JPS59214290A - 抵抗体付き回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は抵抗体付き回路基板の製造方法に関する。

従来、姓抗体を内蔵した回路基板は、一般に、電気絶縁
層、この層上に接合された抵抗体の層およびこの抵抗体
に接合された高導電体層からなる積層板の形態で提供さ
れる。また、目的とする抵抗回路パターンの作製に際し
ては、所定の回路パターンの形状にしたがつぞ、絶縁領
域（絶縁層上の全層を除去）、抵抗領域（高導電体の層
のみ除去）、及び導体領域（各れの層も除去せず、通常
はこの高導電体」二にさらに金などの貴金属の薄膜メッ
キを施す）が、サブトラクティブ法（マスク−。エツチ
ング法）により形成されるか、あるいは該抵抗体部分な
どを所定のパターン形状をしたスクリーン印刷版を介し
て印刷する直接形成法などにより形成される。

ところで、当該技術分野における抵抗体材料は、炭素系
、酸化金属物系、金属系及びこれらの混合体などからな
っている。かかる材料から抵抗体の層を形成する方法と
しては、ペースト状物たとえはカーホン粒子などを種々
の樹脂成分で混合したものを印刷する方法、各種の炭化
水素系化合物を種々の条件下で炭化し蒸着する方法、金
属ないし二元系以上の合金を蒸着、スパッタリングする
方法などが知られている。

しかるに、ペースト状物の印刷の場合は抵抗値自体のコ
ントロールが困難であり、しかも回路板全面にわたる抵
抗値のバラツキが大きく特性も悪い。まだ、蒸着及びス
パッタリングによる方法でも抵抗値の管理が難しく、そ
の」−設備的に高価となる。

そこで、近年、抵抗体の層をメッキによって、安価にか
つ大面積にして効率よく安定的に製造する方法が着目さ
れている。例えば特開昭４８−７３７６２号公報にはニ
ッケルーリン合金からなる抵抗体を電気メッキで製造す
る方法が、また特開昭５０−７１５１３号公報には」−
記以外の各種の二元系合金よりなる抵抗体の層を電気メ
ッキで形成する方法がそれぞれ提案されている。しかし
ながら、上記合金類は目的とする抵抗体材料としては特
性上ならびに作業性の点で多くの欠点があることが判明
した。

一般に、かかる金属薄膜抵抗体からなる回路基板におい
ては、これらの膜厚を薄くすることによって目的に合っ
た面積抵抗値を有する抵抗体を得ることができる。しか
し、薄（するに従って金属皮膜自体のミクロ的な均一性
が得られ難く、おのずと膜厚に限度がある。たとえば前
述のニッケルＩＪン合金での工業的に使用し得る面積抵
抗値としてはせいぜい１００Ω／口以下であり、更に高
い面積抵抗値を有するものは得られ難い。その」二、ザ
ブトラクチイブ法による加工工程中でも重大な欠陥があ
る。

サブトラクティブ法では、まず、回路基板の銅箔（高導
電体）表面全面にフォトレジストを塗布する。ついで、
目的とする抵抗部分及び導体部分にレジストが残るよう
なフォトマスクを介して露光後、現像する。絶縁領域を
形成するために不必要な銅及び抵抗体の層をそれぞれの
専用エツチング液にて順次エツチング除去する。引き続
き、今度は導体部分のみが残るフォトマスクを介して露
光後、現像する。これにより露出された銅箔をエツチン
グ除去（抵抗領域の形成）すれば目的とする回路板（但
し、導体領域にはレジストが残存している）を得ること
ができる。

」二組工程においては、抵抗パターン領域に相当する部
分の銅箔をエツチング除去する際、このエツチング液に
対して抵抗体の材質が安定で、はとんどエツチングされ
ないことが必須条件である。

しかるに、上記のニッケルーリン合金からなる抵抗体は
銅箔とのエツチング選択性が悪く、銅箔のエツチング時
に抵抗体も部分的にエツチングされてしまい抵抗値が大
幅に増加してしまうことが判明した。つまり、所期の設
定値がそのまま加工後の抵抗値にならないと云う欠点を
有していた。

