JPS59227146A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS59227146A JPS59227146A JP58103452A JP10345283A JPS59227146A JP S59227146 A JPS59227146 A JP S59227146A JP 58103452 A JP58103452 A JP 58103452A JP 10345283 A JP10345283 A JP 10345283A JP S59227146 A JPS59227146 A JP S59227146A
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- JP
- Japan
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- resin
- organic
- semiconductor device
- epoxy resin
- solvent
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/68—Organic materials, e.g. photoresists
- H10P14/683—Organic materials, e.g. photoresists carbon-based polymeric organic materials, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/131—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
- H10W74/476—Organic materials comprising silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、小型、薄型で且つ高信頼性を有する樹脂封止
型半導体装置に関するものである。
型半導体装置に関するものである。
〈従来技術〉
最近、電子腕時計、カメラ、電卓などの電子機器が、小
型化、薄型化するにつれて機器内部に組み込まれる半導
体装置の小型、薄型の要求が強くなっている。この要求
に答えるためにフィルム・キャリア方式による実装及び
半導体素子の基板への直接実装が広く応用されている。
型化、薄型化するにつれて機器内部に組み込まれる半導
体装置の小型、薄型の要求が強くなっている。この要求
に答えるためにフィルム・キャリア方式による実装及び
半導体素子の基板への直接実装が広く応用されている。
しかし、このような実装形態を用いてもさらにきびしく
なる要求には対応できなくなっている。
なる要求には対応できなくなっている。
まずフィルム・キャリア方式における従来がら用いられ
ている樹脂封止形態例を第１図〜第４図に示す。従来は
第１図のように、半導体チップ１面の周囲に設けられた
チップ電極２にフィルム４に支持されたリード端子３を
ボンディングした後、チップ１及びリード端子３のボン
ディング部を含めて両面から樹脂５で封止した形態、及
び第２図のようにチップ裏面は半硬化性樹脂を含浸させ
たクロヌシート７、表面は樹脂６で封止する形態が採用
されていた。しかし−暦車型、薄型化の要求が強まるに
つれて第３図及び第４図に示すように。
ている樹脂封止形態例を第１図〜第４図に示す。従来は
第１図のように、半導体チップ１面の周囲に設けられた
チップ電極２にフィルム４に支持されたリード端子３を
ボンディングした後、チップ１及びリード端子３のボン
ディング部を含めて両面から樹脂５で封止した形態、及
び第２図のようにチップ裏面は半硬化性樹脂を含浸させ
たクロヌシート７、表面は樹脂６で封止する形態が採用
されていた。しかし−暦車型、薄型化の要求が強まるに
つれて第３図及び第４図に示すように。
樹脂封止部分８，９を半導体チップ１の表面及びリード
線３との接続部に限って、樹脂が占める嵩を低くし、上
記要求に対応していた。
線３との接続部に限って、樹脂が占める嵩を低くし、上
記要求に対応していた。
処でこの種の封止には一般にエポキシ系液状樹脂が用い
られるが、エポキシ系液状樹脂、例えばエビビス型エポ
キシ樹脂、酸無水物硬化剤、及びシリカ充填剤を混合し
た無溶剤タイプで第３図、第４図のような樹脂封止を行
った場合次のような欠点がある。
られるが、エポキシ系液状樹脂、例えばエビビス型エポ
キシ樹脂、酸無水物硬化剤、及びシリカ充填剤を混合し
た無溶剤タイプで第３図、第４図のような樹脂封止を行
った場合次のような欠点がある。
０無溶剤タイプで、充填剤としてシリカ等が添加されて
いるだめ、薄型化が困難で且つ、硬化後の形状が“山゛
形になり不均一である。
いるだめ、薄型化が困難で且つ、硬化後の形状が“山゛
形になり不均一である。
Ｏ第１図、第２図の構造に比べ樹脂厚が薄いため、耐湿
性が劣る。
性が劣る。
Ｏ半導体チップに対して片面からの樹脂封止となるため
、耐熱衝撃性に劣る。
、耐熱衝撃性に劣る。
以上のように、従来の半導体封止用液状エポキシ樹脂で
は充分、小型、薄型化された樹脂封止型半導体装置を得
ることができず、且つ、従来の封止構造に比して信頼性
が劣ってしまう。
