JPS5924461B2 - メインメモリ−を再構成する方法と実施回路網 - Google Patents

メインメモリ−を再構成する方法と実施回路網

Info

Publication number
JPS5924461B2
JPS5924461B2 JP48103358A JP10335873A JPS5924461B2 JP S5924461 B2 JPS5924461 B2 JP S5924461B2 JP 48103358 A JP48103358 A JP 48103358A JP 10335873 A JP10335873 A JP 10335873A JP S5924461 B2 JPS5924461 B2 JP S5924461B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
bit
address
memory
module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP48103358A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS4974448A (ja
Inventor
エル カ−リ− ジヨン
エス フランクリン ベンジヤミン
エイ マ−トランド ウオ−レス
ジエイ ドナヒユ− ト−マス
ブイ コ−ナロ ルイス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HANEIUERU INFUOOMEISHON SHISUTEMUSU Inc
Original Assignee
HANEIUERU INFUOOMEISHON SHISUTEMUSU Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HANEIUERU INFUOOMEISHON SHISUTEMUSU Inc filed Critical HANEIUERU INFUOOMEISHON SHISUTEMUSU Inc
Publication of JPS4974448A publication Critical patent/JPS4974448A/ja
Publication of JPS5924461B2 publication Critical patent/JPS5924461B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/76Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/04Addressing variable-length words or parts of words
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/06Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
    • G06F12/0607Interleaved addressing
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/08Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
    • G06F12/0802Addressing of a memory level in which the access to the desired data or data block requires associative addressing means, e.g. caches
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/14Handling requests for interconnection or transfer
    • G06F13/16Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
    • G06F13/18Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on priority control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Hardware Redundancy (AREA)
  • Memory System (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 分野 本発明は、一般にコンピユータの記憶装置に関し、更に
詳細にはプログラム制御の下でm−ウエイ.インターリ
ーフアドレス方式又はk−ウエイ.インターリーフアド
レス方式で動的動作が町能な複数個のメモリーモジユー
ルを有する記憶装置に関する。
背景 コンピユータ装置の効率を改善するため、素子及び回路
の基本速度の改善、更にまた機能的組織の改善が行なわ
れてきた。
機能的組織によりコンピユータ装置の速度を高めるため
に、メインメモリーを並列的に呼出し得るいくつかのメ
モリーモジ.ユ4−ルに分割することが行なわれてきた
。更に、メインメモリーの各モジユールは独立のアレー
に組織される。例えば、2モジユール装置にち・いては
、モジユール1は全ての偶数番号アドレスを含む第1ア
レーを含みモジユール2は全ての奇数番号アドレスを含
む第2のアレーを含む。従つて、記憶ロケーシヨンは2
つのアレーに互い違いになつて卦D1このような場合に
は記憶装置は2−ウエイ・インターリーフ記憶装置とし
て公知な構成になる。記憶装置はn−ウエイ.インター
リーフになシ得るが、しかしながら・・−トウエアのコ
ストの点から実際には制約がある。インターリーフアド
レス方式の1つの大きな欠点は、ある1つのメモリーモ
ジユールが故障すると記憶装置全体が作動しなくなるこ
とである。
従つて、インターリーフアドレスモードを2つ以上とし
、それによつて、m−ウエイ.インターりーブモードで
動作している装置がk−ウエイ・インターリーフモード
で動作するように再構成できることが望ましい。更に、
メインメモリーの任意の部分がインターリーフアドレス
方式のいづれにかかわらずアドレス指定できることも望
ましい。従つて、本発明の目的は、改善したコンピユー
タ記憶装置を提供することである。本発明の他の目的は
、m−ウエイ及びk−ウエイのインターリーフアドレス
方式になり得るm個のメインメモリーモジユールを有す
る記憶装置を提供することである。
更に本発明の他の目的は、所定数のグループに分けてm
又はk(k−m/2)のインターリーフアドレス方式に
プログラム制御下で結合可能なm個のメインメモリーモ
ジユールに対する動的インターリーフアドレス方式を提
供することである。
要約要約すると、4−ウエイあるいは2−ウエイのイン
ターリーフアドレス方式に構成さわる典型的な4個のメ
モリーモジユールを提供することにより、本発明の上記
目的が達成される。
記憶装置の正規動作は4−ウエイ・インターリーフ方式
にあ・いて成される。任意の1つのメモリーモジユール
が故障すると、プログラム制御によつて再構成され最初
の記憶装置の少なくとも半分のメモリー容量(アドレス
はOからX/2−1まで、但しXは最初のメモリー容量
