JPS59229883A - ホトアイソレ−タ - Google Patents

ホトアイソレ−タ

Info

Publication number
JPS59229883A
JPS59229883A JP58085429A JP8542983A JPS59229883A JP S59229883 A JPS59229883 A JP S59229883A JP 58085429 A JP58085429 A JP 58085429A JP 8542983 A JP8542983 A JP 8542983A JP S59229883 A JPS59229883 A JP S59229883A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light receiving
electrode layer
light
bumps
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58085429A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Furukawa
治 古川
Kazuaki Masaki
柾木　一彰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP58085429A priority Critical patent/JPS59229883A/ja
Publication of JPS59229883A publication Critical patent/JPS59229883A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
    • H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices

Landscapes

  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は光結合された発光部と受光部とを備えたホト
アイソレーク（ホトカプラ）に関する。
（ロ）従来技術 従来のホトアイソレークは、個別部品として形成されて
いるホ１−ダイオード等の受光部とＬＥＤランプ等の発
光部とを、それぞれ対向するように所定のパンケージに
組込むことによって形成されている。
従って、その構造上、ホトアイソレークの形状は大きく
なるため、小型化が要請されている電気機器には使い難
いという欠点がある。
また、発光部と受光部との距離は比較的長く、且つ、そ
のバラツキも多いので、光電変換効率が悪く、しかも、
受光感度等の特性がバラツキ易いという欠点もある。
（ハ）目的 この発明は小型で、光電変換効率が良く、しかも、特性
のバラツキが少ないホトアイソレークを　　　。
提供することを目的としている。
（ニ）構成 この発明に係るホトアイソレータは、発光５゛又は受光
素子の少なくとも一方にバンプ１”　’　ｒＡｃ’れ、
各素子の発光部と受光部とが対向するように前記画素子
が前記バンプを介して接続されたごとを特徴としている
。
（糸）実施例 第１図はこの発明に係るホトアイソレータの一実施例の
構造を略示した断面図である。
図において、１０は受光素子としてのボ］−ダイオード
素子である。ホトダイオード素子１０の表面にはアルミ
ニウム等からなる配線層１１が形成され、その上からシ
ニコン酸化膜やポリイミド系樹脂膜等からなる絶縁膜１
２が被着される。そして、更に前記絶縁膜１２の上には
アルミニウム等からなる電極層１１“が形成される。こ
の電極層１１′は絶縁膜１２に開設されるコンクトホー
ル１３を介して配線層１１の所定の部分と電気的に接続
される。かかるボトダイオード素子１０はリードフレー
ム２０等にグイボンデングされる。
３０は発光素子として発光ダイオード素子である。発光
ダイオード素子３０の表面には発光部３２の電極に接続
して、半田等からなるバンプ３１が形成される。
そして、発光部３２とホトダイオード素子１０の受光部
１４とが対向する位置で、バンプ３１と電極層１１“と
を例えば半田接続することにより、発光ダイオード素子
３０とホトダイオード素子１０とが接続される。
また、所定の電極層１１′とリードフレーム２０との間
は金線４０によってワイヤボンデングされる。
このようなホトアイソレータは例えば、セラミックパッ
ケージ等に封止される。
しかして、リードフレーム２０、金線４０、電極層１１
’を介して発光ダイオ−１”素子３０に通電されると、
発光部３２から照射された光は、０：ｊ記発光部３２に
対向しているホトダイオード素子１０の受光部１４に入
射する。
尚、上述の実施例において、受光素子はホトダイオード
素子であるとして説明したが、この発明はこれに限られ
るものではなく例えば、前記受光素子はホトダイオード
を回路の一部として含んでいる集積回路であってもよい
。
また、受光素子と発光素子とを接続するためのバンプば
、発光素子に設けられるものに限られ゛づ゛、受光素子
に設けられるものであってもよい。
さらに、上述の実施例とは逆に、発光素子をリードフレ
ーム等の基板にダイボンデングし、受光素子をその上か
ら取りつけるものであってもよいのは無Ｊ命である。
（へ）効果 この発明は発光素子と受光素子とを、少なくともいずれ
か一方の素子に形成されたバンプでもって、画素子の発
光部と受光部とが対向するように接続しているから、個
別部品をそれぞれ組込んで形成されている従来のホトア
イソレータに比べて、その形状を極めて小さくすること
ができる。
また、画素子はバンプで接続されるから、画素子間の距
離は僅かである。従って、この発明によれば、光電変換
を効率よく行うことができる。
さらに、バンプの高さのバラツキは比較的少ないから、
画素子間の距離を一定にすることができる。従ゲζ、こ
の発明に係るホトアイソレータは従来のものに比べて、
特性のバラツキを少なくすることかできる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係るホトアイソレータの一実施例の
構造を略示した断面図である。 １０・・・ホトダイオード素子、１４・・・受ＩＩｓ、
２０・・・リードフレーム、３ｏ・・・発光ダイオード
素子、３１・・・バンプ、３２・・・発光部。 特許出願人　　ローム株式会社 代理人　　弁理士　　大　西　孝　治

