JPS592325A - 絶縁膜のエツチング方法 - Google Patents
絶縁膜のエツチング方法Info
- Publication number
- JPS592325A JPS592325A JP57110616A JP11061682A JPS592325A JP S592325 A JPS592325 A JP S592325A JP 57110616 A JP57110616 A JP 57110616A JP 11061682 A JP11061682 A JP 11061682A JP S592325 A JPS592325 A JP S592325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- insulation film
- psg
- ion beam
- conductor metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)技術分野
本発明は絶縁膜と導体金属とのエツチングレートの差が
大きい;イオンビームエツチング方法、さらに特定すれ
ば導体上に形成した絶縁膜のエツチング方法に関する。
大きい;イオンビームエツチング方法、さらに特定すれ
ば導体上に形成した絶縁膜のエツチング方法に関する。
(2)技術の背景
通常イオンビームエツチングはイオンミリングとも言わ
れ、カウフマン型を基本とするイオンガンを備えたエツ
チング装置によって、kr’cイオン化しグリッドで加
速し、対象物体全物理的にエツチングする。このエツチ
ングレートは、一部の対象部質を除いて、エツチングに
選択性を示さない。
れ、カウフマン型を基本とするイオンガンを備えたエツ
チング装置によって、kr’cイオン化しグリッドで加
速し、対象物体全物理的にエツチングする。このエツチ
ングレートは、一部の対象部質を除いて、エツチングに
選択性を示さない。
(3)従来技術と問題点
Arイオンビームエツチングは、装置を侵食することが
少ないので、簡便なカウフマン型ガンによってイオンビ
ームを発生させることができるが、金属たとえばkt配
線上に形成した層間絶縁膜たとえば燐硅酸ガラス(PS
G )、5io2を方旺しようとするときは、Atと絶
縁膜とのエツチングレートの差がほとんどないので、絶
縁膜と同時にAtが工。
少ないので、簡便なカウフマン型ガンによってイオンビ
ームを発生させることができるが、金属たとえばkt配
線上に形成した層間絶縁膜たとえば燐硅酸ガラス(PS
G )、5io2を方旺しようとするときは、Atと絶
縁膜とのエツチングレートの差がほとんどないので、絶
縁膜と同時にAtが工。
チングされる欠点がある。
(4)発明の目的
本発明の目的は上記欠点を解消することである。
(5)発明の構成
本発明の上記目的は、イオンビームエツチングにおいて
、CF+含目が5〜30体積チのAr −C1i”4混
合ガスを使用することによって、絶縁膜と導体金屑との
エツチングレートの差を犬きくすることを特徴とする、
導体の絶縁膜をエツチングする方法によって達成するこ
とができる。
、CF+含目が5〜30体積チのAr −C1i”4混
合ガスを使用することによって、絶縁膜と導体金屑との
エツチングレートの差を犬きくすることを特徴とする、
導体の絶縁膜をエツチングする方法によって達成するこ
とができる。
ガスの組成はAr体棟百分率が5%よp少ないときは、
Arを食む効果が■少なくて物理的エツチングが行なわ
れ、30%より多いときはイオンビームの反応性が大き
くなシすぎて、通常使用するカウフマン型ガンは侵食さ
れる。
Arを食む効果が■少なくて物理的エツチングが行なわ
れ、30%より多いときはイオンビームの反応性が大き
くなシすぎて、通常使用するカウフマン型ガンは侵食さ
れる。
(6)実施例
ガスの組成をCF410体積係を含むArとし、真空度
5 X 10−5−3X10−’Torr、加速電圧0
5〜1、5 kV、 ’lr、m密1.i o、 1〜
1 mA10m2として、kl およびPSGをエツ
チングした。PSGのエツチングレートはAtに対して
5倍であり、PSGの代わシにStO□を使用した場合
も同様にAtに対してほぼ5倍であった。
5 X 10−5−3X10−’Torr、加速電圧0
5〜1、5 kV、 ’lr、m密1.i o、 1〜
1 mA10m2として、kl およびPSGをエツ
チングした。PSGのエツチングレートはAtに対して
5倍であり、PSGの代わシにStO□を使用した場合
も同様にAtに対してほぼ5倍であった。
(7) 発明の効果
本発明は、通常のカウフマン型・イオンガンを使用して
下地の導体金網全損傷することなく、絶縁膜を均一性お
よび制御性よくイオンビームエツチングすることができ
る。
下地の導体金網全損傷することなく、絶縁膜を均一性お
よび制御性よくイオンビームエツチングすることができ
る。
(3)
Claims (1)
- 1、 イオンビームエツチングにおいて、CF4含量が
5〜30体積チのAr −CF、混合ガスを使用するこ
とによp1絶縁膜と導体金属とのエツチングレートの差
を大きくすることを特徴とする、導体上の絶縁膜をエツ
チングする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57110616A JPS592325A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57110616A JPS592325A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592325A true JPS592325A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14540325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57110616A Pending JPS592325A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592325A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01170813A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 水銀秤量器 |
| JPH0534513A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shimadzu Corp | 格子板の製造方法 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP57110616A patent/JPS592325A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01170813A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 水銀秤量器 |
| JPH0534513A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shimadzu Corp | 格子板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH061769B2 (ja) | アルミナ膜のパターニング方法 | |
| EP0010138B1 (en) | A method of treating aluminium microcircuits | |
| JPH06105700B2 (ja) | 陰イオン食刻法 | |
| JPS592325A (ja) | 絶縁膜のエツチング方法 | |
| JP2574045B2 (ja) | プラズマ散乱現象を利用した蝕刻方法 | |
| JPS6058794B2 (ja) | プラズマ加工装置 | |
| JP2972506B2 (ja) | Ptを主成分とする合金のエッチング方法 | |
| JPS5460236A (en) | Etching method | |
| JPH031825B2 (ja) | ||
| JPS5913592B2 (ja) | エツチング方法 | |
| JPS6027752B2 (ja) | ドライエツチング法 | |
| JPS59208727A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JP3155085B2 (ja) | シリコン基板の溝形成方法 | |
| JPH01140725A (ja) | Al−Si−Cu合金のドライエッチング方法 | |
| JPH0294522A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS61110782A (ja) | 反応性イオンエツチング方法 | |
| JPH05136103A (ja) | エツチング方法 | |
| JPS56137635A (en) | Ion etching method | |
| JPH05195259A (ja) | アルミニウム含有層のエッチング方法 | |
| JPH03241740A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS592350A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JP3167310B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS61214432A (ja) | 微細パタ−ンの作製方法 | |
| JPH05234995A (ja) | アルミニウム合金配線の形成方法 | |
| JPH04278535A (ja) | 配線形成方法 |