JPS59218700A - 電荷転送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体層と、この半導体層に属し、第１およ
び第２長手側縁を有する電荷転送チャネルと、障壁層に
より前記の電荷転送ヂ１７ネルから分離され、前記の電
荷転送チャネルをその一方の長手側縁から他方の長手側
縁に向けて横方向にまたがって延在する電極を有する電
極装置とを具える電荷転送装置であって、前記の電極の
少くとｂｌつが電荷転送チャネル内に存在する第１蓄積
個所と関連する第１電極であり、電荷転送チャネルの外
部には前記の半導体層に属する第２蓄積個所が存在して
おり、この第２蓄梢個所は障壁層ににり当該第２蓄積個
所から分離された関連の第２電極を有しており、第１お
よび第２蓄柚個所の各々はある長さとある幅とを有づる
ほぼ方形の周辺を有しており、この周辺は少くとも特に
関連の第１或いは第２電極により決定され、前記の半導
体層は第１蓄積個所から第２蓄積個所に延在づる接続チ
ャネルを有しており、この接続チャネルには障壁層によ
り当該接続チャネルから分前された転送電極により制御
でき、この接続チャネルは電荷転送チャネルの第１長手
側縁の側で第１蓄積個所に結合しており、転送電極は細
条状になっていると７一 対しほぼ平行に配置されており、電荷キャリアは第１お
よび第２蓄積個所間の接続チャネルを経て一方の蓄積個
所から他方の蓄積個所へ転送することができ、接続チャ
ネルは前記の一方の蓄積個所に隣接する端部にの一方の
蓄積個所の長さおよび幅よりも小さな幅を有しており、
転送電極は前記の一方の蓄積個所と関連する第１或いは
第２電極から分離されている電荷転送装置に関するもの
である。

このような電荷転送装置は００４２４７７なる番号で公
表されている欧州特許出願に記載されており既知である
。この既知の装置はＣＯＤシフトレジスタより成る直列
／並列／直列蓄積装置である。入力レジスタは数個の並
列レジスタに結合されている。各並列レジスタは接続チ
ャネルを経て、第１電極の下方に存在する直列レジスタ
の第１蓄積個所に接続されており、接続チャネルは直列
レジスタの電荷転送チャネルの幅よりも狭くなっている
。直列レジスタは２相レジスタであり、この８− 場合第１電極は半導体本体より上の第１の高さくレベル
）に配置され−Ｃおり、これら第１電極間の間隔の各々
は電１ｉ！装（Ｎのイ］！！の電極にＪ、り橋絡されて
いる。これら他の電極は第１の高ざの位置から絶縁層に
Ｊ、って分ａ！ＩＩされている第２の高さに位置してい
る。各第１電極は隣接の他の電極に接続されており、こ
れにより形成された複数の電極対は異なるり１コック電
圧点に交濶に接続されている。

第１電極および他の電極は直列レジスタの電荷転送チャ
ネルを横切って延在しており、第１電極は伯の電極より
長くなっている。これらの長い第１電極は前記の電荷転
送チャネルを横切って延在するばかりではなく、個々の
接続チャネルの隣接部分の上方で細条状転送電極の縁部
の下方まで延在している。

本発明は特に、上述した既知の構造のものでは、情報を
表わす電荷バケツ１へを第１蓄積個所から第２蓄積個所
に、従つＣ直列レジスタから並列レジスタに転送する際
に問題が容易に生じるおそれがあり、これらの問題は接
続チャネルが幅狭になればなる稈重人となる。すなわち
、接続チャネルの横方向の境界がこれらチャネルの入口
で接近している為、第１電極の下方に形成されるべき電
位の井戸は直列レジスタの幅広電荷転送チャネルの中央
に配置されている第１蓄積個所の中央部分にお（プるよ
りも浅くなる。この影響は電荷キャリアの転送に際して
しきい値どして現われ、転送すべき電荷パケットの電荷
キャリアが第１蓄積個所にのこるおそれがある。

本発明の目的は、製造に際して追加の処理工程を必要と
１−ることなく、−り述した問題を比較的簡単に解決し
うるようにすることにある。

本発明は、半導体層と、この半導体層に属し、第１およ
び第２艮手側縁を有する電荷転送チャネルと、障壁層に
より前記の電荷転送チャネルから分離され、前記の電荷
転送チャネルをその一方の長手側縁から他方の長手側縁
に向【プて横方向にまたがって延在する電極を有する電
極装置とを具える電荷転送装置であって、前記の電極の
少くとも１つが電荷転送チャネル内に存在する第１蓄積
個所と関連する第１電極であり、電荷転送ヂャネルの外
部には前記の半導体層に属する第２蓄積個所が存在して
おり、この第２蓄積個所は障壁層に」ζり当該第２蓄積
個所から分離された関連の第２電極を有しており、第１
および第２蓄積個所の各々はある長さとある幅とを有す
るほぼ方形の周辺を有しており、この周辺は少くとも特
に関連の第１或いは第２電極により決定され、前記の半
導体層は第１蓄積個所から第２蓄積個所に延在する接続
チャネルを有しており、この接続チャネルには障壁層に
より当該接続チャネルから分離された転送電極により制
御でき、この接続チャネルは電荷転送チャネルの第１長
手側縁の側で第１蓄積個所に結合しており、転送電極は
細条状になっているとともに電荷転送チャネルの側部の
第１長手側縁に対しほぼ平行に配置されており、電荷ギ
Ｖリアは第１および第２蓄積個所間の接続チャネルを経
て一方の蓄積個所から他方の蓄積個所へ転送することが
でき、接続チャネルは前記の一方の蓄積個所に隣接する
端部でこの一方の蓄積個所の長さおよ−　１１− び幅よりも小さな幅を有しており、転送電極は前記の一
方の蓄積個所と関連する第１或いは第２電極から分離さ
れている電荷転送装置において、少くともほぼ前記の一
方の蓄積個所の周辺まで延在する突起部を接続チャネル
の領域で細条状の前記の転送電極に設けたことを特徴ど
する。

前記の一方の蓄積個所と関連する第１或いは第２電極と
転送電極とは互いに満足に、すなわち少なくともある程
度重ねて結合するのがしばしば望ましい。このようにす
ると、前記の一方の蓄積個所から接続チャネルへの特に
満足な電荷転送が得られる。第１電極を転送電極の下方
まで延在させ、従って重ね領域において接続ヂャネルか
らの距離が転送電極にお（プるよりも短い位置に位置さ
せた前述した電荷転送装置と相違して、本発明による装
置は、重ね領域において転送電極、特にこの電極の突起
部を、接続チャネルからの距離が第１電極にお（′Ｊる
よりも短い位置に位置させるように構成するのが好まし
い。