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）発光素子又は受光素子の少なくとも一方にバンプ
    を形成し、各素子の発光部と受光部とが対向するように
    前記画素子を前記バンプを介して接続したことを特徴と
    するホトアイソレータ。
JP58085429A 1983-05-16 1983-05-16 ホトアイソレ−タ Pending JPS59229883A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58085429A JPS59229883A (ja) 1983-05-16 1983-05-16 ホトアイソレ−タ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58085429A JPS59229883A (ja) 1983-05-16 1983-05-16 ホトアイソレ−タ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59229883A true JPS59229883A (ja) 1984-12-24

Family

ID=13858588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58085429A Pending JPS59229883A (ja) 1983-05-16 1983-05-16 ホトアイソレ−タ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59229883A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6354779A (ja) * 1986-08-25 1988-03-09 Matsushita Electric Works Ltd 光結合素子
JP2001015794A (ja) * 1999-06-18 2001-01-19 Agilent Technol Inc 光導電リレー、組立体および光導電リレーの組立方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136597A (en) * 1974-09-13 1976-03-27 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Atsudentai oyobi sonoseizohoho
JPS53135586A (en) * 1977-05-02 1978-11-27 Hitachi Ltd Photo coupling semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136597A (en) * 1974-09-13 1976-03-27 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Atsudentai oyobi sonoseizohoho
JPS53135586A (en) * 1977-05-02 1978-11-27 Hitachi Ltd Photo coupling semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6354779A (ja) * 1986-08-25 1988-03-09 Matsushita Electric Works Ltd 光結合素子
JP2001015794A (ja) * 1999-06-18 2001-01-19 Agilent Technol Inc 光導電リレー、組立体および光導電リレーの組立方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2557324B2 (ja) 反射光障壁およびその製造方法
US6943378B2 (en) Opto-coupler
JP2969761B2 (ja) 単一パッケージ光電発光―受光デバイスおよびその形成方法
TW201436294A (zh) 具有成側向形態或頂向形態裝置定向之疊層無引線載架封裝的光電子裝置（一）
US7589338B2 (en) Semiconductor die packages suitable for optoelectronic applications having clip attach structures for angled mounting of dice
US20090140266A1 (en) Package including oriented devices
JPH02112250A (ja) 半導体チツプを基板に結合する方法
JPS59229883A (ja) ホトアイソレ−タ
JP2006269783A (ja) 光半導体パッケージ
JP2560456B2 (ja) 半導体チップの実装構造
JPS63239873A (ja) マルチチツプモジユ−ル
US20150228608A1 (en) Semiconductor Device With An Interlocking Wire Bond
JPS6213088A (ja) 発光半導体装置
JPH01150379A (ja) 発光装置
JPH0563309A (ja) 半導体レーザ装置
US20110057216A1 (en) Low profile optoelectronic device package
JP3699783B2 (ja) チップ型半導体及びその製造方法
JPS6354779A (ja) 光結合素子
JPH10284755A (ja) フォトカプラ
JPH0651001Y2 (ja) 光結合素子
JPS59175172A (ja) フオトカプラ装置
JPH11163391A (ja) 光半導体装置
JPS60110180A (ja) 光素子用パツケ−ジ
KR940006789B1 (ko) 레이저 다이오드
JPH04275481A (ja) レーザダイオード