JPS59230227A - 真空バルブの製造方法 - Google Patents
真空バルブの製造方法Info
- Publication number
- JPS59230227A JPS59230227A JP10560483A JP10560483A JPS59230227A JP S59230227 A JPS59230227 A JP S59230227A JP 10560483 A JP10560483 A JP 10560483A JP 10560483 A JP10560483 A JP 10560483A JP S59230227 A JPS59230227 A JP S59230227A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling rate
- end plate
- vacuum
- contact
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、真空開閉装置用真空パルプの製造方法に関す
る。
る。
一般に真空開閉器は、遮断器、コンタクタおよび負荷開
閉器等に分類され、これら各機器はその主要部にそれぞ
れの用途に適した真空パルプを備えている。
閉器等に分類され、これら各機器はその主要部にそれぞ
れの用途に適した真空パルプを備えている。
而して、この真空パルプを組み立てるにあたっては構成
部品のろう付箇所に予めろう材を置き、全体を水素雰囲
気中又は真空下の炉内で例えば８００°Ｃ以上の温度に
加熱してろう材を溶融させ、室温まで冷却凝固させるこ
とにより真空気密封着を行なっている。
部品のろう付箇所に予めろう材を置き、全体を水素雰囲
気中又は真空下の炉内で例えば８００°Ｃ以上の温度に
加熱してろう材を溶融させ、室温まで冷却凝固させるこ
とにより真空気密封着を行なっている。
ところで、真空パルプにおいては、極めて清浄で表面に
酸化物およびその他の汚染膜が全くないような接点が要
求されるが、このような清浄表面は接点間に強い溶着を
形成しがちである。
酸化物およびその他の汚染膜が全くないような接点が要
求されるが、このような清浄表面は接点間に強い溶着を
形成しがちである。
そとで、このような溶着を防ぐために接点金属内に溶着
防止成分を少量含有させる方法が提案されている。例え
ばとの溶着防止成分としては、接点の多数成分が銅（Ｃ
ｕ）又は銀（Ａｇ）である場合には、セレン（Ｓｇ ）
、ビスマス（Ｂ１）、鉛（Ｐｂ ）、テルル（Ｔｅ ）
等が用いられ、このような溶着防止成分は、多数成分内
で低い固溶度を有し、比較的小さな開離力により容易に
接点間に形成される溶着が破壊されるように作用する。
防止成分を少量含有させる方法が提案されている。例え
ばとの溶着防止成分としては、接点の多数成分が銅（Ｃ
ｕ）又は銀（Ａｇ）である場合には、セレン（Ｓｇ ）
、ビスマス（Ｂ１）、鉛（Ｐｂ ）、テルル（Ｔｅ ）
等が用いられ、このような溶着防止成分は、多数成分内
で低い固溶度を有し、比較的小さな開離力により容易に
接点間に形成される溶着が破壊されるように作用する。
しかしながら、このような溶着防止成分を接点に含有さ
せた場合には気密ろう付が困難と表る０即ち、接点に含
有される溶着防止成分であるＳ・ｔＢｌｓＰｂｅＴｅ等
が蒸発し、これがろう付部に侵入してろう付部を脆くシ
、気密不鼠、ろう付部の強度低下を惹起する。
せた場合には気密ろう付が困難と表る０即ち、接点に含
有される溶着防止成分であるＳ・ｔＢｌｓＰｂｅＴｅ等
が蒸発し、これがろう付部に侵入してろう付部を脆くシ
、気密不鼠、ろう付部の強度低下を惹起する。
本発明は、かかる点に鑑みなされたもので、気密性が良
く、シかもろう付部の強度向上を図ることができる真空
