JPS59227162A - 電力変換ユニツト - Google Patents
電力変換ユニツトInfo
- Publication number
- JPS59227162A JPS59227162A JP58101746A JP10174683A JPS59227162A JP S59227162 A JPS59227162 A JP S59227162A JP 58101746 A JP58101746 A JP 58101746A JP 10174683 A JP10174683 A JP 10174683A JP S59227162 A JPS59227162 A JP S59227162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- capacitor
- resistor
- cathode
- power conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/73—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control for cooling by change of state
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電力変換ユニットに係り、特にＧＴＯ（ゲート
・ターン・オフ）素子を含む半導体スタックを沸騰性冷
媒中に浸漬するタイプのものに関する。
・ターン・オフ）素子を含む半導体スタックを沸騰性冷
媒中に浸漬するタイプのものに関する。
第１図は、ＧＴＯ素子を用いた一般的な電力変換器の回
路の一部である。ＧＴＯ素子１のアノードとカソード間
にスナバ回路２とダイオード３とが並列に接続されてい
る。スナバ回路２はスナバダイオード４とスナバコンデ
ンサ５とが直列接続され、更にスナバダイオード４に抵
抗６が並列接続されたものから成っている、また、ＧＴ
Ｏ素子ｌのゲートとカソードはゲートドライブ回４７に
接続され、また、前記ゲートとカソード間には抵抗８，
９及びコンデンｙ′１０が接続されている。
路の一部である。ＧＴＯ素子１のアノードとカソード間
にスナバ回路２とダイオード３とが並列に接続されてい
る。スナバ回路２はスナバダイオード４とスナバコンデ
ンサ５とが直列接続され、更にスナバダイオード４に抵
抗６が並列接続されたものから成っている、また、ＧＴ
Ｏ素子ｌのゲートとカソードはゲートドライブ回４７に
接続され、また、前記ゲートとカソード間には抵抗８，
９及びコンデンｙ′１０が接続されている。
このよ５なＧ Ｔ Ｏ素子を用いた電力変換器は発熱を
伴うため、その冷却方式が問題となるが、冷却方式とし
又は、Ｇ Ｔ Ｏ素子、ダイオード並びに削記ＧＴＯｇ
子のアノードｌ１ｌｌｌ及びカソード側コネクタ等をヒ
ートシンクと共Ｋｆ３ねて、全体を適当な締付手段によ
り締付けることに」：りいわゆる半導体スタックを構成
し、この半導体スタックをタンク内に収納し、弊騰性冷
媒中に浸７Ｉ￥する方式が有力である。
伴うため、その冷却方式が問題となるが、冷却方式とし
又は、Ｇ Ｔ Ｏ素子、ダイオード並びに削記ＧＴＯｇ
子のアノードｌ１ｌｌｌ及びカソード側コネクタ等をヒ
ートシンクと共Ｋｆ３ねて、全体を適当な締付手段によ
り締付けることに」：りいわゆる半導体スタックを構成
し、この半導体スタックをタンク内に収納し、弊騰性冷
媒中に浸７Ｉ￥する方式が有力である。
しかし従来は、ＧＴＯ素子のゲート・カソード間に接続
されるコンデンサ及び抵抗（以下、ＧＫ間ＣＲと略す）
をタンクの外に置く方式であったため、次のような問題
があった。即ち、上記のよ５なＧ ’ｒ ＯＪ’、子１
を用いた電力変換器では、ＧＴＯ累子１を含む主回路、
スナバ回路２及びゲート響カソード間の、各配線インダ
クタンスを極力小さくして、（ｊ’ｌ’０累子１のゲー
ト・カソード間の・インピーダンスを小さくすることが
必要でＡ；）る。
されるコンデンサ及び抵抗（以下、ＧＫ間ＣＲと略す）
