JPS59222575A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS59222575A JPS59222575A JP9496983A JP9496983A JPS59222575A JP S59222575 A JPS59222575 A JP S59222575A JP 9496983 A JP9496983 A JP 9496983A JP 9496983 A JP9496983 A JP 9496983A JP S59222575 A JPS59222575 A JP S59222575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- thin film
- forming apparatus
- targets
- shields
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔利用分野〕
本発明は、真空槽内で物理蒸着又は化学蒸着により基体
上に薄膜を形成するようにな１−だ薄膜形成装置の改良
に関し、更に詳１−＜はその運転性、保全性の改良に関
するもので、特にスパッタ装置に好適なものである。 〔従来技術〕 上述の薄膜形成装置は、真空蒸着装置、スパッタ装置等
としてよく知られており、半導体回路の製造、磁気記録
媒体の製造等に既に多用されている。 ところで、上述の薄膜形成装置は、膜形成材を程１．７
状で目的とする基体上に移送して膜形成するものである
ため、基体以外の個所に飛散する膜形成材に伴なう運転
士、保全上の問題がある。この点を、最近特にその応用
が注目されているスパッタ装置について、以下具体的に
説明する。 スパッタ装置は、よく知られているようにプラズマによ
る陰極スパッタリング現象を利用したものであり、通常
陰極のターゲット回りでの不必要な放電とスパッタリン
グを防止するため、ターゲット及びそのホルダー回りに
放電防止用のシールド板が設けられてい志。ところで、
長時間連続のスパッタリングを行なっていると、前述の
通り薄膜形成を必要とする基板上以外の部分、例えば、
前述のシールド板とか、基板を保持する基板ホルダ一部
分とか、ターゲット及７、 び基板をおさめる
真空槽のターゲット近傍の内壁等にもスパッタリングさ
れた粒子、すなわち膜形成材が飛散ｊ−て堆積する。そ
して、特に堆積した膜形成材が板；仄片物あるいは粉状
物となり、シールド板、基板ホルダー、真空槽内壁等よ
り離脱する。ところで、離脱１．た膜形成利が基板上あ
るいは、ターゲット上に落下あるいは付着することがあ
る。そして基板上に付着した場合には、基板上に形成さ
れる薄膜に欠陥を生ずる品質上の問題、ターゲット上に
落下あるいは付着した場合は、スパッタ中に異常放電が
発生し、場合により、スパッタ放電が停止する運転上の
問題がある。 また、上記の点を防ぐため、装置を休止して前述の目的
個所以外の部分に付着１−だ膜形成材を除去する場合に
も、膜の剥離が困難で人手を要するという保全上の問題
がある。 上記の問題に対（７て、真空槽内壁に沿って交換容易に
板状体を設ける提案があるが、この提案は保全上の問題
の解決には効果は期待されるが、前述したその他の問題
には適用困難である。 〔発明の目的〕 本発明は、上記現状に鑑みなされたもので、簡単な構成
で長期安定運転が可能なＮ膜形成装置を目的とするもの
である。 〔発明の構成２作用効果〕 本発明は、上記目的を達成する薄膜形成装置で、以下の
通りである。すなわち、本発明は、物理蒸着又は化学蒸
着により基体上に薄膜を形成するようにソｒ ｔ−た薄
膜形成装置において、真空４；す内の必要な個所に、飛
散粒子を捕獲するためのｐ口状体と板状体を重ね合わせ
た捕獲部材を設けたことを特徴とする薄膜形成装置であ
る。 そして、本発明は、前記構成により、膜形成材が捕５４
５部材に剥熱し佇いように堆積されるので、運転中に堆
Ｖｔ１−た膜形成材が剥離することがな（、よって、前
述の品質上、運転上の問題を解決する。更に、捕獲部イ
オに伺着１．た膜形成イ」は、ｒ；４状体と板状体を引
外すのみで簡単に除去されるので、前述の保全上の問題
も解決される。 上述の本発明の作用効果が得られる理由は、捕獲部材に
堆積された膜形成材の状況の観察から、以下のように考
