JPS5923341A - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明け、Ｎ’ｌｔ＋、′８外線、紫外線などの光また
は？Ｐｉ、　門１１ｉｉ　１４線に感応するネガ型レジ
ストとして好適な樹脂組成物に関するものである。

通′）：τ、半導体集積回路等の固体素子は、ホトリソ
グラフィー技術およびエツチング技術などによる微細加
工により製造されている。近年、これら固体素子の高集
積化に伴ない、’０１　＃ｌＩｌなパターンを効率よく
形成するボトリソグラフィー技術が要求されている。従
来からのホ）　ＩＪソゲラフイー技術において一般に用
いられている環化ゴムと光架橋剤とを主成分とするネガ
型ホトレジストは、高感度であヒホトマスクヲ通シて紫
外線を露光することにより、効率よく短時間でパターン
を形成することができるが、解像度が低く微細パターン
を形成でへない。一方電子線に感応するレジストを用い
、電子線を絞ることにより、微細パターンを形成する技
術が知られている。しかしながらこの技術は電子線を絞
って、照射すべきパターンの端から端まで順次照射しな
ければならないため、照射に時間がかかるという問題を
、ｆする。例えば４インチウェーハ゛１枚を照射するの
に要する時間は、電、子線ビームを照射する装置、使用
するレジストの感度、′電子線を照射する面積などによ
り異なるが、通常１０分から５０分程度である。さらに
この電子線１！α射は真空中で行なわな（づればならな
いため、種々の複雑な装置を必要とし、工業的に大計生
産する固体素子の製造に電子線に感応するレジストを用
いると’Ｉｔ５！　Ｍ効率が非常に歴いという問題を有
する。

」二記問題を改良したホトリソグラフィー技術として、
微細パターンを形成する際に、２０００１Ｔ＋から３０
０１間程度０波長の遠紫外線に感応するレジストを使用
Ｖる方法が知られている。このようなレジストとして＆
Ｊ、例えばポリメチルメタクリラートあるいけポリメチ
ルイソプロペニルケトンなどを主成分とするレジストが
知られている。このＪ二うなＩ可ｆｉｌ尉外線にｎ♀１
ノー不するレジストを使用することによって、ｍ１ｐ；
ｊを１［ζ１射する装置のような複やｆｉｌな装置を必
ｊパとすず、マスクを介しでぶ紫外線を照ｑ＝ｔするこ
とにより、比較的短（（：ｊ間で微に１１１なパターン
を形成Ｊ−ることかできる。しかし々がら、これらのレ
ジストは（成用加工のために不可欠なドライエツチング
にｉＪする耐性が低く、実用刊に乏しいという問題を有
する。

不発明者ら（」、倣Ｘ１［１パターンを高精度に、かつ
効率よく形成１させることができ、さらに１゛ラーＣエ
ツヂングに対して高い銅ｆ′１：を有う−るレジストに
ついて脱感研究の結果、本発明を完成した。

りなわち、本発明は、（１）下記一般式（１）（ （几１．１（，２，几３．１も４．几５および■も６は
同一または異なり、水素原子、アルキル基、アルコキシ
八、ハロゲン原子、ハロアルキル基またはハロアルコキ
シ基であり、かつ１１．”、　Ｈ，”、　３１・４．＋
＋、５　および几６　の少なくとも１つがアルキル基、
アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基または］
・ロアルコキシ基である）で示される繰り返し構造単位
を有゛ジる重合体または共ｔｎ合体および■γ０または
電離放射線によりラジカルを発生ずる化合物を含むこと
を特徴とする樹脂組成物を提供するものである。

本発明で使用する重合体または共重合体において、前記
一般式（Ｉ″）で示される繰り返し構造＋１を位の好ま
しい割合は、重合体または共重合体中の全繰り返し構造
単位数の２０％以−ヒ、↑、〒に５０％以上である。一
般式（１）で示される繰り返し構造単位が少ないと、本
発明組成物の光または電離放射線に対する感度およびド
ライエツチングに対する耐性が低下する。

一般式（Ｉ）で示される繰り返し構造単位におけるＱｒ
ましい■もとしては、水素原子、メチル基、メトキシ基
、塩素原子、臭素原子、塩化メチル基または臭化メチル
基であり、４ｉ、７に水素またはメチル基が（Ｉｒまし
い。また一般式（１，）で示される繰り返しｔ１′４°
造？）１８位における好ましいＪｔ、’　、　Ｉｔ、３
．　Ｒ，’　。

