JPS592373B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS592373B2 JPS592373B2 JP53011177A JP1117778A JPS592373B2 JP S592373 B2 JPS592373 B2 JP S592373B2 JP 53011177 A JP53011177 A JP 53011177A JP 1117778 A JP1117778 A JP 1117778A JP S592373 B2 JPS592373 B2 JP S592373B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- semiconductor substrate
- manufacturing
- semiconductor device
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に電着の後界
面活性剤を用いて洗浄することにより、絶縁膜上に付着
したガラス粒子を除去し、ホトエッチングが完全にでき
るようにした半導体装置の製造方法に関する。
面活性剤を用いて洗浄することにより、絶縁膜上に付着
したガラス粒子を除去し、ホトエッチングが完全にでき
るようにした半導体装置の製造方法に関する。
一般に、半導体の表面をガラスでパッシベーションする
には電気泳動法が用いられ、この電気泳動法は、ガラス
膜の不要部分をあらかじめＳｉＯ２などの絶縁膜でマス
クしておき、半導体の表面の一 一部にガラスを選択付
着させるときに使われる技術である。
には電気泳動法が用いられ、この電気泳動法は、ガラス
膜の不要部分をあらかじめＳｉＯ２などの絶縁膜でマス
クしておき、半導体の表面の一 一部にガラスを選択付
着させるときに使われる技術である。
しかしながら、半導体ウェハをガラス懸濁液に浸したと
き、上記絶縁膜上にもガラスの粒子が付着してしまうこ
とになる。ガラスは、一般にホトレジストよりはるかに
エッチングされ易いから、絶縁膜上にガラス粒子を残し
たまま次のホトエッチング工程を行おうとすると、ホト
レジスト内に埋め込まれたガラス粒子のみがエッチング
されてレジストに孔があいたり、レジストの周縁に凹み
を生じたりして、この個所の絶縁膜がエッチングされて
しまうことになる。そこで絶縁膜上のガラス粒子を除去
することがどうしても必要となつてくる。このガラス粒
子を除去するために、従来、電着後にアセトンイソプロ
パノールなどの誘電率の大きい溶液を超音波洗浄するこ
とが行なわれたが、半導体の表面に吸着された本来的に
必要なガラス膜をも損傷してしまうという欠点があつた
。
き、上記絶縁膜上にもガラスの粒子が付着してしまうこ
とになる。ガラスは、一般にホトレジストよりはるかに
エッチングされ易いから、絶縁膜上にガラス粒子を残し
たまま次のホトエッチング工程を行おうとすると、ホト
レジスト内に埋め込まれたガラス粒子のみがエッチング
されてレジストに孔があいたり、レジストの周縁に凹み
を生じたりして、この個所の絶縁膜がエッチングされて
しまうことになる。そこで絶縁膜上のガラス粒子を除去
することがどうしても必要となつてくる。このガラス粒
子を除去するために、従来、電着後にアセトンイソプロ
パノールなどの誘電率の大きい溶液を超音波洗浄するこ
とが行なわれたが、半導体の表面に吸着された本来的に
必要なガラス膜をも損傷してしまうという欠点があつた
。
また、電着前に絶縁膜の表面を疎水性にする方法があり
、この方法は電着後にさらにアセトン洗浄を併用するこ
とによつてかなりの効果を期待できるが、プロセスとし
ての歩どまりの面からみるとなお完全とは言えない。そ
こで、本発明の目的は、上述した従来技術が有する欠点
を除去し、半導体表面に吸着されているガラス膜に損傷
を与えることなしに、絶縁膜上の不要のガラス粒子を確
実に除去してホトエッチングを完全に行なえるようにし
た半導体装置の製造方法を提供することにある。
、この方法は電着後にさらにアセトン洗浄を併用するこ
とによつてかなりの効果を期待できるが、プロセスとし
ての歩どまりの面からみるとなお完全とは言えない。そ
こで、本発明の目的は、上述した従来技術が有する欠点
を除去し、半導体表面に吸着されているガラス膜に損傷
を与えることなしに、絶縁膜上の不要のガラス粒子を確
実に除去してホトエッチングを完全に行なえるようにし
た半導体装置の製造方法を提供することにある。
しかして上記目的を達成する本発明による半導体装置の
製造方法は、半導体基板の表面に絶縁保護膜を形成した
のち、この保護膜に対してホトエツチング処理を施して
半導体基板の一部を露呈させ、次いで半導体基板の露呈
した表面に電着によりガラスを選択付着させたのち、界
面活性剤溶液に前記ガラス粒子層が形成された半導体基
板を浸潤させて絶縁膜上に付着したガラス粒子を除去す
るようにしたことを特徴としている。
製造方法は、半導体基板の表面に絶縁保護膜を形成した
のち、この保護膜に対してホトエツチング処理を施して
半導体基板の一部を露呈させ、次いで半導体基板の露呈
した表面に電着によりガラスを選択付着させたのち、界
面活性剤溶液に前記ガラス粒子層が形成された半導体基
板を浸潤させて絶縁膜上に付着したガラス粒子を除去す
るようにしたことを特徴としている。