えられる３、すなわち、ｂｌ！ｌ状体と板状体を１．ね
合わせたものであるため、板状物にｊ＆積する膜形成材
は３岡状休で押えられたような形で成長するので、堆積
Ｌ−だ膜形成材は前述の小さな板状片あるいは粉状物に
なりに（（、又一部に剥離が発生しても＆面状体に押え
られ、全体として離脱しないものと思われる。又、線状
材等からなる網状体のイ、“９成材そのものにも飛散（
７てくる膜形成材は堆積していくが、飛散粒子の回り込
み作用により、キ判状体の構成材の前面、後面、側面全
体に堆積（−１且つ構成材が交わる網点においても同様
に堆積するので、網状体自体に堆積ｊ、た膜形成４４は
、板状体に堆積したものと一体化し、全体として上聞状
体に保持された離脱し難い状態になっていると思われる
。 従って、網状体と板状体の重ね合わせは、両者が前述の
協調作用を奏する間隔以下になるようにする必要があり
、両者が密着するように重ね合わせることが好ｔ ｌい
。１−かし、両者の間隔が数ｍｍ以下であれば実用上問
題ない。 マタ、網状体は、線状物を織り上げた構造が好ましいが
、穿孔板条も適用でき、この場合には板状体と若干間隔
を有するように重ね合わせろとよい。Ｘｆ５状休の体（
目の大ぎさは、上述の点から太き（ても小さくてもその
効果が低下するので、集糸的に適尚なものを辷択する必
要がある。後述の例では、４０〜３００メツシユで十分
な効果が得られた３、なお、網目の大きさの選択におい
ては、膜形成材が離脱する際の形状が粉状物になり易い
ものほど目の細かい物を選ぶと良い。 グた、網状体と板状体の羽５は、膜形成材との関係で選
択すべきで、通常はステンレス等の４８造拐が用いられ
る。 ところで、網状体と板状体は□着脱自在に重ね合わせて
お（と、堆積１．た膜形成材の除去に際Ｌ、両者を引き
ＣＳｔすのみで容易に除去できる効果がある。 １ また、捕獲部材により膜形成材の基板への
移送路を囲繞するようにすると、真空槽の定掃等が容易
になると共に膜形成材の回収１〜容易となる効果がある
。 さらに、スパッタ装置においては、ターゲット回りに設
けるシールドを捕獲部材で構成することにより、安定な
長期連続運転が可能となる大きな効果がある。この効果
は、膜形成材が導電性手１の場合には特に重要である。 また、周知のマグネトロン式スパッタ装置、あるいは特
開昭５７−１５８３８０号公報等で公知の後述の対向タ
ーゲット式スパッタ装置等の如（ターゲットの背面に磁
石を配
上に薄膜を形成するようにな１−だ薄膜形成装置の改良
に関し、更に詳１−＜はその運転性、保全性の改良に関
するもので、特にスパッタ装置に好適なものである。 〔従来技術〕 上述の薄膜形成装置は、真空蒸着装置、スパッタ装置等
としてよく知られており、半導体回路の製造、磁気記録
媒体の製造等に既に多用されている。 ところで、上述の薄膜形成装置は、膜形成材を程１．７
状で目的とする基体上に移送して膜形成するものである
ため、基体以外の個所に飛散する膜形成材に伴なう運転
士、保全上の問題がある。この点を、最近特にその応用
が注目されているスパッタ装置について、以下具体的に
説明する。 スパッタ装置は、よく知られているようにプラズマによ
る陰極スパッタリング現象を利用したものであり、通常
陰極のターゲット回りでの不必要な放電とスパッタリン
グを防止するため、ターゲット及びそのホルダー回りに
放電防止用のシールド板が設けられてい志。ところで、
長時間連続のスパッタリングを行なっていると、前述の
通り薄膜形成を必要とする基板上以外の部分、例えば、
前述のシールド板とか、基板を保持する基板ホルダ一部
分とか、ターゲット及７、 び基板をおさめる
真空槽のターゲット近傍の内壁等にもスパッタリングさ
れた粒子、すなわち膜形成材が飛散ｊ−て堆積する。そ
して、特に堆積した膜形成材が板；仄片物あるいは粉状
物となり、シールド板、基板ホルダー、真空槽内壁等よ
り離脱する。ところで、離脱１．た膜形成利が基板上あ
るいは、ターゲット上に落下あるいは付着することがあ
る。そして基板上に付着した場合には、基板上に形成さ
れる薄膜に欠陥を生ずる品質上の問題、ターゲット上に
落下あるいは付着した場合は、スパッタ中に異常放電が
発生し、場合により、スパッタ放電が停止する運転上の
問題がある。 また、上記の点を防ぐため、装置を休止して前述の目的
