JPH0230748A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0230748A JPH0230748A JP63179178A JP17917888A JPH0230748A JP H0230748 A JPH0230748 A JP H0230748A JP 63179178 A JP63179178 A JP 63179178A JP 17917888 A JP17917888 A JP 17917888A JP H0230748 A JPH0230748 A JP H0230748A
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- JP
- Japan
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- metal film
- lift
- mask
- substrate
- fine pattern
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置をはじめとする金属膜微細パター
ンを有する全ての装置の微細パターン形成方法に関する
ものである。
ンを有する全ての装置の微細パターン形成方法に関する
ものである。
（従来の技術）
従来から行なわれている金属膜の微細パターン形成方法
は、大別してリフトオフ法とエツチング法の２種がある
。リフトオフ法の概略工程断面図を第２図に示す。第２
図（ａ）は、パターニングしたリフトオフマスク１１を
表面に形成した基板１２上に、金属膜１３を蒸着等によ
って形成したものの断面図である。基板１２を、リフト
オフマスク１１を除去することのできる溶剤またはエツ
チング液に浸し、超音波振動を印加する。すると、第２
図（ｂ）に示すように、リフトオフマスク１１が除去さ
れるとともに、リフトオフマスク１１上の金属膜１３が
剥離して、金属膜のパターニングができるのである。
は、大別してリフトオフ法とエツチング法の２種がある
。リフトオフ法の概略工程断面図を第２図に示す。第２
図（ａ）は、パターニングしたリフトオフマスク１１を
表面に形成した基板１２上に、金属膜１３を蒸着等によ
って形成したものの断面図である。基板１２を、リフト
オフマスク１１を除去することのできる溶剤またはエツ
チング液に浸し、超音波振動を印加する。すると、第２
図（ｂ）に示すように、リフトオフマスク１１が除去さ
れるとともに、リフトオフマスク１１上の金属膜１３が
剥離して、金属膜のパターニングができるのである。
第３図は、エツチング法の概略工程断面図である。同図
において、基板１２上に、金属膜１３を蒸着等により形
成する〔第３図（ａ））、この上にマスク材料を積層後
、マスク材料をパターニングし、マスク１４を形成する
〔第３図（ｂ）〕。マスク１４を利用して金属膜１３を
エツチングすれば、第３図（ｃ）に示すように、金属膜
１３のパターニングができる。
において、基板１２上に、金属膜１３を蒸着等により形
成する〔第３図（ａ））、この上にマスク材料を積層後
、マスク材料をパターニングし、マスク１４を形成する
〔第３図（ｂ）〕。マスク１４を利用して金属膜１３を
エツチングすれば、第３図（ｃ）に示すように、金属膜
１３のパターニングができる。
（発明が解決しようとする課題）
従来より行なわれている２種の金属膜微細パターン形成
方法のうち、エツチング法には次の欠点があった。
方法のうち、エツチング法には次の欠点があった。
第１には、予め金属膜を基板全面に形成するため、金属
膜を形成しなくともよい部分の基板表面を変質させてし
まうことが多い。
膜を形成しなくともよい部分の基板表面を変質させてし
まうことが多い。
第２に、ウェットエツチング法、ドライエツチング法に
かかわらず、金属膜をエツチングするときに、エツチン
グする部分の基板表面を変質させたり、損傷を与えたり
してしまうことである。
かかわらず、金属膜をエツチングするときに、エツチン
グする部分の基板表面を変質させたり、損傷を与えたり
してしまうことである。
一方、リフトオフ法では、金属膜を形成しなくともよい
部分はりフトオフマスクで保護されているので、上記の
エツチング法にみられた欠点はない。しかし、金属膜を
超音波振動により剥離する工程において、速やかに全て
のパターンを剥離するのは極めて困難であり、第２図（
ｂ）に示すように、完全にリフトオフが行なわれないこ
とがある。
部分はりフトオフマスクで保護されているので、上記の
エツチング法にみられた欠点はない。しかし、金属膜を
超音波振動により剥離する工程において、速やかに全て
のパターンを剥離するのは極めて困難であり、第２図（
ｂ）に示すように、完全にリフトオフが行なわれないこ
とがある。
したがって、超音波振動印加時間を長くしたり、強い超
音波振動を印加する必要がある。しかし、前者は製品の
スループットを悪化させるし、後者は基板の破壊を招く
恐れがある。また、それでも完全にパターニングされな
い場合もある。
音波振動を印加する必要がある。しかし、前者は製品の
スループットを悪化させるし、後者は基板の破壊を招く
恐れがある。また、それでも完全にパターニングされな
い場合もある。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、金属膜を形成し
なくともよい部分の基板表面を変質させることなく、し
かも、速やかに完全な金属膜微細パターンを形成する微
細パターン形成方法を提供することである。
なくともよい部分の基板表面を変質させることなく、し
かも、速やかに完全な金属膜微細パターンを形成する微
細パターン形成方法を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明の微細パターン形成方法は、表面にパターニング
されたりフトオフマスクを形成した基板上に金属膜を蒸
着し、溶剤またはエツチング液でリフトオフマスクを除
去したのちに、基板表面に粘着性シートを貼り付け、こ
のシートを再び剥離するものである。
されたりフトオフマスクを形成した基板上に金属膜を蒸
着し、溶剤またはエツチング液でリフトオフマスクを除
去したのちに、基板表面に粘着性シートを貼り付け、こ
のシートを再び剥離するものである。
（作 用）
本発明においては、リフトオフマスクを形成した基板上
に金属膜を蒸着するため、リフトオフマスク下の基板表
面は、エツチング法の場合のように変質することはない
。リフトオフマスク除去後、粘着性シートを貼り付ける
と、この粘着性シートに金属膜がしっかりと付着する。
に金属膜を蒸着するため、リフトオフマスク下の基板表
面は、エツチング法の場合のように変質することはない
。リフトオフマスク除去後、粘着性シートを貼り付ける
と、この粘着性シートに金属膜がしっかりと付着する。
再び粘着性シートを剥離すると、リフトオフマスクのあ
った部分の金属膜が粘着性シートに付着したまま剥離す
る。
った部分の金属膜が粘着性シートに付着したまま剥離す
る。
基板上の金属膜は、基板と金属間の密着性が極めてよい
ので、基板上にそのまま残される。
ので、基板上にそのまま残される。
本発明の微細パターン形成方法では、粘着性シートの貼
り付け、再剥離だけで、完全な金属膜微細パターンが速
