JPS59232979A - セラミツクとアルミニウム合金の複合体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はセラミックとアルミニウム合金の複合体にし
てその層間の接合強度を向上した複合体に関するもので
ある。
てその層間の接合強度を向上した複合体に関するもので
ある。
アルミニウム合金は一般に軽量で、強度が強く、加工性
に富み、電気的性質や熱電導性等緒特性に優れているの
で、比較的低温度での使用はその用途も広いが、高温で
の使用は耐熱性や断熱性が悪いという欠点のために用途
も制限されているのが現状である。
に富み、電気的性質や熱電導性等緒特性に優れているの
で、比較的低温度での使用はその用途も広いが、高温で
の使用は耐熱性や断熱性が悪いという欠点のために用途
も制限されているのが現状である。
一方セラミックは一般に耐熱性や断熱性が優れているの
で、これをアルミニウム合金に接合した複合体が前記ア
ルミニウム合金単独の場合の欠点を補い得るところから
種々の試みがなされているが、現在のところ満足すべき
接合技術が生み出されておらず、強いて挙げれば、焼き
嵌め、鋳ぐるみ法があるが、アルミニウムとセラミック
の熱膨張差、アルミニウムのへたル等によって熱的信頼
性の低いものしか得られていないのが現状である。
で、これをアルミニウム合金に接合した複合体が前記ア
ルミニウム合金単独の場合の欠点を補い得るところから
種々の試みがなされているが、現在のところ満足すべき
接合技術が生み出されておらず、強いて挙げれば、焼き
嵌め、鋳ぐるみ法があるが、アルミニウムとセラミック
の熱膨張差、アルミニウムのへたル等によって熱的信頼
性の低いものしか得られていないのが現状である。
即ちアルミニウムの熱膨張率は24 X 1 g−6/
″C(室温〜500℃)で、セラミックの熱膨張率は代
表的なものは813N、では2 X 10−’fC,z
ro2では1ox1o−67f″C(いづれも室温〜5
00°C)であり、セラミックとアルミニウムが直接接
合できたとしてもその残留応力によるセラミックの破壊
、ひび割れは必至である。
″C(室温〜500℃)で、セラミックの熱膨張率は代
表的なものは813N、では2 X 10−’fC,z
ro2では1ox1o−67f″C(いづれも室温〜5
00°C)であり、セラミックとアルミニウムが直接接
合できたとしてもその残留応力によるセラミックの破壊
、ひび割れは必至である。
本発明は上述のような欠点のないセラミックとアルミニ
ウム合金の複合体を得ることに成功したものである。
ウム合金の複合体を得ることに成功したものである。
即ち1本発明はセラミックの表面に蒸着法、高融点金属
法又は活性化金属法等によって金属薄層によるメタライ
ズ層を設け、その上にクラツド材層を設け、更にこれに
接してアルミニウム合金浴 □湯の注湯凝固によるアル
ミニウム合金層(鋳ぐるみ型)を設けることにより、各
層間の接合を強固なものとし一体化したセラミック・ア
ルミニウム合金複合体を提供するものである。
法又は活性化金属法等によって金属薄層によるメタライ
ズ層を設け、その上にクラツド材層を設け、更にこれに
接してアルミニウム合金浴 □湯の注湯凝固によるアル
ミニウム合金層(鋳ぐるみ型)を設けることにより、各
層間の接合を強固なものとし一体化したセラミック・ア
ルミニウム合金複合体を提供するものである。
ところでセラミック材料にはsi、5ti、 、 Bi
O。
O。
ム/203 、 ZrQ2. マイカ、 TJA8 、
結晶化カラス等アルミニウム合金の溶融温度で影響を受
けない材料が用いられる。金属薄層のメタライズ層の生
成手段及びこれに用いられる金属には特に限定はないが
、例えば次のような方法で実施することができる。
結晶化カラス等アルミニウム合金の溶融温度で影響を受
けない材料が用いられる。金属薄層のメタライズ層の生
成手段及びこれに用いられる金属には特に限定はないが
、例えば次のような方法で実施することができる。
蒸着法
(1) セラミック成形体の表面に周期表■A族(T
1゜Zr 、 Hf )を物理蒸着し、その上にVIA
族(cr 。
1゜Zr 、 Hf )を物理蒸着し、その上にVIA
族(cr 。
MO,W)を物理蒸着し、更にその上にIB族(Cu
、 Ag 、 Au )を化学メッキして金属薄層(メ
タライズ層)を形成する。
、 Ag 、 Au )を化学メッキして金属薄層(メ
タライズ層)を形成する。
(2)セラミック成形体の表面に周期表の■A族(Ti
、 Zr 、 Hf )を物理蒸着し、その上にIB
族(Cu 、 Ag 、 Au )を物理蒸着又は化学
メンキして金属薄層(メタライズ層)を形成する。
、 Zr 、 Hf )を物理蒸着し、その上にIB
族(Cu 、 Ag 、 Au )を物理蒸着又は化学
メンキして金属薄層(メタライズ層)を形成する。