本発明による装置においては、接続チャネルに＝　１２
− おける電位を、突起部が存在する為に転送電極による前
記一方の蓄積個所までいかなる割合でも制御でき、従っ
てしきい値が存在するという前述した問題を簡単に解決
しつる。更に、前記の一方の蓄積個所が電荷転送チャネ
ルの一部分を形成づ−る場合には、前記の一方の蓄積個
所が実際にこの電荷転送チャネルまでに制限され、隣接
の接続チャネル中に延在しないという追加の利点が得ら
れる。

この電荷転送チャネルを経る電荷パケットの転送中、実
際にすべての電荷キャリア、従って比較的大きな電荷パ
ケットの電荷キャリアもこの電荷転送チャネル中に紐持
され、前述した既知の装置におけるように電荷転送チャ
ネルと接続ヂャネルの入口部分とに亘って配分されない
。このような電荷キャリアの配分は電荷転送チャネルを
経る電荷転送の転送効率、特に高り０ツク周波数での転
送効率に悪影響を及ぼづおそれがある。

転送電極は第２電極に接続することができ、転送電極と
第２電極とは一体どして構成することもできる。特に第
２蓄積個所も接続チャネルの幅よりも可成り人ぎな幅を
有する場合には、電荷バケツｌ〜の蓄積【よ実際に電荷
キレリアの転送中箱２蓄積個所で完全に行なわれる。接
続ヂャネルの幅狭出口においても幅狭入口におけるのと
同様にしきい値が形成される。この場合接続チャネルの
出口におけるしきい値は電荷キャリアが第２蓄積個所か
ら接続ヂャネルに戻るのを困難にする。

しかし、転送電極は第１電極からばかりではなく第２電
極からも分ＩＩｌさせるのが好ましい。転送電極は第１
および第２電極から分離されていても制御することがで
き、従って電荷パケットが第２Ｍ積個所に転送される前
で電荷キャリアの転送中に電荷パケットを接続チャネル
内に瞬時的に蓄積させることができる。

前記の他方の蓄積個所に隣接する接続チャネルの他方の
端部の領域においても同様に転送電極に突起部を設け、
この突起部を少くとも実際上前記の他方の蓄積個所の周
辺まで延在させるのが有利である。この他方の蓄積個所
が電荷転送レジスタの一部分をも構成する限り、大きな
電荷パケットの蓄積中に電荷が接続チャネルの端部にも
部分的に位置するということが防止される。更に、この
例の装置は電荷を接続チャネルの双方向に転送ηるのに
適しており、電荷を双方向に転送することは電荷転送レ
ジスタを所定の装置に適用する場合に重要なことである
。

転送電極おにび電極装置の電極は２つの高さの位置に亘
って分布するように形成しうる。この場合、第１蓄積個
所に隣接する接続チャネルの端部付近で第１Ｎ極が幅広
部分を有し、第１電極にその両側で隣接する電極装置の
電極が接続チャネルの上記の端部（Ｊ近で幅狭部分を有
し、これによりこれら隣接電極と突起部を有する転送電
極どを同一の高さの位置に配置しうるにうにすれば、前
記の一方の蓄積個所から接続チャネルへの電荷の特に満
足な転送が１５１られる。

しかし、転送電極と、電極装置の電極とは少くとも３つ
の高さの位置に口って分布されるように形成し、転送電
極はこれら高さのうちの第１の高さの位置と関連し、電
極装置の電極はこの第１の１５− 高さの位置から分離されるとともに他の高さの位置に亘
って分布されるように配置するのが好ましく１゜ 突起部の幅は広い範囲内で自由に選択することかできる
。電圧を転送電極に印加した場合、電荷転送レジスタの
異なる蓄積個所内に蓄積され電圧印加前に互いに分離さ
れている電荷パケット間が不所望に接続されるのを防止
する必要がある。前記の突起部の幅は、接続チャネルの
前記の端部の領域におい−Ｃは、前記の一方の蓄積個所
と関連する第１或いは第２電極の寸法であって前記の幅
に対しほぼ平行に測った寸法に多くとも等しくするのが
好ましく、特に前記の突起部の幅は、接続チ１１ネルの
前記の端部の領域で多くともこの端部の幅に等しくする
のが有利である。

前記の一方の蓄積個所は第１或いは第２蓄積個所を以っ
て構成しうる。前記の一方の蓄積個所は、電磁エネルギ
ーを電荷パケットに変換するイメージセン→ノー素子と
関連させることができ、この場合電荷転送レジスタはこ
の電荷パケットによって表１６− わされる情報を読取る作用をする。更に、他方の蓄積個
所は電荷転送レジスタから生じる電荷パケットを読取る
読取り装置に接続或いは結合することができる。

本発明による装置の重要な好適例ぐは第２蓄梢個所を前
記の半導体層に属する他の電荷転送チャネル内に位置さ
せ、この他の電荷転送チャネルを、第１蓄積個所が位置
する前記の電荷転送チャネルに対しほぼ平行に延在させ
る。

本発明による装置の他の好適例では、前記の他方の蓄積
個所を前記の半導体層に属する電荷転送チャネル内に位
置さけ、この他方の蓄積個所に隣接する接続チャネルの
他方の端部が、前記の他方の蓄積個所と関連する第１或
いは第２電極の幅であり、最後に記載した電荷転送チャ
ネルの転送方向に測った幅よりも大きな幅を有するよう
にする。

本例では、接続チャネルが他方の蓄積個所に隣接するば
かりではなく、少くとも同一の電荷転送レジスタに属す
る隣接の蓄積個所にも隣接する。従って、特に、接続チ
ャネルから受信電荷転送レジスタへの電荷の満足な転送
の可能性が増大覆る。

本発明による装置の更に他の好適例では、突起部を転送
電極の細条状部分から前記の一方の蓄積個所の周辺を越
えである距離に亘つＣ延在させ、この距離は前記の一方
の蓄積個所に隣接する一方の前記の端部の領域における
接続チャネルの幅の約半分に多くとも等しくする。この
ことは、前記の突起部と、前記の一方の蓄積個所とが互
いにわずかに重なり、製造に際したとえ関連のマスクが
完全に正しく位置決めされなくても、前記の一方の蓄積
個所から接続チャネルへの電荷の満足な転送が達成され
るようになることを意味する。この場合の重なりは、多
くども前記の一方の蓄積個所に蓄積されつる電荷の量が
この重なりによりほんのわずかたけ減少される程度に小
さい。