Ｉｌ、’　Ｊ５よび１（，６としては水素原子、メチル
基、エヂル縫、メトキシ基、エトキシ基、塩素原子、四
素原子、塩化メチル基または臭化メチル糸であり、特に
水素原子、メチル基、塩化メチル基が９ｆましい。

寸だ一般式（１）で示されるＩｌ’ｊり返し構造単位に
おけるＩｔ”　、　Ｉｌ、Ａ、　？＋、’　、−も５お
よびＪ）、ｌｉの少在くとも１つ、好ましくは１〜２つ
がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロアル
ギル基またはハロアルコキシ県であるが、一般式（Ｉ）
で示さ１する繰り返しｔｔｒｔ造ｒｐ位を有する重合体
または共重合体の製造の容易さおよび本発明の樹脂組成
物とした場合の光または？１１　＃Ｆ放射線に対する感
度の而からはアルキル基またはハロアルキル基が好まし
く、特にアルキル基が好ましい。

一般式ＣＩ）で示される繰り返し構潰ｍ位と共重合体を
形成できる他の繰り返し構潰単８位としては、メタクリ
ル酸メチル中４位、メタクリル酸エヂルｌｉ位、メタク
リル酸ブチル中位、メタクリル酸グリシジル単位、アク
リル酸メチル単位、アクリル酸エチル単１位、アクリル
酸ブチルｌｌｔ位、アクリル酸グリシジルｌｌｉ位、メ
チルイソプロペニルケトン単位、メチルイソプロペニル
ケトンｌｔｔ　位、１−ビニルナフタレン単８位、２−
ビニルナフタレン単位、２−ビニルピリジン１１１位、
４−ビニルピリジン屯位、無水マレイン酸１　（１’／
、酢酸ビニルｍ位などの不１６Ｍ　ｉｌ＋エチレン化合
物単位などの構成成分を挙げることができるが、光また
は電離放射線に対する感度およびドライエツチングに対
する耐性のためには、と杆らの繰り返し構造ｌｉｔ位は
共重合体中の全繰り返し構造単位数の８０％未満が好ま
しく、特に５０％未満が好ましい。

本発明に用いる重合体または共重合体の分子喰について
、特に制限はないが、本発明組成物の光または電離放射
線に幻する感度をさらに高めるためには分子歌は高い方
が好咋しく、レジストとしての塗膜形成のための取扱面
からは分子用が低い方が好ましい。２つの相反する要求
を〆１肯たずための分子はは数３１′均分子ｒｆ（で１
万から１５０万がｌ１ｉｒ′？ｅＬ　＜　、より好まし
くは２万から７０万である。

本発明に用いる重合体またけ共重合体は例えば下記のノ
テ法で７１）ることかできる。すなわち一般式（１１） （Ｉｔ７．　Ｉｔ”、　１９．．１１．１０．几１１お
Ｊ：び■Ｃ１２は同一または異なり、水素原子、アルギ
ル基またはアルコキシ古（を示し、Ｉｔ　、几、■も、
几および几　の少なくとも１つがアルキル基またはアル
コキシ基である）で示さねる単６１体、または一般式（
ＩＩ）で示される単敗体および一般式（ＩＩりＴ （几１３は水素原子またはアルキル基である）で示され
る？ｌｔ量体を含有する中１風体を重合または共重合づ
°ることにより得ることができる。また得られた重合体
重たは共重合体を、例えばジャーナル・Ａブ・アメリカ
ン・ケミカル・ソリエディ−１７３，２９４０（１９５
１）に記載されているように、溶媒の存在下、塩化スル
フリル、ヨウ素、臭素等のハロゲンラジカル発生能のあ
る化合物および過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル発
生剤を用いてラジカル的にハロゲン化することに」こり
、ハロゲン原ｒ−、ハロアルキル晶また番まハロアルコ
キシ基を有する重合体または共重合体を得ることができ
、これらの重合体またＣ４共重合体も本発明に用いるこ
とができる。

−１−開方法において一般式（１，１）で示される単１
１体としては、例えば、０−メチルスチレン、■−メチ
ルスチレン、Ｉ）−メチルスチレン、〇−エヂルスブレ
ン、１ｎ〜エチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、１）
−メチルスチレン、α。

