JPS5924352Y2 - 粉末原料仮焼装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はセメント原料あるいは石灰石等の粉末原料の仮
焼装置に関する。

例えば乾式セメントプラントにおいて、セメント原料を
ロータリーキルン等で焼成する前に仮焼する仮焼装置に
ついて、セメント原料の滞留時間を長くして仮焼効率を
向上させる方法が試みられているが、本考案はこれをさ
らに改良し、仮焼率のバラツキをなくし、また燃焼を仮
焼装置の主に中心部で行なわせるようにして炉壁を火炎
から保護できるようにしたものである。

以下本考案の一実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は乾式セメントプラントに適用した全体構成図を
示し、１はロータリーキルン、２はそれに接続されたク
リンカクーラ、３はロータリーキルン１に臨むバーナ、
４はロータリーキルン１の先端に取付けられたキルンフ
ード、５はキルンフード４の上方にキルン排ガスダクト
６を介して設けられた仮焼炉、７は仮焼炉５の１次仮焼
室８とキルンフード４を連結するキルン主排ガスダクト
、９は１次仮焼室８の上方位置に設けられた仮焼炉５の
２次仮焼室、１０はキルン排ガスダクト６とクリンカク
ーラ２を連結するクーラ抽気ダクトで゛ある。

１１〜１４は１段目〜４段目サイクロンで゛あり、それ
ぞれ排ガス抜取管１５〜１７で順次連結され、４段目サ
イクロン１４は排ガス抜取管１８を介して仮焼炉５の２
次仮焼室９に連結されている。

また１段目サイクロン１１は排ガス抜取管１９を介して
排気ファン２０に連結され、１段目と２段目のサイクロ
ン１１．・１２を連結する排ガス抜取管１５にはセメン
ト原料投入部２１が設けられている。

また１段目サイクロン１１の下部に設けられ原料移送管
２２は２段目と３段目のサイクロン１２．１３を連結す
る排ガス抜取管１６内に、２段目サイクロン１２の下部
に設けられた原料移送管２３は３段目と４段目のサイク
ロン１３．１４を連結する排ガス抜取管１７内にそれぞ
れ開口せしめられ、さらに３段目と４段目のサイクロン
１３．１４の下部に設けられた原料投入管２４と仮焼済
原料導入管２５はそれぞれキルン主排ガスダクト７とキ
ルンフード４に連結されている。

原料投入部２１から投入されたセメント原料は排ガス抜
取管１５．１段目サイクロン１１．原料移送管２２、排
ガス抜取管１６．２段目サイクロン１２、原料移送管２
３、排ガス抜取管１７．３段目サイクロン１３、原料投
入管２４を経由してキルン主排ガスダクト７に投入され
る。

この時セメント原料は、サイクロン１１〜１３によって
熱交換され、十分に昇温されている。

一方クリンカクーラ２からのクーラ抽気（約７５０°Ｃ
）はクーラ抽気管１０からキルン排ガスダクト６を通し
て仮焼炉５の下端部に導入され、またロータリーキルン
１から排ガス（約１１００００）はキルンフード４より
キルン排ガスダクト６およびキルン主排ガスダクト７を
通して仮焼炉５の下端部および１次仮焼室８にそれぞれ
導入される。

またキルン主排ガスダクト７に投入された原料はキルン
排ガスと熱交換を行ないながら１次仮焼室８に導入され
る。

仮焼炉５において仮焼された原料は２次仮焼室９上部か
ら、排ガスと共に排ガス抜取管１８を通して４段目サイ
クロン１４に送られ、ここで排ガス分離され、仮焼済原
料導入管２５を介してロータリーキルン１内に導入され
る。

次に仮焼炉５の詳細を第２図〜第４図により説明する。

１次仮焼室８は仮焼炉５の中央より下方寄りに位置し、
該位置における仮焼炉５の径よりやや大径に形成され、
キルン主排ガスダクト７から導入されるキルン排ガスは
周方向から炉壁に対して接線方向に送り込まれ、１次仮
焼室８に旋回流を形成するように構成されている。

また１次仮焼室８の周部には複数個のバーナ２６が配設
され、クーラ抽気ダクト１０から導入されるクーラ抽気
中の酸素により燃焼を行なう。

１次仮焼室８の上方の仮焼炉５内部空間は２次仮焼室９
に構成され、その上部で排ガス抜取管１８が旋回する排
ガスおよびそれに含まれる仮焼済原料を炉壁に対して接
線方向から導出すべく取付けられている。