また、上述の特開昭５０−７１５１３号公報に示される
各種の二元系合金は、これらが単金属のメッキ膜より一
般に高い抵抗値が得られるものとして提案されたもので
あるが、下記の理由により未だ工業的に採用されるに至
っていなし八〇すなわち、＋ｉｆＪ記薄膜化による抵抗
値の増大と工・ンチンク゛選択性などの緒特性のバラン
スをとりにりし）問題があるは応）、抵抗値のバラツキ
のな（１一定組成の合金メッキ膜をメッキ浴から安定に
製造することが非常に難しいという問題があるためであ
る。

このような事情に鑑み、この出願人は、前記提案ｉ（係
る各合金とは異なる抵抗体材料としてすてにスズ−ニッ
ケル合金を案出しだ。この合金によると、前記提案のも
のに比し薄膜化が可能でこれによって約３００〜４００
Ω／口の面積抵抗値を得ることができ、またエツチング
選択性がよくなり、さら番こ電気メッキで形成する場合
の均一電着性にもすぐれたものとなることが見い出され
た。

また、この出願人らは、上記スズ−ニッケル合金からな
る抵抗体材料に関する引き続く研究において、スズ−ニ
ッケル合金中にさらにイオウを含有させたときには面積
抵抗値が一段と大きな回路基板が得られることを知った
。この三元合金によれば、前記スズ−ニッケル合金の場
合と同様の良好なエツチング選択性や電気メツキ時のす
ぐれた均一電着性が得られるほか、面積抵抗値のきわめ
て高い回路基板を容易にかつ安定性良好に製造すること
ができる。

たとえば、ＭｆＩ記スズ−ニッケル合金の場合、面積抵
抗値１００Ω／口程度のものではその膜厚を数１００Ａ
以下に、また約３００〜４００Ω／口程度のものでは上
記よりもさらに薄くしなければならなかった。これに対
し、上記三元合金によると、合金中のイオウ原子の含有
量を適宜設定するだけで、その膜厚をそれほど薄くしな
くともたとえば２００〜ａｏｏＸａ上数千Ｘの厚さでも
５００Ω／口程度の面積抵抗値を得ることが可能となる
。一方、膜厚を薄（すれば、上記の面積抵抗値はさ狛こ
一段と大きくなり、１０４Ω／口程度までの面積抵抗値
を容易かつ安定に得ることができる。

まだ、」−記三元合金を抵抗体材料としたことによって
抵抗安定性に非常にすぐれたものとなり、高温ないし高
湿下に放置したときの抵抗値の変化率が小さく、この点
からも信頼性のきわめて高い回路基板を提供できるとい
う利点がある。

ところで、」二組三元合金からなる抵抗体の層を電気メ
ッキにより高導電体上に形成して」二連の如きすぐれた
特性を発揮させるだめには、これに見合った適当なメッ
キ液を選択使用しなければならない。

この出願人は、上記メッキ液として適当量のスズ塩およ
びニッケル塩と共にイオウ源としての含硫アミノ酸ない
しその塩さら（こピロリン酸カリウムを含むものが好適
であることをすでに見い出しているが、さらに検討した
結果、イオウ源として含硫アミノ酸以外の各種の水溶性
の有機イオウ化合物を用いる場合でもまだピロリン酸カ
リウムのほか他のポリリン酸の金属塩を使用したメッキ
液からも前述の如きすぐれた特性を有する抵抗体の層を
形成できるものであることを知り、この発明を完成する
に至った。

すなわち、この発明は、この出願人がすでに案出したス
ズ−ニッケルーイオウの三元合金を抵抗体材料とした抵
抗体−付き回路基板の工業的有用な製造方法を提供せん
とするものであり、その要旨とするところは、電気絶縁
層の少くとも片面に抵抗体の層を介して旨導電体を接合
した構造の回路基板を製造するに当たり、金属換算で２
〜５０ｆ；ｌ／１のスズ塩と１５〜２５’／／ｌのニッ
ケル塩と共に、１００〜４００ｙ／ｌのポリリン酸の金
属塩、０．２９７ｅ以」二飽和濃度までの含硫アミノ酸
以外の水溶性のイ１機イオウ化合物またはその塩および
Ｏ〜５０ｆ／／Ｉ！のα−アミノ酸またはその塩を含有
するメッキ液を使用し、このメッキ液から電気メッキに
より高導電体」二にスズとニッケルとの合計量中スズ３
０〜８０重量％およびニッケル７０〜２０重量％を含有
しかっこの含有ニッケルに対しＥ　Ｓ　ＣＡ測定による
相対強度比で５〜６５％のイオウを含むスズ−ニッケル
ーイオウの三元合金からなる抵抗体の層を形成すること
を特徴とする抵抗体材、き回路基板の製造方法にある。