図面につき本発明を説明する。

各区間で対応する部分には同一符号を付した。

最初の例とし−Ｃ１例えばライン（−次元）イメージセ
ンサ或いは二次元イメージセンサやメモリの一部を構成
しうる電荷転送装置の一部につき説明する。第１〜３図
に示す電荷転送装置は半導体層２と、この半導体層２に
属し、第１長手側縁２および第２長手側縁４を有する電
荷転送ヂャネル３と、この電荷転送チャネル３から障壁
層６により分離され、１つの長手側縁から電荷転送チ１
？ネル３を交差して横切り他の長手側縁まＣ゛延在る電
極７，８および９を有する電極装置どを具えている。

電極７，８おにび９を有する電極装置と、電荷転送チャ
ネル３とはバルク転送型の電荷転送レジスタ（このレジ
スタは文献ではＢ　ＣＯＤ或いは（ＪＣＣＤとも称され
ている）の一部を構成する。半導体層２は半導体本体１
の表面層であり、この半導体本体１は更に所定の導電型
、例えばｎ型の基板領域１０と、反対導電型の半導体層
すなわちポケット１１とを有している。このｐ型半導体
層１１は例えばエピタキシアル層どづることができる。

ｐ型半導体層１１すなわちｐ型ポケット１１はイオン注
入或いは拡散或いはこれらの双方によって得ることもで
きる。半導体層２はｐ型半導体層１１内に形成１９− でる。この半導体層２は、情報を表わす電荷バケツ１へ
の蓄積および転送が行なわれるｎ型層である。

この場合、蓄積および転送される電荷キャリアは電子で
ある。

前記の電荷転送レジスタの電極７．８．９の少くとも１
つは電荷転送チャネル３内に存在する第１蓄積個所１３
を少くとも部分的に決定する第１電極７であり、半導体
層２に属する第２蓄積個所１４は電荷転送チャネル３の
外部に存在し、この第２蓄積個所は当該第２蓄積個所か
ら障壁層６により分離された第２Ｎ極９により少なくと
も部分的に決定され、半導体層２は第１蓄積個所１３か
ら第２蓄積個所１４に延在している接続チャネル１５を
有しており、この接続チャネル１５は当該接続ヂャネル
から障壁層６により分離されている転送電極１６により
制御しつる。

本例では、蓄積個所１３Ｊ５よび１４はそれぞれ電極７
および９によって部分的に決定されるばかりではなく、
関連の電荷転送チャネル３の長手側縁４および５によっ
ても決定される。長手側縁４およ２０− び５の大部分は、電荷パケットの蓄積おＪ：び転送が行
なわれる０型半導体層２の横方向境界によって決定され
る。長手側縁４おＪ：び５がこのｎ型半導体層のこの境
界と一致しない限り、蓄積個所１３および１４は転送電
極１６および１７ににつて決定される。

前述した決定すなわち蓄積個所の境界は、半導体層２の
層方向におけるこれら蓄積個所の大きさに関連すること
明らかである。

第１蓄積個所１３おＪ：び第２解積個所１４の各々はあ
る長さとある幅を有する実際上矩形の周辺を有し、これ
らの周辺は特に関連の第１電極７および第２電極９によ
りそれぞれ決定される。前記の横方向に交差して延在す
る垂直方向においては、蓄積位置１３および１４は半導
体層２の厚さによって決まる。

電荷転送装置の作動中は、蓄積個所は実際に種々の電荷
および半導体領域１１に印加される電位によって生じる
電子に対する電位の１戸を以って構成されることに注意
する必要がある。印加するこれらの電位（よ、前述した
幾何学的な境界以外に、半導体層２内に位置する実際の
蓄積個所の位置お３１、び大きさやこれら蓄積個所内に
蓄積しつる電荷のｉ９をも決定する。

電荷の蓄積および転送が行なわれる半導体層２は１つ以
−Ｖの入力接点ａ３よび出力接点（図示せず）のいずれ
か一方或いは双方を有する。

選択する電荷転送装置の構造に応じて、蓄積個所を横方
向で決定し従って蓄積個所の周辺を決定する為の他の手
段を用いることもできる。例えば蓄積および転送が行な
われる半導体層中のドーピング温度を相違させたり、絶
縁層６の厚さを相違さけたり、絶縁層６に含ませる電荷
の量を相違させたり、個々の電極に対して異なる材料を
用いたりするような電位しきい値を導入する既知の手段
を用いることができる。電荷転送が半導体表面に沿って
行なわれる装置においては、実際の転送チャネルの外部
により一層多量にドーピングしたチャネルス１〜ツバ半
導体領域を位置させることにより横方向の限定を行なう
こともできる。所望に応じ本例においても一層多偵にド
ーピングしたｐをチャネルストッパ表面領域１２をｎ型
半導体Ｍ２の横方向境界に沿ってρ型層１なわちポケッ
ト１１内に設けることができる。第２図においては、こ
のような表面領域１２を２つの蓄積個所１４間に破線に
よって線図的に示ず。

転送電極１６は細条状とし、電荷転送チ１７ネル３の側
部の第１長手側縁４に対しほぼ平行に配置する。この場
合、転送電極１６は第１蓄積個所１３を有する電荷転送
ヂ１７ネルの電極装置の電極７，８おＪ：び９から分離
させる。本例では、転送電極１６を絶縁層１８で被覆し
、この絶縁層ににりこの電極を他の残りの電極から分離
する。

電荷キャリアはある蓄積個所から接続チャネル１５を経
て仙の蓄積個所へ、本例では第１蓄積個所１３から第２
蓄積個所１４へ転送することができ、この接続チャネル
は、電荷転送チャネル３の第１艮手側縁４側で第１蓄積
個所１３に隣接するこの接続チャネルの端部１５ａで第
１蓄積個所１３の長さよりも短く第１蓄積個所１３の幅
よりも狭い幅を有して２３− おり、第１蓄積個所１３０幅は本例ではこの第１蓄積個
所１３の領域における電荷転送チャネル３の２つの長手
側縁４および５間の距離に等しい。従って、接続チャネ
ル１５の入口１５ａは接続チャネル１５の結合領域にお
ける電荷転送チャネル３の幅よりも狭い。実際には、こ
のことは、入口１５ａが殆んど約１０μｍよりも狭いと
いうことを意味する。本例では端部１５ａの幅を例えば
約６μｍとする。

