JPS59224111A - モノリシツクセラミツクコンデンサ製造に使用するための金属電極粉末およびその製法ならびにモノリシツクセラミツクコンデンサの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野： 本発明はモノリンツクセラミックコンデンサに埋蔵する
電極のための銀およびパラジウム粉末ならびにこのよう
な粉末およびコンデンサの製法に関する。

従来の技術： 以前のモノリシックコンデンサおよび最近のコンデンサ
にも使用されるセラミック処方は完全な焼結およびち密
化を達成するための高温、代表的には１４００℃で焼成
しなければならない。このようなコンデンサは純パラジ
ウムのようなあらゆる貴金属埋蔵型棒を含み、この電極
は酸化によって電導性を失うことなく、かつセラミック
を熟成のため焼結する前記高温より高い融点（１５５０
°Ｃ）を有する。低融点金属は高温焼結の間にセラミッ
クから節単に流出する。鉄のような高融点卑金属はセラ
ミックの還元を避けるため通常必會な酸化焼成雰囲気中
で酸化し、非電導性になるので使用されない。さらにこ
のような金属酸化物は隣接セラミックへ拡散する傾向が
あり、それによってその誘電体の電、気的性質が劣化す
る。

モノリシックセラミックコンデンサ工業には現在焼結助
剤またはフラックス、通常ガラスを含む低温焼成セラミ
ック組成を使用する方向への明らかな動きがある。ガラ
スがまず融解し、セラミックの焼結は融解および再結晶
の同時的過程によって行われる。これは米国特許第４２
６６２６５号明細書に記載のように液相焼結として公知
である。多くのこのようなフラックス含有市販コンデン
ザは１２００−’Ｏ以下で焼結され、７０Ａｑ／３０Ｐ
ｄの代表的重量組成および１１６０°Ｃの固相線温度を
有する銀−パラジウム電極を含む。フラックスを含まな
い他のセラミック組成はたとえば米国特許第４６２４７
５０号明細書に記載のようにこのような低温で焼結され
る。これらのセラミックはＡｑ　／　Ｐａ合金電極を使
用することもできる。それによって低いエネルギー費用
および低い金属価格から大きい節約が達成される。種々
の銀−パラジウム合金がつねに固体である温度は第１図
の固相線１０より下にある。

発明が解決しようとする問題点： 公知セラミックコンデンサを焼成する際しばしばコンデ
ンサ生産ロットのかなりの部分に裂けが発生し、これは
通常電極とセラミックの間の界面の層割れである。それ
によって容量の損失および寿命の短縮のようなコンデン
サの電気的特性が劣化する。このような裂けおよび劣化
は有効誘電層の厚さが小さくなるとともにますます激し
くなる。

モノリシックセラミックコンデンサの同割れは多くはセ
ラミック焼成工°惇の初期の低藺期の間に埋蔵型（グの
寸法が変化することに頓因し、この過程はセラミック中
の１’Ｔ１１ｕ結合剤が燃焼した後、かつセラミック自
体が焼結によって強度を得る前である。

本発明の目的はいかｌ、（る場合にも層割れしない強固
ブ、ｃコンヂンザボデーを得るよ′５に、中間温度焼成
モノリシックセラミックコンデンサボデーのための電極
インキに使用しうる銀およびパラジウム含有粉末を得る
ことである。もう１つの目的は薄い誘電層および均一に
平滑な埋蔵型締を有するこのようなセラミックコンデ゛
ンサの製法を得ることである。

問題点を解決するための手段ニ 一般に木兄、明の金属電極粉末は９０Ａｇ／１０ｐａの
重量組成および合金粒子の表面に形成した微細酸化パラ
ジウムを有する銀−パラジウム合金粒子を含む。酸化パ
ラジウムはすべての隣接合金粒子の界面にあり、合金が
焼結および収縮する温度を上昇する効果を有する。