クーラ抽気は垂直上昇流として１次仮焼室８の下端中央
部から導入され、このクーラ抽気はその道中においてキ
ルン排ガスの一部と混合される。

一方キルン排ガスの大部分はキルン主排ガスダクト７を
通して１次仮焼室８に旋回流として導入され、原料は前
述の如くキルン主排ガスダクｌ−７の道中においてキル
ン排ガス中に投入され、キルン排ガスと熱交換を行ない
ながら１次仮焼室５に導入される。

これらクーラ抽気、キルン排ガス、原料および燃料は１
次仮焼室８で均一に混合され、これらの混合ガスは旋回
流を形成して２次仮焼室９で仮焼反応を行ないながら旋
回上昇してゆき、２次仮焼室９上部で排ガス抜取管１８
により接線方向に抜き取られて最終段サイクロン１４に
導入される。

このように、クーラ抽気中にキルン排ガスの一部を導入
することによりクーラ抽気温度を約７５０°Ｃから約８
５０°Ｃに上げることができ、一方キルン排ガス中に原
料を投入することによりキルン排ガス温度が吸熱反応で
もって約１１００°Ｃから約８５０°Ｃに下がる。

このため仮焼炉５下部に導入されるクーラ抽気温度とキ
ルン排ガス温度をほぼ等しくすることが出来、混合ガス
の温度バラツキが無くなり、炉内温度が均一となり、仮
焼率のバラツキが無くなる。

また道中の短かいキルン排ガスを旋回流として仮焼炉５
内に導入することにより大きな圧力損失を与えることか
゛でき、これによりキルン排ガスより道中の長いクーラ
抽気との圧力バランスが取れるため、通常設けられるキ
ルン排ガスダクｌ〜中のオリフィスが不必要となる。

このためキルン排ガスダクト内のコーチングによる閉塞
トラブルがなくなる。

またＣ２濃度の低いキルン排ガスが旋回流として炉壁ぎ
わを流れ、Ｃ２濃度の高いクーラ抽気が上昇流として中
心部を流れるため、燃焼は主として中心部で行なわｋる
ことになり、炉壁が火炎から保護される。

（以上本考案によれば、粉末原料の仮焼炉内での滞
留時間を長くでき、充分な仮焼を行なうことができるの
は勿論のこと、炉内温度を均一にでき、仮焼率のバラツ
キを無くすることができること、またキルン排ガスに大
きな圧力損失を与えるので、キルン排ガスダクト中のオ
リフィンが不必要であり、閉塞トラブルを解消できるこ
と、燃焼は主として仮焼炉の中心部で行なわれるので、
炉壁が火炎から保護されることなどの数々の利点を得る
ことができるものである。

【図面の簡単な説明】 図面は本考案の一実施例を示し、第１図は乾式セメント
プラントに適用した全体構成図、第２図は要部の断面図
、第３図および第４図は第２図のＡ−Ａ断面図およびＢ
−Ｂ断面図である。 １・・・・・・ロータリーキルン、２・・・・・・クリ
ンカクーラ、４・・・・・・キルンフード、５・・・・
・・仮焼炉、６・・・・・・キルン排ガスダクト、７・
・・・・・キルン主排ガスダクト、８・・・・・・１次
仮焼室、９・・・・・・２次仮焼室、１０・・・・・・
クーラ抽気ダクト、１１〜１４・・・・・・サイクロン
、１５〜１９・・・・・・排ガス抜取管、２１・・・・
・・原料投入部、２２゜２３・・・・・・原料移送管、
２４・・・・・・原料投入管、２５・・・・・・仮焼済
原料導入管、２６・・・・・・バーナ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 周方向に複数個のバーナを有する１次仮焼室と、それよ
   り上方に位置し、排ガス抜取管を介してサイクロンに接
   続される２次仮焼室とよりなる本体を具備し、前記１次
   仮焼室に焼成装置からの排ガスの大部分を周方向から導
   入するため主排ガスダクトを接続し、かつ本体下端中央
   部に焼成装置からの排ガスの一部を導入するための排ガ
   スダクトを接続し、さらに該排ガスダクトに焼成装置の
   クーラ抽気を導入するためのクーラ抽気ダクトを接続し
   、前記主排ガスダクトに粉末原料を投入するとともに前
   記サイクロン下端部から仮焼済原料を焼成装置に導入す
   るようにしたことを特徴とする粉末原料仮焼装置。