開閉装置用真空パルプの製造方法を提供することを目的
とする。
く、シかもろう付部の強度向上を図ることができる真空
開閉装置用真空パルプの製造方法を提供することを目的
とする。
本発明者らは、研究によシ、前記気密不良あるいは強度
低下は、真空気密封着ろう付工程中に接点に含有される
溶着防止成分が蒸発して封着部のろう材中に入夛込み、
ろう付部の冷却過程において溶着防止成分が凝固する近
傍で微細なりラックを生じることに基づくものであると
の知見を得た。
低下は、真空気密封着ろう付工程中に接点に含有される
溶着防止成分が蒸発して封着部のろう材中に入夛込み、
ろう付部の冷却過程において溶着防止成分が凝固する近
傍で微細なりラックを生じることに基づくものであると
の知見を得た。
本発明はかかる知見に基づくものであシ、容器及び端板
から形成される空間内に溶着防止成分を含有して々る接
点を配設し、その後冷却して前記容器及び端板を固着す
る真空パルプの製造方法において、前記溶着防止成分の
融点近傍の平均冷却速度を５°Ｃ／分以下とすることを
特徴とする。
から形成される空間内に溶着防止成分を含有して々る接
点を配設し、その後冷却して前記容器及び端板を固着す
る真空パルプの製造方法において、前記溶着防止成分の
融点近傍の平均冷却速度を５°Ｃ／分以下とすることを
特徴とする。
以下本発明を更に具体的に説明する。
図面は本発明を適用する真空パルプの縦断面図を示すも
のである。この図面において符号１は円筒形を呈するア
ルミナ磁器製絶縁容器であシ、その上下端には容器１と
熱膨張係数の近似するＦｅ−Ｎ１系又はＦｅ −Ｎｉ
−Ｃｏ系合金からなる端板２゜３がろう付されており、
その内部は１０−’ｔｏｒｒ以下の高真空に保たれてい
る。端板２には、その中央部開孔２ａに挿通された状Ｉ
ＩＫで固定通電軸４が固着されている。また、この固定
通電軸４の下端には、溶着防止成分を少量含有してなる
接点５が固着されている。一方、端板３にはベローズ６
を介して可動通電軸７が取り付けられている。この可動
通電軸７は端板３に設けられた中央部開孔３＆に挿通さ
れており、その上端には前記接点５の材料と同質な接点
８が接点５に対峙するように固着されている。
のである。この図面において符号１は円筒形を呈するア
ルミナ磁器製絶縁容器であシ、その上下端には容器１と
熱膨張係数の近似するＦｅ−Ｎ１系又はＦｅ −Ｎｉ
−Ｃｏ系合金からなる端板２゜３がろう付されており、
その内部は１０−’ｔｏｒｒ以下の高真空に保たれてい
る。端板２には、その中央部開孔２ａに挿通された状Ｉ
ＩＫで固定通電軸４が固着されている。また、この固定
通電軸４の下端には、溶着防止成分を少量含有してなる
接点５が固着されている。一方、端板３にはベローズ６
を介して可動通電軸７が取り付けられている。この可動
通電軸７は端板３に設けられた中央部開孔３＆に挿通さ
れており、その上端には前記接点５の材料と同質な接点
８が接点５に対峙するように固着されている。
また、アルぐす磁器製絶縁容器１の内周壁には、接点５
，８の周囲を取シ巻く位置に筒状のアークシールド９が
取り付けられており、このアークシールド９によシ、電
流開閉時に接点５．８から発生する金属蒸気でアルミナ
磁器製絶縁容器１の内周壁が汚染されるのを防止してい
る。
，８の周囲を取シ巻く位置に筒状のアークシールド９が
取り付けられており、このアークシールド９によシ、電
流開閉時に接点５．８から発生する金属蒸気でアルミナ
磁器製絶縁容器１の内周壁が汚染されるのを防止してい
る。
続いて、本発明に係る真空パルプの製造方法について説
明する。
明する。
先ず、可動通電軸７の上端に接点８を固着すると共に、
この可動通電軸７を端板３の中央部開孔３ａに挿通しべ
ｐ−ズ６を介して端板３へ取シ付ける。また、固定通電
