JPS592325A - 絶縁膜のエツチング方法 - Google Patents

絶縁膜のエツチング方法

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Publication number
JPS592325A
JPS592325A JP57110616A JP11061682A JPS592325A JP S592325 A JPS592325 A JP S592325A JP 57110616 A JP57110616 A JP 57110616A JP 11061682 A JP11061682 A JP 11061682A JP S592325 A JPS592325 A JP S592325A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
insulation film
psg
ion beam
conductor metal
Prior art date
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Pending
Application number
JP57110616A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Goto
広志 後藤
Ryoji Abe
良司 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS592325A publication Critical patent/JPS592325A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00Etching of wafers, substrates or parts of devices

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)技術分野 本発明は絶縁膜と導体金属とのエツチングレートの差が
大きい;イオンビームエツチング方法、さらに特定すれ
ば導体上に形成した絶縁膜のエツチング方法に関する。
(2)技術の背景 通常イオンビームエツチングはイオンミリングとも言わ
れ、カウフマン型を基本とするイオンガンを備えたエツ
チング装置によって、kr’cイオン化しグリッドで加
速し、対象物体全物理的にエツチングする。このエツチ
ングレートは、一部の対象部質を除いて、エツチングに
選択性を示さない。
(3)従来技術と問題点 Arイオンビームエツチングは、装置を侵食することが
少ないので、簡便なカウフマン型ガンによってイオンビ
ームを発生させることができるが、金属たとえばkt配
線上に形成した層間絶縁膜たとえば燐硅酸ガラス(PS
G )、5io2を方旺しようとするときは、Atと絶
縁膜とのエツチングレートの差がほとんどないので、絶
縁膜と同時にAtが工。
チングされる欠点がある。
(4)発明の目的 本発明の目的は上記欠点を解消することである。
(5)発明の構成 本発明の上記目的は、イオンビームエツチングにおいて
、CF+含目が5〜30体積チのAr −C1i”4混
合ガスを使用することによって、絶縁膜と導体金屑との
エツチングレートの差を犬きくすることを特徴とする、
導体の絶縁膜をエツチングする方法によって達成するこ
とができる。
ガスの組成はAr体棟百分率が5%よp少ないときは、
Arを食む効果が■少なくて物理的エツチングが行なわ
れ、30%より多いときはイオンビームの反応性が大き
くなシすぎて、通常使用するカウフマン型ガンは侵食さ
れる。
(6)実施例 ガスの組成をCF410体積係を含むArとし、真空度
5 X 10−5−3X10−’Torr、加速電圧0
5〜1、5 kV、 ’lr、m密1.i o、 1〜
1 mA10m2として、kl  およびPSGをエツ
チングした。PSGのエツチングレートはAtに対して
5倍であり、PSGの代わシにStO□を使用した場合
も同様にAtに対してほぼ5倍であった。
(7)  発明の効果 本発明は、通常のカウフマン型・イオンガンを使用して
下地の導体金網全損傷することなく、絶縁膜を均一性お
よび制御性よくイオンビームエツチングすることができ
る。
(3)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 イオンビームエツチングにおいて、CF4含量が
    5〜30体積チのAr −CF、混合ガスを使用するこ
    とによp1絶縁膜と導体金属とのエツチングレートの差
    を大きくすることを特徴とする、導体上の絶縁膜をエツ
    チングする方法。
JP57110616A 1982-06-29 1982-06-29 絶縁膜のエツチング方法 Pending JPS592325A (ja)

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JP (1) JPS592325A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01170813A (ja) * 1987-12-25 1989-07-05 Mitsubishi Electric Corp 水銀秤量器
JPH0534513A (ja) * 1991-07-29 1993-02-12 Shimadzu Corp 格子板の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01170813A (ja) * 1987-12-25 1989-07-05 Mitsubishi Electric Corp 水銀秤量器
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