＋１１−ジメチルスチレン、２．４−ジメチルス−ｒ−
ｔｚンなどを挙げることができ、これらの単敏体を２種
以上（１１用し−Ｃもよい。また一般式（ＩＩＩ　）で
示され６弔（；１体としては、α−メヂルスヂレン、ス
プーンなどを挙げることができ、これらの中、１７１休
を２　ｆｉｎ　Ｊ、Ｕ、子供用してもよい。井たさらに
、′−一般式］ＩＩで示される？１１遺体または一般式
（ＩＩＩ）−Ｃ７Ｊ、、される０（ｊ、ｔ　、ｆ、ｌこ
と共重合−づることのできる弔噴体としては、例えばメ
タクリル酸メチル、メタクリルＩ″１安エチル、メタク
リル酸ブチル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸メ
チル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル
酸グリシジル、メチルイソプロペニルケトン、メチルイ
ソプロペニルケトン、■−ビニルナフタレン、２−ビニ
ルナフタレン、２−ビニルピリジ／、４−ビニルピリジ
ン、無水マレイン酸、酢酸ビニルなどの不飽和エチレン
化合物などを挙げることができる。

」二記方法において、得られた重合体または共重合体を
ラジカル的にハロゲン化するときの溶媒としては、ハロ
ゲンラジカルとの相互作用のないものが好ましく、四塩
化炭素、四臭化炭素などのハロゲン化炭化水素が特に好
適に用いられる。またハロゲン化の稈度は、通常ハロゲ
ンラジカル発生能のある化合物の使用眼によってコント
ロールすることができる。

」二記方法の一般的なハロゲン化反応条件は、反応溶液
中のハロゲン化する重合体または共重合体の濃度として
は３〜２０　爪畝％、ラジカル発生剤の使用機としては
ハロゲン化する重合体または共重合体１００爪隈部に対
して００１〜５爪爪部、反応温度として６０〜２００ｃ
を挙げることができる。

本発明に使用する光または７１７１離放射線によりラジ
カルを発生ずる化合物としては、例えば２゜６−ビス（
４′−アジドベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビ
ス（４′−アジドベンザル）−４＝メチルシクロへキャ
ノン、４，４′−ジアジドカルコン、４，４′−ジアジ
ドビフェニル、３．３’−ジアジドビフェニルｉ、４′
−ジアジドフェニルメタン、　　３．３′−ジアジドジ
フェニルメタン、４゜４′−ジアジドフェニルエタン、
３．３′−ジアジドジフェニルエタン、　４．４’−ジ
アジドジフェニルエーテル、３．３７−ジアジドジフェ
ニルエーテル、４．４′−ジアジドジフェニルスルフィ
ド、３．３”ジアジドシフ−しニルスルフィド、４．４
′〜ジアジドジフエニルスルポン、３．３’−ジアジド
ジフェニルスルポンなどの芳香族アジド化合物などが挙
げられ、これらを２種以上併用してもよい。

これらの化合物は、上記重合体または共重合体ｌ（用型
ｎ１部に対して好ましくは０２〜３ｏ爪悶部、１５゛に
好士しくは０５〜２０重に部添加することができる。

本発明組成物は、安定剤、）ｙｌｌえげヒドロキノン、
メトキシフェノール、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、２．
２′−メチレンビス（６−１〜ブチル＝４−メチルフェ
ノール）などのヒドロキシ芳香族化合物、ベンゾキノン
、ｐ−）ルギ／ン、ｐ−ギシロキノンなどのキノン化合
物、フェニル−β−ナフチルアミン、ｐ＋　ｐ’−ジフ
ェニルフェニレンジアミンなどのアミン化合物、ジラマ
クリルチオブロピオナート、４．４′−チオビス（６−
１−ブチル−３−メチルフェノール）、２，２′−チオ
ビス（４−メチル−６−１−ブチルフェノール）、２−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロギシアニリノ）
、４．６−ビス（Ｎ−ｄクチルチメ）−Ｓ−）リアジン
などの硫黄化合物などを０．５〜５重ｈ１％程度添加す
ることができる。

また本発明組成物は色素、顔料などを添Ｉノ（１すると
ともできる。

本発明組成物は、一般にキシレン、エチルベンゼン、ｌ
・ルエンなどの石油留分に溶解した溶液で取り扱われる
。この場合の本発明組成物の濃度は一般には３〜３ｏｍ
ｆｆｉ％である。

