JPS5923316B2 - セフアロスポリン誘導体の製法 - Google Patents
セフアロスポリン誘導体の製法Info
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- JPS5923316B2 JPS5923316B2 JP12927579A JP12927579A JPS5923316B2 JP S5923316 B2 JPS5923316 B2 JP S5923316B2 JP 12927579 A JP12927579 A JP 12927579A JP 12927579 A JP12927579 A JP 12927579A JP S5923316 B2 JPS5923316 B2 JP S5923316B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セフアロスポリン誘導体の製法に関するもの
である。
である。
結合するベンズイミダゾールチオ基が、セフアロ骨格の
安定な酸性条件下で極めて反応性の高い脱離基であるこ
とを見出した。
安定な酸性条件下で極めて反応性の高い脱離基であるこ
とを見出した。
即ち、一般式[)
= 更に詳しく述べれば、本発明は、酸安定性を有し、
また、広範囲の微生物(グラム陽性およびグラム陰性病
原体を含む)に対して強力な殺菌作用を有し、優れた抗
生物質として、既に市販されている一般式(11 (式中Rは、水素、又は、メチル基である)で示される
化合物、又は、その医薬上許容しうる塩を、極めて安全
に効率良く製造する方法を提供するものである。
また、広範囲の微生物(グラム陽性およびグラム陰性病
原体を含む)に対して強力な殺菌作用を有し、優れた抗
生物質として、既に市販されている一般式(11 (式中Rは、水素、又は、メチル基である)で示される
化合物、又は、その医薬上許容しうる塩を、極めて安全
に効率良く製造する方法を提供するものである。
これまで一般式(11で示される化合物の製法としては
、たとえば、7一(1H−テトラゾール−1−イルーア
セトアミド)セフアロスポラン酸と、1,3,4−チア
ジアゾール一5−チオール類を反応させる方法(特公昭
46−14736号)が知られている。
、たとえば、7一(1H−テトラゾール−1−イルーア
セトアミド)セフアロスポラン酸と、1,3,4−チア
ジアゾール一5−チオール類を反応させる方法(特公昭
46−14736号)が知られている。
しかし、この反応は、3位アセトキシメチル基における
アセトキシ基とチアゾールチオ基の置換反応で、PH6
.5で60℃というセフアロスポリン骨格にとつて過酷
な条件下で4〜8時間もさらすことが必要であり、反応
収率の低下をまぬがれることができない。反応収率の低
下は、経済性の観点から大きな問題である。又、目的物
を精製する場合、未反応原料化合物、分解により生じた
化合物等の夾雑物の影響が無視できず、結果的に製品の
純度に問題を残すことが考えられる。本発明者らは、こ
れら従来法のもつ欠点を克服し、安全、かつ、効率良く
、一般式(11で示される化合物、又は、その医薬上許
容しうる塩の製法を発明するために鋭意検討を重ねた結
果、化学式()で示される7一(1H−テトラゾール−
1−イルアセトアミド)−3−(ベンズイミダゾール一
2ーイル)チオメチル−3−セフエム一4−カルボン酸
、又は、その塩の3位メチル基に(式中のRは水素、又
は、メチル基である)で示される目的化合物を極めて効
率良く得ることができることを見出した。
アセトキシ基とチアゾールチオ基の置換反応で、PH6
.5で60℃というセフアロスポリン骨格にとつて過酷
な条件下で4〜8時間もさらすことが必要であり、反応
収率の低下をまぬがれることができない。反応収率の低
下は、経済性の観点から大きな問題である。又、目的物
を精製する場合、未反応原料化合物、分解により生じた
化合物等の夾雑物の影響が無視できず、結果的に製品の
純度に問題を残すことが考えられる。本発明者らは、こ
れら従来法のもつ欠点を克服し、安全、かつ、効率良く
、一般式(11で示される化合物、又は、その医薬上許
容しうる塩の製法を発明するために鋭意検討を重ねた結
果、化学式()で示される7一(1H−テトラゾール−
1−イルアセトアミド)−3−(ベンズイミダゾール一
2ーイル)チオメチル−3−セフエム一4−カルボン酸
、又は、その塩の3位メチル基に(式中のRは水素、又
は、メチル基である)で示される目的化合物を極めて効