をタンクの外に置く方式であったため、次のような問題
があった。即ち、上記のよ５なＧ ’ｒ ＯＪ’、子１
を用いた電力変換器では、ＧＴＯ累子１を含む主回路、
スナバ回路２及びゲート響カソード間の、各配線インダ
クタンスを極力小さくして、（ｊ’ｌ’０累子１のゲー
ト・カソード間の・インピーダンスを小さくすることが
必要でＡ；）る。
その理由は、（ｊ’ｌ’０＊−ｆｌ内部のグリッド・カ
ソード間障壁電圧よりも前記ゲート・カソード闇インピ
ーダンスにがかる４圧を譬に小さくシナいと、Ｇ ’ｒ
ＯＪ子１の性質としてぬ点弧な起こすからである。従
つ“（、従来のようにＧｌ【間ＣＩｔをタンクの外に置
く方式では、ゲート・カソード間の配線長が長くなるこ
とから、そのインダクタンスが大きくなり、誤点弧な起
こす危険性かあった。、また、ＧＫ間ＣＲをタンクの外
に設Ｊするには、そのための外部環境に耐え得る容器も
必要となり、全体とし【装置の大型化を招くという欠点
もある。
ソード間障壁電圧よりも前記ゲート・カソード闇インピ
ーダンスにがかる４圧を譬に小さくシナいと、Ｇ ’ｒ
ＯＪ子１の性質としてぬ点弧な起こすからである。従
つ“（、従来のようにＧｌ【間ＣＩｔをタンクの外に置
く方式では、ゲート・カソード間の配線長が長くなるこ
とから、そのインダクタンスが大きくなり、誤点弧な起
こす危険性かあった。、また、ＧＫ間ＣＲをタンクの外
に設Ｊするには、そのための外部環境に耐え得る容器も
必要となり、全体とし【装置の大型化を招くという欠点
もある。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点父なくし、誤
点弧馨起こすことが７よく、しかも装置全体をコンパク
トに信置できる電力変換ユニットを提供するにある。
点弧馨起こすことが７よく、しかも装置全体をコンパク
トに信置できる電力変換ユニットを提供するにある。
上記の目的な達成するため、本発明°・１、磁力変換器
を構成するＧ ’１’ ０塁子、ダイオード並びに前記
Ｇ Ｔ ＯＪ子の゛アノード側及びカソード側コネクタ
等をヒート７ンクと共に重ねＣ締付げてなる半導体スタ
ックな、タンク内に収納し、前ｆｉ１．！ Ｇ ｉ’
Ｑ素子が発生する熱を吸収し″′Ｃ気化する沸騰性Ｌ「
媒中に浸漬した電力変換り、二ツ）Ｋおい−（、ＧＴＯ
素子のゲート・カソード間に接＃、琶されるコンデンサ
及び抵抗を樹ＪＪｔｆで一体にモールドし−ＣＧ Ｋ間
Ｃ托ユニットを形成し、このユニットナ繭記Ｌｒ Ｔ
Ｏ素子に接近させて前記タンク内に設ｉｆ したことを
特識とする。
を構成するＧ ’１’ ０塁子、ダイオード並びに前記
Ｇ Ｔ ＯＪ子の゛アノード側及びカソード側コネクタ
等をヒート７ンクと共に重ねＣ締付げてなる半導体スタ
ックな、タンク内に収納し、前ｆｉ１．！ Ｇ ｉ’
Ｑ素子が発生する熱を吸収し″′Ｃ気化する沸騰性Ｌ「
媒中に浸漬した電力変換り、二ツ）Ｋおい−（、ＧＴＯ
素子のゲート・カソード間に接＃、琶されるコンデンサ
及び抵抗を樹ＪＪｔｆで一体にモールドし−ＣＧ Ｋ間
Ｃ托ユニットを形成し、このユニットナ繭記Ｌｒ Ｔ
Ｏ素子に接近させて前記タンク内に設ｉｆ したことを
特識とする。
第２図ないし第４図は本発明の一実施・例を示しており
、第１図に対応する部分には第１図と同一イ午号を付し
である。ダイオード３、コネクタ１１、冷却フィン（ヒ
ートシンク）１２． ＧＴｏｇ子１、冷却フイ７１２、
コネクタ１３、絶縁碍子１４、スペーサ１５．１６を重
ねてナンドイツチ状に配列し、スペーサ１６の中央部を
熱、磁気伝導な良好とするボール１７を介してブラケッ
ト１８で押圧することにより、前記各部品を圧着してい
る。
、第１図に対応する部分には第１図と同一イ午号を付し
である。ダイオード３、コネクタ１１、冷却フィン（ヒ
ートシンク）１２． ＧＴｏｇ子１、冷却フイ７１２、
コネクタ１３、絶縁碍子１４、スペーサ１５．１６を重
ねてナンドイツチ状に配列し、スペーサ１６の中央部を
熱、磁気伝導な良好とするボール１７を介してブラケッ
