JPS5921590A - 焦電体単結晶の製造方法 - Google Patents
焦電体単結晶の製造方法Info
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- JPS5921590A JPS5921590A JP57130608A JP13060882A JPS5921590A JP S5921590 A JPS5921590 A JP S5921590A JP 57130608 A JP57130608 A JP 57130608A JP 13060882 A JP13060882 A JP 13060882A JP S5921590 A JPS5921590 A JP S5921590A
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- single crystal
- oxide
- seed
- pyroelectric
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
- C30B1/023—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing from solids with amorphous structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/34—Silicates
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明・の技術分！ｆ〕
本発明はＰｂ５Ｇｅ３−ｘｓｌｘｏｌ １酸化物ηｊ結
晶からなる焦電体単結晶の製造方法に関するものである
。
晶からなる焦電体単結晶の製造方法に関するものである
。
一般に焦１１１．利旧は測定物から離れて、その温度を
１ｌｌ１１定することができる非接触温度センサーの−
ｆｅｌｔでイ５る焦電形赤夕ｌ線センーリ−−の検出器
素子として多く実用化さｔｌ、−Ｃいる。
１ｌｌ１１定することができる非接触温度センサーの−
ｆｅｌｔでイ５る焦電形赤夕ｌ線センーリ−−の検出器
素子として多く実用化さｔｌ、−Ｃいる。
この実用化さ１１ている月産１としてｔ、１、例えばセ
ラミックスとしてのＰｂ’ｌ’１０３ 、 ＰＺＴある
いｌｓｌ単結晶のＬｉ’ｌ’ａ０３ 、 Ｐｂ５Ｇｅ３
−ｘｓｌｘｏｌ １などがある。
ラミックスとしてのＰｂ’ｌ’１０３ 、 ＰＺＴある
いｌｓｌ単結晶のＬｉ’ｌ’ａ０３ 、 Ｐｂ５Ｇｅ３
−ｘｓｌｘｏｌ １などがある。
このうち前者のセラミックス幻、加ＥＥ （＜Ｊユ、昂
産件に富むという利点を持っＣいる反面、性能的に劣り
、丑だ特性の信頼性に欠けるという問題がある。′止だ
後者の単結晶は、単結晶特有の完全性、均一性、異方性
という大きな長所を持ち、Ａ′Ｎ密加工の容易性、焦電
特性の再現性、 （［軸性に優れているという利点があ
る。
産件に富むという利点を持っＣいる反面、性能的に劣り
、丑だ特性の信頼性に欠けるという問題がある。′止だ
後者の単結晶は、単結晶特有の完全性、均一性、異方性
という大きな長所を持ち、Ａ′Ｎ密加工の容易性、焦電
特性の再現性、 （［軸性に優れているという利点があ
る。
しかしながらＪＩＳ結晶はチョクラルスキー法（ＣＺ法
）にＪ：り作成するだめ、これを検出器素子に必要な５
０μｍ以下の厚さにスライシングおよび研摩加工して薄
くしなければならず量産性に劣る欠点があった。またこ
のうちＩ’ｂ５Ｇｅ３−ｘｓｌｘｏｌ ＋単結晶はＬＩ
Ｔａ０３単結晶に比べて大きな焦電係数および性能指数
を有し、しかも融点が約７４０℃と極めて低いという単
結晶作製に有利な条件を備えているが、前述の如く量産
性が悪く、シかも単結晶作成中に組成偏析を生じ易いな