この発明のメッキ液に用いられるスズ塩としては、塩化
第一スズ、ピロリン酸第−スズ、硫酸第一スズなどの中
からその１種もしくは２種以上を使用する。また、ニッ
ケル塩としては、塩化ニッケル、ピロリン酸ニッケル、
スルファミン酸ニッケルなどが挙げられ、前記スズ塩の
場合と同様にその１種もしくは２種以」二を使用する。

使用量は、金属換算でスズ塩が２〜５０ｙ／ｌ！、好ま
しくは３〜４０５／／ｌ、ニッケル塩が１５〜２５ｙ／
ｌ、好ましくは３〜２０ｙ／ｌの範囲として、メッキ層
中のスズおよびニッケルの含有割合が前記範囲となるよ
うに適宜設定する。

−に記スズ塩およびニッケル塩と共に用いられるポリリ
ン酸の金属塩としては、カリウム塩やナトリウム塩の如
きアルカリ金属塩が好ましいが、その他Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃ
ａなどのアルカリ土類金属の塩であっても差し支えない
。なお、ポリリン酸とはつきの一般式。

ＯＨＯＨ で表わされる化合物であり、ｎ（整数）としては１〜３
が好ましい。ｎ　＝　１の場合がピロリン酸、ｎ　＝　
２の場合がトリポＩＪ　ＩＪン酸、ｎ　＝　３の場合が
テトラポＩＪ　ＩＪン酸である。添加量としては、１０
０〜４００　ｙ／ｌ、好ましくは１１５〜３５０９／１
の範囲とずへきであり、この範囲を逸脱するとメッキ液
の安定性が損なわれ、均一かつ安定した抵抗特性が得ら
れない。

また、」二組ポＩＪ　ＩＪン酸の金属塩と共に必須成分
として用いられる水溶性の有機イオウ化合物またはその
塩は、メッキ皮膜中にイオウ原子を含有させるだめのも
のであり、含硫アミノ酸以外の水溶性の有機イオウ化合
物まだはその塩であれば広く使用でき、たとえば−ＳＨ
基を有するチオアルコール化合物、＋　Ｓ　＋ｎ（ｎは
２〜４の整数である）結合を有するポリサルファイド化
合物、−８−または−ζ−結合を有するチオエーテルま
たはスルホニウム化合物、環状の−８−結合を有するチ
オラクトン化合物、−Ｃ（＝Ｓ）−結合を有するチオカ
ルボニル化合物、−８Ｏ３Ｈ基を有するスルホン酸化合
物、−５（＝ｏ）よ、−（ｎは１または２の整数である
）結合を有するスルホキシドまたはスルホン化合物、−
ｃ（＝ｏ）−ｓｎまたは一〇（＝８）−８Ｈ基を有すざ
ジ）チオカルボン酸化合物やこれらの塩などを挙げるこ
とができる。

これらの有機イオウ化合物またはその塩は、これが水溶
性であるために官能基としてアミノ基、水酸基、カルボ
キシル基などを有するもの（ただし、含硫アミノ酸を除
く）、またはこれらのカリウム塩やナトリウム塩の如き
アルカリ金属塩、各種のアミン塩、アンモニウム塩、鉱
酸塩などであることが望ましい。また、その分子量とし
ては一般りこ４５〜５５０の範囲、特に好適には６５〜
４５０゛の範囲であるのがよく、イオウ含有量としては
通常５〜８０重量％、好適には８〜７０重量％である。

