JPS5988733A - 電離放射線感応性材料の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、遠紫外線、Ｘ線、電子線などの電離放射線に
感応するネガ型レジストとして好適な電離放射線感応性
材料に関する。

通常、半導体集積回路などの固体素子は、ホトリソグラ
フィー技術、エツチング技術などによる微細加工により
製造されている。近年、こ：ｈら固体累子の高集積化に
伴ない、微細パターンを効率よく形成するホトリソグラ
フィー技術が要求されている。従来からのホトリソグラ
フィー技術において一般に用いられている環化ゴムと光
架橋剤とを主成分とするネガ型ホトレジストは、高感Ｉ
Ｗであり、ホトマスクを通して紫外線で露光することに
より、効率よく知時間でパターンを形成することができ
るが、解像度が低く微細パターンを形成できガい。一方
、紫外線に代えて、波長の短い途紫外線、Ｘ線、電子線
などの高エネルギーの電離放射線を用いて微細パターン
を形成する技術が開発さね、またウェットエツチングに
代わって、ガスプラズマ。

反応性スパッタリング、イオンミリングなどを月１いた
ドライエツチングにより微細パターンのエツチングを行
なう技術が開発されている。

電離放射線を用いてパターンを形成し、ドライエツチン
グを行なう場合に使用するレジストは、電離放射線に対
して篩感度に感応し、微細パターンを高精度に形成する
ことができ、かつドライエツチングに対して篩い耐性を
有することが必要である。このようが現状において、’
＋ｔＣ離放射線に感応するレジスト材料として、例えば
ポリスチレンが知られているが、′１１”［放射線に対
する感度が低いという欠点を有している。

本発明者らは、電離放射線に対する感１μが高く、微細
パターンを宿ｊ梢度に形成させることができ、かつドラ
イエツチングに対して高い耐性を有するレジストについ
て鋭意研究の結果１本発明を完成した。

すなわち、本発明の要旨は、下記の一般式（Ｔ）で示さ
れる繰返し構造単位 妃 ４ （式中、Ｒ’、　Ｒ２，Ｒ３＋　Ｒ’、　Ｒ５およびＲ
６け回−捷たは異なり、水素原子、炭素数１〜３のアル
キル基（以下単にアルキル基とｎｌす）、炭素数１〜３
のアルコキシ基（以下単にアルコキシ基と詔、す）、炭
素数１〜３のノ・ロアルキル基（以下単にハロアルキル
基と記す）寸たは炭素数１〜３のハロアルコキシ基（以
下単に）・ロアルコキシ基と記す）であり、かつＲ，Ｒ
，Ｒ，ＲおよびＲの少なくとも１つがハロアルキル基ま
たはハロアルコキシ基である）および下記一般式（ＩＩ
）で示される繰返し構造単位 ７ １０ （式中、Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０１Ｒ”およびＲ１２
は同一または異なり、水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基であり、かつＲ８，Ｒ９，１ｔｌｏ、　Ｒ１１およ
びＲ１２の少なくとも１つがアルキル基である） を有する重合体からなる電離放射線感応性材料にある。

本発明のセ刺となる重合体において、前記一般式（Ｉｎ
で示される繰返し構造単イぐの割合は、全繰返し構造単
位数の２チル８０％であり、好ましくは４チル６０％で
ある。才だｂ　１ｓｉｌ記一般式（ＩＩ）で示される繰
返し構造単位の割合は、全繰返し構造単位数の２０％〜
９８％であり、好ましくは４０チ〜９６％である。捷だ
、一般式（Ｉ）で示される繰返し構造単位および一般式
（１１）で示される繰返し構造単位の合計は、全繰返１
〜構造単位数の２５チ以上、好ましくは５０％以上、特
に打首しくは７０〜１００チである。一般式（１）で示
される繰返し構造単位が上記の割合よりも少ないと、電
離放射線に対する感度が低下し、一般式（■）で示され
る繰返し７構造単位と一般式（ｎ）で示濾ねる繰返し構
造単位の合計が少ないと、感度およびドライエツチング
耐性が低下する。