軸４０下端に接点５を固着すると共に１この固定通電軸
４を端板２の中央部開孔に挿通した状態で端板２へ固着
する。次いで、アルミナ磁器製絶縁容器１の上下の開口
から前記部分組立完了品を挿入し、接点５．８を対峙さ
せると共に、端板２．３とアルミナ磁器製絶縁容器１の
上下端縁とが当接される位置Ａ、Ｂにろう材を介装する
。次いで、これらをろう付炉内に挿入し１０−’ｔｏｒ
ｒ以下の高真空下でろう材の溶融温度以上に加熱する。
この可動通電軸７を端板３の中央部開孔３ａに挿通しべ
ｐ−ズ６を介して端板３へ取シ付ける。また、固定通電
軸４０下端に接点５を固着すると共に１この固定通電軸
４を端板２の中央部開孔に挿通した状態で端板２へ固着
する。次いで、アルミナ磁器製絶縁容器１の上下の開口
から前記部分組立完了品を挿入し、接点５．８を対峙さ
せると共に、端板２．３とアルミナ磁器製絶縁容器１の
上下端縁とが当接される位置Ａ、Ｂにろう材を介装する
。次いで、これらをろう付炉内に挿入し１０−’ｔｏｒ
ｒ以下の高真空下でろう材の溶融温度以上に加熱する。
次いで、ろう材の溶融の後加熱を止め真空パルプを放冷
するが、その温度が溶着防止成分の融点近傍の所定温度
範囲内に入ったときにはその冷却速度を５°Ｃ１５）以
下とする。
するが、その温度が溶着防止成分の融点近傍の所定温度
範囲内に入ったときにはその冷却速度を５°Ｃ１５）以
下とする。
なお、端板５，８とアルミナ磁器製絶縁容器１とのろう
付を可能にするため、容器１の上下端に予め例えばＭｏ
−Ｍｎ等で焼付塗付する金属化層（メタライズ層）を
形成しておくことが望ましい。
付を可能にするため、容器１の上下端に予め例えばＭｏ
−Ｍｎ等で焼付塗付する金属化層（メタライズ層）を
形成しておくことが望ましい。
比較例１〜４および実施例１〜６
比較例１
純銅を約１２０００Ｃで真空下において融解し、次にア
ルゴンガスで加圧した雰囲気において溶着防止成分であ
るＢｌを０．４ ％添加してＣｕ−Ｄｉ合金を調製し、
この合金から所定寸法の形状に加工し、これを接点５，
８とした。
ルゴンガスで加圧した雰囲気において溶着防止成分であ
るＢｌを０．４ ％添加してＣｕ−Ｄｉ合金を調製し、
この合金から所定寸法の形状に加工し、これを接点５，
８とした。
この接点５，８を導電軸４．７に固着し部分組立を行な
い、部分組立完了品をアル電す磁器製絶縁容器ＩＫ図面
に示すよう忙配設する。そして、’１２％Ａｇ−Ｃｕろ
う材（溶融温度７７９°Ｃ）をＡ、Ｈの位置に介挿し、
８００°Ｃの作業温度、１０分間の保持時間１０ ｔ
ｏｒｒの真空中でろう付炉において全体組立を行なった
。
い、部分組立完了品をアル電す磁器製絶縁容器ＩＫ図面
に示すよう忙配設する。そして、’１２％Ａｇ−Ｃｕろ
う材（溶融温度７７９°Ｃ）をＡ、Ｈの位置に介挿し、
８００°Ｃの作業温度、１０分間の保持時間１０ ｔ
ｏｒｒの真空中でろう付炉において全体組立を行なった
。
この場合の溶着防止成分であるＢ１の融点は２７１°Ｃ
である。したがって、冷却速度のコントロール範囲を２
２００Ｃ〜３２０’Ｃにとシ、冷却速度のコントロール
はろう封部に窒素ガスを導入することによシ行ない、前
記コン）ｏ−ル温度範囲での平均速度を８°Ｃ／分とし
た。而して、気密封着ろう付の後、ヘリウムリークディ
テクタで封着直後のリーク発生の有無および気密封着後
の引張強度を測定した龜 その結果、真空パル１１２水中３本のリーク発生があり
、このリークの発生した３本の真空パルプの平均引張強
度は１１０（ｌＫＰｆであった。
である。したがって、冷却速度のコントロール範囲を２
２００Ｃ〜３２０’Ｃにとシ、冷却速度のコントロール
はろう封部に窒素ガスを導入することによシ行ない、前
記コン）ｏ−ル温度範囲での平均速度を８°Ｃ／分とし