に等しい)を有する2−ウエイ・インターリーフ装置が
正しく動作するように再構成される。メモリー装置の残
りの半分(アドレスはX/2からX−1まで)はアドレ
ス指定可能なままであるが、記憶装置のこの部分に対す
る呼出しは予期しない結果を生むことになる。全てのメ
モリーに対してアドレス指定を可能にして}くことは、
診断処理にとつて極めてよい。他のモード数も使用し得
るが典型的には3つの構成モードがあり、正規の動作モ
ードはモジユールが4−ウエイ.インターリーフアドレ
ス方式て構成されている場合であり、エラーのない状態
である。
更に、2つの再構成モードがあり1これらは、1つの不
艮モジユールをメモリーアドレス領域の上半分に隔離し
、メモリーアドレス領域の下半分で動作を確保する。こ
の再構成方式に}いては、2つのモジユールが故障する
とき(それには6つの組合せがあり、例えばモジユール
Oと1が故障した場合、又はモジユール2と3が故障し
た場合)は、1つのモジユールが故障した場合と同じ減
少メモリー容量を与えるように再構成され得るという付
照的な利点がある。従つて、それら全ての故障組合せの
場合に再構成モードR1あるいはR2でメモリーの下半
分に卦けるメモリー動作は確保し更にメモリーの上半分
及び下半分のすべてに対するアドレス指定を可能にする
ことができる。以下図面を参照して本発明を詳記する。
好適実施例 第1A図一第1C図及び第4A図一第4C図を参照する
と、メインメモリー(MMS)の3つの構成図が示され
ている。
第1A図及び第4A図は正規モードの動作であり、モジ
ユールO−3を4ウエイ.インターリーフアドレス方式
で示している。それら4つのモジユールは完全にインタ
ーリーフされてメモリーアドレススペースを構成するた
め、第1A図にあ・いては並列に配置されて示されてい
る。第4A図を参照すると、MMSOモジユールOにあ
る2つの36ビツトワード(語)の夫々を示す2つのア
ドレススペース1,2が示されている。本実施例では、
インターリーフは2ワードずつで行なわれる。同様に、
ワードJャhレススペース3と4はMMSlモジユール1
にあり、ワードアドレススペース5と6はMMS2モジ
ユール2にあり、及びワードアドレススペース7と8は
MMS3モジユール3にある。この行程は次にまた始め
から繰v返され、ワードアドレススペース9と10はM
MSOモジユールOにあジ以下任意のワード番号につい
ても同様である。正規モードの動作では、アドレススペ
ースビツト27(27はMBA273Ol27はMBA
274Oで示される)と28(28はMBA283O、
28はMBA284Oで示される)はMMSの任意のモ
ジユールを指定するのに使われる(第3図参照)第3図
に}いて、正規モード動作(これは、第2図の回路に卦
いては、プロツク800Bの素子832の出力NREC
Nl3によジ示される)の場合のビツト位置27と28
は組合さつてモジユールを選択するの【使われる。再び
第4A図を参照すると、ビツト27とビツト28の組合
せ(第2図に卦いては、プロツク800Aのゲート84
1に人力されるMBA274OとMBA284O)は、
MMSOをアドレス指定し、ビツト27とビツト28の
組合せはMMSlをアドレス指定し、ビツト27とビツ
ト28(第2図に訃いては、プロツク800Aのゲート
8481f−入力されるMBA273OとMBA284
O)vまMMS2をアドレス指定し、更にビツト27と
ビツト28の組合せはMMS3をアドレス指定する。第
1B図及び第4B図(2メガバイト装置にのみ有効)を
参照すると再構成モードR1が示されている。
モードR,に}いで故障はモジユール2か3のいづれか
、又はモジユール2と3の双方にある。従つて第1B図
に示されるように、メモリーアドレススペースは2分割
され、そしてモジユール2と3がメモリーアドレス領域
の上半分に置かれて2−ウエイ.インターリーフとなる
ようにかつモジユール0と1が下半分に置かれて2−ウ
エイ.インターリーフとなるように再構成されている。
第4B図から判るように、各36ビツトワードはワード
1,2,3及び4はまだ夫々MMSOとMMS,にある
が、ワード5,6,7及び8はもはやMMS2とMMS
3にはなく、夫々MMSOと1MS1にあるよう組織さ
れている。また、ビツト位置11及び28は、再構成し
た状態R1又はR2に卦いて任意のMMSモジユールを
アドレス指定するのに使用されることは明らかである。
従つて、再構成した状態R1では2つのビツト11と2
8はモジユール0をアドレス指定し、ビツト11と28
はモジユール1をアドレス指定し、ビツト11と28は
モジユール2をアドレス指定し、更にビツト11と28
はモジユール3をアドレス指定する。第1C図}よび第
4C図は、故障がモジユール0かモジユール1、又はモ
ジユール0とモジユール1の両方にある場合の再構成し
たモードR2の形式をプロツク図で示している。
第1C図から判るように、モジユール0と1はメモリー
アドレス領域の上半分に配置されて2−ウエイ.インタ
ーリーフにされかつモジユール2と3はアドレス領域の
下半分に配置されて2−ウエイ.インターリーフにされ
る。第4C図から判るように、利用者によつて使用し得
るワード組織はシフトして、ワード1,2,3、及び4
は夫々MMS2とMMS3にあり、更にワード5,6,
7及び8は夫々MMS2とMMS3にある。この手順は
記憶装置の容量までの任意の数のワードに対して繰り返
される。第3図を参照すると、正規状態と再構成した状
態の双方に訃いてモジユールとMMS内のワードとをア
ドレス指定する書式が示されている。
この書式は、2メガバイトの記憶容量の場合であつてビ
ツト11〜28が使用され、従つて正規時に}いてもビ
ツト8,9及び10は使用されない。他の記憶容量の場
合にもこれと同じタイプの書式が使用でき、小さい記憶
容量の場合にはより少ないビツト数でよくまた大きい記
憶容量の場合にはより多くのビツト数が必要となる。本
実施例の2メガバイト構成に卦いては、メモリを2分す
る最上位ビツト11がモジユール選択ビツトの1つとし
て選択される。第3図を検討すると、モジユール選択ビ
ツトを別にすると再構成モードでは正規モードに比較す
るとMMSに対するワードアドレスビツトは左に1ビツ
トだけシフトされていることが判る。これは2進数の桁
のシフトを表わし、正規モードでアドレス指定したのと
同じメモリースペース全体のアドレス指定を可能にする
が、利用者の利用できるワードを良好なメモリー、即ち
故障のない半分のメモリーに再配置する。これによつて
正規状態で行つたと同じような態様で再構成したメモリ
ーを介してアドレスワードが進行することを可能にする
。上述の再構成モードにち一いては、ユーザーのアクセ
スはオペレーテイングシステムにより操作される。
この再構成に対するオペレータの可視性は次の如くであ
る。即ち、(1)モジユール全体の故障はコンソールの
メツセージにより表示される。(2)再構成は、CPU
メンテナンスパネルのスイツチ又は後で後べるジアッパ
ーキャップによつて実行される。(3)本システムは再
び初期化され再起動される。動作はメインメモリーの半
分の容量で進行し、従つてCPUの能力はほぼ20%減
となる。(4)本システムは、故障モジユールの修理後
正規構成及び動作に復旧される。第2図を参照して、如
何にして再構成モードが選択され、如何にして再構成モ
ードの特定モジユールがアドレス指定されるかを説明す