以下本発明による半導体装置の製造方法を図面を参照し
て説明する。
て説明する。
（ａ）シリコン基板１を用意し、このシリコン基板１の
表面にＳｌＯ２等からなる絶縁保護膜２を被着する。
表面にＳｌＯ２等からなる絶縁保護膜２を被着する。
（ｂ）シリコン基板１の表面の保護膜２に対してホトエ
ツチング処理を施し、保護膜２を部分的に除去する。
ツチング処理を施し、保護膜２を部分的に除去する。
（ｃ）次いで電着技術を利用してシリコン基板１上にガ
ラス３を選択付着する。
ラス３を選択付着する。
このとき保護膜２上にガラス粒子４が付着する。（ｄ）
界面活性剤溶液（水溶液あるいはアセトンなどの有機溶
媒溶液）に前記ガラス粒子層が形成された半導体基板を
浸潤させて絶縁膜２上のガラス粒子を除去する。
界面活性剤溶液（水溶液あるいはアセトンなどの有機溶
媒溶液）に前記ガラス粒子層が形成された半導体基板を
浸潤させて絶縁膜２上のガラス粒子を除去する。
（ｅ）乾燥炉内で乾燥する。
本発明において不要ガラス粒子の除去は、次いで乾燥し
た後のガラス焼成のための熱履歴を受けた後では不要ガ
ラス粒子も絶縁膜表面に焼き付いてしまい、界面活性剤
と超音波による洗浄をしたとしても全くガラスの除去が
できなくなる。
た後のガラス焼成のための熱履歴を受けた後では不要ガ
ラス粒子も絶縁膜表面に焼き付いてしまい、界面活性剤
と超音波による洗浄をしたとしても全くガラスの除去が
できなくなる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、電着
直後に界面活性剤の水溶液あるいはアセトンなどの有機
溶媒溶液にガラス粒子層が形成された半導体基板を浸潤
させるようにしたから、絶縁膜上に付着したガラス粒子
だけを除去することができ、その結果、ガラス膜形成後
のホトエツチング不良の低減が可能となり、半導体素子
の特性および歩留りを改善することができる。
直後に界面活性剤の水溶液あるいはアセトンなどの有機
溶媒溶液にガラス粒子層が形成された半導体基板を浸潤
させるようにしたから、絶縁膜上に付着したガラス粒子
だけを除去することができ、その結果、ガラス膜形成後
のホトエツチング不良の低減が可能となり、半導体素子
の特性および歩留りを改善することができる。
図中、ａ乃至ｄは本発明による半導体装置の製造方法を
示す工程図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・保護膜、
３・・・・・・ガラス、４・・・・・・ガラス粒子。
示す工程図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・保護膜、
３・・・・・・ガラス、４・・・・・・ガラス粒子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の表面に絶縁保護膜を形成したのち、こ
の保護膜に対してホトエッチング処理を施して半導体基
板の一部を露呈させ、次いで半導体基板の露呈した表面
に電着によりガラスを選択付着させてガラス粒子層を形
成する工程を含むものにおいて、該工程の後に前記ガラ
ス粒子層が形成された半導体基板を界面活性剤溶液に浸
潤させて絶縁膜上に付着したガラス粒子を除去すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の方法において、前記
界面活性剤溶液が水溶液または有機溶媒溶液である方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53011177A JPS592373B2 (ja) | 1978-02-03 | 1978-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53011177A JPS592373B2 (ja) | 1978-02-03 | 1978-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54104775A JPS54104775A (en) | 1979-08-17 |
| JPS592373B2 true JPS592373B2 (ja) | 1984-01-18 |
Family
ID=11770767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53011177A Expired JPS592373B2 (ja) | 1978-02-03 | 1978-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592373B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS573215B2 (ja) * | 1972-11-13 | 1982-01-20 |
-
1978
- 1978-02-03 JP JP53011177A patent/JPS592373B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54104775A (en) | 1979-08-17 |
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