JPH0136984B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0136984B2 JPH0136984B2 JP58103452A JP10345283A JPH0136984B2 JP H0136984 B2 JPH0136984 B2 JP H0136984B2 JP 58103452 A JP58103452 A JP 58103452A JP 10345283 A JP10345283 A JP 10345283A JP H0136984 B2 JPH0136984 B2 JP H0136984B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- solvent
- sealed
- semiconductor device
- epoxy resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/68—Organic materials, e.g. photoresists
- H10P14/683—Organic materials, e.g. photoresists carbon-based polymeric organic materials, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/131—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
- H10W74/476—Organic materials comprising silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
〈技術分野〉
本発明は、小型、薄型で且つ高信頼性を有する
樹脂封止型半導体装置に関するものである。 〈従来技術〉 最近、電子腕時計、カメラ、電卓などの電子機
器が、小型化、薄型化するにつれて機器内部に組
み込まれる半導体装置の小型、薄型の要求が強く
なつている。この要求に答えるためにフイルム・
キヤリア方式による実装及び半導体素子の基板へ
の直接実装が広く応用されている。しかし、この
ような実装形態を用いてもさらにきびしくなる要
求には対応できなくなつている。 まずフイルム・キヤリア方式における従来から
用いられている樹脂封止形態例を第１図〜第４図
に示す。従来は第１図のように、半導体チツプ１
面の周囲に設けられたチツプ電極２にフイルム４
に支持されたリード端子３をボンデイングした
後、チツプ１及びリード端子３のボンデイング部
を含めて両面から樹脂５で封止した形態、及び第
２図のようにチツプ裏面は半硬化性樹脂を含浸さ
せたガラスクロスシート７、表面は樹脂６で封止
する形態が採用されていた。しかし一層小型、薄
型化の要求が強まるにつれて第３図及び第４図に
示すように、樹脂封止部分８，９を半導体チツプ
１の表面及びリード線３との接続部に限つて、樹
脂が占める嵩を低くし、上記要求に対応してい
た。 処でこの種の封止には一般にエポキシ系液状樹
脂が用いられるが、エポキシ系液状樹脂、例えば
エピビス型エポキシ樹脂、酸無水物硬化剤、及び
シリカ充填剤を混合した無溶剤タイプで第３図、
第４図のような樹脂封止を行つた場合次のような
欠点がある。 Γ無溶剤タイプで、充填剤としてシリカ等が添加
されているため、薄型化が困難で且つ、硬化後
の形状が“山”形になり不均一である。 Γ第１図、第２図の構造に比べ樹脂厚が薄いた
め、耐湿性が劣る。 Γ半導体チツプに対して片面からの樹脂封止とな
るため、耐熱衝撃性に劣る。 以上のように、従来の半導体封止用液状エポキ
シ樹脂では充分、小型、薄型化された樹脂封止型
半導体装置を得ることができず、且つ、従来の封
止構造に比して信頼性が劣つてしまう。 〈発明の目的〉 本発明は上記のような従来の樹脂封止型半導体
装置の欠点に鑑みてなされたものであり、封止用
エポキシ樹脂を改良することにより、小型、薄型
で優れた信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を
提供するものである。 〈実施例〉 第５図及び第６図はフイルムキヤリア方式半導
体装置に本発明を適用した一実施例を示す側断面
図で、第５図はチツプにボンデイングされたリー
ド端子を比較的広く被つた構造を示し、第６図は
樹脂封止部をチツプ表面に限つた構造を示す。い
ずれの構造においても半導体チツプ１は従来装置
と同様にフイルム４に支持されたリード線３にボ
ンデイングされている。ボンデイングされた半導
体チツプ１は表面が樹脂１１，１２で被覆される
が、樹脂１１，１２は、 Γ薄く均一に封止できるように、エポキシ樹脂
を、溶剤含有タイプにし充填剤を添加しない。 Γ優れた耐湿性と耐熱衝撃性を得るために、半導
体素子表面との接着性を向上する。 の方向で改良したエポキシ樹脂を使用する。 即ち、上記樹脂１１は (a) エピビス型エポキシ樹脂 (b) 有機けい素化合物 (c) レゾール型フエノール樹脂硬化剤 (d) 有機顔料又は無機顔料及び (e) 芳香族炭化水素系溶剤、アルコール系溶剤、
ケント系溶剤を混合した有機溶剤を成分とする
液状エポキシ樹脂を用いる。 上記液状エポキシ樹脂１１，１２を更に具体的