前述した欧州特許出願第００４２４７７号明細書のＦｉ
ｏ、１にお１プるような既知の構造のものでは、接続チ
ャネル１５の入口１５ａは第１電極７の下方に位冒し、
チャネル１５の入口＋５ａが例えば約１０μｍよりも狭
い場合、第１蓄積個所１３から第２蓄積個所１４への電
荷の転送中電荷は第１蓄積個所１３内に残ってしまうら
しいということを確かめた。

更に、残存する電荷の量は入口１５ａが狭（なればなる
稈増大するということを確かめた。それにもかかわらず
、特に高情報密度を目的とし、従って寸法を小さくしよ
うとしている装置においては、狭い入［］を有する接続
チャネルを用いるようにす２４− ることが重要である。

電荷が残存するといつ上述した事実は既知の幅狭チャネ
ル効果によって説明することができる。

一般に、電極の下側に生じる電位の１戸の形状は、電位
の井戸が生じるチャネルの横方向境界によっても決定さ
れる。チャネルが広いと、このエツジ効果は比較的はん
のわずかしか影響しない。これに対しチャネルが狭いと
、電位の井戸の最大深さがこのエツジ効果にＪ：り影響
を受け、従ってドーピング温度や電極における電圧のよ
うな他の条件を同じにした場合、発生する電位の井戸は
狭いチャネルにおけるよりも広いチャネルにおいて深く
なる。比較的広い蓄積位置から比較的狭い接続チャネル
への転移部に示す状態では、上述したことは、幅狭チャ
ネルの入口において実際に電位のしきい値が存在し、こ
の電位のしきい値にり問題の電荷パケットの完全な転送
を耐圧するということを意味する。

上述した電位のしきい値は、絶縁層の適所の厚さを適当
に選択するか或いは半導体層２中のドーピンク濃度を局
部的に適当な値にするか、或いはこれらの双方を行なう
ことにＪ：り減少せしめるか或いは除去することができ
る。しかし、このようにするには、製造に際して追加の
処理工程が必要となり、従って製造処理の歩留りが悪く
なる。更に少くとも多数のこれら追加の処理工程は製造
処理全体において比較的高い精度を要するより一層臨界
的な処理工程に属するものである。従って、歩留りが更
に減少するおそれがある。

本発明によれば、各接続チャネル１５の領域において細
条状転送電極１６に突起部１６ａを設け、この突起部１
６ａを少くとも１つの蓄積個所の周辺まで、本例では少
くとも電荷転送チャネル３の第１長手側縁４まで延在さ
せる。突起部１６ａは前記の長手側縁４をわずかに越え
て延在させ、これが電荷転送ヂ１１ネル３の上方に突出
するようにするのが好ましい。

このようにすると、転送電極１６を設けるのに比較的臨
界的な処理工程を必要とすることなく、接続チャネル１
５の入口１５ａの領域における電位の井戸が転送電極１
６における電圧により制御され、第１電極７における電
圧に殆んど依存しない」、うになる。更に、追加の処理
■稈を全く必要どしない。

突起部＋６ａを用いることにより、第１長手側縁４に対
して臨界的に位置決めする必要なく、細条状転送電極１
６の大部分を電荷転送デシネル３のそばに配置しうるよ
うにする。転送電極１６の細条状基部、すなわち突起部
１６ａおよび１６ｂを除去した場合に残存する転送電極
１６の部分が電荷転送チャネル３の上方まで延在するの
が防止される、転送電極１６が実際に電荷転送チャネル
の上方までその長手側縁全体に亘つ−Ｃ延在する場合に
は、電荷転送チャネルの第１長手側縁４に沿う接続チャ
ネルを通る電荷パケットの転送中この電荷転送チャネル
の多数の蓄積個所間が接続され、従って、これら蓄積個
所内に蓄積された電荷バケツｉ〜は乃いに全く分離され
なくなるか或いは完全には分離されなくなつ−Ｃしまう
。

本例は３つの並列な電荷転送レジスタを有しており、そ
の各々は電荷転送チャネル３と、電極７゜＝２７− ε３　Ａ３よび０を具える電極装聞とを有している。最
上側レジスタとして第１図に示づレジスタの電極７の下
方に位置する第１蓄積個所１３は接続チャネル１５或い
！；［９を経て、電極９の下方に位置し本例で・は第２
のすなわち中間のレジスタに属する第２蓄積個所１４に
接続される。これと対応して中間レジスタの第１蓄積個
所１３は接続チャネル１５或い（ま１９を経て最下側の
レジスタに属する第２Ｍ積個所１４に接続される。Ｒ−
に側のレジスタと中間のレジスタどの間および中間のレ
ジスタと最下側のレジスタどの間には接続チャネル１５
および１９を制御する転送電極１６が配置されている。

最上側の電荷転送レジスタは多数の並列の電荷転送チャ
ネル２０に隣接し、これら電荷転送チャネルから電荷バ
ケツ１〜を最上側のレジスタに転送しつる。これら電荷
転送チャネル２０の上方には転送電極１７が配置されて
おり、第１図では他の電４４ｉ２１が部分的に見え（い
る。電荷転送チャネル２０は分離１領域２２により互い
に分離されており、これら分離を領域は例えば半導体表
面２３まで延在リ−る１］型の２８− 半導体層１１の一部分を以って４Ｍ成しつる。

電極７．８．９．１６．１７および２１は３つの高さく
レベル）に分布されている。電極１６および１７は第１
の高さに配置されており、これらの電極は絶縁層６によ
り半導体表面２３から分離され、絶縁層１８で被覆され
ている。この絶縁層１８は電極１６および１７を第２の
高さにある電極から分離する。電極２１と、電極７，８
および９の個数の半分の個数のこれら電極とがこの第２
の高さにある。電極７゜８および９の残りの半分のこれ
ら電極は第３のハさにある。第３の高さにあるこれら電
極は、第２の高さにある電極を被覆する絶縁層２４によ
り第２の高さにあるこれら電極から分離されている。第
３の高さにある電極は絶縁層２５で被覆されており、こ
の絶縁層２５は本例では、第３の高さにある電極ばかり
ではなく、第３の高さにあるこれら電極で被覆されてい
ない絶縁層２４の中間部分をも被覆する連続絶縁層とし
て設（）る。その他では、所望に応じ、絶縁層１８およ
び２４を連続絶縁層の形態で設けることもでき、或いは
絶縁層２５を例えば関連の電極７，８および９の酸化に
より得た局部層として形成することもでき、或いはこれ
らの双方を行４１つこともできる。