どの問題があり、その解決が望まれていた。
）にＪ：り作成するだめ、これを検出器素子に必要な５
０μｍ以下の厚さにスライシングおよび研摩加工して薄
くしなければならず量産性に劣る欠点があった。またこ
のうちＩ’ｂ５Ｇｅ３−ｘｓｌｘｏｌ ＋単結晶はＬＩ
Ｔａ０３単結晶に比べて大きな焦電係数および性能指数
を有し、しかも融点が約７４０℃と極めて低いという単
結晶作製に有利な条件を備えているが、前述の如く量産
性が悪く、シかも単結晶作成中に組成偏析を生じ易いな
どの問題があり、その解決が望まれていた。
本発明は、かかる点に鑑みなされたもので、大面積で欠
陥が少なく、組成偏析もなく表面が平滑な薄膜あるいは
厚膜が得られ、しかも量産性に優ノ１、たＰｈ５Ｇｅ５
−ｘｓＩｘｏｌ Ｔ焦電体＋１１結晶の製造方法を提供
するものである。
陥が少なく、組成偏析もなく表面が平滑な薄膜あるいは
厚膜が得られ、しかも量産性に優ノ１、たＰｈ５Ｇｅ５
−ｘｓＩｘｏｌ Ｔ焦電体＋１１結晶の製造方法を提供
するものである。
本発明はＰｂ５Ｇｅ５−ｘｓｌｘｏｌｌ （但し０ ＜
Ｘ り２ ）の化学組成で表わされる非晶質酸化物薄
板の一端に、六角板状ケなす酸化物単結晶種を、その６
面が前記酸化物薄板の平面方向と一致するように設けて
、この端部側より局部的な温度勾配下で順次再結晶化さ
せて、琳結晶を全面に成長させることを特徴とするもの
である。
Ｘ り２ ）の化学組成で表わされる非晶質酸化物薄
板の一端に、六角板状ケなす酸化物単結晶種を、その６
面が前記酸化物薄板の平面方向と一致するように設けて
、この端部側より局部的な温度勾配下で順次再結晶化さ
せて、琳結晶を全面に成長させることを特徴とするもの
である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明におい−Ｃ用いる焦′ｆＴＬ特性を有する酸化物
ＨＰｂ ５Ｇｅ３−ｘＳ Ｉｘｏｌｌで、但しく１ ＜
Ｘ ＜：２の化学組成を有するものである。この場合Ｘ
が２を越えると、異相外＋ｃ＃ ｌ、て５１０２などが
形成され、最終的に所望の組成が得られガくなる。
ＨＰｂ ５Ｇｅ３−ｘＳ Ｉｘｏｌｌで、但しく１ ＜
Ｘ ＜：２の化学組成を有するものである。この場合Ｘ
が２を越えると、異相外＋ｃ＃ ｌ、て５１０２などが
形成され、最終的に所望の組成が得られガくなる。
コ（７） Ｐｂ５Ｇｅ３−ｘＳ ｌｘｏ＋ ＋を非晶質
化する方法としでは、先ず酸化物を一日、溶融して、均
質な組成にした後、烏、冷して凝固させる液体急冷法と
、基板物質の上に蒸着して成長させる蒸着法とに大別き
れる。
化する方法としでは、先ず酸化物を一日、溶融して、均
質な組成にした後、烏、冷して凝固させる液体急冷法と
、基板物質の上に蒸着して成長させる蒸着法とに大別き
れる。
液体急冷法としては、例えば第１図に示すように前記酸
化物を白金るつは１で一旦溶融して均質な組成の酸化物
融体２とし、これを熱伝導性の良い金属製の双ロール３
０間に流し込んで圧延急冷すると、大面積で厚さ／咽以
下の薄膜あるいは１ｖ膜状の非晶質酸化物薄板４が得ら
れる。この場合、金属性双ロール３としてはスチール、
銅、ステンレスなどのロールを用い、また単ロールによ
って急冷しても良い。またこの他の液体急冷法としては
、高速移動する金属ベルトに酸化物融体を注ぐ方法、あ
るいは酸化物融体中に冷却媒体を浸漬して引き上げる方
法などがある。
化物を白金るつは１で一旦溶融して均質な組成の酸化物
融体２とし、これを熱伝導性の良い金属製の双ロール３
０間に流し込んで圧延急冷すると、大面積で厚さ／咽以
下の薄膜あるいは１ｖ膜状の非晶質酸化物薄板４が得ら
れる。この場合、金属性双ロール３としてはスチール、
銅、ステンレスなどのロールを用い、また単ロールによ
って急冷しても良い。またこの他の液体急冷法としては