個所以外の部分に付着１−だ膜形成材を除去する場合に
も、膜の剥離が困難で人手を要するという保全上の問題
がある。 上記の問題に対（７て、真空槽内壁に沿って交換容易に
板状体を設ける提案があるが、この提案は保全上の問題
の解決には効果は期待されるが、前述したその他の問題
には適用困難である。 〔発明の目的〕 本発明は、上記現状に鑑みなされたもので、簡単な構成
で長期安定運転が可能なＮ膜形成装置を目的とするもの
である。 〔発明の構成２作用効果〕 本発明は、上記目的を達成する薄膜形成装置で、以下の
通りである。すなわち、本発明は、物理蒸着又は化学蒸
着により基体上に薄膜を形成するようにソｒ ｔ−た薄
膜形成装置において、真空４；す内の必要な個所に、飛
散粒子を捕獲するためのｐ口状体と板状体を重ね合わせ
た捕獲部材を設けたことを特徴とする薄膜形成装置であ
る。 そして、本発明は、前記構成により、膜形成材が捕５４
５部材に剥熱し佇いように堆積されるので、運転中に堆
Ｖｔ１−た膜形成材が剥離することがな（、よって、前
述の品質上、運転上の問題を解決する。更に、捕獲部イ
オに伺着１．た膜形成イ」は、ｒ；４状体と板状体を引
外すのみで簡単に除去されるので、前述の保全上の問題
も解決される。 上述の本発明の作用効果が得られる理由は、捕獲部材に
堆積された膜形成材の状況の観察から、以下のように考
えられる３、すなわち、ｂｌ！ｌ状体と板状体を１．ね
合わせたものであるため、板状物にｊ＆積する膜形成材
は３岡状休で押えられたような形で成長するので、堆積
Ｌ−だ膜形成材は前述の小さな板状片あるいは粉状物に
なりに（（、又一部に剥離が発生しても＆面状体に押え
られ、全体として離脱しないものと思われる。又、線状
材等からなる網状体のイ、“９成材そのものにも飛散（
７てくる膜形成材は堆積していくが、飛散粒子の回り込
み作用により、キ判状体の構成材の前面、後面、側面全
体に堆積（−１且つ構成材が交わる網点においても同様
に堆積するので、網状体自体に堆積ｊ、た膜形成４４は
、板状体に堆積したものと一体化し、全体として上聞状
体に保持された離脱し難い状態になっていると思われる
。 従って、網状体と板状体の重ね合わせは、両者が前述の
協調作用を奏する間隔以下になるようにする必要があり
、両者が密着するように重ね合わせることが好ｔ ｌい
。１−かし、両者の間隔が数ｍｍ以下であれば実用上問
題ない。 マタ、網状体は、線状物を織り上げた構造が好ましいが
、穿孔板条も適用でき、この場合には板状体と若干間隔
を有するように重ね合わせろとよい。Ｘｆ５状休の体（
目の大ぎさは、上述の点から太き（ても小さくてもその
効果が低下するので、集糸的に適尚なものを辷択する必
要がある。後述の例では、４０〜３００メツシユで十分
な効果が得られた３、なお、網目の大きさの選択におい
ては、膜形成材が離脱する際の形状が粉状物になり易い
ものほど目の細かい物を選ぶと良い。 グた、網状体と板状体の羽５は、膜形成材との関係で選
択すべきで、通常はステンレス等の４８造拐が用いられ
る。 ところで、網状体と板状体は□着脱自在に重ね合わせて
お（と、堆積１．た膜形成材の除去に際Ｌ、両者を引き
ＣＳｔすのみで容易に除去できる効果がある。 １ また、捕獲部材により膜形成材の基板への
移送路を囲繞するようにすると、真空槽の定掃等が容易
になると共に膜形成材の回収１〜容易となる効果がある
。 さらに、スパッタ装置においては、ターゲット回りに設
けるシールドを捕獲部材で構成することにより、安定な
長期連続運転が可能となる大きな効果がある。この効果
は、膜形成材が導電性手１の場合には特に重要である。 また、周知のマグネトロン式スパッタ装置、あるいは特
開昭５７−１５８３８０号公報等で公知の後述の対向タ
ーゲット式スパッタ装置等の如（ターゲットの背面に磁
石を配
【−たスパッタ装置で磁性材の膜を形成する場合
には、特（（その効果は大きいうすなわち、上述のスパ
ッタ装置、では、シールドに堆ＩＳ ’−た膜形成材の
磁性相がターゲットの磁石に吸引されてターゲットに接
近（−１異常放電が発生して運転の障害となる問題があ
ったが、前述の構成により効果的に解決された。 なお、捕獲部材の板状体は、他の構成材と共用しても良
いことは本発明の趣旨から明らかであり、真空槽内壁に