率良く得ることができることを見出した。
すなわち、本発明は、7一(IH−テトラゾール−1−
イルアセトアミド)− 3 −(ベンズイミダゾール一
2−イル)チオメチル−3−セフエム一 4 −カルボ
ン酸、又は、その塩と、一般式() (式中のRは、水素、又は、メチル基である)で示され
る化合物を溶媒中で反応させることを特徴とする−般式
(n (式中のRは前記と同じ)で示されるセフアロスポリン
誘導体、又は、その塩の製法に関するものである。
イルアセトアミド)− 3 −(ベンズイミダゾール一
2−イル)チオメチル−3−セフエム一 4 −カルボ
ン酸、又は、その塩と、一般式() (式中のRは、水素、又は、メチル基である)で示され
る化合物を溶媒中で反応させることを特徴とする−般式
(n (式中のRは前記と同じ)で示されるセフアロスポリン
誘導体、又は、その塩の製法に関するものである。
本発明において、原料として用いる化学式(I)で示さ
れる化合物(以下化合物(1)という、以下同じ)は、
その3位メチル基に結合するベンズイミダゾールチオ基
が、プロトン存在下で極めて反応性の高い脱離基である
ことが特徴である。
れる化合物(以下化合物(1)という、以下同じ)は、
その3位メチル基に結合するベンズイミダゾールチオ基
が、プロトン存在下で極めて反応性の高い脱離基である
ことが特徴である。
脱離反応には、プロトンが触媒作用をすると考えられ、
反応系中に存在するチオール類のプロトンが活用される
為特に新たに、酸触媒を加える必要は必ずしもない。3
位メチル基に結合する同系統の置換基としてベンズチア
ゾールチオ基、ベンズオキサゾールチオ基等があり、事
実、これら置換基でも反応は進行するが、安定性、反応
性の点で、特にベンズイミダゾールチオ基が優れた効果
を発揮する。
反応系中に存在するチオール類のプロトンが活用される
為特に新たに、酸触媒を加える必要は必ずしもない。3
位メチル基に結合する同系統の置換基としてベンズチア
ゾールチオ基、ベンズオキサゾールチオ基等があり、事
実、これら置換基でも反応は進行するが、安定性、反応
性の点で、特にベンズイミダゾールチオ基が優れた効果
を発揮する。
この置換基は、セフアロ化合物が安定である酸性領域に
おいても極めて置換反応が速いために従来法のアセトキ
シ基と比較すると、収率の点で約2倍以上の効果を発揮
する。化合物(I)は、その自身公知の方法によつて容
易に入手できる。
おいても極めて置換反応が速いために従来法のアセトキ
シ基と比較すると、収率の点で約2倍以上の効果を発揮
する。化合物(I)は、その自身公知の方法によつて容
易に入手できる。
たとえば、公知である7一(IH−テトラゾール−1−
イルアセトアミド)セフアロスポラン酸と、高分子劣化
防止剤として既に用いられ、安価に市販されている2−
メルカプトベンズイミダゾールを公知方法により反応さ
せることによつて得られる。または、公知の7ーアミノ
一3−(ベンズイミダゾール一2−イル)チオメチル−
3−セフエム一4−カルボン酸、又は、その塩と、IH
−テトラゾール酢酸の反応性誘導体を反応させることに
よつても得られる。もう一方の原料である化合撫H)は
、市販のものをそのまま利用できる。
イルアセトアミド)セフアロスポラン酸と、高分子劣化
防止剤として既に用いられ、安価に市販されている2−
メルカプトベンズイミダゾールを公知方法により反応さ
せることによつて得られる。または、公知の7ーアミノ
一3−(ベンズイミダゾール一2−イル)チオメチル−
3−セフエム一4−カルボン酸、又は、その塩と、IH
−テトラゾール酢酸の反応性誘導体を反応させることに
よつても得られる。もう一方の原料である化合撫H)は
、市販のものをそのまま利用できる。
この様にして得た化合物田又は、その塩と、化合物()
を溶媒中で反応させ、容易に、かつ効率良く目的化合物
である一般式(Tfjで示されるセフアロスポリン誘導
体、又は、その医薬土許容しうる塩に導くことができる
。
を溶媒中で反応させ、容易に、かつ効率良く目的化合物
である一般式(Tfjで示されるセフアロスポリン誘導
体、又は、その医薬土許容しうる塩に導くことができる
。
化合物()の量は、化合物(1)に対して、等モル以上
であれば良く、経済性の点から、1.0モルから2.0
モルが好ましい。
であれば良く、経済性の点から、1.0モルから2.0
モルが好ましい。