ト１８で押圧することにより、前記各部品を圧着してい
る。
プラタン）１８の外周端部は、図示しない反対側のブラ
ケットと、スタッドボルト１９及びナツト２０により締
結されており、ナツト２０の締付けにより前記押圧力を
出している。スタッドボルト１９は絶縁チューブ２１で
榎われており、また、プラタン）１９とナツト２００間
にはゆるみ止め用の爪＃１２２を介在させである。なお
、符号２３（ＷＩＢ図参照）はＧＴＯ素子１のカソード
側コネクタである。
ケットと、スタッドボルト１９及びナツト２０により締
結されており、ナツト２０の締付けにより前記押圧力を
出している。スタッドボルト１９は絶縁チューブ２１で
榎われており、また、プラタン）１９とナツト２００間
にはゆるみ止め用の爪＃１２２を介在させである。なお
、符号２３（ＷＩＢ図参照）はＧＴＯ素子１のカソード
側コネクタである。
以上が半導体スタック２４の構成であり、本実施例では
そのカソード側コネクタ２３にＧＫｌ’ｌＪ］ＣＲユニ
ット２５を支持させることにより、ＧＫ間ＣＲユニット
２５をＧＴＯ素子１に接近させて配置するようｋしてい
る。
そのカソード側コネクタ２３にＧＫｌ’ｌＪ］ＣＲユニ
ット２５を支持させることにより、ＧＫ間ＣＲユニット
２５をＧＴＯ素子１に接近させて配置するようｋしてい
る。
ＧＫ間Ｃ）Ｌユニット２５は第５図及び第６図に示すよ
うな構造となっている。即ち、コンデンサ１０と抵抗８
，９とは絶縁板２６をはさんでその両側に設置されてお
り、それぞれの端子は第１図のＧＫ間の回路を構成する
ように接続されて〜・る。
うな構造となっている。即ち、コンデンサ１０と抵抗８
，９とは絶縁板２６をはさんでその両側に設置されてお
り、それぞれの端子は第１図のＧＫ間の回路を構成する
ように接続されて〜・る。
絶縁板２６に取付けられたコンデンサ１０及び抵抗８，
９は、（ｌ 平なステンレス製のケース２７内に収納さ
れている。ケース２７の一方の端板２Ｂにはそれぞれ碍
子２９Ａ、２９Ｂに支持された端子３０Ａ、３０Ｂを貫
通させてあり、他方の端板３１には２つの穴を封じる栓
３２Ａ、３２Ｂを差込んである。前記絶縁板２６は前記
一方の端板２８の内面にボルト３３によって固定されて
いる。また、端子３０Ａはコンデンサ１０と抵抗９の接
続点に１端子３０Ｂは両蝉抗８，９の接続点に、それぞ
れ絶縁リード線３４Ａ、３４Ｂによって接続されている
。さらＫ、これらの各部品はケース２７内に充填された
エポキシ樹脂の如きモールド用の樹脂３５によって一体
にモールドされている。この樹脂３５は前述の栓３２Ａ
、３２Ｂをはずして、液状でケース２７内に注入し、硬
化させたものである。注入後あるいは硬化後は再び栓３
２Ａ。
９は、（ｌ 平なステンレス製のケース２７内に収納さ
れている。ケース２７の一方の端板２Ｂにはそれぞれ碍
子２９Ａ、２９Ｂに支持された端子３０Ａ、３０Ｂを貫
通させてあり、他方の端板３１には２つの穴を封じる栓
３２Ａ、３２Ｂを差込んである。前記絶縁板２６は前記
一方の端板２８の内面にボルト３３によって固定されて
いる。また、端子３０Ａはコンデンサ１０と抵抗９の接
続点に１端子３０Ｂは両蝉抗８，９の接続点に、それぞ
れ絶縁リード線３４Ａ、３４Ｂによって接続されている
。さらＫ、これらの各部品はケース２７内に充填された
エポキシ樹脂の如きモールド用の樹脂３５によって一体
にモールドされている。この樹脂３５は前述の栓３２Ａ
、３２Ｂをはずして、液状でケース２７内に注入し、硬
化させたものである。注入後あるいは硬化後は再び栓３
２Ａ。
３２Ｂをしておく。樹脂３５はケ−ス２７内の空間をす
べて埋めつくすように充填することが好ましいが、それ
がＩ難な場合は図示のように若干の空１ｉＪＪ３６を残
存させても差支えない、な゛お、コンデンサ１０及び抵
抗８，９の外周には予めシリコン樹脂のような弾力性の
ある樹脂層３７を塗布しておくことが好ましく、これは
コンデンサ１０や抵抗８，９とモールド樹脂３５との熱
膨張差を吸収し、それらの部品を保護するために有効で
ある。