る。
例として、記憶装置が再構成モードR1で動作している
と仮定する。所望の再構成モードを示す信号群がピン8
01,802、及び803に印カロされる。もし再構成
モードR,が所望ならばピン802に印カロされる信号
UNRCllSは高位状態であ楓一方再構成モードR2
が所望ならば高位状態の信号UNRCN2,Sがピン8
03に印力Dされる。ピン801に印加される信号UN
R24lSが高位状態であるときは、2つの2−ウエイ
ーインターリーブモードへのメモリーの再構成をCPU
が要求していることを示す。もしこの例のように再構成
状態R1が所望ならば、CpUからの信号UNRCll
Sはピン802に訃いて高位状態である。高位状態信号
UNRCllSはANDゲート805、増幅器808、
ANDゲート810、増幅器812、ANDゲート81
9、及び増幅器824を介して伝送され、メモリーが再
構成状態に再構成されることを示す信号NRECY,3
を発生する。この2メガバイトのメモリー装置の再構成
状態に卦いて任意のメモリーモジユールをアドレス指定
するには、前述したようにビツト11とビツト28が所
定の組合せにあることが必要である。第4B図と第4C
図とは、再構成状態に}いて特定のモジユールをアドレ
ス指定するビツトの組合せを示している。本例では、記
憶装置は再構成モードR,での動作が希望されていると
仮定して卦り、更にMMSのアドレス指定が希望されて
いる。信号MBAll3Oはジアッパーキャップ853
に印加される。即ち、アドレスビツト11を示す信号M
BAll3Oはジアッパーキャップ853に印カロされ
、ここからの信号が0C(入出力制御装置)で発生され
更にMSS(メインストレージシーケンサ)に伝送され
る。第4B図及び第4C図に示すように、前述のパター
ンでのビツト11とビツト28の特定の組合せは、再構
成状態R,及びR2にあ一いて所定のモジユールを選択
するのに使われる。ビツト28は第2図のゲート840
及び847に印加される(MBA284Oは28を示す
)。信号MBAll3O(即ちIOCからMSSへのア
ドレスビツト11)は信号NIRC4lO(即ちIOC
再構成ピツト番号4)として現われる。この信号NIR
C4lOは、ANDゲート859及び862に印カロさ
れる。ANDゲート862を通るこの信号を追跡すると
、ゲート862は付勢されてこの信号をインバータ86
3へそしてANDゲート876の1つの入力端子へ与え
る。ANDゲート876への他の入力は信号UNRCl
lSに由来する信号NRECllOであ只再構成モード
R,を示す。(再構成状態RlVC.ふ・ける種々の信
号経路を追跡するのに便利なように破線で示している)
。ANDゲート876への両入力信号が高位状態である
と、ANDゲートは付勢されて高位状態信号が増幅器8
78へ印加?れ、アドレス領域内の下側モジユールが選
択されることを示す信号NIS2NlOを発生する。こ
の信号NIS2NlOlfiANDゲート840に1つ
の入力として印加される。ANDゲート840への他の
入力信号は以下に述べる。信号NRECYl3はAND
ゲート840への入力信号であV1メインメモリーが再
構成状態にあることを示している。
信号NRECYl3は次の経路を経てANDゲート84
0に到達する。即ち、ピン802、ANDゲート805
、増幅器808、ANDゲート810、増幅器812、
ANDゲート819、及び増幅器824である。AND
ゲート840へ印加される他の入力信号はNIOCDl
Oであわ、この信号は入出力制御装置(IOC)がメイ
ンストレージシーケンサ(MSS)の制御を有している
ことを示す。ANDゲート840への最後の入力信号は
ビツト28を示すMBA284Oであ穴この信号は再構
成した状態R1に}いてモジユール0を選択するために
ビツト11と共に必要なビツトの1つである。これらの
入力信号の全てが高位状態であるとANDゲート840
は付勢され、ANDゲート837へ信号を入力する。A
NDゲート837への他の入力信号は信号MNBZOO
Oであシ、この信号は、これが表わすステートメント(
即ち、メインメモリーモジユールがビジーでない)が真
のとき高位状態である。モジユール0がビジーでないと
仮定すると、信号MNBZOOOは高位状態であり、A
NDゲート837を付勢し増幅器838に高位状態信号
を印力口し、従つてメインメモリーモジユール0、即ち
MMSに対してGO(進行)信号NMGOOlTを発生
する。再構成モードR1に卦いてモジユール2の選択を
付勢するANDゲート847は、ANDゲート840と
同様に信号NRECYl3,NIOCDlO及びMBA
284Oを受ける。
ANDゲート847への最後の入力信号NIS2AlO
は、ANDゲート872に与えられるUNRCllSに
由来するNRECllOと、ANDゲート859,85
6及び増幅器857を介して与えられるビツト11を表
わすNIRC4lOとから発生され、高位状態のときア
ドレス領域内の上側のモジユール(即ち、モジユール2
,3)が選択されることを示す。以上の信号によりAN
Dゲート847が付勢されるとき、その他の条件を満た
すならば、増幅器849はモジユール2に対しGO信号
NMGO2lT゛を発生する。第2図を同じように解析
することによつて任意の構成に}いて任意のメモリーモ
ジユールがアドレス指定されることが判る。
符号記号の解説 信号論理名 定 義NBUFφ1
1バツフアあるいはCP指定フラグ信号1NBUFφ1
2バツフアあるいはCP指定フラグ信号2NBUFφ1
3〃 〃 3NBUFφ14
〃 〃 4NBUFφ15〃
〃 5NBUFφ16〃
〃 6NMA211RMMSア
ドレスピツト21NMA221R〃 〃 2
2 NMA231R〃 〃 23 NMG0φ1φ メインメモリーモジユiルφGO信号
NMGOllφ 〃 〃 GO信号NMG
O2lφ 〃 〃 GO信号NMGO3
lφ 〃 〃 GO信号MNBZφφφ
メインメモリーモジユiルφビジー否定(Busy−
NOt)MNBZ2φφ 〃 〃 1ビジー否
定(Busy−NOt)〃 MNBZ2φφ 〃 〃 2ビジー否定(Bu
sy−NOt)MNBZ3φφ 〃 〃 3ビ
ジー否定(Busy−NOt)UBAP33φ NUA3Blφ UBA283φ NCONLlφ NCPODlφ NUS2Nlφ NUS2Alφ MBAP23φ NIA3Blφ NIOCφ1φ NIOCA2φ NMIOR2φ NIOCDlφ NIS2Nlφ CPアドレスバリテイビツト 3 CPアドレスバイト 2バリテイチ エツク CPアドレスビツト 28 CPだけ指定したフラグ信号 CPGO遅延 再構成モードでのCP下部モジユー ル選択 CPGOりセツト信号 10Cアドレスパリテイチエツク ビツト2 10Cアドレスバイト3バリテイ チエツク 10C制御機能指定プラグ 10Cだけ否定(AlOnenOt) 10C保留否定(ReservatiOnnOt)10
CG0遅延再構成モードでのIOC下部モジユ ール選択 信号論理名 定 義NIS2Al
φ再構成モードでのIOC上部モジユール選択NIOC
TlφMSSに対するIOCGONBUFA2φバツフ
アだけ否定(AlOne−NOt)BNMGOlφバツ
フア GOBNAP33φ バツフアアドレスパリテイ
ビツト3NBA3B1φバツフアアドレスバイト3パリ
テイチエツクNBONLllバッファだけの指定フラグ