反応媒体としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N
,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド類又
は、その含水溶媒が好ましい。
,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド類又
は、その含水溶媒が好ましい。
この他の溶媒としては、たとえば、メチルセロソルブ等
のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン等の脂肪
酸ケトン類、ジクロルメタン、クロロホルム等のハロゲ
ン化炭化水素類、アセトニトリル、プロピオニトリル等
のニトリル類、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホ
キシド等のスルホキシド類があり、これらは単独で、或
いは、混合溶媒、又は、含水溶媒として用いることによ
り、反応を進行させることができるが、これらの溶媒の
中で、特にN,N−ジメチルホルムアミドと、N,N−
ジメチルアセトアミド等のアミド類又は、奄れらの含水
溶媒の使用が、溶解性、反応率、経済性の点で特に好ま
しい。本発明の特徴として、反応系中には、化合物(n
)および、3位置換反応によつて生じるチオール化合物
が存在するため、特に新たな酸触媒の添加は、必ずしも
必要ではないが、反応時間の短縮、反応収率の向上の点
から、酬触媒を加えた方が良い。
のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン等の脂肪
酸ケトン類、ジクロルメタン、クロロホルム等のハロゲ
ン化炭化水素類、アセトニトリル、プロピオニトリル等
のニトリル類、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホ
キシド等のスルホキシド類があり、これらは単独で、或
いは、混合溶媒、又は、含水溶媒として用いることによ
り、反応を進行させることができるが、これらの溶媒の
中で、特にN,N−ジメチルホルムアミドと、N,N−
ジメチルアセトアミド等のアミド類又は、奄れらの含水
溶媒の使用が、溶解性、反応率、経済性の点で特に好ま
しい。本発明の特徴として、反応系中には、化合物(n
)および、3位置換反応によつて生じるチオール化合物
が存在するため、特に新たな酸触媒の添加は、必ずしも
必要ではないが、反応時間の短縮、反応収率の向上の点
から、酬触媒を加えた方が良い。
たとえば、塩酸、硫酸等の鉱酸類、パラトルエンスルホ
ン酸、メタンスルホン酸等のスルホン酸類、プロピオン
酸等の脂肪酸類、2−メルカプトチアジアゾールのチオ
ール類等の有機酸を挙げることができるが、特に収率と
、反応時間の短縮の点で鉱酸類と、チオール類が好まし
い。この酸触媒の量は、化合物(1)の量に対して実質
的に0.05モル以上あれば充分である。反応温度は、
触媒の存否、溶媒の種類等によつて異るが、通常10℃
から100℃の範囲で充分であり、反応率、セフアロス
ポリン骨格の安定性などから考えて、特に好ましいのは
、30℃から80℃の範囲である。
ン酸、メタンスルホン酸等のスルホン酸類、プロピオン
酸等の脂肪酸類、2−メルカプトチアジアゾールのチオ
ール類等の有機酸を挙げることができるが、特に収率と
、反応時間の短縮の点で鉱酸類と、チオール類が好まし
い。この酸触媒の量は、化合物(1)の量に対して実質
的に0.05モル以上あれば充分である。反応温度は、
触媒の存否、溶媒の種類等によつて異るが、通常10℃
から100℃の範囲で充分であり、反応率、セフアロス
ポリン骨格の安定性などから考えて、特に好ましいのは
、30℃から80℃の範囲である。
反応時間は、酸触媒の存否、溶媒の種類等によつて異る
が、通常30分から10時間の範囲で充分である。
が、通常30分から10時間の範囲で充分である。
例えば、含水N,N−ジメチルホルムアミド中、酸触媒
の存在下、60℃の反応では、30分から3時間で充分
である。本発明の目的化合物は、常法によつて反応終了
液から抽出するか、無水溶媒の場合には、常法により、
ナトリウム塩、カリウム塩にすることにより、結晶とし
て単離できる。
の存在下、60℃の反応では、30分から3時間で充分
である。本発明の目的化合物は、常法によつて反応終了
液から抽出するか、無水溶媒の場合には、常法により、
ナトリウム塩、カリウム塩にすることにより、結晶とし