(3)セラミック成形体の表面に周期表のIV A族(
T1゜Zr 、 Hf )又は%’lA族(Cr 、
Mo 、 W )を物理蒸着し、その上にIB族(Ou
、 Ag 、 Au )を物理蒸着又は化学メッキし
て金属薄層(メタライズ層〕を形成する。
T1゜Zr 、 Hf )又は%’lA族(Cr 、
Mo 、 W )を物理蒸着し、その上にIB族(Ou
、 Ag 、 Au )を物理蒸着又は化学メッキし
て金属薄層(メタライズ層〕を形成する。
高融点金属法
Mo、Wのうち一種以上と、TiH2、Mn 、 81
02のうち一種以上とからなる混合物を粉砕混合し、メ
タライズペーストとする。主剤は前者である。
02のうち一種以上とからなる混合物を粉砕混合し、メ
タライズペーストとする。主剤は前者である。
このメタライズペーストを自動印刷機等でセラミック表
面に印刷してH2炉中にて1,400〜1、(Son℃
で焼成した後、ろう材等との濡れ性を良くするために、
Niメッキを数μかけてs ”2炉中で800〜1,
000℃にて熱処理を行ないメタライズ層を形成する。
面に印刷してH2炉中にて1,400〜1、(Son℃
で焼成した後、ろう材等との濡れ性を良くするために、
Niメッキを数μかけてs ”2炉中で800〜1,
000℃にて熱処理を行ないメタライズ層を形成する。
活性化金属法
(1) セラミック成形体の表面にT1又はzrとA
g−Cu合金箔を載せて、非酸化性雰囲気中にて800
℃−1200℃に加熱し、T1又はZrとAg 、 O
uの共晶の薄層(メタライズ層)を形成する。
g−Cu合金箔を載せて、非酸化性雰囲気中にて800
℃−1200℃に加熱し、T1又はZrとAg 、 O
uの共晶の薄層(メタライズ層)を形成する。
(2) セラミック成形体の表面にT1箔又はZr箔
とAg −cu共晶ろう箔を載せて非酸化性雰囲気中に
て800〜1200℃に加熱し、 Ti又はZrとAg
、 Ouの共晶の薄Pj(メタライズ層)を形成する
。
とAg −cu共晶ろう箔を載せて非酸化性雰囲気中に
て800〜1200℃に加熱し、 Ti又はZrとAg
、 Ouの共晶の薄Pj(メタライズ層)を形成する
。
本発明は上記の例のようにしていづれかの手段でセラミ
ック表面に金属薄層(メタライズ層)が設けられ、この
上に金属のクラッド部材を接合しこれを介してアルミニ
ウム合金を鋳込みにより接合することにより、セラミッ
クとアルミニウム合金の複合体を得るものである。とこ
ろで前記のメタライズ層の外部には通常の金属部材を設
けることが考えられ、これによってもセラミックとアル
ミニウム合金の接合体が得られるやに思われる。
ック表面に金属薄層(メタライズ層)が設けられ、この
上に金属のクラッド部材を接合しこれを介してアルミニ
ウム合金を鋳込みにより接合することにより、セラミッ
クとアルミニウム合金の複合体を得るものである。とこ
ろで前記のメタライズ層の外部には通常の金属部材を設
けることが考えられ、これによってもセラミックとアル
ミニウム合金の接合体が得られるやに思われる。
そして、この金属部材として銅(Cu) 、マグネシウ
ム(Mg)、けい素(Sl)等のアルミニウム(AI)
と固溶する金属か或はアルミニウム(AIり の
場合には接合が容易で特にこれらのうち鍋やアルミニウ
ムは固溶特性上一番好ましいものと考えられる。
ム(Mg)、けい素(Sl)等のアルミニウム(AI)
と固溶する金属か或はアルミニウム(AIり の
場合には接合が容易で特にこれらのうち鍋やアルミニウ
ムは固溶特性上一番好ましいものと考えられる。
しかしながらこのような手段をとる場合、銅が溶融アル
ミニウム合金と反応性に富む結果、金属部材として銅板
を用いたのではこの銅板のくわれ等の問題が起き、アル
ミニウム合金な鋳ぐるむ際にこの銅のくわれ現象を少な
くするような温度条件の制御はかな#)難しく、満足す
べきセラミック−アルミニウム合金複合体を得ることが
困難であった。
ミニウム合金と反応性に富む結果、金属部材として銅板
を用いたのではこの銅板のくわれ等の問題が起き、アル
ミニウム合金な鋳ぐるむ際にこの銅のくわれ現象を少な
くするような温度条件の制御はかな#)難しく、満足す
べきセラミック−アルミニウム合金複合体を得ることが
困難であった。
又、前記の銅に代えて、コバール、モリブデン等の低膨
張率の金属をメタライズ層の上に介在させることが考え
られるが、いまだ膨張率はセラミックのそれとは大きな
差があるため残留応力を充分緩和することができず、セ
ラミック層に割れ等を発生するのでその信頼性は薄いも
のであった。
張率の金属をメタライズ層の上に介在させることが考え
られるが、いまだ膨張率はセラミックのそれとは大きな
差があるため残留応力を充分緩和することができず、セ
ラミック層に割れ等を発生するのでその信頼性は薄いも
のであった。
本発明は上記のような欠点の生じないセラミックとアル