このよ５１．ｃ電極粉末を製造する本発明の方法によれ
ば銀９０重量係未満のＡり／、ｐａ合金粉末を約５００
℃に加熱して合金からパラジウムの一部を酸化し、冶金
粒子の表面に微細な酸化パラジウムを形成する（ここに
使用する゛°合金′。

の語は固溶体を表わす。）。この５００°Ｃ加熱工程に
よって合金からパラジウムが、さらに銀に富む組成９０
　Ａｇ　／　１０　Ｐａを残すために十分なパラジウム
を除いて、すべて酸化されることが明らかになった。こ
の９０　Ａｇ　／　１　［３ｐａ金合金それ以−ヒの酸
化に耐える非常に安定な固溶体であることが実証された
。

本発明の電極粉末をモノリシックセラミックコンデンサ
製造の常用法に常用のＡｇ　／　Ｐｄ粉末混合物の代り
に使用する場合、焼結の際約５００℃までの埋蔵電極の
寸法変化は無視可峠である。５００℃を超えるとセラミ
ックボデー自体が焼結し始め、強度を得る。その結果裂
けおよび層割れの発生はほぼゼロである。

本発明の２相粉末は合金粉末と酸化パラジウム粉末の簡
単な組合せに関する種々の梯著な利点を有する。本発明
の粉末の場合、各合金粒子はその表面に密接に結合し７
た酸化パラジウムを有するσ）で、完全に分散した２相
系は考えられない。それによってモノリシックセラミッ
クコンデンサの電極およびセラミックの同時焼成の間、
生セラミツクケーキがきわめて弱い、すフＩわち５００
００より低い初期の低温で・焼結および収縮する個々の
合金粒子がないことが保証される。

本発明の有利なコンデンサ製法による金属粉末子熱工程
の間、銀粒子は隣接するパラジウム粒子へ拡散して合金
する。というのは銀のパラジウムに対する拡散速度はパ
ラジウノ・の銀に対する拡散Ａ７　Ｕより大きいからで
ある。そこで出発材料として容易に得られるサブミクロ
粒子サイズのパラジウム粉末（たとえば６〜１２ｍ２／
ｇ）を同様容易に得られる大粒子銀粉末（たとえば４ｍ
２／ｇより小さい表面積を有する銀粉末）とともに使用
することが可能である。微細な銀粉末は製造が困難であ
り、高価である。このように本法は出発銀粉末粒子の許
容度が広い利点を有する。

さらに走査電子顕微鏡で撮影した顕微鏡写真によれば１
ミクロンより大きい合金粒子は合金固有面および粒界に
沿ってｐａｏが析出するためおよびＰａＯとＡｇ　／　
ｐａ金合金単位格子サイズが適合しないため、函細な粒
子に分裂することが示さ飢る。機構はともあＪ１予熱し
た粉末が機械的に凝集を分離した後、粒子サイズは約１
ミクロンの非常に狭い分布を有することが明らかになっ
た。この特徴により高いコンデンサ破壊電圧を生ずるき
わめて平滑なコンデンサ電極が形成される。

実施例： 実験１： 特性な示す６．４ｍ２＃の表面積な有する銀粉末および
特性を表わす１１．１５７７Ｌ２／９　（Ｄ表面積を有
するパラジウム粉末からブ、（ろ６つの混合物をとくに
注意グー）７ｒい限りそ涛１ぞ１１次の方法によって製
造した。

スラリーは金属粉末３０ｇをデルピネオール１３ｇ、レ
セチ７　（１ｅｃｅｔｈｉｎ　）５．７５ｇおよびＧａ
ｉＢｙＩｎａｕｇｔｒｉ８．ｌ　（！ｈｅｍｉｃａ’ｉ
ｎ、Ａｒａｅｌｅｙ　。

Ｎ　Ｙ　Ｉｆ）　　Ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ　−０（商？
　）３．７５　Ｎからなる溶液へ添加して乱５製した。