に示すと次のようなものである。 (a) エピビス型エポキシ樹脂 (b) メトキシ基を有する有機けい素化合物 (c) レゾール型フエノール樹脂硬化剤 (d) クロモフタール（商品名：チバガイギー社
製）をベースとした有機顔料 (e) トルエン、キシレン、ブタノール、メチルイ
ソブチルケントの混合液 尚上記液状エポキシ樹脂組成物で、(b)有機けい
素化合物としては１分子中にメトキシ基を３個有
するもので、前記(a)、(b)及び(c)に示す樹脂分の30
重量％以下の配合量を適している。上記メトキシ
基を有する有機けい素化合物を、エピビス型エポ
キシ樹脂中の水酸基との間で、脱メタノール反応
させて、エポキシ樹脂をシリコーン化させ、水酸
基を減少させると樹脂の耐水性が向上する。また
末端基として残つたメトキシ基は半導体素子表面
のパツシベーシヨン膜、例えばSiO2、PSG膜表
面の水酸基との間で脱メタール反応を起し、樹脂
の接着力を向上させる。 (d) クロモフタール（商品名：チバガイギー社
製）をベースとした有機顔料は、微粉末で比重
が小さいために、分散性がよく溶剤で希釈した
場合でも沈降が少ない。 (e) 有機溶剤は硬化時の発泡を抑えるために沸点
の異なるものを数種類混合させてなり、溶剤の
含有量としては30〜70重量％が適している。 上記組成の液状エポキシ樹脂１１で封止する
と、第５図及び第６図のように非常に薄型（半導
体素子上の樹脂厚：100μm程度）で小型の樹脂封
止型半導体装置が得られる。 また、信頼性に関しても、従来のペレツトタイ
プ・エポキシ系樹脂で封止された第１図及び第２
図の封止形態の半導体装置に比較して、同等以上
の信頼性を有している。 以下に上記組成の液状エポキシ樹脂を用いた封
止と、従来の樹脂を用いた封止とを挙げて信頼性
評価試験の内容及び結果を以下に示す。
樹脂封止型半導体装置に関するものである。 〈従来技術〉 最近、電子腕時計、カメラ、電卓などの電子機
器が、小型化、薄型化するにつれて機器内部に組
み込まれる半導体装置の小型、薄型の要求が強く
なつている。この要求に答えるためにフイルム・
キヤリア方式による実装及び半導体素子の基板へ
の直接実装が広く応用されている。しかし、この
ような実装形態を用いてもさらにきびしくなる要
求には対応できなくなつている。 まずフイルム・キヤリア方式における従来から
用いられている樹脂封止形態例を第１図〜第４図
に示す。従来は第１図のように、半導体チツプ１
面の周囲に設けられたチツプ電極２にフイルム４
に支持されたリード端子３をボンデイングした
後、チツプ１及びリード端子３のボンデイング部
を含めて両面から樹脂５で封止した形態、及び第
２図のようにチツプ裏面は半硬化性樹脂を含浸さ
せたガラスクロスシート７、表面は樹脂６で封止
する形態が採用されていた。しかし一層小型、薄
型化の要求が強まるにつれて第３図及び第４図に
示すように、樹脂封止部分８，９を半導体チツプ
１の表面及びリード線３との接続部に限つて、樹
脂が占める嵩を低くし、上記要求に対応してい
た。 処でこの種の封止には一般にエポキシ系液状樹
脂が用いられるが、エポキシ系液状樹脂、例えば
エピビス型エポキシ樹脂、酸無水物硬化剤、及び
シリカ充填剤を混合した無溶剤タイプで第３図、
第４図のような樹脂封止を行つた場合次のような
欠点がある。 Γ無溶剤タイプで、充填剤としてシリカ等が添加
されているため、薄型化が困難で且つ、硬化後
の形状が“山”形になり不均一である。 Γ第１図、第２図の構造に比べ樹脂厚が薄いた
め、耐湿性が劣る。 Γ半導体チツプに対して片面からの樹脂封止とな
るため、耐熱衝撃性に劣る。 以上のように、従来の半導体封止用液状エポキ
シ樹脂では充分、小型、薄型化された樹脂封止型
半導体装置を得ることができず、且つ、従来の封
止構造に比して信頼性が劣つてしまう。 〈発明の目的〉 本発明は上記のような従来の樹脂封止型半導体
装置の欠点に鑑みてなされたものであり、封止用
エポキシ樹脂を改良することにより、小型、薄型
で優れた信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を
提供するものである。 〈実施例〉 第５図及び第６図はフイルムキヤリア方式半導
体装置に本発明を適用した一実施例を示す側断面
図で、第５図はチツプにボンデイングされたリー
ド端子を比較的広く被つた構造を示し、第６図は
樹脂封止部をチツプ表面に限つた構造を示す。い
ずれの構造においても半導体チツプ１は従来装置
と同様にフイルム４に支持されたリード線３にボ
ンデイングされている。ボンデイングされた半導
体チツプ１は表面が樹脂１１，１２で被覆される
が、樹脂１１，１２は、 Γ薄く均一に封止できるように、エポキシ樹脂
を、溶剤含有タイプにし充填剤を添加しない。 Γ優れた耐湿性と耐熱衝撃性を得るために、半導
体素子表面との接着性を向上する。 の方向で改良したエポキシ樹脂を使用する。 即ち、上記樹脂１１は (a) エピビス型エポキシ樹脂 (b) 有機けい素化合物 (c) レゾール型フエノール樹脂硬化剤 (d) 有機顔料又は無機顔料及び (e) 芳香族炭化水素系溶剤、アルコール系溶剤、
ケント系溶剤を混合した有機溶剤を成分とする
液状エポキシ樹脂を用いる。 上記液状エポキシ樹脂１１，１２を更に具体的
に示すと次のようなものである。 (a) エピビス型エポキシ樹脂 (b) メトキシ基を有する有機けい素化合物 (c) レゾール型フエノール樹脂硬化剤 (d) クロモフタール（商品名：チバガイギー社