ミニウム合金の接合について種々検討の結果、セラミッ
クのメタライズ層とアルミニウム合金層の間に用いられ
る金属部材なcu 、 7kg又はA//金属/ Ou
、 Ag又はAI!からなるクラツド材とすることに
より、従来の難点を解決し優れたセラミックーアルミニ
ウム合金接合体を得ることに成功した。
ミニウム合金の接合について種々検討の結果、セラミッ
クのメタライズ層とアルミニウム合金層の間に用いられ
る金属部材なcu 、 7kg又はA//金属/ Ou
、 Ag又はAI!からなるクラツド材とすることに
より、従来の難点を解決し優れたセラミックーアルミニ
ウム合金接合体を得ることに成功した。
前述のクラツド材の左右両端の金属を同じくし、例えば
Ou /金属10uの如きクラツド材としてもよいし、
左右両端の金属を異ならしめ例えばAg/金属10uの
如きクラツド材としてもよい。
Ou /金属10uの如きクラツド材としてもよいし、
左右両端の金属を異ならしめ例えばAg/金属10uの
如きクラツド材としてもよい。
そしてクラツド材の中間に使用される金属は左右両端の
金属とは異なるものを使用するが、はとんどの金属がア
ルミニウム合金とセラミックの中間の熱膨張率を持って
おり、その選択使用に当っては例えばセラミックをSi
3N、とした場合には。
金属とは異なるものを使用するが、はとんどの金属がア
ルミニウム合金とセラミックの中間の熱膨張率を持って
おり、その選択使用に当っては例えばセラミックをSi
3N、とした場合には。
クラツド材の中央の金属はモリブデン、インバー、コバ
ール等が低膨張率であシ比較的適当な材料と言える。
ール等が低膨張率であシ比較的適当な材料と言える。
しかし、クラツド材の一方の面もしくは両面に銅を使用
するような場合でも、その厚みを変えて比較的薄く構成
し、中心の金属にニッケルや鉄を用いた場合でも、セラ
ミック割れ等は生じ難く、信頼性の高い複合体を得るこ
とができる。
するような場合でも、その厚みを変えて比較的薄く構成
し、中心の金属にニッケルや鉄を用いた場合でも、セラ
ミック割れ等は生じ難く、信頼性の高い複合体を得るこ
とができる。
次に本発明による試料と比較例の試料とを作成しそのせ
ん断強度を測定した。
ん断強度を測定した。
以下各試料の製造について述べる。
本発明の実施例
1、 メタライズ層を高融点金属法で形成した場合1−
1.アルミナ含有率90チのアルミナグリー:/シー
)KW : 9. TiH2: 1、EIiO2: 1
(D割合で調合し、エチルセルロースを3チ添加した
ペーストを塗布しs H2炉中にて1.50[1°C×
1hr焼成した後、N1メッキを2μmの厚さに施して
メタライズ層を形成し、Ag −Ou共晶ろうを用いて
表に示すような各種クラツド材による金属板を850℃
のH2炉中でろう付けして、メタライズ層に接合し、次
に図示の如き装置を用いてこの中に上記の如き試料を配
設し、1O−4Torrの真空にするか、アルゴン(A
r) 、又は窒素気流中で上側よ−り加圧しなが゛ら約
750℃に加熱し、前記圧力によってアルミニウム合金
(AOJA)の溶湯をセラミックのメタライズ層の上の
クラッド層上に注ぎ込み、セラミックとアルミニウム合
金を接合した。
1.アルミナ含有率90チのアルミナグリー:/シー
)KW : 9. TiH2: 1、EIiO2: 1
(D割合で調合し、エチルセルロースを3チ添加した
ペーストを塗布しs H2炉中にて1.50[1°C×
1hr焼成した後、N1メッキを2μmの厚さに施して
メタライズ層を形成し、Ag −Ou共晶ろうを用いて
表に示すような各種クラツド材による金属板を850℃
のH2炉中でろう付けして、メタライズ層に接合し、次
に図示の如き装置を用いてこの中に上記の如き試料を配
設し、1O−4Torrの真空にするか、アルゴン(A
r) 、又は窒素気流中で上側よ−り加圧しなが゛ら約
750℃に加熱し、前記圧力によってアルミニウム合金
(AOJA)の溶湯をセラミックのメタライズ層の上の
クラッド層上に注ぎ込み、セラミックとアルミニウム合
金を接合した。
1−2.ジルコニア含有率90チのイツトリア−ジルコ
ニアグリーンシートを用いた外は1−1と同様にしてセ
ラミック上のメタライズ層の上に表に示すようなりラッ
ド材を接合し、更に1−1と同様にしてアルミニウム合
金を接合し?Q)Z メタライズ層を蒸着法で形成した
場合、2−L 気孔率3%、アルミナ含有率90%。
ニアグリーンシートを用いた外は1−1と同様にしてセ
ラミック上のメタライズ層の上に表に示すようなりラッ
ド材を接合し、更に1−1と同様にしてアルミニウム合
金を接合し?Q)Z メタライズ層を蒸着法で形成した
場合、2−L 気孔率3%、アルミナ含有率90%。
密度5.60 In3の焼結A7203の表面を平研し
、アセトンで洗滌し、ついでこの洗滌したセラミックを
