JPS59231981A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPS59231981A
JPS59231981A JP58107098A JP10709883A JPS59231981A JP S59231981 A JPS59231981 A JP S59231981A JP 58107098 A JP58107098 A JP 58107098A JP 10709883 A JP10709883 A JP 10709883A JP S59231981 A JPS59231981 A JP S59231981A
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幸雄 遠藤
Nozomi Harada
望 原田
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吉田 興夫
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/48—Increasing resolution by shifting the sensor relative to the scene

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  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は、半導体基板上に二次元配列された感光部を有
する限られた画素数の固体撮像素子を用いて解像度の高
い画像を得る固体撮像装置に関する。
[発明の技術的背景とその問題点] C,CDなどの固体撮像素子は従来の搬像管とくらべ小
型、軽量、高信頼性という特徴を有し、また特性面では
図形歪がなく、残像が小さく、焼付きがないなど多くの
利点を有している。このため工業用テレビカメラ、家庭
用ビデオカメラ、銀塩フィルムを用いない電子カメラな
ど、その応用は広く、今後更に拡大されると考えられる
。
第1図は代表的なインターライン転送形CODの概略構
成を示している。prj(j=1.2.・・・。
M、j =1.2.・・・、N)は二次元配列された感
光部、Ciは垂直読み出しCODレジスタ、Hは水平読
み出しCODレジスタである。このような固体撮像素子
を前述したような広い応用分野に適用する場合、限られ
た画素数でいかに高解像度化を図るかが大きな問題とな
る。
そこで本発明者らは先に、特願昭56−209381号
において、限られた画素数の固体撮像素子を用いて高解
像度化を図った装置を提案した。
この装置は第2図にその原理図を示すように、固1  
  体撮像素子のチップ基板1(−水平列の一部のみ示
す)を、水平方向く×方向)に、水平画素ピッチPl+
の1/2相当であるPH/2の振幅をもって入射光学像
に対して相対的に振動させる。ここで振動の時間変化は
図に示すように、固体撮像素子の第1(A)フィールド
および第2(B)フィールドを1フレ一ム期間とする撮
像動作に同期して台形状にする。このことにより図に示
す画素の開口部はAフィールドでは実線2の位置となり
、Bフィールドでは破線3の位置になる。そして、A、
BフィールドまたはB、Aフィールドの切替え時点でフ
ィールドシフトパルスをオンにすることにより、A、B
フィールドの切替え時点では開口部2の位置での光信号
蓄積電荷を読み出す。そして、B、Aフィールドの切替
え時点では開口部3の位置での光信号蓄積電荷を読み−
出す。そして読み出した信号蓄積電荷はA、Bフィール
ドの空間サンプリング点の位置に対応した像となるよう
駆動のタイミングをずらすか、又は信号処理によってず
らすことを行ない、再生画像上でA、Bフィールドを加
算することにより、固体搬像素子自体が有する水平方向
の空間サンプリング点が2倍になり、水平解像度を2倍
に向上できる。さらに、固体撮像素子の入射光学像に対
する無効部分が減少するので固体@像素子固有のモアレ
が改善される。第3図は再生画像上における空間サンプ
リング点4を示した図である。Aフィールドでは1 H
A、2HA、3HA・・・の走査線における空間サンプ
リング点4aになる。そして、Bフィールドでは1HB
 、2H1・・・の走査線における空間サンプリング点
4bになる。この結果、Aフィールドにおける空間サン
プリング点とBフィールドにおける空間サンプリング点
の位相は水平読み出し周波数fcpの1/2相当である
1 / 2 tcpになる。