は充分、小型、薄型化された樹脂封止型半導体装置を得
ることができず、且つ、従来の封止構造に比して信頼性
が劣ってしまう。
〈発明の目的〉
本発明は上記のような従来の樹脂封止型半導体装置の欠
点に鑑みてなされたものであり、封止用エポキシ樹脂を
改良することにより、小型、薄型で優れた信頼性を有す
る樹脂封止型半導体装置を提供するものである。
点に鑑みてなされたものであり、封止用エポキシ樹脂を
改良することにより、小型、薄型で優れた信頼性を有す
る樹脂封止型半導体装置を提供するものである。
〈実施例〉
第５図及び第６図はフィルムキャリア方式半導体装置に
本発明を適用した一実施例を示す側断面図で、第５図は
チップにボンディングされたリード端子を比較的広く被
った構造を示し、第６図は樹脂封止部をチップ表面に限
った構造を示す。いずれの構造においても半導体チップ
１は従来装置と同様にフィルム４に支持されたリード線
３にポンチ゛イングされている。ボンディングされた半
導体チップ１は表面が樹脂１１．１２で被覆されるが、
樹脂１１．１２は、 ０薄く均一に封止できるように、エポキシ樹脂を、溶剤
含有タイプにし充填剤を添加しない。
本発明を適用した一実施例を示す側断面図で、第５図は
チップにボンディングされたリード端子を比較的広く被
った構造を示し、第６図は樹脂封止部をチップ表面に限
った構造を示す。いずれの構造においても半導体チップ
１は従来装置と同様にフィルム４に支持されたリード線
３にポンチ゛イングされている。ボンディングされた半
導体チップ１は表面が樹脂１１．１２で被覆されるが、
樹脂１１．１２は、 ０薄く均一に封止できるように、エポキシ樹脂を、溶剤
含有タイプにし充填剤を添加しない。
０優れた耐湿性と耐熱衝撃性を得るために、半導体素子
表面との接着性を向上する。
表面との接着性を向上する。
の方向で改良したエポキシ樹脂を使用する。
即ち、上記樹脂１１は
（ａ） エピビス型エポキシ樹脂
（ｂ） 有機けい素化合物
（Ｃ） レゾール型フェノール樹脂硬化剤（ｄ）
有機顔料又は無機顔料及び （ｅ） 芳香族炭化水素系溶剤、アルコール系溶剤、
ケント系溶剤を混合した有機溶剤を成分とする液状エポ
キシ樹脂を用いる。
有機顔料又は無機顔料及び （ｅ） 芳香族炭化水素系溶剤、アルコール系溶剤、
ケント系溶剤を混合した有機溶剤を成分とする液状エポ
キシ樹脂を用いる。
上記液状エポキシ樹脂ｊｌ、１２を更に具体的に示すと
次のようなものである。
次のようなものである。
（ａ） エピビス型エポキシ樹脂
（ｂ） メトキシ基を有する有機けい素化合物（Ｃ）
レゾール型フェノール樹脂硬化剤（ｄ） クロモ
フタ−Ｉしく商品名：チバガイギー社製）をベースとし
た有機顔料 （ｅ） ）ルエン、キシレン、ブタノール、メチルイ
ソブチルケントの混合液 尚上記液状エポキシ樹脂組成物で、（ｂ）有機けい素化
合物としては１分子中にメトキシ基を３個有するもので
、前記（ａ）、 （ｂ）及び（ｃ）Ｋ示す樹脂分の３０
重重量板下の配合量が適している。上記メトキシ基を有
する有機けい素化合物を、エピビス型エポキシ樹脂中の
水酸基との間で、脱メタノール反応させて、エポキシ樹
脂をシリコーン化させ、水酸基を減少させると樹脂の耐
水性が向上する。また末端基として残ったメトキシ基は
半導体素子表面のパッシベーション膜、例えば５ｉｏ２
．ＰｓＧ膜表面の水酸基との間で脱メタノル反応を起し
、樹脂の接着力を向上させる。
レゾール型フェノール樹脂硬化剤（ｄ） クロモ
フタ−Ｉしく商品名：チバガイギー社製）をベースとし
た有機顔料 （ｅ） ）ルエン、キシレン、ブタノール、メチルイ
ソブチルケントの混合液 尚上記液状エポキシ樹脂組成物で、（ｂ）有機けい素化
合物としては１分子中にメトキシ基を３個有するもので
、前記（ａ）、 （ｂ）及び（ｃ）Ｋ示す樹脂分の３０
重重量板下の配合量が適している。上記メトキシ基を有
する有機けい素化合物を、エピビス型エポキシ樹脂中の
水酸基との間で、脱メタノール反応させて、エポキシ樹
脂をシリコーン化させ、水酸基を減少させると樹脂の耐
水性が向上する。また末端基として残ったメトキシ基は
半導体素子表面のパッシベーション膜、例えば５ｉｏ２
．ＰｓＧ膜表面の水酸基との間で脱メタノル反応を起し
、樹脂の接着力を向上させる。
（ｄ） クロモフタ−／１．／（商品名：チバガイギ
ー社製）をベースとした有機顔料は、微粉末で比重が小
さいために、分散性がよく溶剤で希釈した場合でも沈降
が少ない。
ー社製）をベースとした有機顔料は、微粉末で比重が小
さいために、分散性がよく溶剤で希釈した場合でも沈降
が少ない。
（ｅ） 有機溶剤は硬化時の発泡を抑えるために沸点
の異なるものを数種類混合させてなり、溶剤の含有量と
しては３０〜７０重量％が適している。
の異なるものを数種類混合させてなり、溶剤の含有量と
しては３０〜７０重量％が適している。
上記組成の液状エポキシ樹脂１１で封止すると、第５図
及び第６図のように非常に薄型（半導体素子上の樹脂厚
：１００μ雇程度）で小型の樹脂封止型半導体装置が得
られる。
及び第６図のように非常に薄型（半導体素子上の樹脂厚
：１００μ雇程度）で小型の樹脂封止型半導体装置が得
られる。
また、信頼性に関しても、従来のペレットタイプ・エポ
キシ系樹脂で封止された第１図及び第２図の封止形態の
半導体装置に比較して、同等以上の信頼性を有している