沿って捕獲部材を設けて保全性を高める場合は、板状体
は内壁そのもので良く、従って綿状体を内壁に沿って張
設するのみで良（、簡単な構成で目的を達することがで
きる。前述のシールドを捕獲部材にする場合にも、従来
のシールドに網状体を被覆するのみで良く、簡単な改造
のみで十分目的を達することができる。 以下、本発明を対向ターゲット式スパック装置に適用１
．た実施例に基いて図面により油、明する、。 第１図は実施例の対向クーゲット式スパッタ装置の第１
テ成図、第２図はそのターゲット部の拡大図である。 図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭５７ １５
８３８０号公報で公知の対向ターゲット式スパック装置
と基本的に同じ構成となっている。 すなわち、図において１０は真空槽、２０は真空槽ｌＯ
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空槽
ｌＯ内に所定のガスを導入［−て真空容器１０内の圧力
を１ｏ−’ 〜ｔ Ｏ−’Ｔｏｒｒ程度の所定のガス圧
力に設定するガス導入系である。 そして、真空槽１０内には、図示の如く直空槽１０の側
板１１，１２に絶縁部材１３．１４を介１．て固着され
たターゲットホルダー１５゜１６により１対のターゲッ
トＴ、、Ｔ、が、そのスパッタされる面Ｔ＋８ ＋ Ｔ
ｔＳを空間を隔てて平行に対面するように配設し２であ
る。そ１−て、ターグツ）Ｔ、、Ｔ、とそれに対応する
ターゲットボルダ−１５，１６は、冷水ノくイブ１５１
，１６１を介（７て冷却水によりターグツ）Ｔ、、Ｔ、
、永久磁石１５２，１６２が冷却される。磁石１５２゜
１６２はターゲットＴ、、Ｔ、を介１−てＮ極、Ｓ極が
対向するよ５に設（すてあり、従って破界はターグツ）
Ｔ、、Ｔ、に垂直な方向に、かつターゲット間のみに形
成される。なお、１７．１８は絶縁部材１３．１４及び
ターゲットボルダ−１５゜１６をスパッタリング時のプ
ラズマ粒子から保護するためとターゲット表面以外の部
分の異常放電を防止するためのシールドである。 また、磁性薄〃第が形成される基鈑４０を保持、ｌ−イ
）基板保持手段４１は、真空槽ｌＯ内のターゲラ）Ｔ、
、Ｔ、の子方に設けである。基板保持手段４１は、図示
省略１．た支持グラケノトにより夫々回転自在かつ互い
に軸平行に支持された繰り出１１．ロール４１ａ、支持
ｐ−ル４１ｂ、巻取ロール４１ｅの３個のロールからな
り、基板４０を夕〜グツ）Ｔ、、Ｔ１間の空間に対面す
るようにスパッタ面Ｔ＋ｓ 、 Ｔ’ｓ に対して略
直角方向に保持するように配置【−である。従って基板
４゜は巻取りｐ−ル４１ｃによりスパッタ面Ｔ’ｓ ＋
Ｔｘａに対して直角方向に移動可能である。なお、支持
ｐ−ル４１ｂはその表面温度が調節可能となっている。 一方、スパック電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ、、Ｔ、に夫々接続する。 ・−従って電力供給手段５ｏかものスパッタ電力は、ア
ースを７ノードと１２、ターゲットＴ、、Ｔ、をカソー
ドと【−て、７ノード、カソード間に供給さなお、プレ
スパッタ時基板４０を保護するため、基板４０とターゲ
ットＴ、、Ｔ、との間に出入するシャッター（図示省略
）が設けである。 以りの通り、前述の特開昭５７−１５８３８０号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲラ）Ｔ、、Ｔ
、間の空間に、磁界の作用によりスパッタガスイオン、
スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度プ
ラズマが形成される。従って、ターゲラ） Ｔｒ、Ｔｔ
のスパッタが促進されて前記空間より析出量が増大し、
基板４０上への堆積速度が増し高度スパッタが出来る上
、基板４０がターゲラ）Ｔ、、Ｔ、の側方にあるので低
温スパッタも出来る。 ところで、上述の装置のターゲラ）Ｔ、、Ｔ、にＣｏ（
コバル））Ｃｒ（クロム）合金、及ヒハーマロイ合金を
用いて、特開昭５７−１００６２７号公報と同様に垂直
磁気記録媒体を製造したところ、前述したように、シー
ルド１７．１８に付着１．た膜形成材で上記合金により
、スパッタ開始在数十分で異常放電が多発すると共に、
基板４０上に形成された磁気記８Ｍにはところどころに