レセチンおよびＱｕａｔｅｒｎａｒｙ−○は有利に６５
０　″（’、、　５Ｊ　下テ分’Ｒシないカチオン性表
面活性剤でさ、る。スラリーをポリエチレンのびん内で
高純度アルミナ球により２時間摩砕し、次に１５０’Ｏ
で２時間乾燥した。乾燥した混合物を２０メツシふるい
を通して摩砕球を除去した。６つの粉末群１合物のそれ
ぞれの金属成分は表ＩＫ重量係で示さ第１ろ。

表　　１ 上記方法の例外としてパラジウム分の高い混合！吻５お
よび６は分散をよくするため、もつと劣情の表面活性剤
すなわちそれぞれ４．６５ｇをスラリーに添加した。

次にこれら粉末の篇度による寸法変化を測定するため試
験を実施した。それぞれの０．５　Ｆのペレットを直径
６．４　ｍｍ　（０，２，５０インチ）、高さ３．８　
ｍＷ（（０，１５０インチ）の型内で埋６＾密度の約５
０嗟に粉末を圧縮することによつ・て製造した。膨張計
により第ａ図に曲線１２で示すような加熱の間の各（レ
ットの膨張、収縮を測定１、１．−６寸法変化の鴫はそ
れぞれ表の混合Ｉ吻１〜乙に対し第２図に曲線１〜６で
示しまた。

曲線２〜６のそれぞれの最初の膨張はパラジウムと銀の
合金形成に相当する。たとえばこの膨張は９０　Ａｇ　
／　１０　Ｐｄの組成では１２０〜２２０℃の範囲で発
生する。出発金ス〈がよく分散していないともつと大き
い膨張が発生することが指摘される。これは分散してい
／Ｘいパラジウムの酸化によって生ずる。必要なことは
澤適の分散によりＡｇ粒子がＰ（１粒子に１００係接帥
していることである。良好な分散には表面ｌ占件剤の使
用が必要である。

コンデンサ内で電接の合金形成の際発生する電極の膨張
はセラミックが非常に弱い５００’Ｃより低い温度範囲
で生ずるので、層割れの傾向を助長する。さらに銀およ
びパラジウム粉末の前記分散が完全でない場合、約６５
０℃で開始する電極の膨張は一部未合金遊離パラジウム
の酸化に基く。第２図曲線の下向き傾剰によって示す金
属粒子の焼結に基く電極金属の収縮も同じ理由によって
裂けおよび層割れの原因とｉする。Ａｇ　／　Ｐａ合金
からの酸化およびＰｒ１Ｏの析出はほとんど寸法変化原
因にならブ、Ｃいけれと、純パラジウムの遊離粒子（本
発明の系では分散が適当でなかった）のα２化は大きい
膨張を伴う。

実験２： 加熱しない混合物５０相別からつくった浸レッドを５０
０　’Ｏに２　Ｖ２時間加熱し、冷却した。次にこれら
のベレットを膨張計により寸法変化を監視しながら１０
　’Ｏ／　ｎ１ｊ−ｎの速度で加熱した。この結果は第
２図に曲線１で示さＪｌ、この場合５０００Ｃまでの膨
張は１係より低く、その後に収縮が発生し、この収縮は
ｐａｏの還元、還元されたパラジウムの母合金およびも
はやｐａ。

バリヤによって阻止されない合金粒子の直接焼結に基く
ものである。

このように本発明による熱処理しｊこ６４．極４ｚ）末
により膨張が避けられ、セラミックが強度を得る５００
°Ｃを超えるｒ品劇で遅れた収縮が認められる。電極ペ
ーストに使用する前にボールミルまたは流体ミル（ジェ
ット粉砕）によって再び粉砕するのが有利である。この
ような粉砕により粉末１１．０．５〜５．Ｏ１１２７ｇ
の範囲の表面Ｊｉｆｉを得る。

