JPS59232932A - 光フアイバ用プリフオ−ムの製造方法 - Google Patents
光フアイバ用プリフオ−ムの製造方法Info
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- JPS59232932A JPS59232932A JP10721683A JP10721683A JPS59232932A JP S59232932 A JPS59232932 A JP S59232932A JP 10721683 A JP10721683 A JP 10721683A JP 10721683 A JP10721683 A JP 10721683A JP S59232932 A JPS59232932 A JP S59232932A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2207/06—Concentric circular ports
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ファイバ、特にステップ型屈折率分布を有す
る光フアイバ用プリフォームの製造方法に関する。
る光フアイバ用プリフォームの製造方法に関する。
従来、一般に多重管バーナを用い出発材の軸方向１（ガ
ラス微粒子を積層させてスート母材を製造する場合には
、第１図に示すように、中心ノズル１よりＨ２ガスを添
加したＳ ｉ Ｃ４・ＧｅＣＡ！＋を噴出させ、中心孔
のすぐ外側の第２ノズル３よりＨ２ガスを添加した５ｉ
Ｃ４を噴出させ、次の反応により、出発材の軸方向にス
ート母材を成長させて製造していた。
ラス微粒子を積層させてスート母材を製造する場合には
、第１図に示すように、中心ノズル１よりＨ２ガスを添
加したＳ ｉ Ｃ４・ＧｅＣＡ！＋を噴出させ、中心孔
のすぐ外側の第２ノズル３よりＨ２ガスを添加した５ｉ
Ｃ４を噴出させ、次の反応により、出発材の軸方向にス
ート母材を成長させて製造していた。
５ｉＣ４＋２Ｈ２０−＋ＳｉＯ，＋４ＨＣＩＧｅＣ４＋
２Ｈ２Ｑ−＋ＧｅＯ２＋４ＨＣＡ！尚、第１図（（示す
第３ノズル５からはＡｒを噴出させ、第４ノズル７から
は０２ を噴出させる。
２Ｈ２Ｑ−＋ＧｅＯ２＋４ＨＣＡ！尚、第１図（（示す
第３ノズル５からはＡｒを噴出させ、第４ノズル７から
は０２ を噴出させる。
そして、このような場合、中心部からＧｅＣ４が噴出し
ているため、火炎の中心から外れるに従ってＧｅｍ２の
分布は減少する。また、火炎表面での温度分布は、中心
部で高（周辺部で低いため、Ｇ ｅ Ｏｔの５ｉｎ２粒
子への固溶収率（ドーパント収率）は中心部で高く周辺
部で低いことにより、得られたプリフォームの半径方向
線上のＣｅＯ２の濃度は中心部で高く周辺部で低い状態
となり、一般には第２図に示す如くグレーデッド型９分
布となる。従って、従来技術の製造方法ではステップ型
のμ折率分布を得ることは極めそ困難であった。 ゛
なお、第２図１１はステップ型の屈折率分布を示す。ま
た、ｎは屈折率、ｒはファイバ中心からの距離を示す。
ているため、火炎の中心から外れるに従ってＧｅｍ２の
分布は減少する。また、火炎表面での温度分布は、中心
部で高（周辺部で低いため、Ｇ ｅ Ｏｔの５ｉｎ２粒
子への固溶収率（ドーパント収率）は中心部で高く周辺
部で低いことにより、得られたプリフォームの半径方向
線上のＣｅＯ２の濃度は中心部で高く周辺部で低い状態
となり、一般には第２図に示す如くグレーデッド型９分
布となる。従って、従来技術の製造方法ではステップ型
のμ折率分布を得ることは極めそ困難であった。 ゛
なお、第２図１１はステップ型の屈折率分布を示す。ま
た、ｎは屈折率、ｒはファイバ中心からの距離を示す。
しかしながら、ステップ型屈折率分布を有する光ファイ
バはグレーデッド型に比べ送信可能な周波数の範囲はせ
まく所謂帯域制限が犬であるけれども開口数＜Ｎｆ Ａ
、 ）が大きくとれることから光源、受光器との結合効
率が良く、特に短距離の光伝送用（例えば、医療機器用
）などには適して居り需要も増加して来ている。そこで
、略々正確なステップ型の屈折率分布を持つ光ファイバ
の製造方法について開発の必要性が大となりつ又ある。
バはグレーデッド型に比べ送信可能な周波数の範囲はせ
まく所謂帯域制限が犬であるけれども開口数＜Ｎｆ Ａ
、 ）が大きくとれることから光源、受光器との結合効
率が良く、特に短距離の光伝送用（例えば、医療機器用
）などには適して居り需要も増加して来ている。そこで
、略々正確なステップ型の屈折率分布を持つ光ファイバ
の製造方法について開発の必要性が大となりつ又ある。
本発明はこれらの必要性を満すため、また、前述した従
来技術の欠点を除去するため１／ｃ、行なわれたもので