一般式（１）で示される繰返し構造単位におけるＲ１．
　Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およびＲ６と１．では、水素
原子、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、クロロメチル基、ブロモメ
チル基、クロロエチル基、クロロプロピル基、クロロメ
トキシ基、クロロエトキシ基などを拳げることができる
が、好ましいＲとしては、水素原子、メチル基、メトキ
シ基、クロロメチル基またはブロモメチル基であり、特
に水累寸／ヒはメチル基が好ましい、また打首しいＲ２
，Ｒ３，Ｒ’、　Ｉえ５およびＲ６としては水素原子、
メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、クロロ
メチル基またはブロモメチル基であり、特に水素原子、
メチル遅、クロロメチル基が好まｌ〜い。さらにＲ２，
Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およびＲ６の少なくとも１つ、好−ｉ
ｔ、＜は１〜２つが７・ロアルキル基捷たはノ・ロアル
ゴキシ基であるが、特にクロロメチル基が打首しい。

一般式（ｎ）で示される繰返し構造単位におけるＲ７，
１Ｎ８　、１４９　、　Ｒ１，０，Ｒ１１およびＲ３２
としては、水紫原子、メチル基、エチル基、プロピル基
、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基を挙けること
ができるが、好ましいＲ７としては、水素原子、メチル
基、メトキシ基であり、特に水素原子またはメチル基が
打首しい。捷だ、打首しいＲ８＋　Ｒ９＋　Ｒ”＋　Ｒ
”およびＩ尤１２としては、水温そノ京子。

メチル基、メトキシ基、エチル基捷たけエトキシ基であ
るが、特に水素原子、メチル基が好ましい。さらに捷た
、Ｒ，Ｒ，Ｒ，ＲおよびＲ１２の少なくとも１つ、好ま
しく　Ｈ’　１〜２つがアルキル基であるが、特にメチ
ル故が打首しい。

一般式（Ｉ）および（旧で示される経返し構造単位と重
合体を形成できる他の繰返し積、造単位としては、スチ
レン単位、α−メチルスチレン単位、メタクリル酸メチ
ル単位、メタクリル酸エチル単位、メタクリル酸ブチル
ノ１Ｌ位、メタクリル酸グリシジル単位、アクリル酸メ
チル単位、アクリル酸エチル単位、アクリル酸メチル単
位、アクリル酸グリシジル単位、メチルイソプロペニル
ケトン単位、エチルイソプロペニルケトン単位、１−ビ
ニルナフタレン単位、２−ビニルナフタレン単位、２−
ビニルピリジン単位、４−ビニルピリジン単位、無水マ
レイン酸単位、酢酸ビニル単位力との不飽和エチレン化
合物単位、ブタジェン単位、イソプレン単位などの共役
ジエン化合物即位などの構成成分を挙げることができる
が、電離放射線に対する感度およびドライエツチングに
対する耐性の向上のためには、これらの繰返し構造単位
は重合体中の全繰返し構造即位数の８０％未満、好まし
くは５０チ未満、特に好１しくけ３０％未満である。

本発明の材料となる重合体の分子量は、特に制限はない
が、電離放射線に対する感度をさらに高めるためには分
子量が高い方が好ましく。

レジストとじての塗膜形成のための取扱面においては分
イ量が低い方が好ましい。この２つの相反する要求を満
たすための分子量は数平均分子量で１万から１５０万が
好ましく、より好ましくは２力から７０万である。

本発明の材料である重合体は、例えば下記の（１１甘た
は（２）の方法で得ることができる。

（１）　　一般式（Ｉ旧で示される単量体（式中　ｘ＜
　１３．　Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ１７お、ｌ：ヒ
’Ｒ１８は回−甘りは異なす、水素原子、アルキル基、
アルコキシ基、ハロ７にキル基またはハロアルコキシ基
を示Ｌ　Ｒ、Ｒ、Ｒ。

Ｒ１７およびＲ１８の少がくとも１つがハロアルキル基
またはハロアルコキシ基である。） および一般式（ＩＶ）で示これる単量体２２ （Ｒ、Ｒ、Ｒ、Ｒ、ＲおよびＲは同一″！！たけ異なり
。

水素原子、アルキル基ｈ　”ｒｆｃはアルコキシ基であ
り、かつＲ、Ｒ、Ｒ、ＲおよびＲの少なくとも１つがア
ルキル基である。） で示される単量体を含有する単量体を１′合することに
より得ることができる。