このような有機イオウ化合物またはその塩の具体例とし
ては、前記チオアルコール化合物ないしその塩としてチ
オグリコール酸、チオグリコール酸ナトリウム、２−メ
ルカプトプロピオン酸、１・２−ジチオグリセロール、
チオリンゴ酸、１−チオソルビト−ル、２−メルカプト
エタノール、２−アミンエタンチオーノペ　２−メルカ
プトプロピオン酸ナトリウム、２−メルカプトプロピオ
ン酸カルシウム、６−メルカプトプリン、２−メルカプ
ト安息香酸ナトリウム、２−メルカプトベンゾチアゾー
ルなどが、ポリサルファイド化合物ないしその塩として
シスタミン塩酸塩、ジチオジグリコール酸、４・４′−
ジチオジモルホリン、３・３′−ジチオジピリシン塩酸
塩、ジステアロイルトリサルファイド、ジステアロイル
テトラサルファイドなどが、チオエーテルまたはスルホ
ニウム化合物ないしその塩としてチオジグリコール酸、
３・３′−チオジプロピオン酸、チオモルホリン、２・
２′−チオジグリコ−ル、チオジグリコール、２−チオ
フェンカルボン酸、チアゾール、チアナフテンなどが、
それぞれ挙げられる。

また、チオラクトン化合物ないしその塩としてチオラク
トン塩酸塩などが、チオカルボニル化合物ないしその塩
としてチオ尿素、エチレンチオ尿素、チオホルムアミド
、チオアセ、ドアミド、チオシンナミン、チオセミカル
バジドなどが、スルホン酸化合物ないしその塩としてシ
クロへキシルスルファミン酸ナトリウム、ｐ−トルエン
スルホン酸ナトリウムなどが、スルホキシドまたはスル
ホン化合物ないしその塩としてジスルホキシド、サッカ
リン、サッカリンナトリウム、サッカリンアンモニウム
、クロラミン−Ｔなどが、（ジ）チオカルボン酸化合物
ないしその塩としてチオール酢酸、チオール酪酸、ジチ
オサリチル酸、ジチオ安息香酸・ピペリジン塩などが、
それぞれ挙げられム」−４２有機イオウ化合物またはそ
の塩の添加量としては、０．２！／／１以上飽和濃度ま
で、好適には０５〜２０　’ｌ／ｌであり、メッキ層中
に含まれてくるイオウの路が前記範囲となるように設定
する。なお、この発明では、上記有機イオウ化合物また
はその塩と既案出に係る含硫アミノ酸まだはその塩との
併用系をあえて排除するものではなく、所望に応じてか
かる併用系としても差し支えな０毛この発明のメッキ液
には必要に応じてα−アミ−７酸まだはその塩を添加す
ることができる。α−アミノ酸としては、グリシン、ヒ
スチジン塩酸塩、フェニルアラニン、ロイシン、アスパ
ラキン酸、グルタミン酸などを例示できる。その添加量
は、０〜５０　Ｙ／Ｉ！、好適には５〜３０ｙ／ｌであ
る。また、メッキ効率や抵抗特性の向上などのだめに、
メッキ浴のＰ　Ｈ調整剤として塩酸、硫酸、スルファミ
ン酸、ピロリン酸、アンモニア水、水酸化カリウムなど
を適量添加してもよい。

この発明においては、かかるメッキ液を用いて電気メッ
キにより高導電体上に抵抗体の層を電着析出させる。こ
の際、メッキ浴温度は２０〜６０℃の範囲で、メッキ電
流密度としては０．０１　Ａ／　ｄｔｔｆ以１・、で、
かつ３〜５００ク一ロン／ｄｍ！の総メツキ電気量の範
囲でメッキを行うことが好ましい。メッキ作業性やコス
ト的問題を考慮すると、特に好適には、第１図ζこ示し
だように、メッキ電流密度としてはＱ、０５〜５．　Ｏ
Ａ／ｄ、ｎｆ　、メッキ電気量としては４〜２００クー
ロン／　ｄｎｔの範囲がよい。メッキ浴温度が適当でな
くまた電流密度が低すきると、メッキ浴の安定性が損な
われ、得られる抵抗体の抵抗値のばらつきや各種特性値
の低下の原因となる。

陽極に用いられる材質としては、カーホン電極白金被覆
チタン電極、ステンレス電極の如き不溶性電極や、ニッ
ケル電極、ニッケルースズ合金電極などの可溶性電極の
いずれもが適用できる。