、高速移動する金属ベルトに酸化物融体を注ぐ方法、あ
るいは酸化物融体中に冷却媒体を浸漬して引き上げる方
法などがある。
−またＰｂ５Ｇｅ３−ｘｓＩｘｏｌ １酸化物を蒸着法
によって非晶質化（〜て、非晶質酸化物薄板を形成する
方法と１７では、例えば高周波ス・Ｐツタリング法。
によって非晶質化（〜て、非晶質酸化物薄板を形成する
方法と１７では、例えば高周波ス・Ｐツタリング法。
ｉｕ流スパッタリング法、イオンビームスフ９ツタリン
グ法、イオンブレーティング法、電子ビーノ・蒸着法、
化学蒸着法（ＣＶＤ ）などが挙られる。
グ法、イオンブレーティング法、電子ビーノ・蒸着法、
化学蒸着法（ＣＶＤ ）などが挙られる。
例えばスパッタリング法を用いる場合、真空容器内に高
周波電源に接続した結晶質酸化物のターケ°ットを設け
ると共に、これと対向してザ７アイヤ基板、ガラス基板
などあ基板を配置して高周波ス・千ツタリングを行なう
ことによυ基板上に非晶質酸化物薄板を形成する。
周波電源に接続した結晶質酸化物のターケ°ットを設け
ると共に、これと対向してザ７アイヤ基板、ガラス基板
などあ基板を配置して高周波ス・千ツタリングを行なう
ことによυ基板上に非晶質酸化物薄板を形成する。
次いで得られた非晶質酸化物薄板４は第２図に示すよう
に、例えば羽子板状に加工して、この握手側の狭い一端
側に酸化物ｊ）１結晶種５を形成する。
に、例えば羽子板状に加工して、この握手側の狭い一端
側に酸化物ｊ）１結晶種５を形成する。
この場合、狭い一端側に酸化物単結晶種５を形成する方
法の一つとしては、士下の温度勾配、例えば１００℃程
度の温度勾配を力えることにより六角板状をなす酸化物
単結晶種５が形成される。−また他の方法としては六角
板状をなす酸化物単結晶種５を、非晶質酸化物薄板４の
一端に種旬けして形成する方法がある。この場合、六方
晶をなすＰｂ５Ｇｅ３−ｘｓＩｘｏｌ １の酸化物単結
晶種６を、その６面が非晶り１１酸化物薄板４の平面方
向と一致するように形成する必要があるが、上下の温度
勾配を与えるととにより０面が平面方向と一致して種成
長が行なわれる。
法の一つとしては、士下の温度勾配、例えば１００℃程
度の温度勾配を力えることにより六角板状をなす酸化物
単結晶種５が形成される。−また他の方法としては六角
板状をなす酸化物単結晶種５を、非晶質酸化物薄板４の
一端に種旬けして形成する方法がある。この場合、六方
晶をなすＰｂ５Ｇｅ３−ｘｓＩｘｏｌ １の酸化物単結
晶種６を、その６面が非晶り１１酸化物薄板４の平面方
向と一致するように形成する必要があるが、上下の温度
勾配を与えるととにより０面が平面方向と一致して種成
長が行なわれる。
次に非晶質酸化物薄板４の上下に平行ヒーター６．６を
配置して、酸化物単結晶種５を設けた一端側から局部的
々温度勾配を与えながら順次加熱して行くと前記単結晶
種５が感長し、次第に幅の広い方向に向って成長し最終
的に全域が単結晶化されて焦電体単結晶７となる。
配置して、酸化物単結晶種５を設けた一端側から局部的
々温度勾配を与えながら順次加熱して行くと前記単結晶
種５が感長し、次第に幅の広い方向に向って成長し最終
的に全域が単結晶化されて焦電体単結晶７となる。
この再結晶化におけ、る加熱手段としては、上下の平行
ヒーター６．６に限らず、レーザーあるいは赤外線イメ
ージ灯かとを用いても良い。
ヒーター６．６に限らず、レーザーあるいは赤外線イメ
ージ灯かとを用いても良い。
また再結晶化するだめの加熱温度としては、その最高温
度が結晶転移点（約５００℃）以上で、融点（約７４０
℃）±１５０℃以下であることが好ましい。この場合、
結晶転移点未満の温度ではＰｂ５Ｇｅ３−ｘｓＩｘｏｌ
１の強誘電相が生ぜず、何ら焦電的特性を有しないＰ
ｂ５Ｇｅ２０７の常誘電相が成長してし゛まい、壕だ融