、より正確な形のステップ型屈折率分布を光ファイバに
与える製造方法であり、以下開示する。
来技術の欠点を除去するため１／ｃ、行なわれたもので
、より正確な形のステップ型屈折率分布を光ファイバに
与える製造方法であり、以下開示する。
即ち、本発明の製造方法は所謂多重管バーナな用いて山
元材の軸方向にプリフォームを形成する方法において、 前記多重管バーナの中心ノズルより５ｔｃＡ４．或ハ５
ｉＣ４ｉｃ屈折率制御用原料’）ｊ スＧｅＣ４、ＰＯ
Ｃｌｓ ＋Ｔ ｉ ＣＩＪ４．ＡｌＣ４、ＧａＣｌ３
のうちから選ばれた１種以上を混合して噴出させ、中
心から第２番目のノズルよりＳｉＯ４を含まない前記屈
折率制御用原料ガスのうちから選ばれた１種以上を噴出
させることを特徴とする 例えば中心ノズルよりＳｉＯ４を噴出させ中心から第２
番目のノズルより、 ５ｉｃｋ４を含まないドーパン
ト類即ちＧｅＣ４，ＰＯＣ＆、ＴｉＯ４，ＡＡＣ＆のう
ちから選ばれた１種以上を噴出させる、或は中心ノズル
より５ｉＣｌｔに前記同様のドーパントを混合して噴出
させ、中心がら第２番目のノズルから５ｉＣ７＋を含ま
ない前記同様のドーパントを噴出させる。
元材の軸方向にプリフォームを形成する方法において、 前記多重管バーナの中心ノズルより５ｔｃＡ４．或ハ５
ｉＣ４ｉｃ屈折率制御用原料’）ｊ スＧｅＣ４、ＰＯ
Ｃｌｓ ＋Ｔ ｉ ＣＩＪ４．ＡｌＣ４、ＧａＣｌ３
のうちから選ばれた１種以上を混合して噴出させ、中
心から第２番目のノズルよりＳｉＯ４を含まない前記屈
折率制御用原料ガスのうちから選ばれた１種以上を噴出
させることを特徴とする 例えば中心ノズルよりＳｉＯ４を噴出させ中心から第２
番目のノズルより、 ５ｉｃｋ４を含まないドーパン
ト類即ちＧｅＣ４，ＰＯＣ＆、ＴｉＯ４，ＡＡＣ＆のう
ちから選ばれた１種以上を噴出させる、或は中心ノズル
より５ｉＣｌｔに前記同様のドーパントを混合して噴出
させ、中心がら第２番目のノズルから５ｉＣ７＋を含ま
ない前記同様のドーパントを噴出させる。
以下、添付図を参照して本発明の内容並びにその作用効
果について具体篩に説明する。
果について具体篩に説明する。
第６図に示す如く本発明方法では中心ノズル１よりＨ２
を添加した５ｉＣＪ％を、第２ノズルろよりルを添加し
たＧ ｅ Ｃ＆を噴出させ、更にその外側のノズル５，
７からＡｒ、０２ガスを噴出させ燃焼反応させる。この
ようにすると、火炎内でのＧｅＯ２の濃度はバーナの出
口で中心から半径方向に遠ざかるにつれて高くなるが、
反面、火炎の表面では中心程高温であるからＳ ｉ Ｏ
２へのＧｅｍ、の固溶割合は比較的高くなる。換言すれ
ば、この方法によればＧｅｍ、のＳｉＯ２へのドープ量
、温度依存性が火炎内のＧｅｍ２濃度分布により補償さ
れ、スート母材の半径方向にほぼ均一なＧｅＯ２濃度を
有するようになる。このように５本発明の方法によれば
ステップ型の屈折率分布を有する光フアイバ用プリフォ
ームを製造することが可能となる。
を添加した５ｉＣＪ％を、第２ノズルろよりルを添加し
たＧ ｅ Ｃ＆を噴出させ、更にその外側のノズル５，
７からＡｒ、０２ガスを噴出させ燃焼反応させる。この
ようにすると、火炎内でのＧｅＯ２の濃度はバーナの出
口で中心から半径方向に遠ざかるにつれて高くなるが、
反面、火炎の表面では中心程高温であるからＳ ｉ Ｏ
２へのＧｅｍ、の固溶割合は比較的高くなる。換言すれ
ば、この方法によればＧｅｍ、のＳｉＯ２へのドープ量
、温度依存性が火炎内のＧｅｍ２濃度分布により補償さ
れ、スート母材の半径方向にほぼ均一なＧｅＯ２濃度を
有するようになる。このように５本発明の方法によれば
ステップ型の屈折率分布を有する光フアイバ用プリフォ
ームを製造することが可能となる。
また、第５図に示すごとく中心ノズル１．第２ノズル６
より噴出されるＳｉＯ４とＧ ｅ Ｃ＆に添加物として
前記の場合のＨ２の代りに０２を添加し、その外側のノ
ズル５，７，１３，１５より、順次Ａｒ。
より噴出されるＳｉＯ４とＧ ｅ Ｃ＆に添加物として
前記の場合のＨ２の代りに０２を添加し、その外側のノ
ズル５，７，１３，１５より、順次Ａｒ。
Ｈ２１Ａｒ＋０２ を噴出させても略同−の効果が達成
されることがわかった。即ち、ステップ型屈折率分布を
有する光フアイバ用プリフォームを製造することができ
る。
されることがわかった。即ち、ステップ型屈折率分布を
有する光フアイバ用プリフォームを製造することができ
る。
以上説明した如く、また、以下の実施例においても詳細
に述べる如く、多重管バーナ使用のプリフォーム製造方
法において従来技術は特に中心から２番目のノズルから
ＳｉＯ４のみを噴出させる方法がとられていたが、本発
明では特に前記２番目のノズルより５ｉＣ４を含まない
ドーパント剤のみを噴出せしめる特徴を有する方法をと