抵抗体の層を形成するべき高導電体としては、銅箔が最
も一般的であるが、その他ニッケル箔、スズメッキ銅箔
及び亜鉛箔など従来公知の材料を広く適用できる。また
、これら高導電体の製造法は特に限定されず、各種方法
でつくられるものがいずれも適用可能である。

このようにして抵抗体の層を形成したのち、さらにこの
層上に常法により電気絶縁層を設けることにより、この
発明の目的とする抵抗体付き回路基板が得られる。上記
電気絶縁層を形成するための材料としては、エポキシ樹
脂その他の熱硬化性樹脂が好適に用いられ、またこれら
の樹脂をガラスクロスその他の繊維基材に含浸させてな
るプリプレグが用いられる。これら材料を抵抗体の層」
二に加熱圧着（硬化）させることによって電気特性。

耐熱性にすぐれた絶縁層となすことができる。

このようにして得られるこの発明の回路基板は、その抵
抗体の層がスズ−ニッケルーイオウの三元合金からなり
、かっこの合金の組成として、スズとニッケルとの合計
量中スズ３０〜８０重量％、好適には３５〜７５重量％
およびニッケルア０〜２０重最％、好適には６５〜２５
重量％を含有し、かつこの含有ニッケルに対しＥＳＣＡ
測定による相対強度比で５〜６５％、好適には８〜６０
％の範囲のイオウを含むものであることを特徴とする。

ここで、ニッケルおよびスズの含有量が上記範囲からず
れると、回路基板の面積抵抗値が充分に高くならず、回
路特性」二好結果を得ｌこぐい。まだ、イオウ濃度が低
すきると面積抵抗値がそれ程高くならず、逆に多くなり
すぎると回路特性上、と（に長期的な耐湿特性の面で好
結果が得られない。

なお、この明細書で記述するところのＥＳＣＡ測定とは
、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　５ｐｅｃｔｒ、ｏｓｃｏ、ｐｙ　
ｆｏｒＣｈｅｍｉｃａｌΔｎａ］−ｙｓｉｓ　（化学分
析のための電子分光）の頭文字を取った略称であって、
実際にｄｕｌ）　Ｏｎ　ｔ−島津製作所のＸ−線光電子
分光装置１ＥｓＣＡ６５０Ｂを用いＸ線はＭｇＫα線に
て、光電子スペクトルを測定して実測したものである。

また、この実測に際し、回路基板の高導電体をエツチン
グにより除去して抵抗体の層を露出させ、この露出面側
から上記光電子スペクトルを測定したものである。この
種のＥＳＣＡ測定はある特定金属に対する相対強度比で
以ってその相対含有量を表わすのによく採用されている
ものである。

第２図は、上述の如（して得られるこの発明の回路基板
から回路板を作製するだめの工程図を示したもので、こ
の作製工程は従来と特に変るところはない。

すなわち、まず（Ａ）工程において、高導電体１上（こ
フォトレジスト４を形成し、つぎに（Ｂ）工程でフ第１
・マスクを介して露光し、現像して所定のパターンを形
成する。しかるのち、（Ｃ）工程でレジスト除去部分に
ニッケルメッキ５および金メッキ口を施して一対二個の
電極７を複数形成する。ついで（Ｄ）工程で電極７，７
間のフォトレジスト４が残留するようなフォトマスクを
介して再び露光し、現像する。引き続き、（Ｅ）工程に
おいて上記（Ｄ）工程でのレジスト除去部分に露出する
高導電体１および抵抗体の層２をエツチング除去して電
気絶縁層３を露出する。さらに（Ｆ）工程で電極７，７
間のフォトレジスト４を取り除き、これによって露出す
る高導電体１を（Ｇ）工程においてエツチング除去する
。かくして電極７，７間にまたがる抵抗体の層２を残し
て抵抗素子となし、この上に（Ｉ（）工程で保護皮膜８
を形成して、回路板を作成する。

以上詳述したとおり、この発明によれば、スズ塩および
ニッケル塩と共にポリリン酸の金属塩および含硫アミノ
酸以外の水溶性の有機イオウ化合物またはその塩を含む
メッキ液を使用し、これを高導電体上に電気メッキして
スズ−ニッケルーイオウの三元合金からなる抵抗体の層
を形成することにより、工業的有用な抵抗体付き回路基
板を製造することができる。