実験ろ： 表面積約１２ｎＬ２／ｇの紳パラジウム粉末を５７５℃
で完全に酸化し、７５０°Ｃでは安定に留まった。７９
０’Ｏでｐａｏは還元を開始しく空気中で加熱Ｌ　　８
８０°Ｃに達した後は純パラジウムのみが残った。本つ
ど表面積の小さい（大きい粒子サイズ）パラソウ１１扮
末の場合、金Ｈを完全に酸化するためには５７５°Ｇを
超える温度が必要であるけ第１ど、安定な酸化物ｐａｏ
が７９０℃でブにお認められ、完全な還元は８８０℃以
上で実用、する。

実部４： 銀粉末７０係およびパラジウム粉末３０％の混合物を金
属に対し１．５重量％のカナオン性表面活性剤Ｑ、ｕａ
ｔｅｒｎａｒｙ　−０を含む水溶液に分散させた。スラ
リーをアルミナで２時間摩砕し、完全な混合物を得た。

次にスラリーを１５０℃で乾燥し、２００メツ、シのふ
るいを通した。ふるいを辿った粉末混合物の大部分を３
００°Ｇに２１／／２時間加熱した。この加熱した材料
の半分を除去し、冷却した。残部はさらに５００°Ｃに
２１乙時間加熱した。

このように粉末の６つのバッチを得た：（Ａ）加熱しな
い銀／パラジウム混合物；　（Ｂ）　３０　（１°Ｃに
加熱した銀−パラジウム合金（固溶体）粉末；（Ｃり　
５０００Ｃに加熱した銀−パラジウム合金粉末。各バッ
チをベヒクルとしてのテルピネオールおよび表面活性剤
としてのレセチン中で８時間摩砕した。金属に対しテル
ピネオールは４７．５重量％、レセチンは２．５重量幅
であった。摩砕工種により凝集粒子が破壊される。摩砕
伊ベヒクルおよびレセチン分散剤（表面活性剤）は有利
に電極インキの主要レオロジー要素として使用すること
ができる。

６つの粉末Ａ、ＢおよびＣに対するＸ線回折曲線１３．
１４および１５はそれぞれ６．４および５図に示される
。曲線１３は純銀および純パラジウムの特性を表わすＸ
線回折ピークを示す。曲線１４は銀７０係およびパラジ
ウム３０係の固溶体の特性を表わす回折ｔ−りを示す。

遊離銀、遊離パラジウムまたは酸化パラジウムが認めら
れないことが指摘されろ。

６００℃以下で形成されるすべてのｐａｏは全屈の直接
酸化の結果であり、合金粒子からの酸化ではない。出発
銀およびパラジウム３０係の適当な分散のための好適な
試験は々レット化した混合物の試料を約２７５℃に加熱
し、次にＰａＯが存在するかどうか測定しくたとえばＸ
線回折により）、または加熱の間に酸化が発生したかど
うか測定する（たとえばＴＧＡにより）ことであること
がこれにより明らかである。

曲線１５（第５図）は酸化パラジウム（Ｐａ０）および
銀９０重量％とパラジウト１０重ｊｌｉ′係の組成（Ｘ
線回折測定によって決定されるほど接近している。）の
特性を表わすピークを示す。固溶体回折ピークのシフト
が指摘される。これらおよび他の結集により９０　Ａｇ
　／　１０　Ｐａ合金粒子の表面に析出した酸化パラジ
ウムの形成は第２図に示す温度の高温範囲まで金属収縮
がシフトおよび遅延する原因であることが明らかである
。

パラジウムおよび銀の分散が完全に達成されない場合で
も本発明の方法によればなおコンデンサに裂けおよび層
割れを生ずる傾向が公知技術の電極ペーストより小さい
電極波−ストが得られる。遊離パラジウム（適正に分散
していない）は粒子サイズに応じて約ろ００〜５００°
Ｃで酸化し、膨張する。しかし遊へ「パラジウムが小部
分であれば（残部金属の約２０重量係より低ければ）、
十分なパラジウムが９０Ａｇ／１０Ｐ（Ｌ合金粒子の上
に保護酸化パラジウムの薄嘆として合金および析出し、
裂けおよび割れが防止される。