製）をベースとした有機顔料 (e) トルエン、キシレン、ブタノール、メチルイ
ソブチルケントの混合液 尚上記液状エポキシ樹脂組成物で、(b)有機けい
素化合物としては１分子中にメトキシ基を３個有
するもので、前記(a)、(b)及び(c)に示す樹脂分の30
重量％以下の配合量を適している。上記メトキシ
基を有する有機けい素化合物を、エピビス型エポ
キシ樹脂中の水酸基との間で、脱メタノール反応
させて、エポキシ樹脂をシリコーン化させ、水酸
基を減少させると樹脂の耐水性が向上する。また
末端基として残つたメトキシ基は半導体素子表面
のパツシベーシヨン膜、例えばSiO2、PSG膜表
面の水酸基との間で脱メタール反応を起し、樹脂
の接着力を向上させる。 (d) クロモフタール（商品名：チバガイギー社
製）をベースとした有機顔料は、微粉末で比重
が小さいために、分散性がよく溶剤で希釈した
場合でも沈降が少ない。 (e) 有機溶剤は硬化時の発泡を抑えるために沸点
の異なるものを数種類混合させてなり、溶剤の
含有量としては30〜70重量％が適している。 上記組成の液状エポキシ樹脂１１で封止する
と、第５図及び第６図のように非常に薄型（半導
体素子上の樹脂厚：100μm程度）で小型の樹脂封
止型半導体装置が得られる。 また、信頼性に関しても、従来のペレツトタイ
プ・エポキシ系樹脂で封止された第１図及び第２
図の封止形態の半導体装置に比較して、同等以上
の信頼性を有している。 以下に上記組成の液状エポキシ樹脂を用いた封
止と、従来の樹脂を用いた封止とを挙げて信頼性
評価試験の内容及び結果を以下に示す。
【表】
【表】
【表】
ただし分母：テストサンプル数、分
子：不良発生数を表わす。
子：不良発生数を表わす。
【表】
【表】
本発明の実施例の樹脂組成を以下の表６に示
す。
す。
【表】
【表】
〈効果〉
上述したように、本発明により小型、薄型で且
つ高信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を提供
することができる。
つ高信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を提供
することができる。
第１図乃至第４図はフイルムキヤリア方式にお
ける従来の樹脂封止半導体装置の断面図、第５
図、第６図は、本発明によるフイルム・キヤリア
方式における小型、薄型樹脂封止半導体装置の断
面図である。 １……半導体素子、２……突起電極、３……イ
ンナーリード、４……フイルム、１１，１２……
樹脂。
ける従来の樹脂封止半導体装置の断面図、第５
図、第６図は、本発明によるフイルム・キヤリア
方式における小型、薄型樹脂封止半導体装置の断
面図である。 １……半導体素子、２……突起電極、３……イ
ンナーリード、４……フイルム、１１，１２……
樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) エピビス型エポキシ樹脂 (b) １分子中にメトキシ基を３個有する有機けい
素化合物 (c) レゾール型フエノール樹脂硬化剤 (d) 有機顔料又は無機顔料、及び (e) 有機溶剤 を成分とする液状エポキシ樹脂によつて封止され
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２ 前記１分子中にメトキシ基を３個有する有機
けい素化合物の配合量は、前記(a)、(b)及び(c)の混
合物に対して30重量％以下であることを特徴とす
る、特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導
体装置。 ３ 前記有機溶剤は、芳香族炭化水素系溶剤、ア
ルコール系溶剤及びケント系溶剤が混合されてな
ることを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載
の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58103452A JPS59227146A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US07/390,448 US4926239A (en) | 1983-06-07 | 1989-08-02 | Plastic encapsulant for semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58103452A JPS59227146A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227146A JPS59227146A (ja) | 1984-12-20 |
| JPH0136984B2 true JPH0136984B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=14354413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58103452A Granted JPS59227146A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59227146A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2568584B2 (ja) * | 1987-10-15 | 1997-01-08 | 日東電工株式会社 | 半導体装置 |