本発明によれば、光または？「離放射線の照射によって
現像液に不溶となり、高感度で微細パ々−ンを高精度に
形成することができ、かつドライエッグーンゲに対して
高い耐性を有する、ネガ型レジストとしてＱｒ適なＧ’
ｔＪ脂組成物を提供することができる。

次に本発明を実施例によりさらに詳１（１１に説明する
っ 実施例１ 内容積２Ｃの４つ目丸底７ラスフに磁気回転−「−を入
れ、系内を窒素で置換し、窒素気流下にシフｒ１へキリ
ン３２０Ｆ＋ｒ）−メグールスチレン３５４りを入れ、
系内を均一溶液としたのち内温を６０Ｃに保った。つい
で窒素気流下にｎ−プチルリチウトの０５０モル／ａシ
クロヘギサン溶ｌｔ’ｔを２０　＋ｎｅ　＋１１１えて
重合を開始さすたっ６０分後に重合率は９９％になった
。反Ｉ心溶液を２，６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾー
ルを含ムメタノール中に入れ、Ｈｔ重合体回収し、４０
ｃで１６時間、減圧乾・操した。このようにしＣ得られ
た取合体のメンブランオスモメーターによって測定した
数平均分子には５Ｘ１０’であった。

上記により得られた取合体ｌＯＯ重暇部に対し、４．４
７−ジアジドジフェニルメタン５爪に部を添加し、キシ
レンに溶解して固型分１度８８爪夙の結果８…Ｊ　７ｃ
ｍ２の照ｑ１エネルギーで０６μｍのパターンがマスク
に忠実に解（（１できることが判った。

実施例２〜７ 実施例１において、４．４′−ジアジドジフェニルメタ
ンの代りに表１のアジド化合物を用いた以外（ま、まっ
たく同様にして、パターンを形成結果を表１に示す。

表　　　　１ 実施例８ 内容積２Ｑの４つ口丸底フラスコにＱ１磁気転子を入れ
、系内を窒素に置換し、室床気流、下にシクロへギーリ
／ン３２０７、ｐ−メチルスチレン１４２］、ＩＩ＋−
メチルスチレン２】２りを入れ県内を均一・溶液とした
のち、内温を６０′ｃに保った。

ついで窒素気流下に、ｊｌ−ブチルリチウム０．５モル
／Ｑシクロへキリ′ン溶液を１．５　ｍｌ加えて重合を
開始させた。６０分後に重合率は１００％となった。

反応’ｆｆｆ液を２．２１−メチレンビス（６−１−ブ
チル−４−エチルフェノール）を含むメタノール中に入
れ、共Ｗ（合体を回収し、４（）Ｃで１６時間減圧乾燥
した。このようにして得られた共重合体のメンプランオ
スモメーターによって測定した数平均分子量は１０ＸＩ
　Ｏであった。

」二記により得られた共重合体１００爪阻部に対し、２
．６−ビス（４′−アジドベンザル）−４−メチルシク
ロへキサノン５取鼠部を添加し、キシレンに溶解して固
形分濃度８．０　ｍ　、ｔ？ｔ　％の溶液とした。この
溶液を０．７μｍの熱酸化膜のついたシリコンウェーハ
上に乗せ、２００ｒｐｍで２秒、つづいて４　、ｏｏｏ
ｒｐ口１で３０秒間回転塗布した。８０Ｃの循環式クリ
ーンオープンで３０分間熱処理したのち膜厚を測定した
ところ、Ｑ、、５１ｔｍであった。キャノン■製露光（
ｆｉ　Ｉ’ＬＡ５０１　Ｆを用いて、マスクを通して７
．４ｍＷ／ｃｍ’　の強度の紫外線を約１１秒照射した
のち酢酸セロソルブで１分間現像し、メチルエチルケト
ン／イソプロピルアルコール＝３／１（容噴比）および
１／１（容屯比）の２種の混合液を用いて順に２０秒問
および６０秒間リンスした。この結果６ｍＪ／ｃｍ２の
ＩＫＩ　’ｌ！ｔエネルギーで０．８　ｚｚｍのパ々−
ンがマスクに忠実に解像できることが判った。