実験５： 表面積２ｍ２／Ｅｌの銀粉末および表面積１゜７７！２
７ｇのパラジウム粉末を使用して電極粉末を例４の粉末
パッチ０（５００℃に予１４）と同じ方法で製造した。

熱処理粉末の特性を示す表面積は標準がスモノソープ表
面積測定により０．７５ｍ２．Ｑであった（球状粒子直
径０．７０　ミクロンニ相当スる）。この材料を８時間
テルピネオールおよびレセチン中で摩砕した。粒子サイ
ズ分布曲線２１および２２はそれぞれ第６図に熱処理し
た粉末および摩砕した粉末に対し示される。摩砕後の粒
子は非常に狭い分布を示し、はぼ単分散である。この意
外なしかし望ましい結果は本発明の粉末製造法の本来の
特徴である。

実験６： 実験１および表１に記載の金属混合物２〜６を含む試験
ペレットのもう１つの群を製造した。まだ熱処理してい
ないペレットの各１つを傾斜加熱し、次にＴＧＡで重葉
変化を温度の函数として測定した。このような試験によ
り有機ベヒクルおよび結合剤が燃焼し去る時点および酸
化または還元が発生する時点が明らかになる。ＴＧＡ曲
線は第７〜１１図にそれぞれ混合物２〜６からつくった
ペレットに対して示される。

実験７： 実験１および表■に記載の金属混合物２〜６を含む試験
ペレットのもう１つの群を製造したこれらのスラリーを
１５０℃で乾燥し、ふるい分けしたけれどまだ熱処理し
なかった。

各群の粉末材料を６２５℃に半時間加熱し、冷却した。

次に各群をＸ線回折分析した。Ａｇ−Ｐａ系のもつとも
高いピークが１１１回折面に見いだされる。

第１２〜１６図のＸｉ１回折チャートにはそれぞれ混合
物２〜６からの緩かＫ（３２５°Ｃ）予熱した組成物が
示される。特性を表わすＸ＋Ｓ回折角２θは頻繁に発生
するピークに対し表■に示される。

表　　… 来　　固溶体（合金） 帯平　１１１回折面に対する角度 来来来　１０１回折面に対する角度 実装８： 実ρ没７の粉末の予熱した群をさらに５００　’０で１
乙時間加熱した。次に各粉末群をＸ線回折分析した。

第１７〜２１図のＸ線回折チャートはそれぞれ混合物２
〜６からの完全熱処理した組成物を示す。

これらの実験は酸素がＡｇ、ｚ”ｐａ金合金粒子へ拡散
し、それによって出発合金がＰｉ　１０　％より多い場
合パラジウムが酸化されることを明らかに示す。次にｐ
ａｏは粒子内部から表面へ析出する。ＰｄＯの析出がす
べてＡｇ／Ｐａ合金から発生することはこのような合金
を５００℃に加熱した後、Ｘ線回折測定が強いｐａｏビ
ークを示すと同時に合金の回折ピークが約９０Ａｇ、／
１０ｐａ合金ヘシフトする事実から確認される。ＩＭＯ
析出は７０　ｋｇ　／ろＱ　Ｐ（ｌの単位格子サイズ（
６５久３）とｐａｏのサイズ（４９Ｘ３）が非常にかけ
離れている事実からも支持される。銀に富む銀−パラジ
ウム合金粒子表面に析出したｐａｏ分子層の遷移的存在
はＡｇ／Ｐａ合金粒子の焼結の長い遅延の原因であるこ
とは明らかである。