基板として真空蒸着機を用い、内部を10”−’ TO
rrに減圧し、200℃に加熱して、その表面にアルミ
ニウムを電子ビームによって溶融し、約5μm厚に蒸着
してメタライズ層を形成した。
、アセトンで洗滌し、ついでこの洗滌したセラミックを
基板として真空蒸着機を用い、内部を10”−’ TO
rrに減圧し、200℃に加熱して、その表面にアルミ
ニウムを電子ビームによって溶融し、約5μm厚に蒸着
してメタライズ層を形成した。
このメタライズ層上に表に示すようなりラッド材をその
アルミニウム面がメタライズ層のアルミニウム面と接す
るように載置し、以下1−1と同様な手法でアルミニウ
ム合金を接合した。
アルミニウム面がメタライズ層のアルミニウム面と接す
るように載置し、以下1−1と同様な手法でアルミニウ
ム合金を接合した。
2−2.気孔率1%、窒化硅素含有率90チ密度125
9/1llt” 0)焼結S’3N4 (D 表面ヲ平
HL、アセトン等で洗滌し、ついでかくしたセラミック
を基板として2−1と同様な手法によってアルミニウム
のメタライズ層を設は表示のようなりラッド材を用いて
アルミニウム合金を接合した。
9/1llt” 0)焼結S’3N4 (D 表面ヲ平
HL、アセトン等で洗滌し、ついでかくしたセラミック
を基板として2−1と同様な手法によってアルミニウム
のメタライズ層を設は表示のようなりラッド材を用いて
アルミニウム合金を接合した。
2−3.気孔率3チアルミナ含有率90優、密度5.6
011/CM”の焼結M2O3の表面を平研し、アセト
ン等で洗滌し、ついでこの洗滌したセラミックを基板と
し、真空蒸着機で内部を1O−6T+)rrに減圧し%
200°Cに加熱し、その表面にZr O,2pm、
C!r O,2tin、Ou 511mの順に順次蒸
着した後表3に示すようなりラッド材を850°CのH
2炉中にてAg −Cu共晶ろうを用いてろう付けした
後、大気中で加圧鋳込みしてアルミニウム合金AOJA
を鋳込んでセラミックにアルミニウム合金を接合した。
011/CM”の焼結M2O3の表面を平研し、アセト
ン等で洗滌し、ついでこの洗滌したセラミックを基板と
し、真空蒸着機で内部を1O−6T+)rrに減圧し%
200°Cに加熱し、その表面にZr O,2pm、
C!r O,2tin、Ou 511mの順に順次蒸
着した後表3に示すようなりラッド材を850°CのH
2炉中にてAg −Cu共晶ろうを用いてろう付けした
後、大気中で加圧鋳込みしてアルミニウム合金AOJA
を鋳込んでセラミックにアルミニウム合金を接合した。
2−4.気孔率1%、窒化珪素含有率90チ、密度5,
2517/Cm3の焼結S i 3N 4 の表面を平
研してアセトン等で洗滌し、ついでこの洗滌したセラミ
ックを基板として真空蒸着材により、内部を10″″6
TOrrに減圧し200℃K 加熱L 、 ソノ表面に
電子ビームで蒸着金属を溶融しZr0.2μ篤、0rO
02辱Cu5μ扉を順次蒸着した後、表に示すクラツド
材を850℃の■2炉中にてAg−Cu共晶ろうを用い
てろう付けした後、大気中で加圧鋳込みしてアルミニウ
ム合金ACJAを鋳込んでセラミックにアルミニウム合
金を接合した。
2517/Cm3の焼結S i 3N 4 の表面を平
研してアセトン等で洗滌し、ついでこの洗滌したセラミ
ックを基板として真空蒸着材により、内部を10″″6
TOrrに減圧し200℃K 加熱L 、 ソノ表面に
電子ビームで蒸着金属を溶融しZr0.2μ篤、0rO
02辱Cu5μ扉を順次蒸着した後、表に示すクラツド
材を850℃の■2炉中にてAg−Cu共晶ろうを用い
てろう付けした後、大気中で加圧鋳込みしてアルミニウ
ム合金ACJAを鋳込んでセラミックにアルミニウム合
金を接合した。
なお比較試験用の試料は下記のようにして作った。
比較例1
前述の1−1に於けるクラツド材に代えて(3uを用い
た外は1−1と全く同様にして試料を作成して比較例と
した。
た外は1−1と全く同様にして試料を作成して比較例と
した。
比較例2
前述の1−2に於けるり2ツド材に代えてOuを用いた
外は1−2と全く同様にして試料を作成して比較例とし
た。なお本発明及び比較例でアルミニウム合金を鋳込む
場合の概略を図面によシ説明すれば次のとおりである。
外は1−2と全く同様にして試料を作成して比較例とし
た。なお本発明及び比較例でアルミニウム合金を鋳込む
場合の概略を図面によシ説明すれば次のとおりである。
図は真空装置で内部にはU字型のアルミナ製の下部治具
1を置いて、七の中に表面にメタライズ層すを設は更に
クラツド材もしくはCU 飯等金属層Cを接合したセラ
ミック成形体aを、金属層Cを上側にして載置し、前記
下部治具1の上に下面中央に約I TINφの溶融アル
ミニウムノズル3を有する上部治具2を重ねて載置し、
この中にアルミニウム合金の溶湯dを充満せしめ、その