。
キシ系樹脂で封止された第１図及び第２図の封止形態の
半導体装置に比較して、同等以上の信頼性を有している
。
以下に上記組成の液状エポキシ樹脂を用いた封止と、従
来の樹脂を用いた封止とを挙げて信頼性評価試験の内容
及び結果を以下に示す。
来の樹脂を用いた封止とを挙げて信頼性評価試験の内容
及び結果を以下に示す。
（２）試験と結果；
表２
表３
ただし分母：テストサンプル数、分子：不良発生数を表
わす。
わす。
表４
表５
ただしくｔ ＝ （ｄＩＤ／ｄｔ） ＭＡＸとはＦレ−
７−ソーヌ間の漏れ電流ＩＤの時間【に対する増加率の
最大値であシ、αの値が小さい程、樹脂の表面安定性が
優れていることを示す。
７−ソーヌ間の漏れ電流ＩＤの時間【に対する増加率の
最大値であシ、αの値が小さい程、樹脂の表面安定性が
優れていることを示す。
〈効 果〉
上述したように、本発明によシ小型、薄型で且つ高信頼
性を有する樹脂封止型半導体装置を提供することができ
る。
性を有する樹脂封止型半導体装置を提供することができ
る。
第１図乃至第４図はフィルムキャリア方式における従来
の樹脂封止半導体装置の断面図、第５図、第６図は、本
発明によるフィルム・キャリア方式における小型、薄型
樹脂封止半導体装置の断面図である。 １・・・半導体素子、２・・・突起電極、３・・・イン
ナーリード、４・・・フィルム、１］、１２・・・樹脂
、代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）特許庁
長官殿 （特許庁 殿）１、事件の表示 特願昭５８−１０３４５２ ２、発明の名称 と 樹脂封諧半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代 埋入 住 所 ・５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号
７、補正の内容 り特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ２）ＥＩＡ細書第３頁第５行目に「クロスシート」とあ
るのを「ガラスクロスシート」と補正する。 以 上 特許請求の範囲 １）ｆａｔ エピビス型エポキシ樹脂（ｂｌ 有機
けい素化合物 ｔｅｌ レゾール型フェノール樹脂硬化剤（ｄ）
有機顔料又は無機顔料及び ｔｅｌ 有機溶剤 金成分とする液状エポキシ樹脂系組成分によって封止さ
れることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２）前記有機けい素化合物の配合量は、前記（ａｌ 、
ｆｂｌ及びｔｅｌの混合物に対して３０重量−以下で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂
封止型半導体装置。 ３）前記有機溶剤は芳香族炭化水素系溶剤、アルコール
系溶剤及びケント系溶剤が混合されてなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置
。
の樹脂封止半導体装置の断面図、第５図、第６図は、本
発明によるフィルム・キャリア方式における小型、薄型
樹脂封止半導体装置の断面図である。 １・・・半導体素子、２・・・突起電極、３・・・イン
ナーリード、４・・・フィルム、１］、１２・・・樹脂
、代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）特許庁
長官殿 （特許庁 殿）１、事件の表示 特願昭５８−１０３４５２ ２、発明の名称 と 樹脂封諧半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代 埋入 住 所 ・５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号
７、補正の内容 り特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ２）ＥＩＡ細書第３頁第５行目に「クロスシート」とあ
るのを「ガラスクロスシート」と補正する。 以 上 特許請求の範囲 １）ｆａｔ エピビス型エポキシ樹脂（ｂｌ 有機
けい素化合物 ｔｅｌ レゾール型フェノール樹脂硬化剤（ｄ）
有機顔料又は無機顔料及び ｔｅｌ 有機溶剤 金成分とする液状エポキシ樹脂系組成分によって封止さ
れることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２）前記有機けい素化合物の配合量は、前記（ａｌ 、
ｆｂｌ及びｔｅｌの混合物に対して３０重量−以下で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂
封止型半導体装置。 ３）前記有機溶剤は芳香族炭化水素系溶剤、アルコール
系溶剤及びケント系溶剤が混合されてなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 チップ側電極にリード端子を接続した後、チップ
及びリード端子接続部を樹脂で被ってなる半導体装置に
おいて、 前記樹脂は、 （ａ） エピビス型エポキシ樹脂 （ｂ） 有機けい素化合物 （Ｃ） レゾール型フェノール樹脂硬化剤（ｄ）
有機顔料又は無機顔料及び （ｅ） 有機溶剤を成分とする液状エポキシ樹脂系組