したがって再生画像上の水平方向の空間サンプリング点
は2倍になる。
しかし、この装置での空間サンプリング点の2倍化はA
フィールドにおける走査線例えばIHAと隣接したBフ
ィールドにおける走査線例えばIH8にて行なっている
。このため、同一走査線上における空間サンプリング点
の2倍化にならず、細かい入射光学像に対しては空間サ
ンプリング点がA、Bフィールドに渡るため誤差が生じ
る。この誤差は再生画像上の白黒境界線においてジグザ
グ状になり画質劣化となる問題があった。また、垂直方
向に対しての空間サンプリング点はA、Bフィールド間
で、同一の垂直線上にないため、前述同様に誤差が生じ
、再生画像上垂直方向の白黒境界線においてジグザグ状
の画質劣化となる問題があった。
[発明の目的] 本発明は上記の点に鑑みなされたもので、一走査線上で
空間サンプリング点を2倍化するように振動モードを改
良した高解像度化固体撮像装置を提供することを目的と
する。
[発明の概要] 本発明は例えば第1図に示すごときインターライン転送
形CODであって、感光部に蓄積された信号電荷を垂直
ブランキング期間において同時に垂直読み出しレジスタ
に移動し、次のフィールドの有効期間中にこれを読み出
すという撮像動作を有し、Aフィールド、Bフィールド
を1フレ一ム期間とし以後法のフレーム期間へつながる
動作を有した固体撮像素子デツプ基板を、フィールドの
間の無効期間である垂直ブランキング期間の一つおぎに
振動中心を設定して、ある無効期間で入射光学像に対し
て相対的に1/2水平画素ビッヂ相当移動させ、次の無
効期間ではそのままとしておき、そして次の無効期間で
逆方向に入射光学像に対して相対的に1/2水平画素ピ
ッチ相当移動させるという、2フレ一ム期間を1周期と
したパルス状振動を固体撮像素子チップ基板へ与えるこ
とにより高解像度化を図ったものである。
[発明の効果] 本発明による固体撮像装置は従来の固体撮像装置にくら
べ本質的に高解像度化が達成できる。そして、さらにチ
ップ基板自体の高密度化により本発明と同等な画素数と
した固体撮像装置とくらべても、特性上、例えばダイナ
ミックレンジ、偽信号発生などにおいて良好な画像を得
ることができる。そして、これら装置を動作せしめる駆
動回路製作も高密度固体搬像装置とくらべて容易である
。
また、前述した特願昭56−209381号で見られた
再生画像上の白黒の境界線におけるジグザグ状の画質劣
化は本発明では表われず、良好な高解像度画像が得られ
る。
[発明の実施例] 第4図は本発明の一実施例を説明するための5のである
。この図は固体撮像素子と固体撮像素子を振動させる時
間関係、固体撮像素子の感光部から信号電荷を読み出す
フィールドシフトパルスのタイミングの関係を示す。
前述の第1図のインターライン転送形CCDチップ基板
1を水平画素配列方向く×方向)に図に示すように振幅
がXIから×2になるように入Ω1光学像に対して相対
的に振動させる。この振動の時間変化はフィールドタイ
ム蓄積モードのインターライン転送形CODの撮像動作
におけるA、Bフィールドを1フレ一ム期間したインタ
ーレース動作において2フレ一ム期間を1周期として、
A。
Bフィールド間の無効期間内に振動中心がくるように台
形状にする。そして、×1から×2の振動量は水平画素
ピッチP1□の1/2相当であるP1□7/2にする。
次に具体的動作について説明する。まず、第1フレーム
のA1フィールドのtiにおいてCCDデツプ基板1の
開口部2の開口部中心を×1の位置にして光信号蓄積を
行なう。そして、次の第1フレームの81フイールドの
t2ではCCDチップ基板1を図の右方向へ相対的に振
動させ、×2の位置になるように開口部2の開口部中心
を3の位置にもってくる。そしてこの位置で光信号蓄積
を行なう。このときの振動量は水平画素ピッチPHの1
/2相当であるPH/2にする。そして次の第2フレー
ムのA2フィールドの13では開口部中心位置はそのま
まである×2の位置で光信号蓄積を行なう。そして次の
第2フレームの82フイールドのt4ではCCDチップ
基板1を図の左方向へ振動させ×2の位置から×1の位
置にもってくる。そしてこの位置で光信号蓄積を行なう
。
このときの振動量は前述同様PH/2にする。以後第3
フレーム、第4フレーム・・・第nフレームは第1フレ
ーム、第2フレームと同様になる動作をくり返す。
以上の動作において開口部2の中心が×1の位置から×
2の位置に移動している期間と×2の位置から×1の位
置に移動している期間が十分短かければA1.Bi 、