電量転送装置が例えばライン（−次元）或い（ま二次元
イメージセンサの一部分を構成する場合には、絶縁層２
４を越えて光スクリーン２６（第１図には図示せず）を
設けることもできる。この光スクリーン２６は例えばア
ルミニウム或いはその他の適当な金属の層とすることが
できる。この金属層は電荷転送装置における他の個所で
用いることもでき、図示の電荷転送レジスタの外部では
秤々の高さにある電極に接続される導体細条の形態で電
気接続線を前記の電極に設けるのにも用いることができ
る。史に、例えば保護絶縁層２７を金属層２６上に設け
ることができる。

本例の３つの電荷転送レジスタは３相レジスタぐあり、
チャネル２０を経て並列に供給され情報を表わす電荷パ
ケットを３つの電荷転送レジスタに口って配分し、次に
この情報をこれら３つのレジスタによって同時に転送す
ることができる。チャネル１５を経て相ひ接続されてい
る第１蓄積個所１３および第２蓄積個所１４は種々の電
極の下方に位置している。本例では、これらの電極は電
極７おＪ：び９であるが、第２蓄積個所１４は例えば電
極８の下方にも位置させることができる。

接続チャネル１５０出口１５ｂはしばしば人口１５ａの
幅に匹敵する幅を有し、隣接の第２蓄積個所１４の幅よ
りも狭い。この場合、細条状の転送電極１６は、出口１
５１）まで、好ましくはこの出口１５１）をわずかに越
えて月つ第２蓄積個所１４の上方まで延在する突起部１
６ｂを出口１５１１の領域で有するようにするのが有利
である。この場合、出口１！ｉｌ）が転送電極にＪ：り
完全に制御されるようになる為、第２蓄積個所１４にお
ける多ｍの電荷バケツ１〜の蓄積中電荷キャリアの一部
分が接続チャネル１５の端部（出口）１５ｂに蓄積され
るのを防止することができる。

この構造の仙の利点は、接続チャネル１５が電荷を双方
向に転送するのに適しているということであり、このこ
とは接続チャネルをある種の装置に３１− 用いるのに望ましいことである。

接続チャネルの出口は本例の接続チャネル１９にお４ｊ
るように入口よりも幅広にすることもできる。

これらのチャネル１９の人口１９ａはチャネル１５の入
口１５ａとほぼ同じ刈払を有する。しかし出口１９１）
は出口１５ｂよりも司成り幅広である。転送電極１６は
入（ｌｉ５ａの領域にお【プるのと同様の突起部１６ａ
を人口１９ａの領域で有している。出口１９ｂの領域で
は突起部１６ｂを設けていない。その理由は、幅狭チャ
ネル効果はこの出口で顕著に生じる限り、前述したよう
に接続チャネルの入口で生じる場合とは責なる月つわず
かの個数の欠点しか生じせしめない為である。

出口１９ｂは２つの蓄積個所、すなわち電極９の下方の
第２蓄積個所１４と電極８の下方の隣接の蓄積個所２８
とに隣接している。電荷転送装置の通常の作動モードの
場合、第１蓄積個所１３から生じる電荷バケツ１〜は、
この電荷パケットが関連のレジスタに沿って転送方向（
第１図では右側から左側に向う方向とする）に転送され
る前に実際に全体３２− として第２蓄積個所１４に達する。

チャネル１９はまた、電荷パケットをその転送中、中間
段で全体どして接続チャネルに良好に蓄積しつる形状と
する。完全の為には、実際に隣接のレジスタ間の接続チ
ャネルはその殆んどすべてを同じ形状とし、電荷転送レ
ジスタの実際例でチャネル１５が図示のチャネル１９の
位置に存在するようにするか或いはまた逆にチャネル１
９が図示のチャネル１５の代りに用いられるようにする
必要がある。

上述した電荷転送装置は例えば以下のように作動させる
ことができる。基板領域１０およびｎ型層１１には通常
のようにして電圧を印加し、ｐｎ接合を逆方向にバイア
スする。ｎ型層３は完全に空乏化され、情報を表わす電
荷バケツ１〜の電子以外このｎ型層３に自由電荷キャリ
アが存在しないようになる。電極７に正クロックパルス
を供給し、電極１６および１７にも適当な正のクロック
パルスを供給する。すると、電極７に隣接するチャネル
２０から生じる情報が電極７の下方および上側の転送電
極１６の下方に蓄積される。電極７におりるパルスが除
去されると、この情報は全体として」−側の転送電極１
６の下方に位置する。電極９に正のクロックパルスを供
給し、転送型ｔｆｉ１６におけるパルスを除去すると、
情報が電極９に隣接するヂ１１ネル２０から最」−側の
レジスタ内に転送され、前に取入れられていた情報は中
間のレジスタにシフ１〜される。

電極７にパルスが生じるど、双方のレジスタにおりる情
報が右側に１位置（１蓄積個所）だｔフシ７１〜される
。次に再びパルスが転送電極１６に生じ、電極７にお（
Ｊるパルスが除去される。電極８にパルスが生じると、
再びチャネル２０から情報を取入れうるようになる。次
に電極１１におけるパルスを除去しつる。次に、チャネ
ル２０のすべてが一度情報を最上側のレジスタに転送す
る。次に、パルスが電極９に生じ、転送電極１６におけ
るパルスが除去されると、最上側のレジスタにおける情
報が１（１７１ｉｆｔだ（］右側にシフ１−シ、転送電
極１６のト方に存在する電荷が中間のレジスタおよび最
下側のレジスタにそれぞれ流れる。次に、３つの直列レ
ジスタにおりる情報をこれらレジスタにより通常のよう
にして右方向に、例えばこれらレジスタのそれぞれの出
力端子に転送せしめることができる。所望に応じ、電極
７にパルスが発生した際に最下側のレジスタから出力端
子に情報が得られ、イの直後に続くパルスが電４ｉ！８
に生じた際に中間のレジスタから出力端子に情報が得ら
れ、その直後に続くパルスが電極９に発生した際に最上
側のレジスタから出力端子に情報が得られるようにする
のはそれぞれの直列レジスタの長さを適当にづることに
より達成しうる。