成分からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２ 前記有機けい素化合物の配合量は、前記（ａ）。 （ｂ）及び（ｃ）の混合物に対して３０重量％以下であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封
止型半導体装置。 ３ 前記有機溶剤は芳香族炭化水素系溶剤、アルコール
系溶剤及びケント系溶剤カニ混合されてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58103452A JPS59227146A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US07/390,448 US4926239A (en) | 1983-06-07 | 1989-08-02 | Plastic encapsulant for semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58103452A JPS59227146A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227146A true JPS59227146A (ja) | 1984-12-20 |
| JPH0136984B2 JPH0136984B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=14354413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58103452A Granted JPS59227146A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59227146A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01101658A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH02245011A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Hitachi Ltd | 高純度フェノール樹脂、該樹脂組成物およびその製法、並びに該樹脂を用いた電子装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS578220A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-16 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device |
| JPS57119947A (en) * | 1981-01-19 | 1982-07-26 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition |
| JPS57131223A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-14 | Hitachi Ltd | Resin composition |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP58103452A patent/JPS59227146A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS578220A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-16 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device |
| JPS57119947A (en) * | 1981-01-19 | 1982-07-26 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition |
| JPS57131223A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-14 | Hitachi Ltd | Resin composition |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01101658A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH02245011A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Hitachi Ltd | 高純度フェノール樹脂、該樹脂組成物およびその製法、並びに該樹脂を用いた電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0136984B2 (ja) | 1989-08-03 |
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