て単離できる。
本発明においては、このようにして得られた一般式(1
1で示されるセフアロスポリン誘導体を所望に応じ、医
薬上許容しうる塩に変換することができる。
1で示されるセフアロスポリン誘導体を所望に応じ、医
薬上許容しうる塩に変換することができる。
この塩への変換は、常法によつて、アルカリ金属、アン
モニウム塩、アルカリ土類金属塩類に導くことができる
。これらの塩類は、例えば、水への溶解性の点で製剤上
すぐれた性質を示す。本発明方法によれば、強力な抗菌
活性を有する優れた抗生物質である一般式(11で示さ
れるセフア .′ロスポリン誘導体、および、その医薬
上許容できる塩を高収率で安全によく製造することがで
きる。次に実施例により本発明を更に詳細に説明するが
、本発明は、これらによつて限定されるものではない。
実施例 1 温度計を付した31の3つロフラスコに7ー(1H−テ
トラゾール−1−イルアセトアミド)−3−(ベンズイ
ミダゾール一2−イル)チオメチル−3−セフエム一4
−カルボン酸46.4g,、2−メチル−1,3,4チ
アジアゾール一5−チオール19,89、N,N−ジメ
チルホルムアミド1。
モニウム塩、アルカリ土類金属塩類に導くことができる
。これらの塩類は、例えば、水への溶解性の点で製剤上
すぐれた性質を示す。本発明方法によれば、強力な抗菌
活性を有する優れた抗生物質である一般式(11で示さ
れるセフア .′ロスポリン誘導体、および、その医薬
上許容できる塩を高収率で安全によく製造することがで
きる。次に実施例により本発明を更に詳細に説明するが
、本発明は、これらによつて限定されるものではない。
実施例 1 温度計を付した31の3つロフラスコに7ー(1H−テ
トラゾール−1−イルアセトアミド)−3−(ベンズイ
ミダゾール一2−イル)チオメチル−3−セフエム一4
−カルボン酸46.4g,、2−メチル−1,3,4チ
アジアゾール一5−チオール19,89、N,N−ジメ
チルホルムアミド1。
11と、水0.911を投入60℃に加熱する。
更に反応触媒として0.5N一塩酸水100m1を加え
、60℃のまま2時間撹拌し、反応を完結させた。反応
液を高速液体クロマトグラフイ一にて定量すると、反応
率93%であつた。この反応液を冷却し、常法により、
エーテルで夾雑物を除去した後、1N−塩酸水にて、団
1.5に下げ21の酢酸エチルエステルで3回抽出した
。無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、減圧下に溶媒を留
去すると、7一(1H−テトラゾール−1−イルアセト
アミド)−3−(2−メチル−1,3,4−チアジアゾ
ール一5−イル)チオメチル−3−セフエム一4−カル
ボン酸42.39の白色粉末を得た。(純度96.8%
)λMax::272nm(3%重水)M.p.l97
5〜200℃(分解) NMRスペクトル(DMSO−Ds)δ卿2.68(S
,3H) 3.71(Dd,2H)4.39(Dd,2
H)5.12(D,lH) 5.37(S,2H)5.
73(q′1H)9.33(S,lH) 9.49(D
,2H)元素分析値実施例 2 温度計を付した500meの3つロフラスコに7一(1
H−テトラゾール−1−イルアセトアミド)−3−(ベ
ンズイミダゾール一2−イル)チオメチル−3−セフエ
ム一4−カルボ7酸2,329、1,3,4チアジアゾ
ール一5−チオール0.79.9、N,N−ジメチルホ
ルムアミド1107!Llと、水90meを投入し、6
0℃に加熱する。
、60℃のまま2時間撹拌し、反応を完結させた。反応
液を高速液体クロマトグラフイ一にて定量すると、反応
率93%であつた。この反応液を冷却し、常法により、
エーテルで夾雑物を除去した後、1N−塩酸水にて、団
1.5に下げ21の酢酸エチルエステルで3回抽出した
。無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、減圧下に溶媒を留
去すると、7一(1H−テトラゾール−1−イルアセト
アミド)−3−(2−メチル−1,3,4−チアジアゾ
ール一5−イル)チオメチル−3−セフエム一4−カル
ボン酸42.39の白色粉末を得た。(純度96.8%
)λMax::272nm(3%重水)M.p.l97
5〜200℃(分解) NMRスペクトル(DMSO−Ds)δ卿2.68(S
,3H) 3.71(Dd,2H)4.39(Dd,2
H)5.12(D,lH) 5.37(S,2H)5.