A2 、B2各フィールドにおいて各々開口部中心がX
l、X2の位置に静止していると同等と考えてよい。こ
の結果、水平画素配列方向での空間サンプリング点が2
倍になる。
そして再生画像上で各フィールドの空間サンプリング点
の位置に対応した像になるよう駆動のタイミングをずら
し、各フィールドを加算して表示することにより、固体
撮像素子自身が有する水平解像度を2倍に向上できる。
第5図は第1図のインターライン形CODチップ基板を
第4図に示した振動モードで振動させた場合の入射光学
像に対した空間サンプリング点の移動を表わした図であ
る。(a )はA1フィールド、(b )はB2フィー
ルド、(c )はA2フィールド、(d )”はB2フ
ィールドでの空間サンプリング点であり、実線で示した
1HA 、2HA 、3HA、・・・、IHAノ、2H
A113HAノ、・・・はフィールドタイム蓄積モード
のインターライン転送形CODの撮像動作におけるAフ
ィールドでの走査線位置を示し、I HB’、 2 H
nl、 ’3 HB/、 I HB/、2H,,3HB
、・・・、はBフィールドでの走査線位置を示しである
。そして各空間サンプリング点に表示しである矢印は次
のフィールドにわたるときの空間サンプリング点の移動
方向を示す。
へ1フィールドにおける空間サンプリング点は次のB!
フィールドではインターレース撮像と水平画素配列方向
へのPH/2振動の組み合わせによ1り図では斜め右下
方向へ移動する。そして、次のA2フィールドでは振動
は行なわず、インターレース撮像のみになるので図では
上方向へ空間サンプリング点が移動する。モしてB2フ
ィールドではインターレース搬像と振動の組み合わせで
図では左下方向へ空間サンプリング点が移動する。
以上の動作の結果、空間サンプリング点は第6図に示し
た位置になる。第6図に示した(a)。
(、b >、  (c )、  (d )の空間サンプ
リング点は第5図の(a >、  (b )、  (0
)、  ((1)ニス1応じている。この結果、再生画
像上で実際のサンプリング点に合わせて表示するとA、
Bフィールドの走査線における水平方向のサンプリング
点は水平画素ピッチPHの2倍になる。そして垂直方向
のサンプリング点はA、Bフィールドのインターレース
撮像にて垂直画素ピッチPvとなる。ここで水平画素ピ
ッチPHの時間幅は水平読み出しレジスタの駆動周波数
tcpの逆数で決まるため、水平方向の空間サンプリン
グ点のピッチは1./2fcρになる。したがって水平
限界解像度は前記水平読み出しレジスタの駆動周波数で
決まるティキス1〜限界値の2倍に向上できる。
また、第3図で説明した従来の動作で問題であった再生
画像上の白黒の境界線におけるジグザグ状の画質劣化は
本実施例では大幅に改善される。
また、本実施例ではA、Bフィールドの垂直インターレ
ース撮像での空間サンプリング点が逆相関係になるので
モワレのフリッカが改善できる。
また、本実施例は第2図に示した従来例に対して振動周
期が1/2になる。このことは振動機構に例えばセラミ
ックを用いたバイモルフ圧電素子を用いた場合有効にな
る。バイモルフ圧電素子を振動機構に用いる場合は素子
自身が持つ共振周波数より低い周波数で振動させる。こ
の結果、振動パルスの変化時点でリンギングが発生しや
すい。
そして振動周期が低下すればリンギング量も減少させる
ことができるからである。
第7図は本実施例の構成図、第8図はその動作波形図で
ある。固体撮像素子チップ10は振動台11上に固定さ
れ、光入力は撮像レンズ12を通り固体搬像素子チップ
10上に結像される。振動台11には振動パルス発生回
路13から第8図に示した振動パルスをP、、/2相当
量の振幅にして加える。この振動パルスは第8図に示す
ように垂直ブランキング期間内に動作するフィールドシ
フトパルスに同期している。そして2フしl−ム期間を
1周期としたパルスである。タイミング発生回路14で
は水平読み出しレジスタのタイミングを振動パルスの周
期に合わせてP  /2遅延させるためのPH/2N延
回路15のタイミング信号とその他事直読み出しレジス
タのタイミング信号などの必要な同期パルスを発生する
。そしてクロックドライバー6で駆動された固体撮像素
子チップ10より得られる出力信号はプリアンプ17お
よび信号処理回路18を通して出力される。即ちこの例
では、固体撮像素子チップ10の振動による空間サンプ
リング点に合わせて出力信号をずらすため、第8図に示
すように水平クロックパルスのタイミングを振動周期に
合わせて1/2クロツク(1/2tcp)ずらすことを