点＋１５０℃を越える温度ではｐｂｏの・蒸発が著しく
、組成偏析を生ずるため上記範囲が望ｊしい。
度が結晶転移点（約５００℃）以上で、融点（約７４０
℃）±１５０℃以下であることが好ましい。この場合、
結晶転移点未満の温度ではＰｂ５Ｇｅ３−ｘｓＩｘｏｌ
１の強誘電相が生ぜず、何ら焦電的特性を有しないＰ
ｂ５Ｇｅ２０７の常誘電相が成長してし゛まい、壕だ融
点＋１５０℃を越える温度ではｐｂｏの・蒸発が著しく
、組成偏析を生ずるため上記範囲が望ｊしい。
」ユ記方法によれは液体弁、冷法あるいは蒸着法に、よ
り、大興積で１叫品下の薄膜や厚膜なと薄板状竺形成声
れ、従来やＣ，Ｚ法の如く、得られた大型焦電体（）ｉ
結晶からのスライシングや研Ｊ！Ｊ１１加工が全く不要
となりｆｒｔ産性に優れている。また非晶質酸イ１物れ
ケ板の結晶ブヒは狭い領域で進行すやため、組成偏析や
欠ｊ窟も成長し誰＜ 、（Ｉられた焦電体単結晶のＧｅ
とＳｌの盛分比仁１初期の非晶質、酸化物の組成と全く
同一で、ザブグレインやクラック等の発生のない良質な
ものとなそ。
り、大興積で１叫品下の薄膜や厚膜なと薄板状竺形成声
れ、従来やＣ，Ｚ法の如く、得られた大型焦電体（）ｉ
結晶からのスライシングや研Ｊ！Ｊ１１加工が全く不要
となりｆｒｔ産性に優れている。また非晶質酸イ１物れ
ケ板の結晶ブヒは狭い領域で進行すやため、組成偏析や
欠ｊ窟も成長し誰＜ 、（Ｉられた焦電体単結晶のＧｅ
とＳｌの盛分比仁１初期の非晶質、酸化物の組成と全く
同一で、ザブグレインやクラック等の発生のない良質な
ものとなそ。
まだ結晶成長速度は、六方晶のＣ面方向が最も速く、酸
化物単結晶種を−その９面が非晶質酸化物薄板の平面方
向と一致させであるので、従来ｃｖｃｉ法によるＣ軸方
向の結晶ｒｌｈ長速度が、０、７ ｍｍ＜ｈｒで彎結晶
の育成がなされているのに対し、２０〜２００πｍ／ｈ
ｒと極め、て高速度で成長が進行し、との点に於ても創
産坪（優れているものである。
化物単結晶種を−その９面が非晶質酸化物薄板の平面方
向と一致させであるので、従来ｃｖｃｉ法によるＣ軸方
向の結晶ｒｌｈ長速度が、０、７ ｍｍ＜ｈｒで彎結晶
の育成がなされているのに対し、２０〜２００πｍ／ｈ
ｒと極め、て高速度で成長が進行し、との点に於ても創
産坪（優れているものである。
〔発明の実施例〕 。
Ｐｂ５Ｇｅ３．５Ｓ Ｉ（１，５０１１から成る組成の
酸化物粉体１００Ｉを第１図に示すように白金るつは１
に入れて、抵抗加熱炉で８００℃に溶融した後、とれを
５０ ｃｍ／ｓｅｅの周速で回転するスチール製の双ロ
ール３間に流し込んで圧延急冷し、幅約８．錆。
酸化物粉体１００Ｉを第１図に示すように白金るつは１
に入れて、抵抗加熱炉で８００℃に溶融した後、とれを
５０ ｃｍ／ｓｅｅの周速で回転するスチール製の双ロ
ール３間に流し込んで圧延急冷し、幅約８．錆。
長さ約８５ ｃｍ 、厚さ約２００μｍの透明な厚膜□
状の薄板を作製した。この一部を取ってＸ線回−□で調
べたところ非晶質であることが確認された。
状の薄板を作製した。この一部を取ってＸ線回−□で調
べたところ非晶質であることが確認された。
壕だ光学顕Ｗ１．鏡および偏光顕微鏡で試料全域を調べ
たところ、全く空孔もなく光学的に等方向。
たところ、全く空孔もなく光学的に等方向。
で非晶質であった。さらにこの試料を示差熱分析装置に
より結晶化温度と結晶転移点および融点を調べたところ
、夫々３８０℃、４９５℃、および７３５℃であった。
より結晶化温度と結晶転移点および融点を調べたところ
、夫々３８０℃、４９５℃、および７３５℃であった。
次にこの非晶質酸化物薄板４を第２図に示すように羽子
板状に加工し、この狭い握手側の上下に白金で作られた
２本の平、行ヒーター６．６を配置して、上下に１００
℃の温度差を与えて、握手側に六角板状の酸化物単結晶