った処、従来方法では得られなかった略正確な形のステ
ップ型屈折率分布を有するプリフォームが得られ、これ
によって光損失の少ない開口数の大きい光ファイバを製
造することができるという効果が得られた。
に述べる如く、多重管バーナ使用のプリフォーム製造方
法において従来技術は特に中心から２番目のノズルから
ＳｉＯ４のみを噴出させる方法がとられていたが、本発
明では特に前記２番目のノズルより５ｉＣ４を含まない
ドーパント剤のみを噴出せしめる特徴を有する方法をと
った処、従来方法では得られなかった略正確な形のステ
ップ型屈折率分布を有するプリフォームが得られ、これ
によって光損失の少ない開口数の大きい光ファイバを製
造することができるという効果が得られた。
実施例１゜
第６図に示す多重バーナによる原料ガス配置、即ち中心
ノズル１よりＳ ｉ Ｃ４と毬、 第２ノズル６よりＧ
ｅ Ｃｌｌｔと迅、第６ノズル５よりＡｒ＋ 第４
ノズル７より０２を夫々噴出させ、このバーナの上方に
配置した出発材の上にガラス微粒子を逐次堆積させスー
ト母材を製造した。単位時間当りの各原料ガス使用量は
次記第１表の通りであった。なお、ガラス原料はＨｅで
キャリヤーした。
ノズル１よりＳ ｉ Ｃ４と毬、 第２ノズル６よりＧ
ｅ Ｃｌｌｔと迅、第６ノズル５よりＡｒ＋ 第４
ノズル７より０２を夫々噴出させ、このバーナの上方に
配置した出発材の上にガラス微粒子を逐次堆積させスー
ト母材を製造した。単位時間当りの各原料ガス使用量は
次記第１表の通りであった。なお、ガラス原料はＨｅで
キャリヤーした。
上記第１表の原料ガス使用によりスート母材を作製し、
Ｈｅ雰囲気で焼結し、透明ガラス母材とした後、直径を
１０＋ｎ＋ａＯに延伸し市販の石英管に入れ、光フアイ
バ用プリフォーム母材を作製した。
Ｈｅ雰囲気で焼結し、透明ガラス母材とした後、直径を
１０＋ｎ＋ａＯに延伸し市販の石英管に入れ、光フアイ
バ用プリフォーム母材を作製した。
この母材を約２，０００℃にグラファイト質発熱体によ
り加熱し外径１４０／’ｙｘに線引し、そのファイバ断
面の屈折率分布を測定したところ、第４図１１に示すよ
うな略々正確なステップ型に近いファイバが得られた。
り加熱し外径１４０／’ｙｘに線引し、そのファイバ断
面の屈折率分布を測定したところ、第４図１１に示すよ
うな略々正確なステップ型に近いファイバが得られた。
実施例２゜
第５図に示す多重バーナな使用する原料ガス配置、即ち
、中心ノズル１より５ｉＣ４と０２．第２ノズル６より
Ｇ ｅ ＣＩｌ＋と０□、第３ノズル５よりＡｒ＋第４
ノズル７よりＨ，、第５ノズル１６よりＡ ｒ ＋第６
ノスル１５よりＯ，を夫々噴出せしめ、このバーナの上
方に配置した出発材の上に微粒子を堆積させてプリフォ
ームを製造′した。単位時間当りの各原料ガス使用量は
次記第２表の通りであった。
、中心ノズル１より５ｉＣ４と０２．第２ノズル６より
Ｇ ｅ ＣＩｌ＋と０□、第３ノズル５よりＡｒ＋第４
ノズル７よりＨ，、第５ノズル１６よりＡ ｒ ＋第６
ノスル１５よりＯ，を夫々噴出せしめ、このバーナの上
方に配置した出発材の上に微粒子を堆積させてプリフォ
ームを製造′した。単位時間当りの各原料ガス使用量は
次記第２表の通りであった。
第２表
上記の原料ガス使用によりスート母材を作製し実施例１
と同様の手順により外径１４０μｍの光ファイバを製造
した。得られたファイバについて実施例１と同様の測定
手段で屈折率分布を測定したところ、はぼ同様なステッ
プ型の屈折率分布が得られた。なお、屈折率のピーク値
は△ｎ＝１．９％であった（△ｎ−二コ工、 ｎ、
、コア屈折率。
と同様の手順により外径１４０μｍの光ファイバを製造
した。得られたファイバについて実施例１と同様の測定
手段で屈折率分布を測定したところ、はぼ同様なステッ
プ型の屈折率分布が得られた。なお、屈折率のピーク値
は△ｎ＝１．９％であった（△ｎ−二コ工、 ｎ、
、コア屈折率。
２
ｎ２：クラッド屈折率）。
第１図は縦来法による多重管バーナの使用状況を示し、
第２図はその屈折率分布の説明図である。 第６図は本発明ｔ（よる多重管バーナの使用状況を示し
、第４図はそれによって得られた屈折率分布図を示す。 第５図は本発明の第２の製造方法による場合の多重管バ
ーナの使用状況を示す。 １・・・中心ノズル、 ３・・・第２ノズル。 ５・・・第６ノズル、 ７・・・第４ノズル。 １６・・・第５ノズル、１５・・・第６ノズル襄／図
暴２図 秦３ 図 第１頁の続き ・老発 明 者 塙文明 茨城県那珂郡東海村大字白方字 白根１６２番地日本電信電話公社 茨城電貫通信研究所内 （社用 願 人 日本電信電話公社
第２図はその屈折率分布の説明図である。 第６図は本発明ｔ（よる多重管バーナの使用状況を示し