比較例１ 内容ｒＪ（２Ｑの４つＬｉｌ　ＪＬ　ｌ戊フラスコに磁
気回転子を入れ、県内を窒素に置換し７、窒素気流下に
シクロへキリン４８１グ、スチレン５２５’を入れ系内
を均一溶液としたのち、内温を６０ｔｒに保った。

ついで窒素気流下に１１−ブチルリチウムの０．５七ル
／Ｑ、シクロへキーリン（８液を１．４２　ｒｒｒｌ加
えて重合を開始させた。６０分後に重合率は１００％と
なった。反応溶液を２．２′−メチレンビス（６−１−
ブチル−４−エチルフェノール）を含ムメタノール中に
入れ、重合体を回収し、４０Ｃで１６時間減圧乾ｉ！Ｖ
！　した。このようにして得られた重合体のメンブラン
オスモメーターによって測定した数平均分子蹴け１０　
Ｘ　１０　　であった。

」１記により得られた重合体１００重晴部上対し、４．
４′−ジアジドジフェニルメタン５重ｊ仕部を添加し、
キシレンに溶解して固型分濃度８２　　爪噴％とじた。

この溶液を０．７　ｔｉｍの熱酸化膜のついたシリコン
ウェーハ上に乗せ、２０（ｌ　ｒｐｍで２秒、つづいて
４，０００ｒｐ＋ｎで３０秒曲回転塗布した。８０Ｃの
循頃式りリーンメーブンで３０分間熱処理したのち膜厚
を測定したところＱ、５１Ｌｒｎであった。

ギヤノンｆｌｏ製露光（ｌ　ＰＬＡ、５２１　Ｊ−を用
いて、マスクを通して７．４　ｒｎＷ、４面２０強度の
遠紫外線を約２２秒照射したのち酢酸イソアミルで１分
間現像しイソプロピルアルコールを用いて１分間リンス
した。この結果Ｉ６０…Ｊ　／Ｃ１ｎ２の照射１斤、ル
ギーでかろうじてパターンが形成され、解像度は５／引
１であった。

実施例９ ｐ−メチルスチレンのかわりに、ｐ−メチルスチレン１
”；ｔ、’ｔｙスチレン１７．７Ｆを用いた以外、実施
例１とまったく同様にして共重合体を得た。

取合率１（［１％で、メンプランメスモメーターによっ
て測７１テした数平均分子Ｆ；’ＣＩｔ　４．５　Ｘ　
１０　であった１、十記により了りられた共重合体１０
０重は部に文ＪＬ、２．６−ヒ゛ス（アジドペンリ゛ル
）−４−メヂルシクロヘキーリノン５ｆｆｉｆｔｔＭを
添加し、キシレンに溶１γｒして固形分ｊ０度９．３１
．ｎ　１．？ｔ％の溶液とした。この溶ｚ像を０．７　
ｔｎｎの熱百句化ＩＩＡのついたシリコンウェーハ＋に
乗せ、２００　ｒ　ｐｍで２秒、つづいて４　ｆ）ＯＱ
　ｒ　ｐｉで３０秒間回転塗布した。８０Ｃの０１１環
式クリーンオーブンで３０秒間熱処理したのち１１・：
（１やを１ｌｌｌｌ定したところ、０．５　／１１１１
のＫ・布膜が形成されていた。ギヤノン什り製露光杉喝
１）ｌ、Ａ５　（１１Ｆを用いＣ、マスクを通して７．
４　＋ｎＷ／１ｙｎ２の強バ（の遠紫外線を約２２秒照
射したのち酢酸イソアミルで１分間現像し７、イソプロ
ピルアルコールを用いて、１分間リンスした。この結果
＋　６　ｍ　Ｊ　／Ｃｍ２　の１ｊ４（射工＊　ルキ−
テ０．８　］ｊｌｌ＋　（７：）　パターンがマスクに
、忠実にＰｆｆ（ψできるこ七がｒＪＪった。

実施例１０ 上記実施例１〜９で得たパターンを平行平板型ドライエ
ツチング装置（電極間隔４０語）にて、エツチングガス
としてＣＦ　４１０２　（９５／　５容咀比）を用い、
出力１００Ｗ、ガス圧１５ｐａで耐ドライエツチング性
を調へた。