すなわち、この方法によれば、良好なエツチング選択性
や電気メツキ時のすぐれた均一電着性が得られるほか、
１００Ω／［１以上５にΩ／口程度までの高い面積抵抗
値を有しかつ板面全体の抵抗値のばらつきの小さい品質
安定な抵抗体の層を任意の膜厚で再現性よく形成でき、
しかも高温ないし高湿下に放置したときの抵抗値の変化
率の小さいつまり抵抗安定性にすぐれる回路基板を提供
することができる。特に、この出願人が提案したスズ−
ニッケル合金からなる抵抗体の層では得ることが困難で
あった４００Ω／−以上、好適ｉａよ５００〜２．　Ｏ
Ｏ０８７口の面積抵抗値を有すると共にその抵抗安定性
にすぐれる回′路基板を品質安定に製造できるという利
点がある。

以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。なお、この発明は以下の実施例にのみ限定される
ものではない。　一 実施例１ ０−ル状の電解銅箔（３５μ厚）を所定大（２０ｃｍ角
）に裁断した後、この銅箔製造時のドラム側の片面全面
にマスキング用の接着保護シートを圧着し、これを洗浄
液（シラプレー社製ニュートラクリーン６８の１容量に
対して水１容量の割合で希釈した水溶液）に、室温下３
分間浸漬した。その後、流水にて水洗し、さらにこれを
脱イオン水にて水洗した。次番こ、過硫酸アンモニウム
２００ｙ／ｌおよび濃硫酸１５　ｍｌ／ｌからなる水溶
液（以下、単に過硫酸アンモン処理液という）に室温下
２分間浸漬し、水洗後すみやかに電流密度；０．５Ａ／
ｃｌｎ？、浴温度；２５°Ｃの一定条件、所定時間スズ
−ニッケルーイオウ合金のメッキを施して抵抗体の層を
形成した。なお、メッキ浴は下記の浴組成を適用した。

塩化第一スズ （５ｎＣ１２ψ２Ｈ２０）　　　　３０　　ｆ／／１塩
化ニッケル （ＮｉＣｌ２　・６Ｈ２０）　　　　３０　　ｙ／１ピ
ロリン酸力１ノウム （Ｋ４Ｐ２Ｏ７）　　　　　１６５　　？／１チオグリ
コール酸 （ＨＯＯＣＣＨ２ＳＨ）　　　　　５．５Ｆ？／１上記
のように抵抗体の層を形成した後、充分に水洗し乾燥さ
せた。ついで、銅箔片面の前記保護シートを剥離した後
、抵抗体の層上に、エポキシ樹脂含浸ガラスクロス（通
称プリプレグ）を重ね合わせ、積層用プレス機により加
熱圧着することにより、抵抗体付き回路基板を得た。

上記の実施例１において、抵抗体形成のメッキ時間を１
５０秒に設定した回路基板を用いて、下記の方法により
抵抗体を構成する三元合金の組成を調べた。結果は第１
表に示されるとおりであった。

〈合金組成の測定〉 供試基板の銅箔全面を、ニュートラエッチ■１（シラプ
レー社製の銅エツチング液、５０℃、ＰＨ＝７．６〜７
８）によりエツチング除去した。

充分に水洗したのち、中央部２ｃｍ角を切断し、再度充
分に水洗したのち乾燥させ、ＥＳＣＡＳＣ相試料とし、
合金中に含まれるイオウ濃度を含有ニッケル原子に対す
る相対強度比で測定した。一方、上記試料の残部を再度
充分に水洗したのち、濃硝酸３０　ｍｌおよ０；脱イオ
ン水７０ｍ１よりなる溶解液を用いて完全に溶解させ、
スズおよヒニッケルの濃度を原子吸光光度法により測定
した。

第１表 つきに、上記の実施例１において、メッキ時間を１０〜
１５０秒間に設定して得た種々の基板を用いて下記の方
法で回路板を作製した。この回路板（メッキ時間の設定
によって所定の抵抗値とされたもの）の耐熱性および耐
湿性を調べた結果は、後記の第２表に示されるとおりで
あった。なお、耐熱性は１００℃に１００時間放置した
ときの抵抗変化率（支）を示したものであり、また耐湿
性とは４０　”Ｃ、９０９６ＲＨ下ニ１００時間放置し
たときの抵抗変化率（至）を示したものである。