た。而して、気密封着ろう付の後、ヘリウムリークディ
テクタで封着直後のリーク発生の有無および気密封着後
の引張強度を測定した龜 その結果、真空パル１１２水中３本のリーク発生があり
、このリークの発生した３本の真空パルプの平均引張強
度は１１０（ｌＫＰｆであった。
比較例２
溶着防止成分であるＢ１を０．３５％添加してＣｕ−Ｂ
１合金を調整し、この合金から所定寸法の接点５゜８を
製作した。また、平均冷却速度を１００Ｃ／＋とじた。
１合金を調整し、この合金から所定寸法の接点５゜８を
製作した。また、平均冷却速度を１００Ｃ／＋とじた。
他の点については比較例１と同じである。
比較例３
溶着防止成分であるＴｅを４９ｇ添加してＣｕ−Ｔｅ合
金を調整し、この合金から所定寸法の接点５゜８を製作
した。この場合のＴｅの融点は４５０°Ｃであるので冷
却速度のコントロール範囲を４００’Ｃ〜５０００Ｃと
した。また、前記コントμｍル範囲の平均冷却速度を２
５°Ｃ／分とした。その他は比較例１と同様である。
金を調整し、この合金から所定寸法の接点５゜８を製作
した。この場合のＴｅの融点は４５０°Ｃであるので冷
却速度のコントロール範囲を４００’Ｃ〜５０００Ｃと
した。また、前記コントμｍル範囲の平均冷却速度を２
５°Ｃ／分とした。その他は比較例１と同様である。
比較例４
冷却速度のコントμｍル範囲での平均冷却速度を２０°
Ｃ／＋とじた。その他は比較例３と同様である０ 実施例１ 冷却速度のコントロール範囲での平均冷却速度を１°Ｃ
／＋とじた。その他は比較例１と同様である０ 実施例２ 冷却速度のコントロール範囲での平均冷却速度を２．５
°Ｃ／＋とじた。その他社比較例１と同様である。
Ｃ／＋とじた。その他は比較例３と同様である０ 実施例１ 冷却速度のコントロール範囲での平均冷却速度を１°Ｃ
／＋とじた。その他は比較例１と同様である０ 実施例２ 冷却速度のコントロール範囲での平均冷却速度を２．５
°Ｃ／＋とじた。その他社比較例１と同様である。
実施例３
冷却速度のコン）ｏ−ル範囲での平均冷却速度を４ｑＣ
／分とした。その他は比較例３と同様であるＯ 実施例４ 冷却速度のコン）ｏ−ル範囲での平均冷却速度を４．マ
Ｏｃ／分とした。その他は比較例３と同様であるＯ 実施例５ 溶着防止成分であるｐｂを２．６チ添加してＣｕ−ｐｂ
金合金調整し、この合金から所定寸法の接点５．８を製
作した。仁の場合ｐｂの融点は３２７°Ｃであるので冷
却速度のコン）ａ−ル範囲を２８０°Ｃ〜３８０°Ｃと
した。また、前記コントロール範囲の平均冷却速度を３
°Ｃ／分とした。その他は比較例１と同様である。
／分とした。その他は比較例３と同様であるＯ 実施例４ 冷却速度のコン）ｏ−ル範囲での平均冷却速度を４．マ
Ｏｃ／分とした。その他は比較例３と同様であるＯ 実施例５ 溶着防止成分であるｐｂを２．６チ添加してＣｕ−ｐｂ
金合金調整し、この合金から所定寸法の接点５．８を製
作した。仁の場合ｐｂの融点は３２７°Ｃであるので冷
却速度のコン）ａ−ル範囲を２８０°Ｃ〜３８０°Ｃと
した。また、前記コントロール範囲の平均冷却速度を３
°Ｃ／分とした。その他は比較例１と同様である。
実施例６
溶着防止成分であるＳｓを２チ添加してＣｕ−８ｅ合金
を調整し、この合金から所定寸法の接点５゜８を製作し
た。この場合Ｓｅの融点は２２０°Ｃであるので冷却速
度のコントロール範囲を１７００Ｃ〜２７０°Ｃとした
。また、前記コン）ａ−ル範囲の平均冷却速度を１０Ｃ
１５）とした。その他は比較例１と同様である。
を調整し、この合金から所定寸法の接点５゜８を製作し
た。この場合Ｓｅの融点は２２０°Ｃであるので冷却速
度のコントロール範囲を１７００Ｃ〜２７０°Ｃとした
。また、前記コン）ａ−ル範囲の平均冷却速度を１０Ｃ