完全とする為には、上述した作動モードにおいて、転送
電極１７における適当な正のパルスによりこの電極の下
方に中間値を有する電位を生「しめ、この電位により隣
接の電荷転送チャネル３からチャネル２０に情報が戻る
のを防止するようにする必要がある。

本発明の他の実施例は、ｐ型基板１１と、電荷転送チャ
ネル３が属するｎ型半導体Ｈ２とを有する半導体本体１
を具えている〈第４および５図）。

この電荷転送チャネル３における転送方向を矢印３５− ３０で示す。電荷転送レジスタは、電極７．ε３，９お
Ｊ：び３１を有し障壁層６により電荷転送チャネル３か
ら分離されている電極装置を右する。このレジスタは４
相１ノジスタとして作動しうる。

４相レジスタの多数の蓄積個所は関連の第１電極７を有
する第１蓄柚個所１３である。これらの第１蓄積個所１
３は接続チャネル１５を経て電荷転送チャネル３ｊｉに
接続されてａ５す、これら電荷転送チャネルは、電極３
２，３３おＪζび３４を具える電極装置を有する電荷転
送レジスタに属している。これらの電荷転送１ノジスタ
の転送方向を矢印３６で示す。これらの電荷転送レジス
タの各々は第２蓄積個所１４どこれに関連する第２電極
３２とを有しており、第２蓄積個所１４は接続チャネル
１５の１つに隣接している。これらの接続チャネル１５
は障壁層６によりこれらのチャネルから分離された転送
電８１１６により制御しつる。細条状の転送電極１６は
電荷転送チャネル３の側部の第１長手側縁４に対しほぼ
平行に配■リ−る。

本例では、電荷キャリアは第２蓄積個所１４がら３６− 接続チャネル１５を経て第１蓄積個所１３に転送され、
各接続チャネル１５の端部１５ａは第２蓄積個所１４の
周辺で、この第２蓄積個所に隣接する。接続チャネル１
５の幅は前記の端部１５ａの領域において第２蓄積個所
の長さおよび幅よりも小さく、転送電極１６は第２電極
３２から分離されている。

第２蓄積個所１４は例えば電荷転送方向３６である長さ
と、この方向３６に対し直角な方向である幅とを有する
ほぼ矩形の周辺を有する。この場合、第２蓄積個所１４
の長さは細条状の第２電極３２の輔にほぼ一致し、第２
蓄梢個所１４の前記の幅は電荷転送チャネル３５の長手
側縁間の距離に一致する。

第１蓄積個所１３も、第１電極７の幅によって決定され
る長さと、電荷転送チャネル３の長手側縁４および５間
の距離に一致する幅とを有するほぼ矩形の周辺を有する
。接続チャネル１５の出口１５ｂの付近では電極３１お
よび８はわずかに幅狭どなっており、これに対応して電
極７が幅広となっている。従って、電極３１，８および
１６を同じ高さくレベル）に形成するのに十分な大きさ
の空間が得られた。従って、これらの電極を同じ導電層
がら形成することができる。蓄積個所１３はこれに上ｊ
ホしたように幅広部分を設【プ７ｊ場合でも本発明の範
囲内でほぼ矩形の周辺を有するほぼ矩形の蓄積個所とみ
なげものである。幾何学的形状の上）ボした変更を接続
チャネルの人［１付近で行なった場合に十）ホした点を
当てはめるには、使用する蓄積個所の幅或いは良さとい
う言葉は平均の幅或い１．１１平均の良さを意味するー
ムのとする。

導体細条ずなわち電極３３．１６．３１．８の第１層は
絶１１８で被覆されており、この絶縁層は第１の高さに
あるこれらの電極を第２の高さにある電８Ｘ７，９．３
２おＪζび３４から分離する。本例においても転送電極
１６ば第２電極３２および第１電極７の双方から分離さ
れている。本発明の範囲内ではこのように完全に分離さ
れた転送電極１６が好ましいものである。

更に、転送電極１６は電極すなわち導体細条の第１の高
さに属するものとし、第１および第２電極の双方または
いずれか一方がこの転送電極に小なる限り、この重なっ
た領域における転送電極を、その半導体表面２３からの
距離が第１および第２電極の双方またはいずれか一方の
半導体表面からの距離よりも短くなるように配置させる
のが好ましい。しかし、転送電極１６は、この転送電極
ど接続チャネルとの間℃′この接続チャネルの上方のよ
り一層低い高さに電極が存在しない場合にはＪ：り一層
高い高さに設けることもできる。

本発明の更に他の実施例も電荷転送チャネル３と、電極
７，８．９および３１を具える電極装置とを有する電荷
転送レジスタを有する（第６図）。

この電荷転送レジスタの第１（電荷）蓄積個所１３はチ
ャネル１５を経て第２（電荷）蓄積個所１４に接続され
ている。第１蓄積個所１３は第１電極７の下方に位置し
、第２蓄積個所１４には転送電極と一体の或いは少なく
ともこの転送電極に接続されている第２電極１６と関連
している。本発明によれば、転送電極１６に接続チャネ
ル１５の領域で突起部１６ａを設け、これら突起部１６
ａを、少なくとも本例の場合第１蓄積個所１３より成る
隣接の１つの電荷蓄３９− 相個所の周辺まで延在させる。突起部１６ａは電荷転送
チャネル３の第１長手側縁４をわずかに越えにのチャネ
ル３の−１７）まで延在する。このにうにすることによ
り、電荷転送チャネル３の第１蓄積個所１３から第２蓄
積個所１４に電荷キャリアを有効に転送せしめることが
できる。

細条状の転送電４Ｉｌｉ１６は電荷転送チャネル３の側
部の第１長手側縁４に沿って配置され、前述したように
第２蓄積個所１４ど関連する第２電極を構成している。

第２蓄積個所が例えば電荷転送レジスタの一部を構成覆
る場合には、接続チャネル１５側とは反対側の第２蓄積
個所１４の側に他の電極３３を設置、−することかでき
る。更に、例えば、第２蓄積個所１４に続いて、情報を
表わす電荷パケットを読取る読取り装置を設けることが
できる。