信号NMBGOlφバツフアに対するIOCGO信号M
BRWSlφ IOC書込み信号NBS2Nlφ再構成
モードでのバツフア下部モジユール選択NBS2Alφ
再構成モードでのバツフア上部モジユール選択NREC
Nl3再構成モード否定 NRECYl3MMS再構成なし(増幅器3)NREC
Nl4MMS非再構成モードNRECYl4MMS再構
成よし(増幅器4)NMSSZlφMMSビジー(Bu
sy)NPACBlφ アドレスパリテイチエツクイン
ヒビツトNIAPClφ IOCアドレスパリテイチエ
ツクインヒビツトNAPMDlφアドレスパリテイ−モ
ードNAP3φ1φ IOCアドレスバイト3パリテイ
チエツクNMSSZ42MSSビジーでない(NOtB
usy)UBA273φ CPアドレスビツト27NM
A211TMMSインターフエース信号に対するアドレ
スビツト21NMA221TMMSインターフエース信
号に対するアドレスビツト22NMA231TMMSイ
ンターフエース信号に対するアドレスビツト23NMA
241TMMSインターフエース信号に対するアドレス
ビツト24NMA251TMMSインターフエース信号
に対するアドレスビツト25NMA261TMMSイン
ターフエース信号に対するアドレスビツト26NMG0
φ1TMMSモジユールOに対するインターフエンスG
O信号NMGOllTMMSモジユール1に対するイン
ターフエースGO信号信号論理名 NMGO2lT NMGO3lT XN2l XN2l MBA2llS NMGORlS MBA22lS MBA22lS MBA24lS MBA251S MBA261S MBA271S MBA281S NXU MBAP21S MBAP31S MBG0R1S MBRWS1S MBMG01S MMP481φ MMP49lφ MMP5Olφ MMP5llφ MMP52lφ MMP53lφ MMP54lφ NBCGOIφ MMP55lφ MMP56lφ 定 義 MMSモジユール2に対するインタ ーフエースGO信号 MMSモジユール3に対するインタ ーフエースGO信号 MMSに対するインターフエース GO信号使用せず MMSに対するインターフエース GO信号使用せず MMSビツト21に対するIOCアドレスゼネラルGO
りセツト内部MSS MSSに対するIOCアドレスビツト22〃
〃 23〃
〃 24〃 〃
25〃 〃
26〃 〃 27〃
〃 28使用せずMS
Sに対するIOCアドレスパIルイビツト2〃
〃 〃 310Cに対するMS
SGOりセツトMMSに対するIOC読出しあるい は書込み バツフアに対するSSを介けこGO信号 パリテイチエツクビツト48に対す るIOC書込データ パリテイチエツクビツト49に対す るIOC書込データ パリテイチエツクビツト50に対す るIOC書込データ パリテイチエツクビツト51に対す るIOC書込データ パリテイチエツクビツト52に対す るIOC書込データ パリテイチエツクビツト53に対す るIOC書込データ パリテイチエツクビツト54に対す るIOC書込データ バツフアあるいはCPUGO パリテイチエツカビツト55に対す るIOC書込データ パリテイチエツカビツト56に対す るIOC書込データ 信号論理名 MMP57lφ MMP58lφ MMP59lφ MMP6φ1φ MMP6llφ MMP62lφ MMP63lφ MMPP7lφ NIBPφ1φ NIBPllφ NIBP2lφ NIBP3lφ NIBP4lφ NIBP5lφ MMBP6lφ NBBPφ1φ NBBPllφ NBBP2lφ NBBP3lφ NBBP4lφ NBBP5lφ NBBP6lφ NBBP7lφ BNP48lφ BNP49lφ BNP5Olφ BNP5llφ BNP52lφ BNP53lφ 定 義 パリティチエッカビツト57に対す るIOC書込データ パリテイチエツカビツト58に対す るIOC書込データ パリティチェッヵビツト59に対す るIOC書込データ パリテイチエツカビツト60に対す るIOC書込データ パリテイチエツカビツト61に対す るIOC書込データ パリテイチエツカビツト62に刈す るIOC書込データ パリテイチエツカビツト63に対す る0C書込データ 10C書込みデータパリテイチエツ クバイト7 0Cバイト0パリテイエラーチエツク 〃 1 〃 〃 2 〃 〃 3 〃 〃 4 〃 〃 5 〃 10C書込みデータバイト6パリティ バツフアバイトφパリテイエラー 〃 1 〃 〃 2 〃 〃 3 〃 〃 4 〃 〃 5 〃 〃 6 〃 〃 7 〃 パリテイチエツカビツト48に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト49に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト50に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト51に対す るCP書込データ パリテイチェッカピット52に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト53に対す るCP書込データ 信号論理名 BNP54lφ BNP55lφ BNP56lφ BNP57lφ BNP58lφ BNP59lφ BNP6Olφ BNP6llφ BNP62lφ BNP63lφ BNPP7lφ NICYClφ NCCYClφ NBCYClφ NlETMlφ NINETlφ NIAPBlφ MNIMElφ NIWESlφ NIOCφ34 NCETM1φ NCNETlφ NUAPBlφ MNCMElφ NCWESlφ NCPφφ36 MNWAB1φ UBWAB3φ UNINT3φ NIDPCll NBETMlφ NMAKCφφ 定 義 パリテイチエツカビツト54に対す るCP書込データ パリテイチェッカピット55に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト561f,対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト57に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト58に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト59に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト60に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト61に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト62に対す るCP書込データ パリテイチエツカビツト63に対す るCP書込データ CP書込データパリテイチエツクバイト7内部に発生し
たIOCサイクル 内部に発生したCPサイクル 内部に発生したバツフアサイクル 10C書込みアポート鎖錠 (AdOrtlatch) 10C再試行可能なエラー鎖錠 10Cパリテイチエツクインヒビツト 10Cマスクパリテイエラー 再試行不可能なエラーストローブ MSSに対するIOC制御信号 CP書込みアポート鎖錠 Cp再試行可能なエラー鎖錠 CPパリテイチエツクインヒビツト CPマスクパリテイエラー 再試行不可能なエラーストロープ MSSf)CP指定制御 10C書込みアポート CPU書込みアポート CPイニシヤライズ インヒビツトデータパリテイチエク バツフア書込みアポート鎖錠 メモリーアクノウレツジ(AcknOwledge)信