73(q′1H)9.33(S,lH) 9.49(D
,2H)元素分析値実施例 2 温度計を付した500meの3つロフラスコに7一(1
H−テトラゾール−1−イルアセトアミド)−3−(ベ
ンズイミダゾール一2−イル)チオメチル−3−セフエ
ム一4−カルボ7酸2,329、1,3,4チアジアゾ
ール一5−チオール0.79.9、N,N−ジメチルホ
ルムアミド1107!Llと、水90meを投入し、6
0℃に加熱する。
更に反応触媒として、0,5N一塩酸水10mjを添加
し60℃のまま1.5時間攪拌し、反応を完結させた。
反応液を高速液体クロマトグラフイ一にて定量すると、
反応率は89%であつた。この反応液を冷却し、常法に
より、エーテルで夾雑物を除去した後、1N−塩酸水に
はPlll.5に下げ、200m1の酢酸エチルエステ
ルで3回抽出した。無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、
減圧下に溶媒を留去すると、7一(1H−テトラゾール
−1−イルアセトアミド)−3−(2−メチル−1,3
,4−チアジアゾール一5ーイル)チオメチル−3−セ
フエム一4−カルボン酸2.059の白色粉末を得た。
(純度96%)λMax273nm(3%重曹水)実施
例 3 温度計を付した100m1の3つロフラスコに、7一(
1H−テトラゾール−1−イルーアセトアミド)゛−3
−(ベンズイミダゾール一2−イノ(ハ)チオメチル−
3−セフエム一4−カルボン酸928ヮ、1,3,4チ
アジアゾール一5−チオール330η、N,N−ジメチ
ルホルムアミド22m1と、水18rfL1を投入し、
80℃に加熱する。
し60℃のまま1.5時間攪拌し、反応を完結させた。
反応液を高速液体クロマトグラフイ一にて定量すると、
反応率は89%であつた。この反応液を冷却し、常法に
より、エーテルで夾雑物を除去した後、1N−塩酸水に
はPlll.5に下げ、200m1の酢酸エチルエステ
ルで3回抽出した。無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、
減圧下に溶媒を留去すると、7一(1H−テトラゾール
−1−イルアセトアミド)−3−(2−メチル−1,3
,4−チアジアゾール一5ーイル)チオメチル−3−セ
フエム一4−カルボン酸2.059の白色粉末を得た。
(純度96%)λMax273nm(3%重曹水)実施
例 3 温度計を付した100m1の3つロフラスコに、7一(
1H−テトラゾール−1−イルーアセトアミド)゛−3
−(ベンズイミダゾール一2−イノ(ハ)チオメチル−
3−セフエム一4−カルボン酸928ヮ、1,3,4チ
アジアゾール一5−チオール330η、N,N−ジメチ
ルホルムアミド22m1と、水18rfL1を投入し、
80℃に加熱する。
80℃のまま30分間攪拌し、反応を完結させた。
反応液を高速液体クロマトグラフイ一にて定量すると、
反応率94%であつた。この反応液を冷却し、常法によ
り、エーテルで夾雑物を除去した後、1N塩酸水にて、
PHl.5に下げ、40meの酢酸エチルエステルにて
、3回抽出した。無水硫酸マグネシウムにて、乾燥し、
減圧下に溶媒を留去すると、7一(1H−テトラゾール
−1−イルアセトアミド)−3−(2−メチル−1,3
,4−チアジアゾール一5−イル)チオメチル−3−セ
フエム一4カルボン酸、854m9の白色粉末を得た。
(純度95%)実施例 4 温度計を付した100m1の3つロフラスコに7一(1
H−テトラゾール−1−イルアセトアミド)−3−(ベ
ンズイミダゾール一2−イル)チオメチル−3−セフエ
ム一4−カルボン酸928ワ、1,3,4チアジアゾー
ル一5−チオール317即、アセトン22m1と水18
m1を投入し、70℃に加熱する。
反応率94%であつた。この反応液を冷却し、常法によ
り、エーテルで夾雑物を除去した後、1N塩酸水にて、
PHl.5に下げ、40meの酢酸エチルエステルにて
、3回抽出した。無水硫酸マグネシウムにて、乾燥し、
減圧下に溶媒を留去すると、7一(1H−テトラゾール
−1−イルアセトアミド)−3−(2−メチル−1,3
,4−チアジアゾール一5−イル)チオメチル−3−セ
フエム一4カルボン酸、854m9の白色粉末を得た。
(純度95%)実施例 4 温度計を付した100m1の3つロフラスコに7一(1
H−テトラゾール−1−イルアセトアミド)−3−(ベ
ンズイミダゾール一2−イル)チオメチル−3−セフエ
ム一4−カルボン酸928ワ、1,3,4チアジアゾー
ル一5−チオール317即、アセトン22m1と水18
m1を投入し、70℃に加熱する。
更に反応触媒として、0.5M一硫酸水1111を添加
し、70℃のまま、2時間攪拌した。反応率を高速液体
クロマトグラフイ一にて定量すると、反応率は66%で
あつた。この反応液を冷却し、常法により、エーテルで
夾雑物を除去した後、1N一塩酸水にてPHl.5に下
げ40m1の酢酸エチルエステルにて、3回抽出した。
無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、減圧下に溶媒を留去
すると7(1H−テトラゾール−1−イルアセトアミド
)一3−(1,3,4−チアジアゾール一5−イル)チ
オメチル−3−セフエム一4−カルボン酸503ηの白
色粉末を得た。(純度94%)実施例 5 温度計を付した50m′の3つロフラスコに7一(1H
−テトラゾール−1−イルアセトアミド)−3−(ベン
ズイミダゾール一2−イル)チオメチル−3−セフエム
一4−カルボン酸464η、1,3,4−チアジアゾー
ル一5−チオール158η、ジクロルメタン20mf!