電４Ｉ！ｉ３１．８および１６を同じ高さの位置に形成
しつるようにする為に、本例でも電４ｉｉ３１および８
に幅狭部分を設け、これにより突起部１６ａに対し充分
大ぎな空間が得られるようにする。第２の高さの位置に
形成する電極１３には接続チャネル柿の領−４〇− 域において対応する幅広部分を設（）る。

転送電極および第１蓄積個所の電荷転送レジスタの電極
は２つの高さの位置に形成できるが、これらの電極は最
初の実施例で示したように少くとも３つの高さに配分し
、転送電極が第１の高さの位置に形成され、電荷転送レ
ジスタの電極が第２および第３の高さの位置に、場合に
よつＣは更に他の高さの位置に形成されるようにするの
が好ましい。第１の高さの位置にある電極と、伯の高ざ
の１つの位置にある電極とが互いに重なる場合には、前
者の電極をその位置で接当の電極よりも半導体表面から
れずかな距離に配置するのが一般的である。

第２蓄積個所１４は必ずしも電荷転送チャネルの一部分
を形成するようにする必要はない。例えば２番目の実施
例の電荷蓄積個所１４はダイオードのような光に感応す
るセンサ素子の接に設けることができる。このようにす
ることにより、電磁放射が電荷パターンに変換され、こ
の電荷パターンが第２蓄積個所１４内に電荷パケットの
形態で蓄積され、この蓄積された電荷パターンを電荷転
送チャネル３を有する電荷転送レジスタによりその他で
は通常のようにして読取りつるようになる。

しかし、第１および第２蓄積個所の双方が電荷転送チャ
ネルを右する電荷転送レジスタの一部分を形成するよう
にするのが好ましい。この場合の本発明の使用は２つの
電荷転送チャネルを最初の実施例におけるように互いに
平行に配置する場合に特に有利なものどなる。

前述したように、突起部は転送電極の細条状部分から電
荷転送チャネルの長手側縁を越えて、より一般的には１
つの蓄積個所の周辺を越えである距離に亘って延在させ
るのが有利である。前記の距離は前記の１つの蓄積個所
に隣接する一端部の領域において接続チャネルの幅の約
半分に多くとも等しくするのが好ましい。このようにす
ると、前記の１つの蓄積個所から接続チャネルへの満足
な電荷転送が達成され、一方、この１つの蓄積個所のほ
んのわずかな部分しか突起部によって覆われない為、こ
の１つの蓄積個所の実効蓄積容ωは接続チャネルの連結
部の存在によりほんのわずかしか減少しない。突起部は
１つの蓄積個所１３と接続チャネル１５との間を満足に
接続する程度に十分な距離に亘って延在させる必要があ
るとともに、電荷転送チャネルの長手側縁に沿う電位変
化が接続チャネル１５の存在によりほんのわずかしか変
動しない程度にわずか４１距離に亘って電荷転送チャネ
ルの上方に突出さげる必要がある。転送電極１６に対す
るマスクを電荷転送チャネルの長手側縁に対して位置決
めすることによる不確実性を考應すると、突起部１６ａ
は実際に長手側縁４を越えて１〜３μｍの距離に亘って
延在させる。

突起部を用いることにより、電荷転送レジスタ内に存在
する隣接の電荷パケット間の不所望な接続が電荷転送チ
ャネル３の縁部に沿って達成されないようにすることが
できるということは前述した通りである。この関係では
、突起部の幅は一般に、蓄積個所１３と関連する電極７
の幅の２倍よりも小さく選択する必要がある。突起部の
幅は、接続チャネルの関連の端部の領域においては、こ
の４３− 幅に対して実際上平行に測った、前記の１つの蓄積個所
と関連する第１或いは第２電極の寸法（殆ｌυど幅）に
多くとも等しくするのが好ましく、突起部の幅を接続チ
ャネルの端部の領域においてこの接続チャネルのこの端
部の幅に多くとも等しくした場合に極めて好ましい実際
的な結果が得られＩこ。

本発明は上述した実施例に制限されず幾多の変更を加え
うろこと勿論である。前述した実施例の製造は当業者に
とっ゛Ｃ既知の処理■稈および技術を用いて完全に通常
のようにして行なうことができる。珪素以外には、ゲル
マニウム或いは■−ｖ族化合物のようｔｒ他の半導体材
料を用いることもできる。更に本発明はバルク転送を用
いた種類の電荷転送装置に適用しうるばかりでなく、半
導体表面に沿って電荷転送を行なう電荷転送装置にも適
用しうる。絶縁層に対する材料としては、酸化珪素のみ
ならず、例えば酸化アルミニウム或いは窒化珪素をも用
いることができ、また異なる絶縁材わ１の混合物或いは
二重層を用いることもできる。