行なっており、これにより実際の空間サンプリング点に
合った出力信号が得られる。そしてAs 、Bt 、A
2.82フイールドで構成される第1フレーム、第2フ
レームを再生画像上で加算することで水平方向の解像度
を2倍に向上できることになる。
以上説明したように本実施例では、インターライン転送
形CODのごとくフィールドごとに感光部で蓄積した信
号電荷を垂直ブランキング期間に同時に読み出し部であ
る垂直読み出しレジスタに転送せしめる撮′像動作を有
した固体撮像素子チップ基板を、前記ブランキング期間
に振動中心が位置するように水平画素配列方向に2フレ
ーム(4フイールド)の周期をもたせて振動せしめるこ
とによって固体撮像素子自身が持つ空間サンプリング点
を2倍化させ、垂直方向の解像度の劣化なく水平方向解
像度を2倍に向上させた再生画像を得ることができる。
本実施例による固体撮像装置は、仮に高密度化技術で水
平方向に2倍の画素数をもった装置が実現されても、こ
の装置とくらへて次の特性上の利点がある。
(1)高密度装置では水平画素ピッチが1/2になるた
め飽和信号レベルが減少してダイナミックレンジが小さ
くなるが、本実施例では振動しない装置と同等になる。
したがって同じ製造技術を用いるとすると本質的に高密
度装置とくらベダイナミックレンジを広くとることがで
きる。
(2)高密度装置では水平読み出しレジスタのクロック
周波数が2倍に高速化され、これによる駆動回路、信号
処理回路の消費電力増加、回路製作の困難が増大するが
、本実施例の装置ではそれはない。
(3)高密度装置では感光部の開口部面積の割合は小さ
くなることがあっても増えることがないので、高密度化
しても感光領域全域における光学情報に対する無効領域
は減少しない。一方、本実施例では従来無効であった領
域からも光学情報を得るため、本質的に入力光学情報収
集に対する有効領域が広い。
次に本発明の別の実施例を説明する。第9図は、上記実
施例とは異なる、固体撮像チップ基板に与える振動パル
スの場合である。この場合はAI(tl)、Bt  (
t2)フィールドからなる第1フレーム期間は固体撮像
チップ基板1の開口部2をXIの位置にしておく。そし
てA2(13)。
B2 (t4)゛フィールドからなる第2フレーム期間
では開口部をP n / 2移動させ×2の位置にもっ
できて破線3で示す場所にする。即ち、フレームの間の
無効期間内に振動中心をもってくる。これによって第5
図の実施例で説明した空間サンプリング点の位置は第5
図ではAI−+Bl→A2→B2のフィールド順序で(
a)→(b )→(C)→(d )の空間サンプル点の
位置になり、第9図では第5図と同一のフィールド順序
で(a )→(d )→(C)→(1))の順序で空間
サンプリング点が移動する。この結果、再生画像上では
第6図で説明した場合と同様に水平画素配列方向に2倍
のサンプリング点が得られ、先の実施例と同様なモワレ
の減少した高解像度の画像が得られる。
以上説明した例では、本発明をテレビジョン標準方式に
適用したビデオカメラについて行なったが、例えば銀塩
フィルムを用いない電子カメラやOCR等のシステムに
本発明を適用できる。第10図は電子カメラに本発明を
適用した場合の動作を示す図である゛。この場合には、
通常の光学カメラと同じように光学シャッタの開閉タイ
ミングと陽像素子の動作を合わせることが必要である。
A1.Btフィールドからなる第1フレームとA2、B
2フィールドからなる第2フレームの@像動作において
フィールドシフトパルスは各フィールドの切替え時点で
加えられ、各フィールドで蓄積された信号電荷を読み出
す。振動パルスは第1、第2フレームを一周期とする第
4図の場合と同様の波形である。シャッタパルスIでは
第1、第2フレームの期間シャッタONとしてこの期間
に入射光学像の空間サンプリング点の2倍化を行なう。
また、シャッタパルス■の場合はシャッタのON期間を
短かくした動作である。また、シャッタパルス■の場合
は振動パルスの変化期間はシャッタをOFFさせ、より
確実な空間サンプリング点の2倍化を行なった動作を提
供するものである。
更に本発明は以下に列記するように種々の変形応用が可
能である。
a 撮像素子はインターライン転送形ccoi像素子に
限らず、例えばフレーム転送形撮(1?素子を用いても
よい。これらの撮像素子に共通する点は、画素領域に蓄
積された信号電荷が垂直ブランキング期間に同時に読み
出される動作をすることである。したがって同様な動作