上記方法において、一般式（ｍ）で示される早開°体と
しては、例えば、０−クロロメチルスチレン、ｍ−クロ
ロメチルスチレン、ｐ−クロロメチルスチレン、０−ク
ロロメチル−α−メチルスチレン、ｍ−クロロメチル−
α−メチルスチレン、ｐ−クロロメチル−α−メチルス
チレ７、ｏ−クロロメチル−ｐ−メチルスチレン、ｐ−
クロロメチル−〇−メチルスチレン、〇−ブロモメチル
スチレン、ｍ−ブロモメチルスチレン、１１−ブロモメ
チルスチレン、ｍ−クロロエチルスチレン、ｍ−クロロ
エチル−α−メチルスチレン、ｐ−クロロプロピルスチ
レン、ｐ−クロロプロピル−α−メチルスチレン、ｍ−
クロロメチル−α−エチルスチレンなどヲ挙ケることが
でき、これらを２種以上併用してもよい。

捷た、一般式（ＩＶ）で示される単量体としては、例え
ば、０−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メ
チルスチレン、０−エチルスチレン１ｍ−エチルスチレ
ン、ｐ−エチルスチレン、ｍ−プロピルスチレン、ｐ−
メトキシスチレン、α９ｍ−ジメチルスチレン、２，４
−ジメチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−メチ
ル−α−メチルスチレン、ｐ−エチル−α−メチルスチ
レン、　　Ｉ）−ニア’ロビルーα−エチルスチレンな
どを準げることができ、と力、らの単量体を２種以上併
用してイ、よい。

さらに才た、一般式（ＩＩＩ　）で示されろ単量体およ
び一般式（ＴＶ）で示される単量体と共Ｍ丁合すること
のできる単量体としては１例乏ば、スチレン、α−メチ
ルスチレン、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル
、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸グリシジル、アク
リル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、
アクリル酸グリシジル、メチルインプロペニルケトン、
エチルイソプロペニルケトン、Ｊ−ビニルナフタレン、
２−ビニルナフタレン、２−ビニルピリジン、４−ビニ
ルピリジン、無水マレイン酸、１１− 酢酸ビニルなどの不飽和エチレン化合物、ブタジェン、
イソプレンなどの共役ジエン化合物などを挙けることが
できる。これらの単量体を重合するための重合開始剤と
しては、例えば４゜４′−アゾビスイソブチロニトリル
、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイルなどのラジカル
重合開始剤を用いることができる。ラジカル重合開始剤
の使用量は１通常単量体１００重量部に対して０．０１
〜１０重量部である。また重合溶媒としてはベンゼン、
トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリンなど
の芳香族炭化水素、シクロヘキサン、デカリンなど、の
脂環式炭化水素、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの
Ａｈ　肪族炭化水素、あるいはこれらの混合物が好適に
用いられる。これらの重合溶媒は、通常単量体の濃度が
１〜５０重ｆｆｒ：　％になるように使用する。重合温
度は特に限定するものではないが、反応の経済性から、
一般には室温以上であり、上限は溶媒の沸点以下である
。好適な重合温度は４０ｔＺ’−１００Ｃである。

１２− ＋２１　一般式（ＩＶ）で示される部量体とスチレン、
α−アルキルスチレン捷たはα−アルコキシスチレンと
を含有する単量体混合物を重合し、次いで得られた重合
体のベンゼン環をハロアルキル化することにより得るこ
とができる。

上記α−アルキルスチレンは具体的にはα−メチルスチ
レン、α−エチルスチレンおよびα−プロピルスチレン
を意味し、上記α−アルコキシスチレンは具体的ＩＱｉ
α−メトキシスチレン、α−エトキシスチレンおよびα
−グロポキシスチレンを意味するものである。こレラの
スチレン、α−アルキルスチレン、α−アルコキシスチ
レンは２棟以上併用してもよい。

一般式（ｒＶ）で示される単量体とスチレン、α−アル
キルスチレン捷タハα−アルコキシスチレンと共重合す
ることのできる単量体としては。

前記一般式（■１）で示される単量体および一般式■）
で示される単量体と共重合できる単量体と同様の単量体
を例示することができる。これらの単量体を重合するだ
めの重合開始剤としては、リチウムナフタレン、ナトリ
ウムナフタレン。