膜形成材の塊状付着が観察された。 そこで、第２図に示すように、網状体となるステンレス
製の金網６ｔＫより板状体となるシールド１７．１８を
被覆１１、シールド１７．１８を揺遵部材の構成にした
。図は金網６１を明示す２）ため金！Ｉ？Ｊ６／、とシ
ールド１８との間に間隙を設（すたようになっているが
、金網Δｌ・はシールド１８に密着するように被覆１−
１要所をビス止め（図示省略）１．た。なお、金網６１
はシールド】８の外側のみでなく、膜形成材が飛散する
先瑞部のターゲットＴ２に面する３３分にも被覆【、た
。シールドｌ？についても全（同様に金網Ａ／を設けた
。 そして、前述と全く同様にして垂直磁気記録＃ｉ五体の
製造を行なったところ、以下の通りであった。すなわち
、形成された磁気記録層には前述り一だ欠陥は全く認め
られなかった。又、前述の異常放電も５時間の連続運転
で全く発生しなかった。その上、この４〜５時間の連続
運転を真空保持した状態で数日間続けて合計５０時間を
越える運転を１−だ場合にも全（異常放電の発生はなか
った。さらに、１日に４〜５時間の連続運転後、真空を
破って大気に戻し基板交換等を行ない、再びそのまま連
続運転する運転手順を前述と同様数日間繰返１．て場合
にも全く異常放電の発生はながった。 又、運転休止後、金網Ａ ｊ／を取り外１−たところ、
堆積した膜形成材は取外しと同時にシールド１７．１８
から剥離１−１非常に清掃は簡単であった。 以上、本発明を実施例に基いて説明１．だが、本発明は
かかる実施例に限定されるものではないことは本発明の
趣旨及びこれまでの説明から明らかである。 対向ターゲット式スパッタ装置の例を示したか、前述し
た物理蒸着、化学蒸着等膜形成材を粒子状にして移送し
て膜形成する薄膜形成装誼に適用できることは明らかで
ある。 最も効果があるターゲット回りのシールドを捕獲部材と
（−だものを示ｊ−だが、本発明の捕獲部材はそれ自身
に膜形成材を保持する能力があり、如何なる形状にも形
成できるので、必要な個所に設けることができ、装置の
態様に応じて必要な個所に設ければ良い。 以上の通り、本発明は種々の態様で実施でき。 多方面への適用が可能な非常に有用なものである。
には、特（（その効果は大きいうすなわち、上述のスパ
ッタ装置、では、シールドに堆ＩＳ ’−た膜形成材の
磁性相がターゲットの磁石に吸引されてターゲットに接
近（−１異常放電が発生して運転の障害となる問題があ
ったが、前述の構成により効果的に解決された。 なお、捕獲部材の板状体は、他の構成材と共用しても良
いことは本発明の趣旨から明らかであり、真空槽内壁に
沿って捕獲部材を設けて保全性を高める場合は、板状体
は内壁そのもので良く、従って綿状体を内壁に沿って張
設するのみで良（、簡単な構成で目的を達することがで
きる。前述のシールドを捕獲部材にする場合にも、従来
のシールドに網状体を被覆するのみで良く、簡単な改造
のみで十分目的を達することができる。 以下、本発明を対向ターゲット式スパック装置に適用１
．た実施例に基いて図面により油、明する、。 第１図は実施例の対向クーゲット式スパッタ装置の第１
テ成図、第２図はそのターゲット部の拡大図である。 図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭５７ １５
８３８０号公報で公知の対向ターゲット式スパック装置
と基本的に同じ構成となっている。 すなわち、図において１０は真空槽、２０は真空槽ｌＯ
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空槽
ｌＯ内に所定のガスを導入［−て真空容器１０内の圧力
を１ｏ−’ 〜ｔ Ｏ−’Ｔｏｒｒ程度の所定のガス圧
力に設定するガス導入系である。 そして、真空槽１０内には、図示の如く直空槽１０の側
板１１，１２に絶縁部材１３．１４を介１．て固着され
たターゲットホルダー１５゜１６により１対のターゲッ
トＴ、、Ｔ、が、そのスパッタされる面Ｔ＋８ ＋ Ｔ
ｔＳを空間を隔てて平行に対面するように配設し２であ
る。そ１−て、ターグツ）Ｔ、、Ｔ、とそれに対応する
ターゲットボルダ−１５，１６は、冷水ノくイブ１５１
，１６１を介（７て冷却水によりターグツ）Ｔ、、Ｔ、
、永久磁石１５２，１６２が冷却される。磁石１５２゜