また、Ｊ二組回路板の板面全体の平均抵抗値および抵抗
値の面分布（バラツキの範囲）と、メッキ時間との相関
性を調べた結果は、第３図に示されるとおりであった。

〈抵抗体付き回路板の作製〉 抵抗体付き回路基板を前述の洗浄液に室温下３分間浸漬
した後、水洗し乾燥させた。その後、ＡＺ−ｉｉｉ（シ
ラプレー社製ポジ型フォトレジスト）を引上げ速度５〜
ｌｏａｍ１分でディッピングコートし、８０℃で２０分
間加熱乾燥することにより、銅箔表面にフォトレジスト
膜を形成した。

つぎに、」二組フォトレジスト膜上に３ＫＷの超高圧水
銀灯（オーク製作所社製ＨＭＷ−Ｎ６−３．照射距離６
５　ｃｍ　）にて積算光量値で４５０　ｍ　、３／ｅｒ
ｒ？照躬し、多数個の抵抗素子の各電極部分にニッケル
メッキと金メッキとを施すための所定のパターンを焼付
けた。その後、ＡＺ−３０３（シラプレー社製のアルカ
リ現像液）を用いて室温下３分間現像し、上記各電極部
分のフォトレジスト膜を除去し、さらに流水および脱イ
オン水で３０〜６０秒間洗浄した。その後、前記の過硫
酸アンモン処理液にて室温下３０秒間処理した後、水洗
した。この除去部分に２Δ／ｄｍ’、５０°Ｃ，６分間
の条件下でニッケルメッキを施し、さらにこの７′ツキ
層上に０．５Ａ／ｄフｒｆ、４０℃、２０分間の条件下
で金メッキを施しだのち、水洗し乾燥して一対二個の電
極を複数形成した。

ついで、各抵抗素子部分のフォトレジスト膜が残留する
ようなフォトマスクを介して、前記露光器にて前記同様
の条件下で露光し、さらにｉｆＪ記同様の現像および水
洗処理を行って、各抵抗素子部分以外のフォトレジスト
膜を除去した。しかるのち、１ｊ［１述のニュートラエ
ッチｖ１にて、上記除去部分に露出する電解銅箔をエツ
チング除去した。

水洗後、濃硫酸３３５７ｒＪ　、濃硝酸１５ｔｒ４．濃
塩酸５０７ｙｉｌ、過酸化水素水１０ｔｎＩ！および脱
イオン水５９０　ｍ／？からなるエツチング液を用いて
、銅箔除去部分に露出する抵抗体の層をエツチング除去
した。

引き続き、各抵抗素子部分に残留するフォトレジスト膜
をアセトンにて室温下１０〜２０秒間で除去したのち、
この除去部分に露出する銅箔を前記同様のエツチング液
にュートラエツチ■１）にてエツチング除去し、充分に
水洗した後、乾燥した。かくして一対二個の電極間を接
続する各抵抗体の層を露出させ、この露出抵抗体を抵抗
素子として、この素子」二及びこの素子に近接する電極
部分の一部にソルダーレジストインキをスクリーン印刷
により塗布した。これを所定の条件下加熱硬化させるこ
とにより、目的とする抵抗体付き回路板を作製した。

第２表 比較例１ 抵抗体メッキ用のメッキ液として、チオグリコ−ル酸を
添加しなかった以外は実施例１と全く同様にして抵抗体
付き回路基板を作製した。この基板の合金組成を前記第
１表に併記した。また、この基板からｎｆｒ記同様にし
て回路板を得、メッキ時間（４〜２５秒）と得られた回
路板の抵抗値との関係を求めた結果は第４図に示される
通りであった。抵抗値としてはせいぜい３００Ω／口が
限度であることが判った。参考値として、抵抗値が４５
及び１５０Ω／口のものについての特性試験として実施
例１の場合と同様の耐熱性および耐湿性試験を行った結
果は前記の第２表に併記される通りであった。