カリウムナフタレンのような電荷移動錯体ｔｎ−ブチル
リチウム、Ｓ（資）−ブチルリチウノ・、ベンジルカリ
ウム、クミルカリウム、ジエチル亜鉛、ジブチルマグネ
シウムのような有機金属化合物などのアニオン重合開始
剤または（１１の方法と同様々ラジカル重合開始剤を用
いることができる。

アニオン重合開始剤の使用量は、通常単量体１モルに対
して２×１０〜５×１０　モルであり。

ラジカル重合開始剤の使用量は、（１）の方法の場合と
同様である。また重合溶媒および重合温度も（１）の方
法と同様の溶媒および温度を挙げることができる。重合
体をハロアルキル化するための試薬としては、例えはク
ロロメチルメチルエーテルを挙げることができ、このク
ロロメチルメチルエーテルは反応系の溶媒としても使用
さ力７、通常重合体濃度が１〜５０重ｆ４−ｅｌ）にな
るように使用すＺ）。ノ・ロアルキル化反応の触媒とし
ては、四塩化スズ、塩化亜鉛などが好適に使用され、そ
の使用量は重合体を構成する即量体１モルに対１，０．
０１〜１モルが一般的である。才たハロアルキル化反応
は一１０〜４０′ｃで行なうことが好ましい。ハロアル
キル化反応終了後、通常は反応を停止するために触媒を
分解するが。

これには反応系に水を添加する方法が一般的である。な
お、反応系に水を添加する場合は、水をジオキサンなど
の有機溶媒と混合して添加することもできる。

本発明の材料は、安定剤、例えばヒドロキノン、メトキ
シフェノール、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、２，２′−
メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール
）などのヒドロキシ芳香族化合物、ベンゾキノン、ｐ−
１−ルキノン。

ｐ−キシロキノンなどのキノン化合物、フェニル−β−
ナフチルアミン、ｐ、ｐ’−ジフェニルフェニレンジア
ミンなどのアミン化合物、ジラウリルチオプロピオナ−
１−，４，４’−チオビス（６−Ｌ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）、２，２′−チオビス（４−メチル−６
−ｔ−ブチルフェノール）、２−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシアニリノ）−４、６−ビス（Ｎ−
オクチルチオ）−ｓ−トリアジンなどの硫黄化合物など
を上記重合体１００重量部に対して０５〜５重量部程度
添加することができる。捷た本ｓｈ明の材料ｄ色素、顔
料などを添加することもできる。

本発明の材料は、一般にキシレン、エチルベンゼン、ト
ルエンなどの石油留分に溶解した溶液で取り扱われる。

この場合の本発明の材料の濃度は、一般には３〜３０市
量チである。

本発明によれば、電離放射線の照射によって、ｊｌ、’
保液に不溶となり、高感度で微細ノ（ターンをｉ０＋精
度に形成することができ、かつドライエツチングに対し
て高い耐性を有する、ネガ型レジストとして好適な材料
を提供することができる。

次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。

実施例１ 内容＆１００ｍ７！のガラスアンプル内を窒素で置換し
、窒素気流下にシクロヘキサン１５３ｇ、ｐ−メチルス
チレン１１．３ｑ、ｐ−クロロメチルスチレン４．０ｇ
およびアゾビスイソブチロニトリル０．０２９を入れ、
アンプルを封じた。次いで、アンプルを６０Ｃの湯浴に
浸漬し振とうした。

１２時間掘とうしたのち、取り出して重合率を測定した
ところ、８８チであった。

この反応溶液を２，６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾー
ルを含むメタノール中に入れ、重合体を回収し、４０Ｃ
で１６時間、減圧乾燥した。このようにして得られた重
合体のメンプランオスモメータによって測定した数平均
分子量Ｆｉ５×１０であった。

上記により得られた重合体をキシレンに溶解して固型分
濃度８．８ｍｉ％の溶液とした。

この溶液を０．７μｍの熱酸化膜の付いたシリコンウェ
ーハ上に乗せｂ　２００ｒｐｍで２秒、つづいて４００
０ｒｐｍで３０秒間回転塗布した。窒素雰囲気下、９０
Ｃの循環式クリーンオーブンで３０分間熱処理したのち
膜厚を測定したところ、０５μｍの塗布膜が形成きれて
いた。キャノン（株）製露光機ＰＬＡ５２１Ｆを用いて
、マスクを通して７．４　ｍＷ／ｃｍ２の強度の遠紫外
線を照射したのち、セロソルブアセテートで１分間現像
し、メチルイソブチルケトン／イソプロピルアルコール
＝　１．／１　（容ｔＵ１：比）の混合溶剤を用いて１
分間リンスした。この結果、８　ｍ　Ｊ／ｃｍ２の照射
エネルギーで０．６μｍのパターンが、マスクに忠実に
解像できることがわかった。