号論理名NIAKS2φ NBAKS2φ NCAKS2φ NINXMlφ NIOCTlφ NUNXMlφ NCPφφ16 NBNXM1φ NBUFφ15 NUSEC1φ NBNERlφ NBERSlφ NBRERlφ NIBP6lφ NIBP7lφ NBBP6lφ NBBP7lφ NMACKlφ NBACKlφ NUACKlφ NMBZφφφ NMBZlφφ NMBZ2φφ NMBZ3φφ NTACKIφ NBNEMlφ NlAPClφ NIDPClφ NIDPC3φ NBRDSlφ NRECllφ NREC2lφ NRECYII NRECYl2 NRECYl3 NRECYl4 NRECNll NRECNl2 NRECNl3 NRECNl4 NBNET1φ 定 義 制御否定 10Cアクノウレツジ否定 BUF〃 CPU〃 10C非存在メモリーチエツク 10CG0信号 CP非存在メモリーチエツク MSS(7)CP指定制御 バツフア非存在メモリーチエツク MSSのバツフア指定制御 CP単一エラー訂正 バツフア非再試行可能エラー バツフアエラーストローブ バツフア再試行可能エラー 10C不良バイト6パリテイチエツク 〃 〃 7 〃 バツフアバイト6バリテイエラーチエツク〃
7 〃 10Cアクノウレツジ BUF〃 CPU〃 MMSモジュiルφビジー否定(BusynOt)〃
1 〃 〃〃
2 〃 〃〃 3 〃
〃MSSビジーをりセツトするMSSア
クノウレツジ バツフア非存在メモリーチエツク インヒビツトデータパリテイチエツク インヒビツトアドレスパリテイチエツク 〃 〃 〃BU
F/CP読出しストローブ再構成モードR1 再構成モードR2 MMS再構成モードドライバ1 〃 〃 2 〃 〃 3 〃 〃 4 MMS非再構成モードドライバ1 〃 〃 2 〃 〃 3〃
〃 4 BUF非再構成エラーラッチストローブ 信号論理名 定 義NBAφ83
φ MSSアドレスビツト8に対するIOCMBAφ9
30〃 9 〃MBAlφ3φ
〃 10〃MBAll3φ
〃 11〃MBAl23φ 〃
12〃MBAl33φ 〃 13
〃MBAl43φ 〃 14〃NB
S2Alφ再構成モードに卦けるBUF.上部モジユー
ル選択NBS2Nlφ再構成モードにおけるBUF.下
部モジユール選択NINXMlφ IOC非存在メモリ
ーチエツクN[JNO4lφCP〃 〃NBN
XMlφ BUF〃 〃 NINM2lφ IOC非存有メモリーチエツクビツト
2NINM11φ 〃 〃
1NINMφ1φ 〃 〃
φXφφ アースNRCGlφφ論理 1 MBAφ83φ MSSアドレスビツト8に刈する10
CMBAφ93φ 〃 9
〃MBAlφ3φ MSSアトνスビツ日φに対する
IOCMBAll3φ 〃 11〃M
BAl23φ 〃 12〃MBAl3
3φ 〃 13〃MBAl43φ
〃 14〃NIRCφ1φ IOC再構
成ビツト 0NIRC11φ 〃 〃 1
NIRC21φ 〃 〃 2NIRC31
φ 〃 〃 3NIRC41φ 〃
〃 4NUNM21φ CP非存在メモリーチ
エツク ビツト2NUNM11φ 〃
〃 1NUNMφ1φ 〃
〃 φNURCφ1φ CP
再構成ビツト φNURCllφ 〃
1 NURC21φ 〃 2 NURC31φ 〃 3 NURC41φ 〃 4 NBNM21φ バツフア非存在メモリーチエツクピツ
ト2NBNM11φ 〃 〃
1NBNMφ1φ 〃
〃 φNBRC2lφバツフア再構成ビツト
2信号論理名 BNAl43φ NBACllφ NBRCφ1φ NBRC3lφ NBRC4lφ NINM3lφ NINM4lφ NINM5lφ NINM8lφ NINM7lφ NINM6lφ NUNM4lφ NUNM5lφ NUNM3lφ NUNM8lφ NUNM7lφ NUNM6lφ NBNM4lφ NBNM5lφ NBNM8lφ NBNM7lφ NBNM6lφ NUMRElS NURERlS NUNERlS NUWRClS NUMMNlS UNMMφ1S UNMM11S UNMM21S NUNEM1S UNR241S UNRC11S NMACK1S NMRDS1S NMRER1S NMNERlS NMERSlS 団w腎℃1S 定 義 Cp/バツフアアドレスビツト14 バツフア再構成ビツト1 〃 〃 φ 〃 〃 3 〃 〃 4 10C非存在メモリーチエツクビツト3 〃 〃 4 〃 〃 5〃
〃 8〃 〃
7〃 〃
6CP非存在メモリーチエツクビツト 4 〃 〃 5〃
〃 3 〃 〃 8 〃 〃 7〃
〃 6バツフア非存在メモリーチ
エツクビツト4〃 〃
5〃 〃 8〃
〃 7〃
〃 6cp読出しデータエラーに対するM
S CP再試行可能なエラーに対するMMS CP非再試行可能なエラーに対する MMS CP書込み取消しに対するMSS CPモード要求(−1) CPモード要求 φ CPモード要求 1 CPモード要求 2 CP非存在メモリーに対するMSS MMS再構成モードに対するCP 〃 〃
1/Oメモリーアクノウレツジに対するMMS l/0読出レトローブに対するMMS l/O再試行可能ストロープに対す るMMS Iノ0非再試行町能エラーに対する MMS l/Oエラーストローフド対するMMS l/0書込み取消しに対するMMS 信号論理名 定 義MNACKl
TMSSアクノウレツジインターフエース信号に対する
MMSMNRDSlTMSS読出しストロープインター
フエース信号に対するMMSMNRERlTMSS再試
行可能エラーインターフエース信号に対するMMSMN
NERlTMSS非再試行可能エラーインターフェース
信号に対するMSSMNERSlTMSSエラーストロ
ーブインターフエース信号に対するMSSMNWRCl
TMSS書込み取消しインターフエース信号に対するM
MSMNSEClTMSS単一エラー訂正インターフエ
ース信号に対するMMSX凸φ1TMMS診断モードビ
ツトOインターフエース信号に対するMMSNIOlM
llTMMS診断モードビツト1インターフエース信号
に対するMMSNMMM2lTMMS診断モードビツト
2インターフエース信号に対するMMSMNBZφ1T
MSSモジユール0ビジーインターフェース信号に対す
るMMSMNBZllTMSSモジユール1ビジーイン
ターフェース信号に対するMMSMNBZ2lTMSS
モジユール2ビジーインターフェース信号に対するMM
SMNBZ3lTMSSモジユール3ビジーインターフ
ェース信号に対するMMSBNAφ83φMSSアドレ
スビツト 8に対するCPU/バツフアBNAφ93φ
MSSアドレスビツト 9に対するCPU/バツフアB
NAlφ3φMSSアドレスビツト10に対するCPU
/バツフアBNAll3φMSSアドレスビツト11に
対するCPU/バツフアBNAl23φMSSアドレス
ビツト12に対するCPU/バツフアBNAl33φM
SSアドレスビツト13に対するCPU/バツフアBN
Al43φMSSアドレスビツト14に対するCPU/
バツフアBNAl53φMSSプドレスビツト15に対
する信号論理名 定 義CPU/
バツフア BNAl63φMSSアドレスビツト16に対するCP
U/バツフアBNAl73φMSSアドレスビツト17