を投入し、30℃に加熱する反応液に無水塩酸ガスを吹
き込み、流量から、0.05モル吹き込んだ時点で塩酸
ガスをとめ、そのまま、5時間攪拌した。
し、70℃のまま、2時間攪拌した。反応率を高速液体
クロマトグラフイ一にて定量すると、反応率は66%で
あつた。この反応液を冷却し、常法により、エーテルで
夾雑物を除去した後、1N一塩酸水にてPHl.5に下
げ40m1の酢酸エチルエステルにて、3回抽出した。
無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、減圧下に溶媒を留去
すると7(1H−テトラゾール−1−イルアセトアミド
)一3−(1,3,4−チアジアゾール一5−イル)チ
オメチル−3−セフエム一4−カルボン酸503ηの白
色粉末を得た。(純度94%)実施例 5 温度計を付した50m′の3つロフラスコに7一(1H
−テトラゾール−1−イルアセトアミド)−3−(ベン
ズイミダゾール一2−イル)チオメチル−3−セフエム
一4−カルボン酸464η、1,3,4−チアジアゾー
ル一5−チオール158η、ジクロルメタン20mf!
を投入し、30℃に加熱する反応液に無水塩酸ガスを吹
き込み、流量から、0.05モル吹き込んだ時点で塩酸
ガスをとめ、そのまま、5時間攪拌した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 化学式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I )で示される
7−(1H−テトラゾール−1−イルアセトアミド)−
3−(ベンズイミダゾール−2−イル)チオメチル−3
−セフエム−4−カルボン酸、又はその塩と、一般式(
II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II)(式中Rは水
素、又はメチル基) で示される化合物を反応させることを特徴とする一般式
(III)▲数式、化学式、表等があります▼(III)(式
中Rは水素、又はメチル基) で示されるセフアロスポリン誘導体又はその医薬上許容
し得る塩の製法。 2 反応を酸性触媒下で行なう、特許請求の範囲第1項
記載の方法。 3 酸性触媒が、塩酸、又は、硫酸である特許請求の範
囲第2項記載の方法。 4 溶媒が極性溶媒、又は、含水の極性溶媒である特許
請求の範囲第1項記載の方法。 5 極性溶媒が、N,N−ジメチルホルムアミド又は、
N,N−ジメチルアセトアミドである特許請求の範囲第
4項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12927579A JPS5923316B2 (ja) | 1979-10-06 | 1979-10-06 | セフアロスポリン誘導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12927579A JPS5923316B2 (ja) | 1979-10-06 | 1979-10-06 | セフアロスポリン誘導体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5653684A JPS5653684A (en) | 1981-05-13 |
| JPS5923316B2 true JPS5923316B2 (ja) | 1984-06-01 |
Family
ID=15005553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12927579A Expired JPS5923316B2 (ja) | 1979-10-06 | 1979-10-06 | セフアロスポリン誘導体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923316B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100506210C (zh) | 2008-01-18 | 2009-07-01 | 山东罗欣药业股份有限公司 | 一种头孢替唑钠粉针及其合成方法 |
| CN102617606B (zh) * | 2012-03-31 | 2014-04-16 | 哈药集团制药总厂 | 一种头孢替唑钠化合物的制备方法 |
-
1979
- 1979-10-06 JP JP12927579A patent/JPS5923316B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5653684A (en) | 1981-05-13 |
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