１６２はターゲットＴ、、Ｔ、を介１−てＮ極、Ｓ極が
対向するよ５に設（すてあり、従って破界はターグツ）
Ｔ、、Ｔ、に垂直な方向に、かつターゲット間のみに形
成される。なお、１７．１８は絶縁部材１３．１４及び
ターゲットボルダ−１５゜１６をスパッタリング時のプ
ラズマ粒子から保護するためとターゲット表面以外の部
分の異常放電を防止するためのシールドである。 また、磁性薄〃第が形成される基鈑４０を保持、ｌ−イ
）基板保持手段４１は、真空槽ｌＯ内のターゲラ）Ｔ、
、Ｔ、の子方に設けである。基板保持手段４１は、図示
省略１．た支持グラケノトにより夫々回転自在かつ互い
に軸平行に支持された繰り出１１．ロール４１ａ、支持
ｐ−ル４１ｂ、巻取ロール４１ｅの３個のロールからな
り、基板４０を夕〜グツ）Ｔ、、Ｔ１間の空間に対面す
るようにスパッタ面Ｔ＋ｓ 、 Ｔ’ｓ に対して略
直角方向に保持するように配置【−である。従って基板
４゜は巻取りｐ−ル４１ｃによりスパッタ面Ｔ’ｓ ＋
Ｔｘａに対して直角方向に移動可能である。なお、支持
ｐ−ル４１ｂはその表面温度が調節可能となっている。 一方、スパック電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ、、Ｔ、に夫々接続する。 ・−従って電力供給手段５ｏかものスパッタ電力は、ア
ースを７ノードと１２、ターゲットＴ、、Ｔ、をカソー
ドと【−て、７ノード、カソード間に供給さなお、プレ
スパッタ時基板４０を保護するため、基板４０とターゲ
ットＴ、、Ｔ、との間に出入するシャッター（図示省略
）が設けである。 以りの通り、前述の特開昭５７−１５８３８０号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲラ）Ｔ、、Ｔ
、間の空間に、磁界の作用によりスパッタガスイオン、
スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度プ
ラズマが形成される。従って、ターゲラ） Ｔｒ、Ｔｔ
のスパッタが促進されて前記空間より析出量が増大し、
基板４０上への堆積速度が増し高度スパッタが出来る上
、基板４０がターゲラ）Ｔ、、Ｔ、の側方にあるので低
温スパッタも出来る。 ところで、上述の装置のターゲラ）Ｔ、、Ｔ、にＣｏ（
コバル））Ｃｒ（クロム）合金、及ヒハーマロイ合金を
用いて、特開昭５７−１００６２７号公報と同様に垂直
磁気記録媒体を製造したところ、前述したように、シー
ルド１７．１８に付着１．た膜形成材で上記合金により
、スパッタ開始在数十分で異常放電が多発すると共に、
基板４０上に形成された磁気記８Ｍにはところどころに
膜形成材の塊状付着が観察された。 そこで、第２図に示すように、網状体となるステンレス
製の金網６ｔＫより板状体となるシールド１７．１８を
被覆１１、シールド１７．１８を揺遵部材の構成にした
。図は金網６１を明示す２）ため金！Ｉ？Ｊ６／、とシ
ールド１８との間に間隙を設（すたようになっているが
、金網Δｌ・はシールド１８に密着するように被覆１−
１要所をビス止め（図示省略）１．た。なお、金網６１
はシールド】８の外側のみでなく、膜形成材が飛散する
先瑞部のターゲットＴ２に面する３３分にも被覆【、た
。シールドｌ？についても全（同様に金網Ａ／を設けた
。 そして、前述と全く同様にして垂直磁気記録＃ｉ五体の
製造を行なったところ、以下の通りであった。すなわち
、形成された磁気記録層には前述り一だ欠陥は全く認め
られなかった。又、前述の異常放電も５時間の連続運転
で全く発生しなかった。その上、この４〜５時間の連続
運転を真空保持した状態で数日間続けて合計５０時間を
越える運転を１−だ場合にも全（異常放電の発生はなか
った。さらに、１日に４〜５時間の連続運転後、真空を
破って大気に戻し基板交換等を行ない、再びそのまま連
続運転する運転手順を前述と同様数日間繰返１．て場合
にも全く異常放電の発生はながった。 又、運転休止後、金網Ａ ｊ／を取り外１−たところ、
堆積した膜形成材は取外しと同時にシールド１７．１８
から剥離１−１非常に清掃は簡単であった。 以上、本発明を実施例に基いて説明１．だが、本発明は
かかる実施例に限定されるものではないことは本発明の
趣旨及びこれまでの説明から明らかである。 対向ターゲット式スパッタ装置の例を示したか、前述し