べて埋めつくすように充填することが好ましいが、それ
がＩ難な場合は図示のように若干の空１ｉＪＪ３６を残
存させても差支えない、な゛お、コンデンサ１０及び抵
抗８，９の外周には予めシリコン樹脂のような弾力性の
ある樹脂層３７を塗布しておくことが好ましく、これは
コンデンサ１０や抵抗８，９とモールド樹脂３５との熱
膨張差を吸収し、それらの部品を保護するために有効で
ある。
また、図示してないが、ケース２７の内ｒＭＶｃ弾力性
のある樹脂層を設けておくことも、熱膨張差の吸収及び
外部衝Ｓ＜対する緩衝に有効である。ケース２７の両側
には取付板３８を設けてあり、このＧＫ間ＣＲユニット
２５はこの取付板３８を利用して前述のように半導体ス
タック２４に固定される。
のある樹脂層を設けておくことも、熱膨張差の吸収及び
外部衝Ｓ＜対する緩衝に有効である。ケース２７の両側
には取付板３８を設けてあり、このＧＫ間ＣＲユニット
２５はこの取付板３８を利用して前述のように半導体ス
タック２４に固定される。
上記のように構成された半導体スタック２４及びＧＫ間
ＣＲユニット２５は、４３図及び第４図に示すようＫ、
密閉されたタンク３９内に収納され、その中で沸騰性冷
媒４ｏ中に浸漬される。さらに半導体スタック２４は、
第４図に示すように。
ＣＲユニット２５は、４３図及び第４図に示すようＫ、
密閉されたタンク３９内に収納され、その中で沸騰性冷
媒４ｏ中に浸漬される。さらに半導体スタック２４は、
第４図に示すように。
タンク３９の端部に設けられた主ブッシング４１及び補
助ブッシング４２に接続されている。
助ブッシング４２に接続されている。
以上のような電力変換ユニツ）Ｋおいズは、ＧＴＯ素子
１等の発熱でタンク３９内の冷媒４０が沸鳴し、タンク
３９内の圧力が上昇するが、コンデンサｌＯ及び抵抗８
，９は金属ケース２７内に収納され、樹脂３５中に埋め
込まれ【いるため、上記圧力によって損傷を受けること
はない。またコンデンサｌＯと抵抗８，９は絶縁板２６
の両側に配置して金属ケース２７内に収納することＫよ
り、全体として偏平忙１よるようにしであるため、半導
体スタック２４の脇忙配置してもスペースをとらず、タ
ンク３９内への収納が容易であり、全体をコンパクトに
まとめることができる。まにコンデンサ１０及び抵抗８
，９がＧＴＯ素子１の近くに設置されているため、ゲー
ト・カソード間の配線長が短かくて済み、配線のインダ
クタンスが小さくなって、誤点弧の発生を防止できる。
１等の発熱でタンク３９内の冷媒４０が沸鳴し、タンク
３９内の圧力が上昇するが、コンデンサｌＯ及び抵抗８
，９は金属ケース２７内に収納され、樹脂３５中に埋め
込まれ【いるため、上記圧力によって損傷を受けること
はない。またコンデンサｌＯと抵抗８，９は絶縁板２６
の両側に配置して金属ケース２７内に収納することＫよ
り、全体として偏平忙１よるようにしであるため、半導
体スタック２４の脇忙配置してもスペースをとらず、タ
ンク３９内への収納が容易であり、全体をコンパクトに
まとめることができる。まにコンデンサ１０及び抵抗８
，９がＧＴＯ素子１の近くに設置されているため、ゲー
ト・カソード間の配線長が短かくて済み、配線のインダ
クタンスが小さくなって、誤点弧の発生を防止できる。
またＧＫｌｉ［ＣＲユニット２５は、熱的に弱いコンデ
ンサ１０と発熱を伴う抵抗８，９を絶縁板２６０両側に
配置する構造としたので、コンデンサ１ｏと抵抗８，９
とは熱的にしゃ断され、コンデンサ１００安全性を高め
ることができる。またＧＫ間ＣＲユニット２５は沸騰性
冷媒４０中にｒｔＬ４されるため、そこで発生する熱は
冷＄４０に吸収されろようになり、過度の温度上昇も防
止でき、侶斬性が向上する。
ンサ１０と発熱を伴う抵抗８，９を絶縁板２６０両側に
配置する構造としたので、コンデンサ１ｏと抵抗８，９
とは熱的にしゃ断され、コンデンサ１００安全性を高め
ることができる。またＧＫ間ＣＲユニット２５は沸騰性
冷媒４０中にｒｔＬ４されるため、そこで発生する熱は
冷＄４０に吸収されろようになり、過度の温度上昇も防