このように本発明の１つの方法によ涛１ば純パラジウム
および純銀を非常に完全に分散させ、空気中で約５００
℃に予熱する。まず合金が形成される。酸素が合金粒子
へ拡散する。次にパラジウムの一部が酸化し、酸化パラ
ジウムは合金粒子の表面に析出して焼結を阻止する。そ
の結果粉末はｐａｏ相および９０　Ａ［７，／　１　（
］、Ｐｄ相を有する。この予熱した粉末をモノリシック
セラミックコンデンサの電極ペーストに使用する場合、
生セラミツクが非常に弱い５００℃までのセラミック焼
成の間、寸法変化が少ししか発生、しない（第２図曲線
１参照）。この１晶度まで生セラミツクの寸法変化は代
表的には０．２係である。セラミックは約５００’Ｃ！
を超よると焼結を開始し、セラミツ、クボデーはセラミ
ック焼結過程のこの時点で強度を得始める。

実験の結果は９０Ａｇ／ＩＱｐａよりさらに銀に富む合
金に対してパラジウムの酸化および引続く合金結晶表面
のｐａｏ析出の実施は小口」能でないとしても非常に困
輸であることを示している。実際に９０Ａｇ／ＩＱＰ＋
ｉ組成は非常に低温で焼結するセラミックコンデンサの
埋蔵電極として、または印刷導体もしくはコンデンサの
ターミナルとして有利なとくに安定な合金であると考え
られ、その除銀の移動は純銀に比して著しく遅い。

前記粉末熱処理工程（５００’Ｃへの予熱）でｐ（シ銀
および純パラジウム粉末は酸化が開始する前にまず合金
する。そこで本発明の電極粉末は単−相の勾／Ｐｄ合金
（固溶体）粉末を約５００′Ｃに加熱することによって
製造することができる。

それゆえ本発明のＰｄＯ波ｒＵ　した９０Ａｇ／１０ｐ
ａ倉金粉末は出発材料として単一合金７０　Ａｇ／ろＱ
　Ｍ粉末、もしくはＡｇ　／　Ｐａ合金の混合物たとえ
ば９５　Ａ；＜　／　５　ｐａと２０　Ａｇ　、／　８
０　Ｐｄの混合物、または銀もしくはパラジウム粉末と
合金粉末の混合物たとえばパラジウム粉末と８５　Ａｇ
　／　１５　Ｐａの混合物を使用して製造することがで
きる。上記出発混合物の名出発成分の縫を適正に調節す
ることによって最終的に焼結したコンデンサ電極の組成
を決定することができる。しかし純パラジウム粉末と純
銀粉末の出発混合物を使用するのが、これらはもつとも
容易に入手でキ、価格がもつとも低いので、有利である
。６ｍ２．／９とくに２ｍ２７ｇよ−り小さい表面債の
銀粉末はとくに経済的である。

出発材料（本発明の方法により製造する電極粉末のため
の）中の銀とパラジウムの重量比は３０　ＡＥ　／　’
７０　Ｐａ　〜９０　Ａｇ　／　１０　Ｐｄ　（７）間
が有利である。というのはこの合金範囲は現在非常に多
く使用され、かつこれらの合金に対して本発明は明らか
に帰大の利点が得０れるからである。

【図面の簡単な説明】

第１図は銀−パラジウム合金の桿昂同相線を示す図、舵
２図はＰＣ１０表面を有する本発明の９０　Ａｇ　、／
　１０　Ｐｄ合金粒子を含むＡｇ　−ＰＣ１系のベレッ
ト化した粉末の膨張および収縮曲線図、第３図は純銀お
よび純パラジウム粉末のＸ線回折チャート、第４図は第
３図粉末混合物の６００３Ｃまでの熱処理後のＸ線回折
チャート、第５図は第６図粉末混合物をさらに５００℃
に加熱した後の本発明の粉末のＸ＃回折チャート、第６
図は第５図に示す材料の粒子サイズ分布図、第７図〜第
１１図は５つのＡｇ／Ｐａ合金の温度と重量変化の関係
を示す熱重旨分析計（ＴＱＡ　）のグラフ、第１２図〜
第１６図は前記５つのＡＥ　／ｐａ合金を６２５℃に予
熱した後のｘ、Ｈ回折チマート、第１７図〜第、２１図
は前記５つのＡｇ／Ｐａ合金を本発明により５００℃で
熱処理した後のＸ線回折チャートである。 代理人　弁理士　矢　ａ’Ｊ−敏　椎