上部より抑圧手段4によって加圧し、アルミニウム合金
を下部にノズル3より注加して金属層Cとアルミニウム
合金を接合し、結局セラミックとアルミニウム合金の接
合体を得るものである。そしてこの装置の内部は例えば
10−t T□rr位に減圧し、加熱はボックスの両側
面に設けたヒーター5によって行なうものである。
1を置いて、七の中に表面にメタライズ層すを設は更に
クラツド材もしくはCU 飯等金属層Cを接合したセラ
ミック成形体aを、金属層Cを上側にして載置し、前記
下部治具1の上に下面中央に約I TINφの溶融アル
ミニウムノズル3を有する上部治具2を重ねて載置し、
この中にアルミニウム合金の溶湯dを充満せしめ、その
上部より抑圧手段4によって加圧し、アルミニウム合金
を下部にノズル3より注加して金属層Cとアルミニウム
合金を接合し、結局セラミックとアルミニウム合金の接
合体を得るものである。そしてこの装置の内部は例えば
10−t T□rr位に減圧し、加熱はボックスの両側
面に設けたヒーター5によって行なうものである。
次に前述の実施例及び比較例の各試料についてせん断試
験を行なった結果をまとめて表示すれば次表のとおシで
ある。
験を行なった結果をまとめて表示すれば次表のとおシで
ある。
なお各試料ともセラミックの寸法は10WM×110f
fX5’ilでせん断強度は高滓製作所製オートグラフ
にて0.51v′mの荷重速度で行なった。
fX5’ilでせん断強度は高滓製作所製オートグラフ
にて0.51v′mの荷重速度で行なった。
これによれば本発明のセラミックとアルミニラ解される
。
。
図はアルミニウム合金をセラミックに注湯して接合する
ための真空装置の一例を示す縦断面図である。 1:下部治具 2:上部治具 3:ノズル4:押圧手段
a:セラミック成形体 b:メタライズ層 C:金属
層 d:アル、S ニウム合金の溶湯 代理人 弁理士 竹 内 守 (15)
ための真空装置の一例を示す縦断面図である。 1:下部治具 2:上部治具 3:ノズル4:押圧手段
a:セラミック成形体 b:メタライズ層 C:金属
層 d:アル、S ニウム合金の溶湯 代理人 弁理士 竹 内 守 (15)
Claims (2)
- (1) セラミックの表面にメタライズ層とクラツド
材層を順次設け、これに接してアルミニウム合金の注湯
凝固によるアルミニウム合金層を設け、各層間が一体化
していることを特徴とするセラミックとアルミニウム合
金の複合体 - (2) セラミック表面のメタライズ層は、金属蒸着
法、高融点金属法又は活性化金属法によシ生成された金
属薄層である特許請求の範囲第1項記載のセラミックと
アルミニウム合金の複合体(3)金属部材がOu 、
Ag又はM/金属/ Ou、 Ag又はMからなるクラ
ツド材(但し中央金属は両側金属と異なる)からなる特
許請求の範囲第1項記載のセラミックとアルミニウム合
金の複合体(4) セラミックが813N4 + 8
10+ A/203 y zrO2vマイカ、LAS、
結晶化ガラスである特許請求の範囲第1項記載のセラミ
ックとアルミニウム合金の複合体
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58107648A JPS59232979A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | セラミツクとアルミニウム合金の複合体 |
| US06/618,692 US4559277A (en) | 1983-06-17 | 1984-06-08 | Ceramic and aluminum alloy composite |
| DE3421922A DE3421922C2 (de) | 1983-06-17 | 1984-06-13 | Verbundgebilde aus einem keramischen Material und einer Aluminiumlegierung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58107648A JPS59232979A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | セラミツクとアルミニウム合金の複合体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232979A true JPS59232979A (ja) | 1984-12-27 |
| JPH0222026B2 JPH0222026B2 (ja) | 1990-05-17 |
Family
