なる範囲の出力
電圧EOUT1〜EOUTNが得られるように選ばれる。以
上のように、綿密に回路素子を選択し厳しい公差
を維持することによつて、非常に高精度の校正電
圧発生器が得られる。また、本発明の実用例にお
いて、可変校正電圧発生器の出力電圧の精度は
0.25％以下であつた。
ム可能に制御される電流が出力端子１２―１〜１
２―Ｎから利用できる回路である。ここでは、複
数の負荷抵抗器３２―１〜３２―Ｎが電流―電圧
変換器を形成するためにそれぞれ出力端子１２―
１〜１２―Ｎ及び接地間に接続される。抵抗器３
２―１〜３２―Ｎの抵抗値は、異なる範囲の出力
電圧EOUT1〜EOUTNが得られるように選ばれる。以
上のように、綿密に回路素子を選択し厳しい公差
を維持することによつて、非常に高精度の校正電
圧発生器が得られる。また、本発明の実用例にお
いて、可変校正電圧発生器の出力電圧の精度は
0.25％以下であつた。
以上、好適な実施例によつて本発明の原理につ
いてのみ説明したが、本発明はその要旨を逸脱す
ることなく種々の変形及び変更が可能である。
いてのみ説明したが、本発明はその要旨を逸脱す
ることなく種々の変形及び変更が可能である。
上述のように、本発明によれば、複数のFET
の中の１つを選択的に導通させると共に、この導
通されたFETのゲートと演算増幅器の出力端間
に接続されたスイツチ素子を導通させ、演算増幅
器、スイツチ素子及びFETにより電圧フオロワ
を形成して共通の電流設定用抵抗器に可変電圧源
の電圧を正確に印加し、出力電流を選択された
FETのドレインのみから得るようにしたので、
極めて正確な所望出力電流を任意のFETのドレ
インから発生させることができ、消費電力が少な
く且つ小形化が容易に可能な可変電流源装置が得
られる。
の中の１つを選択的に導通させると共に、この導
通されたFETのゲートと演算増幅器の出力端間
に接続されたスイツチ素子を導通させ、演算増幅
器、スイツチ素子及びFETにより電圧フオロワ
を形成して共通の電流設定用抵抗器に可変電圧源
の電圧を正確に印加し、出力電流を選択された
FETのドレインのみから得るようにしたので、
極めて正確な所望出力電流を任意のFETのドレ
インから発生させることができ、消費電力が少な
く且つ小形化が容易に可能な可変電流源装置が得
られる。
図は、本発明による可変電流源装置の好適な実
施例の回路図である。 １０―１〜１０―Ｎ：電界効果トランジスタ、
１４：演算増幅器、−V1：基準電位源、１６：電
流設定用抵抗器、１８：可変電圧源、２０―１〜
２０―Ｎ：スイツチ素子、２４，２２―１〜２２
―Ｎ，−V2：制御手段。
施例の回路図である。 １０―１〜１０―Ｎ：電界効果トランジスタ、
１４：演算増幅器、−V1：基準電位源、１６：電
流設定用抵抗器、１８：可変電圧源、２０―１〜
２０―Ｎ：スイツチ素子、２４，２２―１〜２２
―Ｎ，−V2：制御手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 演算増幅器と、 該演算増幅器の非反転入力端及び基準電位源間
に接続された可変電圧源と、 各ゲートがそれぞれ上記演算増幅器の出力端に
スイツチ素子を介して接続され、各ソースが上記
演算増幅器の反転入力端に共通接続された複数の
電界効果トランジスタと、 上記演算増幅器の反転入力端及び上記基準電位
源間に接続された電流設定用抵抗器と、 上記複数の電界効果トランジスタの何れか１つ
のみを選択的に導通させ、この導通された電界効
果がトランジスタのゲートに接続された上記スイ
ツチ素子を導通させて、残りの上記電界効果トラ
ンジスタを非導通状態に維持する制御手段とを具
え、 上記導通された電界効果トランジスタのドレイ
ンのみから出力電流を得ることを特徴とする可変
電流源装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/089,067 US4280091A (en) | 1979-10-29 | 1979-10-29 | Variable current source having a programmable current-steering network |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5672718A JPS5672718A (en) | 1981-06-17 |
| JPH022161B2 true JPH022161B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=22215503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15132980A Granted JPS5672718A (en) | 1979-10-29 | 1980-10-28 | Variable current source |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4280091A (ja) |
| JP (1) | JPS5672718A (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769428A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-28 | Toshiba Corp | Power current circuit |
| EP0104385B1 (de) * | 1982-08-27 | 1986-04-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Konstantstromgeber |
| US4513241A (en) * | 1983-04-01 | 1985-04-23 | Ford Motor Company | Foldback current limiting driver |
| US4529928A (en) * | 1983-05-20 | 1985-07-16 | Tektronix, Inc. | Automatic control circuit for a current translating device |
| US4608530A (en) * | 1984-11-09 | 1986-08-26 | Harris Corporation | Programmable current mirror |
| US4766366A (en) * | 1985-01-04 | 1988-08-23 | Motorola, Inc. | Trimmable current source |
| US4814688A (en) * | 1988-03-03 | 1989-03-21 | Brooktree Corporation | Reference generator |
| US5012178A (en) * | 1990-03-19 | 1991-04-30 | Triquint Semiconductor, Inc. | Low noise DAC current source topology |
| US5107199A (en) * | 1990-12-24 | 1992-04-21 | Xerox Corporation | Temperature compensated resistive circuit |
| US6020767A (en) * | 1998-05-04 | 2000-02-01 | International Business Machines Corporation | CMOS chip to chip settable interface receiver cell |
| US6801069B1 (en) | 1998-05-04 | 2004-10-05 | International Business Machines Corporation | Receiving latch with hysteresis |
| US5900777A (en) * | 1998-05-04 | 1999-05-04 | International Business Machines Corporation | Method for interconnecting CMOS chip types |
| US6051994A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | International Business Machines Corporation | Variable voltage driver |
| US6046610A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Self-biased differential receiver cells for CMOS |
| IT1304046B1 (it) * | 1998-12-22 | 2001-03-07 | St Microelectronics Srl | Regolatore di tensione per una pluralita' di carichi,in particolareper memorie di tipo flash |
| US7118273B1 (en) | 2003-04-10 | 2006-10-10 | Transmeta Corporation | System for on-chip temperature measurement in integrated circuits |
| US7355489B2 (en) * | 2006-02-10 | 2008-04-08 | Cypress Semiconductor Corp. | High gain, high frequency CMOS oscillator circuit and method |
| US7847717B2 (en) * | 2009-04-01 | 2010-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Low noise current steering DAC |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099462A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-07 | ||
| NL7405441A (nl) * | 1974-04-23 | 1975-10-27 | Philips Nv | Nauwkeurige stroombronschakeling. |
| US3947704A (en) * | 1974-12-16 | 1976-03-30 | Signetics | Low resistance microcurrent regulated current source |
| US3986101A (en) * | 1975-03-10 | 1976-10-12 | Ncr Corporation | Automatic V-I crossover regulator |
| US4004155A (en) * | 1975-10-03 | 1977-01-18 | Forbro Design Corporation | Bipolar regulated high voltage power supply |
| US4163188A (en) * | 1978-05-30 | 1979-07-31 | National Semiconductor Corporation | System for establishing and steering a precise current |
-
1979
- 1979-10-29 US US06/089,067 patent/US4280091A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-10-28 JP JP15132980A patent/JPS5672718A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5672718A (en) | 1981-06-17 |
| US4280091A (en) | 1981-07-21 |
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