種５を育成する。この育成された酸化物単結晶種５は、
薄い領域で上下の温度差を与えられて、その０面が非晶
質酸化物薄板４の平面方向と一致して育成され、平面六
角板状となる。この後、最高温度が８２０℃、温度勾配
３００℃１０ｎの条件下で、平行ヒーター６．６を２ｍ
ｍ１分の速さで通過させ、順次端部側から再結晶化させ
て最終的に焦電体単結晶７を作製した。
板状に加工し、この狭い握手側の上下に白金で作られた
２本の平、行ヒーター６．６を配置して、上下に１００
℃の温度差を与えて、握手側に六角板状の酸化物単結晶
種５を育成する。この育成された酸化物単結晶種５は、
薄い領域で上下の温度差を与えられて、その０面が非晶
質酸化物薄板４の平面方向と一致して育成され、平面六
角板状となる。この後、最高温度が８２０℃、温度勾配
３００℃１０ｎの条件下で、平行ヒーター６．６を２ｍ
ｍ１分の速さで通過させ、順次端部側から再結晶化させ
て最終的に焦電体単結晶７を作製した。
得られた焦電体単結晶７の一部を取ってＸ線うワエ゛写
真を撮ったところ、膜面が０面の六方晶をなす単結晶で
あることが確認された。まだこの焦１【を体単結晶の全
域を偏光顕微鏡で調べたところ、成長を開始した握手側
の一部を除いて全域−亘り、ザブグレインやクラックな
どの欠陥は認められなかった。まだＸ線マイクロアナラ
イザーで組成偏析を調べだところＰｂ ＋ Ｇｏ。
真を撮ったところ、膜面が０面の六方晶をなす単結晶で
あることが確認された。まだこの焦１【を体単結晶の全
域を偏光顕微鏡で調べたところ、成長を開始した握手側
の一部を除いて全域−亘り、ザブグレインやクラックな
どの欠陥は認められなかった。まだＸ線マイクロアナラ
イザーで組成偏析を調べだところＰｂ ＋ Ｇｏ。
Ｓｉの元素について全く元素変動がなかった。
以上説明した如く、本発明に係る魚電体＃１′４−結晶
の製造方法によれば、大面積で欠陥が少なく、組成偏析
もなく、表面が平滑な薄膜あるいは厚膜の３）″Ｌ結晶
が容易に得られ、しかもスライシングや？Ｊ（摩などの
加エエ穆が不要となることと相まって量産性に優れてい
る。この結果、Ｐｂ５Ｇｅ３−ｘｓｉｘ０１１焦電休１
）１焦電上１価に製造され、特性の門れだ焦電形赤外線
センサーの検出素享としぞの実用化が可能とな・た。更
に、本ｉｈ′明方°法では、ｉえば８１基板上に２０μ
二以下のＰｂ５Ｇｅ３−ｘｓ’ｌ ＸＯｌ １の薄膜状
焦電体単結晶を成長させることができるため、赤外線セ
ンサーのハイ□ブリット化が可能で人体表面の温度分布
苗１１定、公害監視装′置などの・マイロビジョンとし
て応用できる他、晃スイッチなど光学素子としての応用
も可能であ°るなと顕著な効果を有する敏のである。
の製造方法によれば、大面積で欠陥が少なく、組成偏析
もなく、表面が平滑な薄膜あるいは厚膜の３）″Ｌ結晶
が容易に得られ、しかもスライシングや？Ｊ（摩などの
加エエ穆が不要となることと相まって量産性に優れてい
る。この結果、Ｐｂ５Ｇｅ３−ｘｓｉｘ０１１焦電休１
）１焦電上１価に製造され、特性の門れだ焦電形赤外線
センサーの検出素享としぞの実用化が可能とな・た。更
に、本ｉｈ′明方°法では、ｉえば８１基板上に２０μ
二以下のＰｂ５Ｇｅ３−ｘｓ’ｌ ＸＯｌ １の薄膜状
焦電体単結晶を成長させることができるため、赤外線セ
ンサーのハイ□ブリット化が可能で人体表面の温度分布
苗１１定、公害監視装′置などの・マイロビジョンとし
て応用できる他、晃スイッチなど光学素子としての応用
も可能であ°るなと顕著な効果を有する敏のである。
第１図は本発明の一実施例を示すもので液体急冷法によ
り非晶質酸化物薄板を作成している状態を示す斜視図、
第２図は液体急冷法により得られた非晶質酸化物薄板を
再結晶化している状態を示す斜視図である。
り非晶質酸化物薄板を作成している状態を示す斜視図、