ID=14464510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58107648A Granted JPS59232979A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | セラミツクとアルミニウム合金の複合体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4559277A (ja) |
| JP (1) | JPS59232979A (ja) |
| DE (1) | DE3421922C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110563484A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-13 | 泰州市光明电子材料有限公司 | 一种陶瓷表面金属化工艺 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6114187A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 補強板状焼結体 |
| US4699849A (en) * | 1985-07-17 | 1987-10-13 | The Boeing Company | Metal matrix composites and method of manufacture |
| US4740429A (en) * | 1985-07-22 | 1988-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Metal-ceramic joined articles |
| JPS62182174A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-10 | 日本碍子株式会社 | セラミツクス・金属複合体 |
| US4963187A (en) * | 1987-03-04 | 1990-10-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Metallizing paste for circuit board having low thermal expansion coefficient |
| DE3813947A1 (de) * | 1988-04-26 | 1989-11-09 | Asea Brown Boveri | Verfahren zum aufbringen einer aus edelmetallen und/oder edelmetallverbindungen bestehenden katalysatorschicht auf einen traeger aus keramischem material |
| DE3943683C2 (de) * | 1988-07-22 | 1994-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | Keramik-Metall-Verbundsubstrat |
| DE3924225C2 (de) * | 1988-07-22 | 1994-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung eines Keramik-Metall-Verbundsubstrats sowie Keramik-Metall-Verbundsubstrat |
| US5251803A (en) * | 1988-07-22 | 1993-10-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ceramic-metal composite substrate and method for producing the same |
| JPH0829990B2 (ja) * | 1988-09-21 | 1996-03-27 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックスと金属との接合体 |
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| DE4111189C1 (ja) * | 1991-04-06 | 1992-09-17 | Hoechst Ceramtec Ag, 8672 Selb, De | |
| US5703341A (en) * | 1993-11-23 | 1997-12-30 | Lockheed Martin Energy Systems, Inc. | Method for adhesion of metal films to ceramics |