に対するCPU/バツフアBNAl83φMSSアドレ
スビツト18に対するCPU/バツフアBNAl93φ
MSSアドレスビツト19に対するCPU/バツフア
BNA2φ3φMSSアドレスビツト20に対するCP
U/バツフアBNA2φ3φMSSアドレスビツト21
に対するCPU/バツフアBNA223φMSSアドレ
スビツト22に対するCPU/バツフアBNA253φ
MSSアドレスビツト23に対するCPU/バツフアM
BAφ83φ MSSアドレスビツト 8に対するIO
CMBAφ93φ 〃 9
〃MBAl33φ 〃 10〃MB
All3φ 〃 11〃MBAl2
3φ 〃 12〃MBAl33φ
〃 13〃MBAl43φ
〃 14〃MBAl53φ 〃
15〃MBAl63φ 〃
16〃MBAl73φ 〃 1
7〃MBAl83φ 〃 18〃M
BAl93φ 〃 19〃MBA2
φ3φ 〃 20〃MBA2l3φ
〃 21〃MBA223φ 〃
22〃MBA233φ 〃
23〃MBA243φ 〃 24
〃MBA253φ 〃 25〃MBA
263φ 〃 26〃MBA273φ
〃 27〃MBA283φ
〃 28〃NBAPBlφバツフアアドレス
パリテイチエツクNIAPBlφ 0C〃NUAPBl
φ CPU7MBAPll SIOCアドレスバイト1パリテイビツトMBAP23
φ IOCアドレスバイト2パリテイビツトNIAlB
Iφ IOCアドレ又バイト1・くリテイチエツク信号
論理名 定 義NIA2Blφ
IOCアドレスバイト2パリテイチエツクNIA3Bl
φ 〃 3 〃NIAPClφ
インヒビツトアドレスパリテイチエツクNAPlφ1
φ MMSアドレスバイト1パリテイチエツクNAP2
φ1φ 〃 2 〃BNAPl
3φ バツフアアドレスバイト1パリテイビツトBNA
P23φ 〃 2 〃
NBAlBlφ バツフアアドレスバイト1パリテイチ
エツクNBA2Blφ 〃 2
〃NBA3旧φ 〃 3 〃UNMKφ3
φ CP書込みマスクビツト 0UNMK13φ
〃 1UNMK23φ 〃
2UNMK33φ 〃
3UNMK43φ 〃 4U
NMK53φ 〃 5UNMA6
3φ 〃 6UNMK73φ
〃 7NNP481φ メインメモ
リーデータパリテイチエツクビツト48NNP491φ
メインメモリーデータパリテイチエツクビツト49N
NP5φ1φ メインメモリーデータパリテイチェツク
ビツト50NNP511φメインメモリーデータパリテ
イチエツクビツト51NNP521φメインメモリーデ
ータパリテイチェツクビツト52NNP531φ メイ
ンメモリーデータパリテイチエツクビツト53NNP5
41φメインメモリーデータパリテイチエツクビツト5
4NNP551φメインメモリーデータパリテイチェッ
クピット55NNP561φ メインメモリーデータパ
リテイチエックビツト56NNP571φ メインメモ
リーデータパリテイチェツクビツト57NNP581φ
メインメモリーデータパリテイチエツクビツト58N
NP591φ メインメモリーデータパリテイチエツク
ビット59NNP6φ1φメインメモリーデータパリテ
イチエ信号論理名NNP6llφ NNP62lφ NNP63lφ NNPP7lφ NNPP6lφ MNWRBlφ NMIOR2φ MBRWSlφ UNRWSlφ UNINT3φ UNWAR3φ NCWABlφ NIWABlφ NIAPClφ MNIMElφ UNMXP3φ MNCMElφ NIDPClφ NMBP6lφ NMBP7lφ NIOCDlφ NMAKSlφ NINBYlφ NCPφφ15 NCNBY1φ NBUFφ15 NBNBY1φ NETMSlφ NCETRlφ NIETRlφ NBETRlφ NCNETlφ NBNETlφ NIAKS2φ NCAKS2φ NBAKS2φ NIRDSlφ 定 義 ツクピツト60 メインメモリーデータパリテイチエ ツクビツト61 メインメモリーデータパリテイチエ ックビツト62 メインメモリーデータパリテイチエ ツクビツト63 メインメモリーデータパリテイチエ ツクバイトJ■■ツクバイト6 10C書込みアポート 10C保留否定(ReseryatiOnnOt)10
C読出し1書込み信号CP〃 〃 CPイニシヤライズ CP書込みアポート 書込みアポート 10C書込みアポート 10Cアドレスパリテイチエツクインヒビツト10C非
再試行可能エラーラツチCP書込みマスクパリテイビツ
ト CP非再試行可能エラーラツチ インヒビツトデータパリテイチエツク 読出しデータバイト6パリテイチエツク ツク〃 7 〃 10CG0遅延 メモリーアクノウレツジ信号 MSSに卦けるIOCサイクル 10C制御機能 MSSにあ・けるCPサイクル バツフア制御機能 MSSに卦けるバツフアサイクル タイミングからの制御 エラーのためのCP制御 エラーのためのIOC制御 エラーのためのバツフア制御 CPU非再試行可能エラー制御 バツフア非再試行可能エラー 10Cアクノウレツジ否定 CP〃 〃 BUF.〃 〃 10C読出しストローブ ZZ 信号論理名 定 義NIRDRl
φ IOC読出しストローブ制御NCRDSlφ CP
U読出しストローブNCRDRlφ 〃 〃
制御 NBRDSlφバツフア読出しストローブNBRDRl
φ 〃 〃 制御NIRDLlφ 読出し
データパリテイ制御エラーNCRDLlφ 〃
〃 〃NIPCSlφ IOC読出しデータ
比較NIPCRlφ 〃 〃 〃制御NC
PCSlφCP〃 〃NCPCRlφCP〃
〃制御 NBPCSlφBUF〃 〃 NBPCRlφ BUF.読出しデータ比較制御NIP
CLlφ IOC再試行可能ストロープNCPCLlφ
CPU〃 〃NBPCLl(!) BUF.〃
〃?φφ3φ IOC書込みデータビツト0w
φ13φ 〃 〃 1MMW(!)2
3φ 〃 〃 2MMW(!)23φ
〃 〃 3MMWφ43φ 〃
〃 4MMWφ53φ 〃
〃 5MMWφ63φ 〃 〃
6MMWφ73φ 〃 〃 7MMWφ
83φ 〃 〃 8MMWφ93φ
〃 〃 9MMW.1φ3φ 〃
〃10MMW113φ 〃
〃11BNVφφ1φCP書込みデータビツト
0BNWφ11φ 〃 〃 1BNW
φ21φ 〃 〃 2BNWφ31φ
〃 〃 3BNWφ41φ 〃
〃 4BNWφ51φ 〃
〃 5BNWφ61φ 〃 〃
6BNWφ71φ 〃 〃 7BN
Wφ81φ 〃 〃 8BNWφ91
φ 〃 〃 9BNW1φ1φ
〃 〃 10BNW111φ 〃
〃 11NNRφφ1φ メインメモリー読
出しデータビツト0NNRφ11φ 〃
〃 1NNRφ21φ 〃
〃 2信号論理名NNRφ31φ NNRφ41φ NNRφ51φ NNRφ61φ NNRφ71φ NNRφ81φ NNRφ91φ NNRlφ1φ NNRlllφ MlVlPO旧φ MMPφ11φ MMPφ21φ MMPφ31φ 印φ41φ MMPφ51φ MMPφ61φ MMPφ71φ MMPPφ1φ NNPφφ1φ NNPφ11φ NNPφ21φ NNPφ31φ NNPφ41φ NNPφ51φ NNPφ61φ NNPφ71φ NNPPφ1φ NMLVClφ NBLVClφ NICYCφφ NBCYCφφ MMBPWlφ NIBPφ1φ NBBPφ1φ 定 義 メインメモリー読出しデータビツト3 〃 〃 4〃
〃 5〃
〃 6〃 〃
7〃 〃 8〃
〃 9メインメモリー読
出しデータビツト10〃 〃
110C書込みデータパリテイチエツクビツ