１５）とした。その他は比較例１と同様である。
前述した比較例１〜４、実施例１〜６の結果が下表に示
されている。
されている。
（１１）
前表に示すように、比較例１〜４では気密不良が真空パ
ルプ製作本数中２０％〜４３％発生し、また平均引張強
度も１０００ＫＰｆ〜１７５０Ｋｐｆと低いことが分か
る。
ルプ製作本数中２０％〜４３％発生し、また平均引張強
度も１０００ＫＰｆ〜１７５０Ｋｐｆと低いことが分か
る。
これに対し本発明による実施例１〜６は気密不良発生が
０で、気密封着部の平均引張強度も２２００Ｋｙｆ〜３
１００Ｋｙｆと十分高いことが分かる。
０で、気密封着部の平均引張強度も２２００Ｋｙｆ〜３
１００Ｋｙｆと十分高いことが分かる。
以上説明したように本発明は、容器及び端板から形成さ
れる空間内に溶着防止成分を含有してなる接点を配設し
、前記容器及び端板を気密ろう付し、その後冷却して前
記容器及び端板を固着する真空バルブの製造方法におい
て、前記溶着防止成分の融点近傍の平均冷却速度を５°
Ｃ１５＋以下としているので、気密封着部のリーク発生
を防止できると共に１気密封着部の強度向上を図ること
ができる。
れる空間内に溶着防止成分を含有してなる接点を配設し
、前記容器及び端板を気密ろう付し、その後冷却して前
記容器及び端板を固着する真空バルブの製造方法におい
て、前記溶着防止成分の融点近傍の平均冷却速度を５°
Ｃ１５＋以下としているので、気密封着部のリーク発生
を防止できると共に１気密封着部の強度向上を図ること
ができる。
図面は本発明を適用する真空パルプの縦断面図である。
１・・・アルミナ磁器製絶縁容器、
２．３・・・端板、
５．８・・・接点。
Claims (1)
- 容器及び端板から形成される空間内に溶着防止成分を含
有してなる接点を配設し、前記容器及び端板を気密ろう
付し、その後冷却して前記容器及び端板を固着する真空
パルプの製造方法において、前記溶着防止成分の融点近
傍の平均冷却速度を５°Ｃ／分以下とすることを特徴と
する真空パルプの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10560483A JPS59230227A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 真空バルブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10560483A JPS59230227A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 真空バルブの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59230227A true JPS59230227A (ja) | 1984-12-24 |
Family
ID=14412103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10560483A Pending JPS59230227A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 真空バルブの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59230227A (ja) |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP10560483A patent/JPS59230227A/ja active Pending
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