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| JP2000337962A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Ando Electric Co Ltd | 分光器及び光スペクトル測定装置 |
| DE102005045666A1 (de) * | 2005-09-14 | 2007-03-15 | Itn Nanovation Gmbh | Schicht oder Beschichtung sowie Zusammensetzung zu ihrer Herstellung |
| US8283047B2 (en) * | 2006-06-08 | 2012-10-09 | Howmet Corporation | Method of making composite casting and composite casting |
| KR20090024788A (ko) * | 2006-06-09 | 2009-03-09 | 엘리먼트 씩스 (프로덕션) (피티와이) 리미티드 | 초경질 복합 물질 |
| CN110792605B (zh) * | 2019-12-10 | 2025-01-28 | 河北万泉泵业制造有限公司 | 一种陶瓷复合过流件及其制备方法 |
| CN113046677B (zh) * | 2021-03-12 | 2023-05-26 | 昆明理工大学 | 一种片状陶瓷/铝合金复合材料及其制备方法 |
| CN115679143A (zh) * | 2021-07-30 | 2023-02-03 | 火线有限公司 | 具有改进性能的陶瓷金属复合材料及其制造方法 |
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| DE1043918B (de) * | 1956-04-23 | 1958-11-13 | Telefunken Gmbh | Verfahren zum Verbinden eines nichtmetallischen Stoffes, z. B. Keramik, mit einem Metallteil durch Loeten |
| DE1088199B (de) * | 1957-03-29 | 1960-09-01 | Csf | Metallkoerper zum gasdichten Verbinden mit silikatischen Isolierstoffen |
| AT223114B (de) * | 1960-04-11 | 1962-08-27 | Cerberus Ag | Verfahren zum Verbinden von keramischem Material mit Metall durch Verlöten und Lötmaterial |
| US3879840A (en) * | 1969-01-15 | 1975-04-29 | Ibm | Copper doped aluminum conductive stripes and method therefor |
| JPS5951747B2 (ja) * | 1979-12-07 | 1984-12-15 | 株式会社日立製作所 | 微小配線構造体 |
| DE3014645C2 (de) * | 1980-04-16 | 1982-12-02 | MTU Motoren- und Turbinen-Union München GmbH, 8000 München | Metall-Keramik-Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58107648A patent/JPS59232979A/ja active Granted
-
1984
- 1984-06-08 US US06/618,692 patent/US4559277A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-06-13 DE DE3421922A patent/DE3421922C2/de not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
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|---|---|
| DE3421922C2 (de) | 1987-02-12 |
| US4559277A (en) | 1985-12-17 |
| DE3421922A1 (de) | 1984-12-20 |
| JPH0222026B2 (ja) | 1990-05-17 |
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