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　９０　Ａｇ　／　１０　Ｒ１の重量組成を有する
   銀−パラジウム合金粉末からなり、この合金粉末が粒子
   表面に合金粉末の焼結温度を上昇する微細な酸化パラジ
   ウムを有することを特徴とするモノリシックセラミック
   コンデンザｇｐ造に使用するための金属型、極粉末。 ２、銀の全重量とパラジウム金属の全重量の比がろＯＡ
   ｇ　／　７０　Ｐｄ〜９０　Ａｇ　／　１０　ｐａの範
   囲内にある特許請求の範囲第１項記載の粉末６、粉末の
   表面積が０．５〜２．０　ｍ２７Ｆ！である特許請求の
   範囲第１項記載の粉末。 ４、粒子の平均サイズが０．１〜２ミクロンである特許
   請求の範囲第１項記載の粉末。 ５、銀が９０重重量上り低い銀−パラジウム合金粉末を
   空気中で５００℃に加熱してパラジウムの一部を酸化し
   、合金粉末粒子の表面に微細な酸化パラジウムを形成し
   、この合金をもつと銀に富む９０　Ａｇ　／　１　［１
   ｐａの重量組成にすることを特徴とするモノリシックセ
   ラミックコンデンサに使用するための金属＞Ｗ、　ｌｃ
   ｋ粉末の製法。 ６、　酸化した合金粉末を液体有情ベヒクルと混合して
   電極ペーストを形成する特許請求の範囲第５項記載の製
   法。 Ｚ　加熱の前に、銀粉末をパラジウム粉末と混合し、こ
   の２つの金属粉末を徹底的に分散させて均質な２金属粉
   末混合物を形成し、この混合物を６００℃まで予熱して
   銀−パラジウム合金粉末を形成する特許請求の範囲第５
   項記載の製法。 ８、銀粉末がパラジウム粉末より著しく小さい表面積を
   有する特許請求の範囲第７項記載の製法。 ９　銀粉末の表面積が６ＴＬ２／ｇより小さく、パラジ
   ウム粉末の表面積が８〜１２７７Ｌ２／７の範囲内にあ
   る特許請求の範囲第８項記載の製法１０、合金粉末をさ
   らに加熱した後に粉末表面積が０．５〜５．０　ｍ２．
   Ｑになるまで粉砕する特許請求の範囲第９項記載の製法
   。 １１、銀粉末およびパラジウム粉末を３５０００を超身
   る温度で分解し始める溶解したカチオン性分散剤を含む
   液体ベヒクル中で摩砕して分散させる特許請求の範囲第
   ７現記…Ｖの製法。 １２、銀粉末とパラジウム粉末の重量比が３０／７０〜
   ９０／１　ｏ−ｊある特許請求の範囲第７項記載の製法
   。 １３、　ｆａ）　　調停が９ｏ１１より低い銀−パラジ
   ウム合金粉末を空気中で５００　℃に加熱してパラジウ
   ムの一部を＋ｌｌ化し、合金粉末粒子の表面に微細な酸
   化パラジウムを形成し、かつ合金をさらに銀に富む９０
   　Ａｇ　／　１０　ｐａの重量組成にして電極ペースト
   を製造し、 （１））　　高温焼成セラミック粉末と低融点焼結フラ
   ックスの混合物からなる生セラミツク組成物の多数の層
   を形成し、 （０）　　加熱した銀パラジウム合金粉末の層を生セラ
   ミツク層のそれぞれの上に沈積させ、（ｄ）　　生セラ
   ミツク層を堆遺して生σ）モノリシックセラミックコン
   デンザボデーを形成し、（ｅ）　　この生セラミツクざ
   デーを１２００００より低温で焼結する ことを特徴とするモノリシックセラミックコンデンサの
   製法。