結果を表２に示す。表２より本発明の樹脂組成物から得
たパターンは耐ドライエツチング性に優れていることが
わかる。

表　　２ （注）エツチング速度：ポリメタクリル酸メチルからな
るレジストのエツチング速１ｘ　（］　ＯＯｏ＄Ｊを１
としたときの相対的エツチング速度を示す。

手続浦正書（１↓口こ） ■、事イ′Ｉの表示 昭和５７年４゛、１￥ｒＭｉ第　１３３０１８　　号２
、発明の名称 樹脂組成物 ３ｒｌｌ！１１″をする者 事１′１どの関１糸　　特許出願人 住所 ４、代　Ｊ、ｌｌｊ　　人〒１０７ 補正の内容 （１）　　’ｆ’！ｉ許請求の範囲を別紙のとおりに訂
正する。

（２）　　明細９４、第５頁第９行に「ラジカル」とあ
るを１架橋反１．Ｕ；活性種］と訂正する。

（３）　　同、第７頁第３行の１メタクリル酸メチルＪ
ｌｊ位」の前に１−スチレン単位、α−メグ−ルスチレ
ンＪ１位、」を加入する。

（４）　　同、第１１頁トーから２Ｐ、２行に「う／″
カル発生ずる化合物としてｅま、」とあるを１記のどお
りに訂正する。

Ｈ己 ［−架（高反応活１′Ｉ、鍾を発生するｆヒ合ｌ吻にお
りる架橋反応活性種としてＣ１Ｉ１、カルベン、ラジカ
ル、カイ１−レンなどを挙げることができる。架橋反応
活性種としてカルベンを発生ずる化合物としで−、例え
ば［）−ぺ／ノ。

キノンジアジド、ｐ−ナフトキノンジアジドなどの１）
　−−（ノンジアジド系の化合物庖、化合′吻としては
、ジアセチル、ぺ／ジインなどの）Ｊ／レボ゛ニウノ・
化合′１勿、アソ゛ビスイソブチロニ；・リルなどのア
ゾ化合物、メルヵダタンジスルフ・イドなどの有機イオ
ウ化合物など介ム架槁反応活件種としてナイトレンを４
１１生する化合物としてｃ、１１、　　　　　」２、特
許請求の範囲 （ｉ）　　下記一般式（１） （４ （ｎ、１．　＋＋、′、　ｎ；’　、　ｎＦ　、　ｓも
５およびｌＬ’９ま同−寸たけ昇なり、水素原子、アル
ギル基、アルコキノ基、ハロゲン原子、ハロアルギル基
またはハロア／Ｌ／　：ｆｆ　？ｊシ基であり、かツＩ
ｔ’　、　Ｉｌ、’　、　Ｈ乙１（５５およびＩＬ’の
少なくとも１つがアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン
原子、ハロアルキル基−まだし」、ハロアルコギン基で
ある）で示されるルＹ！り返しく″ｔ４造単位を有する
重合体１だは共重合体、および■）’（−、ｉだけ電離
放射線により架橋反応活性種を発生ずる化合物を含むこ
とを特徴とする樹脂組成物。

手続補正書（白地 牛う許庁長官　　若　杉　和　夫　　Ｉ！投１、事件の
表示 昭和５７年特ｉ’ｌ願第　１３３０１８　　号２、発明
の名称 樹脂組成物 ３、補正をする者 車色との関（系　　１１守Ｎ’ｌ’　Ｉ　ｌ　ｌ願人住
所 ４、代　］」１　　人〒１０７ 補正の内容 昭和５７年９月２１１付手続補正今１オ第２頁、補正の
内容第（３）項（第２頁第５行〜第７行）を下記のとお
りに訂正する。

記 （３）　　同、第７訂第３行の１メタクリル酸メチル単
位Ｊの前に［インプレン単位、ブタジェン単位などの共
役ジエン単位、スチレン単位。

α−メチルスチレン単位」を加入する。

以　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■　下記一般式（Ｉ） Ｉｔ１ 几４ （Ｉｔ、几、几、　Ｉｔ　、　Ｉｔ、および几　は同一
   または異なり、水素原子、アルギル基、アルコキシ基、
   ハロゲン原子、ハロアルキル基またはハロアルコキシ基
   であり、かつＩｔ　、几＋　Ｒ＋几および几の少なくと
   も１つがアルキル基、アルコキシ基、ハロゲンｉ子、ハ
   ロアルキル基またはハロアルコキシ基である）で示され
   る繰り返し構造単位を有する重合体または共重合体、お
   よび■光またはｉｔｊ　雛放射線によりラジカルを発生
   する化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物。