実施例２ 抵抗体合金のメッキ液として、チオグリコール酸の代わ
りにジチオジグリコール酸を５．５ｙ／１添加した以外
は実施例１と全く同様にして抵抗体付き回路基板を作製
した。この基板の合金組成を実施例１と同様にして調べ
た結果は、スズ６８．４重量％、ニッケル３１６重量％
であり、イオウ含有量はＥＳＣ八測へでのニッケルに対
する相対強度比で３２．５％であった。次に、上記基板
から実施例１と同様にして回路板を作製し、この回路板
の抵抗値とメツキナ間との関係を調べだ結果は、第５図
に示される通りであった。また、耐熱性および耐湿性を
前記同様にして調べた結果は、次の第３表に示される通
りであった。

第　　３　　表 実施例３〜６ 抵抗体合金メッキ用のメッキ液として、グリシンの添加
量を２０　！／ｌに変更し、さらにチオグリコール酸の
代わりにチオリンゴ酸を添加し、その添加量を０８〜１
８　？／ｌとし、そのメッキ時間を１０秒の一定時間と
した以外は実施例１と全（同様にして抵抗体付き回路基
板を作製した。この基板の合金組成を調べた結果、およ
びこの基板から作製した回路板の耐熱性、耐湿性を調べ
た結果は、次の第４表に示される通りであった。

第　　４　　表 実施例７〜１０ 抵抗体合金メッキ用のメッキ液として、実施例４のメッ
キ液を用い、そのメッキ条件としてのメッキ電流密度を
０１〜２．　ＯＡ／ｄｍＦとした以外は実施例１と全く
同様にして抵抗体付き回路基板を作製した。また、これ
ら基板の合金組成を１５０クーロン／ｄＬ＋ｉの一定電
気量でメッキしたときの結果から求め第５表に示しだ。

面積抵抗値が約４５０Ω／口の回路板の耐熱性および耐
湿性を調べた結果は次の第５表に併記した通りであった
。

第　　５　　表 実施例１１ 抵抗体合金メッキ用のメッキ液として、ピロリン酸カリ
ウムの代りにトリポリリン酸カリウムを２００ｙ／ｌ使
用し、メッキ時間を３０秒の一定時間とした以外は実施
例１と全く同様にして抵抗体付き回路基板を作製した。

この基板の合金組成を調べた結果、およびこの基板から
作製した回路板の耐熱性、耐湿性を調べた結果は、次の
第６表に示されるとおりてあった。

第　　６　　表

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の抵抗体付き回路基板における抵抗体
の層を形成するだめの好適なメッキ条件の範囲を示す説
明図、第２図（Ａｌ−（Ｈ）はこの発明の抵抗体付き回
路基板から所定の回路板を形成するだめの工程図、第３
図および第５図はこの発明の抵抗体付き回路基板の性能
を示す特性図、第４図は比較用として示した抵抗体付き
回路基板の性能を示す特性図である。 １・・・高導電体、２・・・抵抗体の層、３・・・電気
絶縁層。 メッキ峙ｒ、）（干→ 第４図 メ１１．キ峙冑（Ｏ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１１電気絶縁層の少くとも片面に抵抗体の層を介して
   高導電体を接合した構造の回路基板を製造するに当たり
   、金属換算で２〜５０ｙ／βのスズ塩と１５〜２５！／
   ｌのニッケル塩と共に、１００〜４００ｙ／ｊ？のポリ
   リン酸の金属塩、０．２ｆ；’／Ｉ！以」二飽和濃度ま
   での含硫アミノ酸以外の水溶性の有機イオウ化合物また
   はその塩およびＯ〜５０２／ｌのα・−アミノ酸または
   その塩を含有するメッキ液を使用し、このメッキ液から
   電気メッキにより高導電体上にスズとニッケルとの合計
   量中スズ３０〜８０重量％およびニッケル７０〜２０重
   量％を含有しかつこの含有ニッケルニ対し　Ｅ　Ｓ　Ｃ
   Ａ測測定こよる相対強度比で５〜６５％のイオウを含む
   スズ−ニッケルーイオウの三元合金からなる抵抗体の層
   を形成することを特徴とする抵抗体付き回路基板の製造
   方法。