ト0 10C書込みデータパリテイチエツ クビツト1 10C書込みデータパリテイチエツ クビツト2 10C書込みデータパリテイチエツ クビツト3 10C書込みデータパリテイチェッ クピット4 0C書込みデータパリテイチエツ クビツト5 10C書込みデータパリテイチエツ クビツト6 10C書込みデータパリテイチェッ クピット7 10C書込みデータパリテイチェッ クパートO メインメモリーパリテイチエツクビツト O〃
〃 1〃 〃
2 〃 〃 3〃
〃 4 〃 〃 5 〃 〃 6 〃 〃 7 メインメモリーパリテイチエツクバイト 010C書込
みデータ制御CP書込みデータ制御 10Cメモリーサイクル バツフアメモリーサイクル 10Cバイトパリテイ 10C不良パイトパリテイ バツフア不良バイトパリテイ 信号論理名 定 義NMBPφ1
φ メモリー不良バイトパリテイNIDPClφ イン
ヒビツトデータパリナイチエツクNBNφφ1φ バツ
フア読出しデータピツト 0.NBNφ11φ 〃
〃 1NBNφ21φ 〃
〃 2NBNφ31φ 〃
〃 3NBNφ41φ 〃
〃 4NBNφ51φ バツフア読出し
データビツト 5NBNφ61φ 〃
〃 6NBNφ71φ 〃
〃 7NBNφ81φ 〃
〃 8NBNφ91φ 〃
〃 9NBN1φ1φ 〃 〃
10NBN111φ 〃 〃
11NBUFA20利用者だけが認めないバツフ
アNIOCDlOlOCGO信号遅延NCPODlOC
PGO信号遅延 NIOCT2llOCGO信号 NBMGOOOバツフア GO信号 NIOCAlφ IOCのみ NMIORlφ IOCのためのMSS保留NMSSZ
lφMSSビジーNBUFOlφバツフア指定したMS
S NBSINIOバツフアサンプルインヒビツト信号NR
ECY34再構成モードにあ一けるメインメモリーNR
ECN34正規構成モードに卦けるメインメモリーNI
WBK2O書込み否定を実行するためのIOCUNMG
OlOCPUから出たGO信号
【図面の簡単な説明】
第1A図−第1C図は3つの構成モードを示すプロツク
図であり、第2図はメインメモリーの3つの構成モード
を達成する論理回路網の詳細な論理プロツク図であり、
第3図は正規モード及び再構成モードに卦いてメインメ
モリーのアドレス指定に用いるアドレスビツトの書式で
あり、第4A図一第4C図は3つのそれぞれの構成例に
卦けるメインメモリーモジユールの組織の形成をプロツ
ク図で示した図である。 図に卦いて、801−803はピンであり、804−8
06はANDゲートであジ、807809は増幅器であ
わ、810,811,813,814はANDゲートで
あり、812,821825,830−833は増幅器
であり、816一820はANDゲートであり、853
はジアッパーキャップであり、855, 858−862はANDゲートであり・ 863,8r4,878,866は増幅 872,873,876,877,864,86はAN
Dゲートであり、834−837,84841,843
−848はANDゲートであり、838,849は増幅
器である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 所定ビット数のメモリーアドレスによりアドレス指
    定可能なメモリーアドレススペースを与えるm−ウエイ
    ・インターリーブアドレス構成に配置された複数のメモ
    リーモジュール(MMS_0,MMS_1,MMS_2
    ,MMS_3)から成るコンピュータメモリー装置に関
    して使用するための再構成装置であつて、該再構成装置
    は再構成信号(UNR241S、NRECY13)に応
    答して前記複数のメモリーモジュールを前記m−ウエイ
    ・インターリーブアドレス構成からK−ウエイ・インタ
    ーリーブアドレス構成に再構成するように動作し、この
    kはm/2に等しく、かつ前記再生構成装置が、イ)前
    記再構成信号に応答しモジュール選択信号(MBA11
    30、MBA2840)のソースとして前記メモリーア
    ドレスの最下位ビット位置(ビット28)の最上位ビッ
    ト位置(ビット11)を選択する手段(853、840
    、847)であつて、前記最下位ビットの数は前記メモ
    リーモジュールのk−ウエイ・インターリーブを与える
    のに必要なビット数に等しいこと、ロ)前記モジュール
    選択信号に応答しかつ前記メモリースペースを形成する
    ための前記複数のメモリーモジュールの可能な再構成パ
    ターン(R_1、R_2)の1つを指定する再構成モー
    ド信号(UNRC11S、(UNRC21S、)に応答
    し、前記再構成モード信号により指定された前記再構成
    パターンにおける前記モジュール選択信号と該信号によ
    り選択されるべき前記複数のメモリージュールの1つと
    の関係(第4B図、第4C図)を確立し、かつモジュー
    ル付勢信号(MMGOO1T、NMGO21T)を発生
    してそれにより前記の確立された関係に従つて所与のメ
    モリーアドレスによる前記複数のメモリーモジュールの
    1つのアドレス指定を付勢する手段(802−809、
    859、856、857、862、863、872−8
    78、840、837、838、839、847、84
    6、849、851)、から成る再構成装置。
JP48103358A 1972-10-05 1973-09-14 メインメモリ−を再構成する方法と実施回路網 Expired JPS5924461B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US29541772A 1972-10-05 1972-10-05
US295417 1981-08-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS4974448A JPS4974448A (ja) 1974-07-18
JPS5924461B2 true JPS5924461B2 (ja) 1984-06-09

Family

ID=23137616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP48103358A Expired JPS5924461B2 (ja) 1972-10-05 1973-09-14 メインメモリ−を再構成する方法と実施回路網

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3796996A (ja)
JP (1) JPS5924461B2 (ja)
CA (1) CA999976A (ja)
DE (1) DE2350146C2 (ja)
FR (1) FR2202612A5 (ja)
GB (1) GB1423698A (ja)
IT (1) IT994355B (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7415966A (nl) * 1974-12-09 1976-06-11 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het opslaan van binaire informatie-elementen.