、第４図はそれによって得られた屈折率分布図を示す。 第５図は本発明の第２の製造方法による場合の多重管バ
ーナの使用状況を示す。 １・・・中心ノズル、 ３・・・第２ノズル。 ５・・・第６ノズル、 ７・・・第４ノズル。 １６・・・第５ノズル、１５・・・第６ノズル襄／図
暴２図 秦３ 図 第１頁の続き ・老発 明 者 塙文明 茨城県那珂郡東海村大字白方字 白根１６２番地日本電信電話公社 茨城電貫通信研究所内 （社用 願 人 日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数のノズルを有する多重管バーナを用いて原料ガスお
よび燃料ガスを混合燃焼せしめて出発材の軸方向にガラ
ス微粒子を積層させ焼結して光フアイバ用プリフォーム
を製造する方法において、前記多重管バーナの中心ノズ
ルより５ｉＣ１４＊或はＳｉ Ｃ１４に屈折率制御用原
料ガスＧｅＣ４。 ＰＱＣ４ｔ Ｔ Ｉ ＣＡ！４ ＊ Ａｌｌ Ｃ４＋
ＧｃＬＣｌｌｓ のうちから選ばれた１種以上を混合
して噴出させ、中心から第２番目のノズルより５ｉＣ１
，を含まない前記屈折率制御用原料ガスのうちから選ば
れた１種以上を噴出させることを特徴とする 光フアイバ用プリフォームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10721683A JPS59232932A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 光フアイバ用プリフオ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10721683A JPS59232932A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 光フアイバ用プリフオ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232932A true JPS59232932A (ja) | 1984-12-27 |
| JPS6144821B2 JPS6144821B2 (ja) | 1986-10-04 |
Family
ID=14453427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10721683A Granted JPS59232932A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 光フアイバ用プリフオ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59232932A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010173923A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多孔質ガラス母材の製造方法 |
| WO2010098352A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 旭硝子株式会社 | 多孔質石英ガラス体の製造方法およびｅｕｖリソグラフィ用光学部材 |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP10721683A patent/JPS59232932A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010173923A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多孔質ガラス母材の製造方法 |
| WO2010098352A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 旭硝子株式会社 | 多孔質石英ガラス体の製造方法およびｅｕｖリソグラフィ用光学部材 |
| US8356494B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-01-22 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing porous quartz glass object, and optical member for EUV lithography |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6144821B2 (ja) | 1986-10-04 |
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