実施例２ 実施例１で得られた重合体の８８１（量チ溶液を、０．
７μｍの熱酸化膜の伺いたシリコンウェーハ上にのせｓ
　　２００　ｒｐｍで２秒、つづいて２００Ｏｒｐｍで
３０秒間回転塗布した。窒紫雰囲気下、９０Ｃの循環式
クリーンオーブンで３０分間熱処理したのち膜厚を測定
したところ、０７μｍの塗布膜が形成されていた。次に
、加速電圧１０ｋＶで電子線を照射し、実施例１と同様
に現像しリンスしたところ、　ＬＯｉｔＣ／ｃｍ２の照
射エネルギーで、残膜率７０係の０４μｍのパターンを
解像できることがわかった。才たゲル化点の照射エネル
ギーｉｔｓ、３５μＣ／ｒ１ｎ２であった。

さらに、１．０μＣ／ｃｍの照射エネルギーで形成した
パターンを、平行平板型ドライエツチング装置によって
、エツチングガスとしてＣＦ４１０□（９５１５容量比
）混合ガスを用い、出力］、ＯＯＷ、ガス圧１５Ｐａで
処理し、耐ドライエツチング性を調べたところ、レジス
トのエツチング速度に、ポリメタクリル酸メチルでの速
度の０．３５倍であり、良好な耐ドライエツチング性の
結果が得ら引た。

実施例３ 実施例１で得た重合体をキシレンに溶解して。

１２．８重量−の浴液とした。この溶液を用い、実施例
１と同様に１２で１．０μｍの塗膜を形成し１９− た。さらに、実施例１と同様にして遠紫外線を照射し、
現像したところ、１８　ｍＪ／ｃｍ２の照射エネルギー
で％　０．８μｍのパターンを解像することができた。

比較例１ 内容積２ノの４つ目丸底フラスコに磁気回転子を入れ、
系内を窒素で置換し、窒素気流下にシクロヘキサン３２
０ｇ、スチレン３１．２９を入れ、系内を均一溶液とし
たのち、内温を６０Ｃに保った。次いで窒素気流下にｎ
−ブチルリチウムの０．５０モル／ノシクロヘキサン溶
液を２０ｍ１加えて重合を開始させた。６０分後に重合
率は９９％になった。この反応溶液をメタノール中に入
れ、重合体を回収し、４０ｔＴで１６時間、減圧乾燥し
た。

上記により得られた重合体１４．０９．クロロメチルメ
チルエーテル１４４ｍ１を、窒素置換し＊内容ｆｌｔ５
００ｄの４つ目フラスコに入れ、磁気回転子を入れて攪
拌し均一な溶液とした。

−３）− 次に、水浴に入れて攪拌下、内温をＯＣに保ちながう、
２．０モル／ノの四端化スズのクロロメチルメチルエー
テル溶液を１５分間で６、７　ｍ１滴下した。さらに、
４５分間攪拌を続けたのち、ジオキザン／水＝］／１（
容量比）混合溶液を５０　ｍｌ加えて反応を停止をせた
。

次いで１反応溶液をメタノール中に入ｆ”Ｌで重合体を
１９１収し、さらに、メタノールで洗浄ｆ、４０Ｃで１
６時間減圧乾燥した。このようにして得られた重合体の
メンブランオスモメーターによって測定した数平均分子
間°け５．５　Ｘ　１０　　であった。また得ら力だ重
合体を１Ｈ−核磁気共鳴装置、（ＮＭＲ；　　日本電子
製ＪＮＭ−４Ｈ−１００型）を用いて分析したところ。