| JP2638191B2 (ja) * | 1989-03-17 | 1997-08-06 | 株式会社日立製作所 | 高純度フェノール樹脂の製法、該樹脂組成物の製法、並びに該樹脂組成物を用いた半導体装置の製法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS578220A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-16 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device |
| JPS57119947A (en) * | 1981-01-19 | 1982-07-26 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition |
| JPS57131223A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-14 | Hitachi Ltd | Resin composition |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP58103452A patent/JPS59227146A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59227146A (ja) | 1984-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR850001975B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| US6921782B2 (en) | Adhesive and electric device | |
| JPH03177450A (ja) | 半導体用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造法 | |
| TWI274061B (en) | Latent hardener, process for producing the same, and adhesive containing latent hardener | |
| US4926239A (en) | Plastic encapsulant for semiconductor | |
| WO2002079294A1 (fr) | Composition de resine epoxyde thermodurcissable a un constituant et materiau de sous-remplissage de montage de semi-conducteurs | |
| JPS62145602A (ja) | 導電性樹脂ペ−スト | |
| JPH0136984B2 (ja) | ||
| CN115895551A (zh) | 一种高可靠性能的底部填充胶及其制备方法 | |
| JP2002097254A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| KR102204964B1 (ko) | 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 접착 필름 | |
| CN114286848A (zh) | 半导体粘合剂组合物和包含其固化产物的半导体粘合剂膜 | |
| JPH0726235A (ja) | 導電性ペースト | |
| JP2002226675A (ja) | 絶縁性ペースト | |
| JP2004352939A (ja) | 液状封止樹脂及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH0841168A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH09302201A (ja) | 気密封止用エポキシ樹脂系組成物 | |
| JPH06244225A (ja) | 半導体装置とその製法 | |
| JPH06151478A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH11343392A (ja) | テープキャリアパッケージ用エポキシ樹脂組成物 | |
| KR102733425B1 (ko) | 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이의 경화물을 포함하는 반도체 회로 접속용 접착 필름 | |
| JP3348131B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPH08245765A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPH06100664A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JPS58148441A (ja) | 半導体装置の製造方法 |