４４− 電極はアルミニウムのような適当な金属或いは合金を以
って構成でき、またはこれら電極は適当な珪化物を以っ
て構成できる。また前述した導電型を交換することがで
きる。また、電極を電荷蓄積個所或いは接続ブＶｌネル
から分１１１１１−９るｌ！ｉ壁層は絶縁層を以って構
成しうるばかりでなく、逆方向に作動させる整流接合を
以って構成しうる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明装置の第１の実施例の一部分を示す平
面図、 第２および３図は、それぞれ第１図の１１−■線および
ｌ−ｌｆｆ線上を断面とし矢の方向に見たく同一寸法で
は描いていない）断面図、 第４図は、本発明装置の第２の実施例の一部分を示す平
面図、 第５図は、第４図のＶ−Ｖ線上を断面とし矢の方向に見
た（同一寸法では描いていない）断面図、第６図は、本
発明装置の第３の実施例の一部分を示す平面図である。 １・・・半導体本体　　　２・・・半導体層３・・・チ
ャネル　　　　４・・・３の第１長手側縁ｊ〕・・・３
の第２艮手側縁 ６・・・ｌｌＭｖ層 ７．８．９・・・電極（７・・・第１電極、９・・・第
２電極）１０・・・基板領域　　　　１１・・・ボケッ
１〜１２・・・チャネルストッパ表面領域 １３・・・第１蓄積個所　　１４・・・第２蓄積個所１
５．１９・・・接続チャネル １［３，１７・・・転送電極　　１６ａ　、　１６ｂ・
・・突起部１８．２／１．２５・・・絶縁層　　２０・
・・電荷転送チャネル２１・・・電極　　　　　　２２
・・・分離領域２３・・・半導体表面　　　２６・・・
光スクリーン（金属層）２７・・・保護絶縁層　　　２
８・・・蓄積個所３１〜３４・・・電極 手続補正書 昭和５９年　６　月２２日 １、事件の表示 昭和５９年　特許　願第９６３１１　　号２、発明の名
称 電荷転送装置 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称　　　エヌ・ヘー骨フィリップス・フルーイランペ
ンファブリケン １１１ｉ −で１ ０〕 ；１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体層と、この半導体層に属し、第１および第２
   長手側縁を有する電荷転送チャネルと、障壁層により前
   記の電荷転送チャネルから分離され、前記の電荷転送チ
   ャネルをその一方の長手側縁から他方の長手側縁に向け
   て横方向にまたがって延在する電極を有する電極装置と
   を具える電荷転送装置であって、前記の電極の少くとも
   １つが電荷転送チャネル内に存在する第１蓄積個所と関
   連する第１電極であり、電荷転送チャネルの外部には前
   記の半導体層に属する第２蓄積個所が存在しており、こ
   の第２蓄積個所は障壁層により当該第２蓄積個所から分
   離された関連の第２電極を有しており、第１および第２
   蓄積個所の各々はある長さとある幅とを有するほぼ方形
   の周辺を有しており、この周辺は少くとも特に関連の第
   １或いは第２電極により決定され、前記の半導体層は第
   １蓄積個所から第２蓄積個所に延在する接続チャネルを
   有しており、この接続チャネルには障壁層により当該接
   続チャネルから分離された転送電極により制御でき、こ
   の接続ヂャネルは電荷転送チャネルの第１長手側縁の側
   で第１蓄積個所に結合しており、転送電極は細条状にな
   っているとともに電荷転送チャネルの側部の第１長手側
   縁に対しほぼ平行に配置されており、電荷キャリアは第
   １および第２蓄積個所間の接続チャネルを経Ｃ一方の蓄
   積個所から他方の蓄積個所へ転送することができ、接続
   ヂャネルは前記の一方の蓄積個所に隣接する端部でこの
   一方の蓄積個所の良さおにび幅よりも小さな幅を有して
   おり、転送電極は前記の一方の蓄積個所と関連する第１
   或いは第２電極から分離されている電荷転送装置におい
   て、 少くともほぼ前記の一方の蓄積個所の周辺まで延在する
   突起部を接続ヂＶネルの領域で細条状の前記の転送電極
   に設けたことを特徴とする電荷転送装置。 ２．前記の一方の蓄積個所と関辿り−る第１或いは第２
   電極と転送電極とが互いに重なり合っている特許請求の
   範１１ｆ１１記載の電荷転送装Ｗ１において、この重な
   り領域では、転送電極の前記の突起部を前記の一方の蓄
   積個所と関連する第１或いは第２電極よりもわずかな接
   続チャネルからのｊｆｉｌｌｆｔで配置したことを特徴
   とする電荷転送装置。 ３、特許請求の範囲１または２記載の電荷転送装置にＪ
   ３いて、前記の転送電極は前記の一方の蓄積個所と関連
   する第１或いは第２電極から分＃１されるように配置し
   たことを特徴とづ゛る電荷転送装置。 ４、特許請求の範囲３記載の電荷転送装置にＪ３いて、
   前記の転送電極には、前記の他方の蓄積個所に隣接する
   接続チャネルの他方の９Ｍ：部の領域でも同様に突起部
   を設け、この突起部を少くともほぼこの他方の蓄積個所
   の周辺まで延在させたことを特徴とする電荷転送装置。 ３− ；ｊ、特許請求の範囲１〜４のいずれか１つに記載の電
   荷転送装置において、転送電極と前記の電極装置の電極
   どを２つの高ざの位置に回って分布されるように形成し
   、前記の第１電極は第１蓄積個所に隣接する接続チャネ
   ルの端部付近に幅広部分を有し、前記の第１電極にその
   両側で隣接覆−る電極装置の電極は接続チャネルの前記
   の端部付近に幅狭部分を有し、これにより、これらの隣
   接する電極と突起部を右する転送電極とが同じ高さの位
   置に配置されるＪ：うにしたことを特徴どづる電荷転送
   装置。 ６、特許請求の範囲１〜１のいずれか１つに記載の電荷
   転送装置において、前記の転送電極と、前記の電極装置
   の電極とを少くとも３つの高さの位置に口って分布され
   るように形成し、転送電極はこれら高さのうちの第１の
   高さの（Ｑ置に属し、電極装置の電極はこの第１の高さ
   の位置から分離されるとともに他の高さの位置に亘って
   分布されるように配置した＝４− ことを特徴どする電荷転送装置。 ７、特許請求の範囲１〜６のいずれか１つに記載の電荷
   転送装置において、前記の突起部の幅は、接続チャネル
   の前記の端部の領域においては、前記の一方の蓄積個所
   と関連する第１或いは第２電極の寸法であって前記の幅
   に対しほぼ平行に測った寸法に多くとも等しくしたこと
   を特徴とする電荷転送装置。 ８、特許請求の範囲１〜７のいずれが１つに記載の電荷
   転送装置において、前記の突起部が、接続チャネルの前
   記の端部の領域で多くどもこの端部の幅に等しい幅を有
   することを特徴とする電荷転送装置。 ９、特許請求の範囲１〜８のいずれか１つに記載の電荷
   転送装置において、第２蓄積個所を前記の半導体層に属
   する他の電荷転送チャネル内に位置させ、この伯の電荷
   転送チャネルを、第１蓄積個所が位置する前記の電荷転
   送チャネルに対しほぼ平行に延在させたことを特徴とす
   る電荷転送装置。 １０、特許請求の範囲１〜９のいずれか１つに記載の電
   荷転送装置において、前記の他方の蓄積個所を前記の半
   導体層に属する電荷転送チャネル内に位置させ、この他
   方の蓄積個所に隣接する接続チャネルの他方の端部が、
   前記の他方の蓄積個所と関連する第１或いは第２電極の
   寸法であり最後に記載した電荷転送チャネルの転送方向
   に測った寸法よりも大きな幅を有することを特徴とする
   電荷転送装置。 １１、特許請求の範囲１〜１０のいずれか１つに記載の
   電荷転送装置において、前記の突起部を転送電極の細条
   状部分から前記の一方の蓄積個所の周辺を越えである距
   離に亘って延在させ、この距離は前記の一方の蓄積個所
   に隣接する一方の前記の端部の領域における接続チャネ
   ルの幅の約半分に多くとも等しくしたことを特徴とする
   電荷転送装置。