た物理蒸着、化学蒸着等膜形成材を粒子状にして移送し
て膜形成する薄膜形成装誼に適用できることは明らかで
ある。 最も効果があるターゲット回りのシールドを捕獲部材と
（−だものを示ｊ−だが、本発明の捕獲部材はそれ自身
に膜形成材を保持する能力があり、如何なる形状にも形
成できるので、必要な個所に設けることができ、装置の
態様に応じて必要な個所に設ければ良い。 以上の通り、本発明は種々の態様で実施でき。 多方面への適用が可能な非常に有用なものである。
第１図は実施例の対向ターゲット式スパッタ装置の構成
図、第２図は、そのターゲット部の拡大図である。 ｌＯ：真空槽、２０：排気系、３０：ガス導入系、４０
：基板、５０：電力供給手段、 ６７・：金網ｒ Ｔ
＋＃Ｔ２ ：ターゲット 矛２Ｅ
図、第２図は、そのターゲット部の拡大図である。 ｌＯ：真空槽、２０：排気系、３０：ガス導入系、４０
：基板、５０：電力供給手段、 ６７・：金網ｒ Ｔ
＋＃Ｔ２ ：ターゲット 矛２Ｅ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 物理蒸着又は化学蒸着により真空槽内で基体上に
簿膜を形成するようになした薄膜形成装置において、真
空槽内の必要な個所に、飛散粒子を捕獲するための綿状
材と板状材とを重ね合わせた捕獲部材を設けたことを特
徴とする薄膜形成装置。 ２ 前記ｍ獲部材の網状材と板状材とが着脱可能に重ね
合わされている特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装
置。 ３、 前記薄膜形成装置が真空槽内に薄膜を形成する粒
子を発生する粒子源を有する薄膜形成装置であり、粒子
源から前記基体へ到る粒子移送路の周囲に前記捕獲部材
を設（すだ特許請求の範囲第１項、第２項若１＝ ＜は
第３項記載のＨ膜形成装膜。 ４、 前記薄膜形成装置がスパッタ装置でア’）、その
ターゲットの回りに前記捕獲部材を設はシールドとした
特許請求の範囲第１項、第２項若１−＜は第３項記載の
薄膜形成装ｆ￥０１ 前記真空槽の内面に沿って前記捕
獲部材を設けた特許請求の範囲第１項、第２項、第３項
若１．（は第４項記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9496983A JPS59222575A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9496983A JPS59222575A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59222575A true JPS59222575A (ja) | 1984-12-14 |
Family
ID=14124743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9496983A Pending JPS59222575A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59222575A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63162861A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-06 | Toshiba Corp | 薄膜堆積装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690975A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-23 | Toshiba Corp | Sputtering apparatus |
| JPS57194254A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-29 | Ulvac Corp | Cathode for insulator target in rf sputtering |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9496983A patent/JPS59222575A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690975A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-23 | Toshiba Corp | Sputtering apparatus |