をする撮@素子であれば本発明を適用することが可能で
ある。
1)撮像素子の画素の開口部形状は矩形に限らないし、
その大きさも特に限定されない。
CR像素子の画素配列は、垂直方向に一列に配列された
ものに限らず、ジグザグ配列されたものでもよく、その
方がモワレの減少と解像度向上にとって有利である。
d 撮像素子は、光電変換部として通常のCCD1lf
i(I素子の上にアモルファスシリコンなどの光電変換
膜を重ねて、いわゆる二階建センサ構造としたものを用
いることができる。
e 光電変換膜を用いる二階建センサの場合、光導電体
の性質によっては紫外像や赤外像を得ることも可能であ
る。また、光導電体膜に代って蛍光体膜を用いてXPA
@を得る場合にも本発明を適用できる。更に二階建セン
サで一画素おきに通常の可視用と赤外、紫外、X線など
不可視用変換膜を配置して、可視像と不可視像を重ねて
再生画像上で観察する装置にも本発明を適用できる。こ
の場合、振動パルスの恒は水平画素ピッチとすることで
可視像、不可視像とも水平解像度の劣化なく再生できる
。
f 本発明では光学像に対して撮像素子チップを相対的
に振動させるが、同様の思想を電子ビーム衝撃形の固体
撮像素子に適用することができる。
即ち電子ビーム像を偏向できることを利用してこれをA
1.Bt 、A2 、B2各フィールドに対して所定の
方向に変更させれば同様の効果が得られる。
q 本発明は撮像素子を1個、2個もしくは3個用いて
カラー11ii(iを行なうカラーカメラにも適用でき
る。2板、3板式カラーカメラにおいては本発明と絵素
ずらし法を共用することにより更に! 解像度を向上せしめることができる。また、原色を用い
た2板式カラーカメラにおいてはG信号を得る撮像素子
を水平画素ピッチの1/2相当振動させ、R,B信号を
得る撮像素子i水平画素ピッチ振動することでさらに解
像度向上ができる。
h 本発明での振動の手段は第7図で説明した固体撮像
素子自体の振動に限定されるものではない。例えば固体
撮像素子の光入射側に光学的偏向板を設け、この、偏向
板を周期的に振動してもよく、また光学的ミラーによっ
て入射光を振るようにさせてもよい。要するに入射光像
に対して固体撮像素子を相対的に振動させればよい。
i 本発明の振動パルスは台形波で説明したが、この形
状は台形でなくとも矩形、三角形などでも単位画素内の
サンプリング点が増加することにはかわりがないので、
本発明が適用できる。
j 本発明の説明のほとんどはNTSC標準方式に準じ
たTVIi像方式で行なったが、この方式に限定されな
い。すなわちインターレース撮像を行なっている方式で
あるならば本発明は適用できる。例えばS E ’CA
 M方式、PAL方式そして低速撮像方式、高速撮像方
式などに適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はインターライン転送形・CCD撮像素子の概略
構成を示す図、第2図は本発明者らが先に提案した固体
搬像装置の原理説明図、第3図は第2図の動作によって
得た再生画像上の空間サンプリング点を示す図、第4図
は本発明の一実施例における撮像素子の振動の様子を示
す図、第5図は同実施例での空間サンプリング点の各フ
ィールドにおける移動を示す図、第6図は第5図の空間
サンプリング点を再生画像上で加算した図、第7図は同
実施例の装置の全体構成を示す図、第8図はその動作を
説明するための波形図、第9図は本発明の他の実施例で
の振動の様子を示す図、第10図は本発明を電子カメラ
に適用した場合の動作を説明するための図である。 1・・・固体搬像素子チ゛ツブ基板、2・・・画素開口
部、10・・・固体撮像素子チップ、11・・・振動台
、12・・・撮像レンズ、13・・・振動パルス発生回
路、14・・・タイミング発生回路、15・・・PM/
2遅延回路、16・・・クロックトライバ、17・・・
プリアンプ、18・・・信号処理回路。 第2図 第4図 諏勤パルス 第9図 第10図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体基゛板上に二次元的に配列された感光部を
    有する固体撮像素子を用い、第1、第2のフィールドで
    1フレームとなるインターレース撮像により連続的にフ
    レーム画像を得る方式で、前記各感光部において光電変
    換されて蓄積された信号電荷を読出し部に同時に転送し
    、この読出し部の信号電荷を順次出力部に移動させて読
    み出す間、前記各感光部が次のフィールドの信号電荷を