止でき、侶斬性が向上する。
以上説明した実施例では、ＧＫ間ＣＲユニットを金属ケ
ース内に収納するｉ（造どしたが、モールド樹脂が沸騰
性冷媒に対して安定な場合には、金属ケースを省略する
こともげ能であろう第７図は本発明に用いられるＧＫ間
ＣＲユニットの他の例を示す。このＧＫ間ＣＲユニソ）
２５ｘは、弾力性の樹脂層３７を塗布したコンデン′
ｌＪ−１０及び抵抗８，９を絶縁筒４３内に収納し、そ
の絶縁筒４３内の空１！ＪＫモールド用の樹脂３５を充
填したものである。このＧ Ｋ間ＣＲユニット２５ｘも
前述のように半導体スタックの１協に設置され、沸騰性
冷媒を満たしたタンク中に収納される。
ース内に収納するｉ（造どしたが、モールド樹脂が沸騰
性冷媒に対して安定な場合には、金属ケースを省略する
こともげ能であろう第７図は本発明に用いられるＧＫ間
ＣＲユニットの他の例を示す。このＧＫ間ＣＲユニソ）
２５ｘは、弾力性の樹脂層３７を塗布したコンデン′
ｌＪ−１０及び抵抗８，９を絶縁筒４３内に収納し、そ
の絶縁筒４３内の空１！ＪＫモールド用の樹脂３５を充
填したものである。このＧ Ｋ間ＣＲユニット２５ｘも
前述のように半導体スタックの１協に設置され、沸騰性
冷媒を満たしたタンク中に収納される。
以上説明したように本発明によれば、ＧＫ間ＣＲを樹脂
モールドによりユニット化し、タンク内に収納するよう
にしたので、電力変換ユニット全体がコンパクトになる
利点があり、またＧ Ｔ Ｏ素子のゲート・カソード間
の配線の・ｆンダクタンスが小さくなるためＧＴＯ素子
の誤点弧も防止できる利点がある。さらにＧＫｉＪ］Ｃ
Ｒユニットは半導体スタックと共に沸騰性冷媒中に浸漬
されるので、過熱のおそれもなく、信頼性が向上する利
点もある。
モールドによりユニット化し、タンク内に収納するよう
にしたので、電力変換ユニット全体がコンパクトになる
利点があり、またＧ Ｔ Ｏ素子のゲート・カソード間
の配線の・ｆンダクタンスが小さくなるためＧＴＯ素子
の誤点弧も防止できる利点がある。さらにＧＫｉＪ］Ｃ
Ｒユニットは半導体スタックと共に沸騰性冷媒中に浸漬
されるので、過熱のおそれもなく、信頼性が向上する利
点もある。
第１図はＧＴＯ素子を用いた一一、１丈的な電力変換器
の一部を示す回路図、第２図ないし第６図は本発明の一
実施例を示しており、第２図は半導体スタックの一部切
開正ｒｒＩｉ図、第３図は同半導体スタックをタンク内
に収納した電力変換ユニットの半導体スタック右端面部
分における断面図、第４図は同電力変換ユニットの一部
切開正面図、第５図は同電力変換ユニットにおけるＧＫ
間ＣＩ’ｔユニットの断面図、第６図は同ＧＫ間ＣＲユ
ニットの端子側端面図、第７図は本発明に用いられるＧ
Ｋ間ＣＲユニットの他の例を示す断面図である。 １・・・・・・ＧＴＯ素子、８，９・・・・・・抵抗、
１０・・・・・・コンデンサ、１２・・・・・・冷却フ
ィン（ヒー・トシンク）、２４・・・・・・半導体スタ
ック、２５１°°Ｇ Ｋ ｊｉＪｊ ＣＩｔ：Ｌニット
、２６・・・・・・絶縁板、２７・・・・・・金椙ケー
ス、３５・・・・・・樹脂、３９・・・・・・タンク、
４０・・・・・・沸騰性冷媒。 第１ｇＡ １１２図 １５ ／６ １３ 図 第４図 ８ ０ ５９
の一部を示す回路図、第２図ないし第６図は本発明の一
実施例を示しており、第２図は半導体スタックの一部切
開正ｒｒＩｉ図、第３図は同半導体スタックをタンク内
に収納した電力変換ユニットの半導体スタック右端面部
分における断面図、第４図は同電力変換ユニットの一部
切開正面図、第５図は同電力変換ユニットにおけるＧＫ
間ＣＩ’ｔユニットの断面図、第６図は同ＧＫ間ＣＲユ
ニットの端子側端面図、第７図は本発明に用いられるＧ
Ｋ間ＣＲユニットの他の例を示す断面図である。 １・・・・・・ＧＴＯ素子、８，９・・・・・・抵抗、
１０・・・・・・コンデンサ、１２・・・・・・冷却フ
ィン（ヒー・トシンク）、２４・・・・・・半導体スタ
ック、２５１°°Ｇ Ｋ ｊｉＪｊ ＣＩｔ：Ｌニット
、２６・・・・・・絶縁板、２７・・・・・・金椙ケー