第２図は液体急冷法により得られた非晶質酸化物薄板を
再結晶化している状態を示す斜視図である。
１・・・白金るつぼ、２・・・酸化物融体、３・・・双
ロール、４・・・非晶質酸化物薄板□、５・・・酸化物
単結□晶ｌｆｔ、 １ ”６・・・平行ヒニター、７・
・・□焦電体単結晶。
ロール、４・・・非晶質酸化物薄板□、５・・・酸化物
単結□晶ｌｆｔ、 １ ”６・・・平行ヒニター、７・
・・□焦電体単結晶。
１１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （］） Ｐｂ５Ｇｅ３−ｘｓｌｘｏ１１ （但しｏ
＜ ｘ ＜’２ ）の化学組成で表わされる非晶質酸化
物薄板の一端に、六角板状をなす酸化物単結晶種を、そ
の０面が前記酸化物薄板の平面方向と一致するように設
けて、この端部側より局部的な温度勾配下で順次再結晶
化することを特徴とする焦電体単結晶の製造方法。 （２）非晶質酸化物薄板を液体急冷法により形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の焦電体単結
晶の製造方法。 （３） 非晶質酸化物薄板を蒸着法により基板の表面
に旬着形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の焦電体ｔｉｔ結晶の製造方法。 （４）六角板状をなす酸化物単結晶種を、非晶質酸化物
薄板の一端に、その平面方向に対して」二下の温度差を
寿えて形成することを特徴とするＩｌ′ｆＷｒ請求の範
囲第１項記載の焦電体単結晶の製造方法。 （５） 六角板状をなす酸化物単結晶種を、非晶質酸
化物薄板の一端に、種付けして形成することを特徴とす
る特許請求の範囲？Ｒ１項記載の焦ｔＩＬ体甲結晶の！
、！！造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130608A JPS6041039B2 (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 焦電体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130608A JPS6041039B2 (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 焦電体単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5921590A true JPS5921590A (ja) | 1984-02-03 |
| JPS6041039B2 JPS6041039B2 (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=15038278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57130608A Expired JPS6041039B2 (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 焦電体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041039B2 (ja) |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP57130608A patent/JPS6041039B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6041039B2 (ja) | 1985-09-13 |
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