US4158227A (en) * 1977-10-12 1979-06-12 Bunker Ramo Corporation Paged memory mapping with elimination of recurrent decoding
JPS559260A (en) * 1978-07-03 1980-01-23 Nec Corp Information processing system
US4280176A (en) * 1978-12-26 1981-07-21 International Business Machines Corporation Memory configuration, address interleaving, relocation and access control system
JPS55110355A (en) * 1979-02-16 1980-08-25 Toshiba Corp Memory board and selection system for it
JPS5676860A (en) * 1979-11-28 1981-06-24 Nec Corp Interleaving system for memory device
US4408305A (en) * 1981-09-28 1983-10-04 Motorola, Inc. Memory with permanent array division capability
US4507730A (en) * 1981-10-01 1985-03-26 Honeywell Information Systems Inc. Memory system with automatic memory configuration
US4636973A (en) * 1982-07-21 1987-01-13 Raytheon Company Vernier addressing apparatus
JPS60205760A (ja) * 1984-03-30 1985-10-17 Fuji Xerox Co Ltd メモリ制御装置
US4754394A (en) * 1984-10-24 1988-06-28 International Business Machines Corporation Multiprocessing system having dynamically allocated local/global storage and including interleaving transformation circuit for transforming real addresses to corresponding absolute address of the storage
US4739473A (en) * 1985-07-02 1988-04-19 Honeywell Information Systems Inc. Computer memory apparatus
US4924375A (en) * 1987-10-23 1990-05-08 Chips And Technologies, Inc. Page interleaved memory access
US5051889A (en) * 1987-10-23 1991-09-24 Chips And Technologies, Incorporated Page interleaved memory access
US5287470A (en) * 1989-12-28 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for coupling a multi-lead output bus to interleaved memories, which are addressable in normal and block-write modes
JPH0430231A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Hitachi Ltd 主記憶アドレッシング方式
US5253354A (en) * 1990-08-31 1993-10-12 Advanced Micro Devices, Inc. Row address generator for defective DRAMS including an upper and lower memory device
US5572692A (en) * 1991-12-24 1996-11-05 Intel Corporation Memory configuration decoding system having automatic row base address generation mechanism for variable memory devices with row access interleaving
US6311286B1 (en) * 1993-04-30 2001-10-30 Nec Corporation Symmetric multiprocessing system with unified environment and distributed system functions
US5473573A (en) * 1994-05-09 1995-12-05 Cirrus Logic, Inc. Single chip controller-memory device and a memory architecture and methods suitable for implementing the same
US5941775A (en) * 1994-10-14 1999-08-24 Sega Of America, Inc. Data processing system, method thereof and memory cassette
JPH08115592A (ja) * 1994-10-14 1996-05-07 Sega Enterp Ltd データ処理システム、データ処理方法、並びにメモリカセット
JP3059076B2 (ja) * 1995-06-19 2000-07-04 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5809555A (en) * 1995-12-15 1998-09-15 Compaq Computer Corporation Method of determining sizes of 1:1 and 2:1 memory interleaving in a computer system, configuring to the maximum size, and informing the user if memory is incorrectly installed
US5987581A (en) * 1997-04-02 1999-11-16 Intel Corporation Configurable address line inverter for remapping memory
US20030046501A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-06 Schulz Jurgen M. Method for interleaving memory
KR101673233B1 (ko) * 2010-05-11 2016-11-17 삼성전자주식회사 트랜잭션 분할 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE2350146C2 (de) 1987-02-05
US3796996A (en) 1974-03-12
GB1423698A (en) 1976-02-04
JPS4974448A (ja) 1974-07-18
CA999976A (en) 1976-11-16
FR2202612A5 (ja) 1974-05-03
DE2350146A1 (de) 1974-04-18
IT994355B (it) 1975-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5924461B2 (ja) メインメモリ−を再構成する方法と実施回路網
US4722084A (en) Array reconfiguration apparatus and methods particularly adapted for use with very large scale integrated circuits
US3633175A (en) Defect-tolerant digital memory system
US5548553A (en) Method and apparatus for providing high-speed column redundancy
US3798606A (en) Bit partitioned monolithic circuit computer system
US4852100A (en) Error detection and correction scheme for main storage unit
US3654610A (en) Use of faulty storage circuits by position coding
US4928281A (en) Semiconductor memory
US5105425A (en) Adaptive or fault tolerant full wafer nonvolatile memory
JPH07120312B2 (ja) バッファメモリ制御装置
JPH03501305A (ja) バスデータの伝送検証システム
JPS593798A (ja) メモリ・システムにおける置換ベクトル発生方法
US4006467A (en) Error-correctible bit-organized RAM system
US5440724A (en) Central processing unit using dual basic processing units and combined result bus and incorporating means for obtaining access to internal BPU test signals
JP2953737B2 (ja) 複数ビット並列テスト回路を具備する半導体メモリ
US5103424A (en) Memory column interface with fault tolerance
US4833677A (en) Easily testable high speed architecture for large RAMS
JPH0652697A (ja) 誤り訂正機能付半導体メモリ
CN112669895A (zh) 测试电路及采用该测试电路的存储芯片
KR20200101651A (ko) 메모리 및 메모리의 동작 방법
JPS583195A (ja) イメ−ジ処理のためのメモリ・システム
JPS6325439B2 (ja)
JPH03720B2 (ja)
JPH0588989A (ja) メモリ装置
JP2913693B2 (ja) ランダムアクセスメモリ