ス、３５・・・・・・樹脂、３９・・・・・・タンク、
４０・・・・・・沸騰性冷媒。 第１ｇＡ １１２図 １５ ／６ １３ 図 第４図 ８ ０ ５９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電力変換器を構成するＧ Ｔ Ｏ（ゲート・ターン
・オフ）素子、ダイオード並びに前記Ｇ ’ｒ Ｏ素子
のアノード側及びカンード側コネクタ等をヒートシンク
と共に重ねて締付けてなる半導体スタックを、タンク内
に収納し、前記Ｇ Ｔ Ｏ素子等が発生する熱を吸収し
て気化する沸騰性冷媒中に浸漬したものにおいて、前記
ＧＴＯ，ｌ（子のゲート・カソード間に接続されるコン
デンサ及び抵抗を樹脂で一体にモールドしてＧ Ｋ ｌ
！］ ＣＲユニットを形成し、このユニットを前記ＧＴ
Ｏｇ子に接近させて前記タンク内に設置したことを特徴
とする電力変換ユニット。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記ＧＫ間ＣＲユ
ニットは金属ケースに収納されていることを特徴とする
電力変換ユニット。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記ＧＫ間ＣＲユ
ニットは、前記コンデンサと抵抗の間に絶縁板を介在さ
せであることを特徴とする電力変換ユニット。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記コンデンサ及
び抵抗はその周囲に弾力性樹脂層を有することを特徴と
する電力変換ユニット。 ５、特許請求の範囲ｌＫ２項において、前記金属ケース
はその内面に弾力性樹脂層を有することを特徴とする電
力変換ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101746A JPS59227162A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 電力変換ユニツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101746A JPS59227162A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 電力変換ユニツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227162A true JPS59227162A (ja) | 1984-12-20 |
| JPS643344B2 JPS643344B2 (ja) | 1989-01-20 |
Family
ID=14308806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58101746A Granted JPS59227162A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 電力変換ユニツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59227162A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014093927A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
-
1983
- 1983-06-09 JP JP58101746A patent/JPS59227162A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014093927A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS643344B2 (ja) | 1989-01-20 |
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