やかに形成できる。
り付け、再剥離だけで、完全な金属膜微細パターンが速
やかに形成できる。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
第１図は、本発明の微細パターン、形成方法の工程を示
す断面図である。同図（、）は、パターニングしたレジ
ストリフトオフマスク１を表面に形成した化合物半導体
基板であるＩｎＰ基板２上に、金属膜として、例えば金
３を蒸着等によって形成したものの断面図である。これ
をアセトンに浸してレジストリフトオフマスク１を除去
したのち、粘着性シート４を金３の表面全面に貼り付け
る６次に。
す断面図である。同図（、）は、パターニングしたレジ
ストリフトオフマスク１を表面に形成した化合物半導体
基板であるＩｎＰ基板２上に、金属膜として、例えば金
３を蒸着等によって形成したものの断面図である。これ
をアセトンに浸してレジストリフトオフマスク１を除去
したのち、粘着性シート４を金３の表面全面に貼り付け
る６次に。
粘着性シート４を第１図（ｂ）に示すように再剥離すれ
ば、レジストリフトオフマスク１上にあった金３は、粘
着性シート４に付着したままＩｎＰ基板２より速やかに
剥離することができる。この方法によって、１μ麓以下
の金属膜微細パターン形成も十分に可能である。
ば、レジストリフトオフマスク１上にあった金３は、粘
着性シート４に付着したままＩｎＰ基板２より速やかに
剥離することができる。この方法によって、１μ麓以下
の金属膜微細パターン形成も十分に可能である。
半導体レーザ等に用いるＩｎＰ等の化合物半導体上へは
超微細な電極パターン等の形成が必要とされているが、
本発明の方法によれば、半導体の変質の恐れがなく、速
やかに金属パターンを確実に形成することができ、化合
物半導体装置の製造に極めて好都合である。なお、本発
明は化合物半導体に限らず、他の装置への適用も可能で
ある。
超微細な電極パターン等の形成が必要とされているが、
本発明の方法によれば、半導体の変質の恐れがなく、速
やかに金属パターンを確実に形成することができ、化合
物半導体装置の製造に極めて好都合である。なお、本発
明は化合物半導体に限らず、他の装置への適用も可能で
ある。
（発明の効果）
本発明によれば、最終的に金属膜を除去する部分の基板
表面を変質させることがなく、完全な金属膜微細パター
ンを速やかに形成することができ、その実用上の効果は
極めて大である６
表面を変質させることがなく、完全な金属膜微細パター
ンを速やかに形成することができ、その実用上の効果は
極めて大である６
第１図は本発明の一実施例における微細パターン形成方
法の工程断面図、第２図は従来技術によるエツチング法
の工程断面図、第３図は従来技術によるリフトオフ法の
概略工程断面図である。 １・・・レジストリフトオフマスク、 ２・・・Ｉｎ
Ｐ基板、 ３・・・金、 ４・・・粘着性シート。 第 図 第 図 （ｂ） 心為請
法の工程断面図、第２図は従来技術によるエツチング法
の工程断面図、第３図は従来技術によるリフトオフ法の
概略工程断面図である。 １・・・レジストリフトオフマスク、 ２・・・Ｉｎ
Ｐ基板、 ３・・・金、 ４・・・粘着性シート。 第 図 第 図 （ｂ） 心為請
Claims (1)
- 表面にパターニングされたリフトオフマスクを形成し
た基板上に金属膜を蒸着し、溶剤またはエッチング液で
前記リフトオフマスクを除去したのちに、基板表面に粘
着性シートを貼り付け、前記粘着性シートを再び剥離す
ることを特徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179178A JPH0230748A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179178A JPH0230748A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 微細パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230748A true JPH0230748A (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=16061300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63179178A Pending JPH0230748A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230748A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482493B1 (en) | 1998-04-04 | 2002-11-19 | Lg Electronics Inc. | Optical disc and method and apparatus of fabricating master disc for the same |
| WO2008118456A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Eastman Kodak Company | An oled patterning method |
| CN113493894A (zh) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩膜的制造装置以及制造方法 |
-
1988
- 1988-07-20 JP JP63179178A patent/JPH0230748A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482493B1 (en) | 1998-04-04 | 2002-11-19 | Lg Electronics Inc. | Optical disc and method and apparatus of fabricating master disc for the same |
| WO2008118456A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Eastman Kodak Company | An oled patterning method |
| US7662663B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-02-16 | Eastman Kodak Company | OLED patterning method |
| CN113493894A (zh) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩膜的制造装置以及制造方法 |
| CN113493894B (zh) * | 2020-04-01 | 2023-12-01 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩膜的制造装置以及制造方法 |
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