| JPS57194254A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-29 | Ulvac Corp | Cathode for insulator target in rf sputtering |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63162861A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-06 | Toshiba Corp | 薄膜堆積装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1066663A (en) | Method and apparatus for supplying background gas in a sputtering chamber | |
| TW524869B (en) | Sputtering device | |
| US4395465A (en) | Magnetic recording medium and process for production thereof | |
| JPS59222575A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH11302841A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPS5855566A (ja) | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 | |
| JPH0593259A (ja) | 金属ストリツプの表面清浄化装置 | |
| JPH0625839A (ja) | スパッタ装置及びカソード | |
| JPS61235560A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JPS61183466A (ja) | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 | |
| JPS6134175A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS6320303B2 (ja) | ||
| JPS62133065A (ja) | 誘電体バイアススパツタリング装置 | |
| JP3462999B2 (ja) | 分子線エピタキシャル装置およびその付着物除去方法 | |
| JPS59173268A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH059849B2 (ja) | ||
| JPS6134176A (ja) | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 | |
| JPH0116912B2 (ja) | ||
| JPS63149373A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH04285161A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPS6089569A (ja) | 合金薄膜の形成方法 | |
| JPS60234969A (ja) | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 | |
| JPH06267489A (ja) | イオンビームスパッタ装置および薄膜作製方法 | |
| KR100489301B1 (ko) | 진공증착을 이용한 금속 필름 제조방법 | |
| JPH0310069A (ja) | スパッタリング装置 |