    蓄積する動作を行う固体撮像装置において、前記固体撮
    像素子チップ基板を入射光学像に対して相対的に水平画
    素配列方向に振動させる手段を備え、その振動波形は、
    連続する2フレームを1周期とするパルス状であり、振
    動量が水平画素ピッチの1/2またはその近傍であって
    、振動中心が前記感光部から信号電荷を前記読出し部へ
    転送する期間内にあるように設定され、かつこの振動に
    よる入射光学像の空間サンプリング点のずれを再生画像
    上で修正する処理を行うようにしたことを特徴とする固
    体撮像装置。
  2. (2)前記振動波形の振動中心は、第0フレームの第1
    フイールドと第2フイールドの間および第(n+1>フ
    レームの第1フイールドと第2フイールドの間にある特
    許請求の範囲第1項記載の固体撮像装置。
  3. (3)前記振動波形の振動中心は、第nフレームと第(
    n + 1 >フレームの間にある特許請求の範囲第1
    項記載の固体撮像装置。
JP58107098A 1983-06-15 1983-06-15 固体撮像装置 Granted JPS59231981A (ja)

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JP58107098A JPS59231981A (ja) 1983-06-15 1983-06-15 固体撮像装置
DE8484303929T DE3477119D1 (en) 1983-06-15 1984-06-11 Solid state image sensor with high resolution
US06/619,375 US4652928A (en) 1983-06-15 1984-06-11 Solid state image sensor with high resolution
EP84303929A EP0131387B1 (en) 1983-06-15 1984-06-11 Solid state image sensor with high resolution

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58107098A JPS59231981A (ja) 1983-06-15 1983-06-15 固体撮像装置

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Publication Number Publication Date
JPS59231981A true JPS59231981A (ja) 1984-12-26
JPH0245873B2 JPH0245873B2 (ja) 1990-10-12

Family

ID=14450405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58107098A Granted JPS59231981A (ja) 1983-06-15 1983-06-15 固体撮像装置

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JP (1) JPS59231981A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5380119A (en) * 1976-12-24 1978-07-15 Sony Corp Interline type ccd image pickup device
JPS57101470A (en) * 1980-12-16 1982-06-24 Fujitsu Ltd Image pickup control system
JPS5826267U (ja) * 1981-08-10 1983-02-19 興和株式会社 固体イメ−ジ素子による撮像装置
JPS5856581A (ja) * 1981-09-30 1983-04-04 Hitachi Ltd ビデオカメラ

Patent Citations (4)

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Publication number Publication date
JPH0245873B2 (ja) 1990-10-12

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