原料の１合体に餡められる、δ−１，８ｐｐｍ付近のメ
チン基の水素に由来するピークには変化がなく、δ＝　
４．５　ｐｐｍ　付近に核置換のクロロメチル基の水素
に起因するピークが新たに認められた。１だ、　Ｃ−核
磁気共鳴装Ｗ（ＮＭＲｉ日本電子！！！ＪＮＭ−ＦＸ−
Ｚｏｏ型）を用いて分析したところ、δ＝４６ｐｐｍ　
付近に核置換のクロロメチル基に起因するピークが認め
らね、た。こすしらのことからＸｌｃ合体のベンゼン環
にり１７０メチル２Ａ−が導入されていることが判つ／
こ。’Ｉ（−ＮＭＲスペクトルを解析し１重合体のベン
ゼン環のクロロメチル化率を測定したところ１５．０チ
であった。

上記クロロメチル化し／こ重合体を、キシレンに溶解し
て８．６　Ｎ量チの溶液とした。次に、この溶液を０．
７μｍの熱酸化膜のついたシリコンウェーハ上に乗せ、
２００ｒｐＩｎで２秒、つづいて２００Ｏｒｐｍで３０
秒間回転塗布した。次いで、９紫雰囲気下、９０Ｃの循
環式りＩＪ−ンオープンで３０分間熱処理り、たのち、
膜厚を測定したところ、０．７μｍの塗膜が形成されて
いた。実施例２と同様にして加速電圧１０ＫＶで電子線
照射し現像したところ、５μＣ／ｃｍ”の照射の照射エ
ネルギーで残膜率７０チの０．６μｍのパターンを解像
したがゲル化点の照射エネルギーが１．５μＣ／ｃｍ　
と非常に感度が低い結果となった。

比較例２ 比較例１と同様にしてスチレンをｉｌｒ合し７１１合体
を得、得られた重合体１４．０ｇ、クロロメチルメチル
エーテル１４４　ｊｎｌを、窒素償換した内容積５００
ｍδの４つロフラスコに入れ、磁気回転子を入れて攪ｆ
ｆ　Ｌ均一な溶液とした。次に、水浴に入れて攪拌下、
内温をＯＣＫ保ちながら、門地化スズ２．０モル／）の
クロロメチルメチルエーテル溶液１．２．０　ｍｌを、
１５分で滴下し、さらに１５分間攪拌したのち、ジオキ
サン／水−１／１（容忙比）混合溶液を５Ｑｍ／：加え
て反応を停止させた。

次いで、反応溶液をメタノール中に入れて重合体を回収
し、さらに、メタノールで洗浄後、４００で１６時間減
圧乾燥した。このようにして得られた′Ｍ１合体のメン
プランオスモメーターによって測定した数平均分子部は
６、５　Ｘ　１．　Ｏ’　ｈ　ＴＪ’Ｃ合体のベンゼン
塩のクロルメチ−器− ル化率け４Ｊチであった。

上記クロロメチル化Ｉ〜た１Ｆ合体をキシレンに溶解し
て、１２．３重量％の溶液とした。次に。

この溶液を０．７μｍの熱酸化膜のついたシリコンウェ
ーハ上に乗せｂ　２０Ｏｒｐｍで２秒、つづいて４００
０ｒｐｍで３０秒間回転塗布した。窒素雰囲槃、下、９
０Ｃの循環式クリーンオープンで３０分間熱処理したの
ち、膜厚を測定したところ、１．０μｍの塗膜が形成さ
れてｂた。実施例］と同様にして遠紫外線を照射し、現
像したところ、５０ｍＪ／ｃｒｎの照射エネルギーでも
、現像部にパターンのはがれが見られ、パターンを形成
することができなかった。

−２７＋　−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式（Ｉ）で示される繰返し構造単位〒” ４ （式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は同
   一または異なり、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基
   、炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロア
   ルキル基または炭素数１〜３のハロアルコキシ基であり
   、かつＲ，Ｒ，Ｒ，ＲおよびＲ６の少なくとも１つが炭
   素数１〜３のハロアルキル基または炭素数１〜３のハロ
   アルコキシ基である） および下記一般式（ＩＩ）で示される繰返し構造率′″
   ′　　　　　１・ （式中、Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，ＩＲＩＩおよびＲ
   は同−捷たは異なり、水素原子、炭素数１〜３のアルキ
   ル基、炭素数１〜３のアルコキシ基であり、かっＲ８、
   Ｒ９，ＲｌＯ，Ｒ１１およびＲ１２の少なくとも１つが
   炭素数１〜３のアルキル基である） を有する重合体からなる電離放射線感応性材料。