JPS5924556B2 - リン化ガリウム緑色 - Google Patents
リン化ガリウム緑色Info
- Publication number
- JPS5924556B2 JPS5924556B2 JP58132779A JP13277983A JPS5924556B2 JP S5924556 B2 JPS5924556 B2 JP S5924556B2 JP 58132779 A JP58132779 A JP 58132779A JP 13277983 A JP13277983 A JP 13277983A JP S5924556 B2 JPS5924556 B2 JP S5924556B2
- Authority
- JP
- Japan
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- type gap
- gallium phosphide
- layer
- solution
- gap layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発導体発光素子に係力、特に燐化ガ９ウムＧａ
Ｐ結晶により構成された緑色発光素子に関する。
Ｐ結晶により構成された緑色発光素子に関する。
最近半導体発光素子例えばＧａＰ或いは燐化砒化ガリウ
ムＧａＡｓＰなどの化合物半導体結晶を用いた発光素子
は、種々の表示に多く用いられている。
ムＧａＡｓＰなどの化合物半導体結晶を用いた発光素子
は、種々の表示に多く用いられている。
このうち例えばＧａＰ発光素子は緑色から赤色発光、Ｇ
ａＡｓＰ発光素子では黄色から赤色発光が得られている
。そしてこの種の発光素子のうち緑色ＧａＰ発光素子或
いは黄色ＧａＡｓＰ発光素子では、発光中心不純物とし
て窒素Ｎ原子をドープする。この窒素をドープした発光
素子例えば緑色ＧａＰ発光素子は次のようにして得られ
る。即ちｎ型ＧａＰ基板上に液相エピタキシャル成長或
いは気相エピタキシャル成長よりｎ型ＧａＰ層を形成し
、この上に上記成長法或いは拡散法によｌ！）Ｐ型Ｇａ
Ｐ層を形成してＰ−ｎ接合を形成したものである。そし
て発光中心である窒素原子は、ｎ型ＧａＰ層及びＰ型Ｇ
ａＰ層内に添加されている。ところでこの窒素原子は、
実質的に発光に有効であるｐ−ｎ接合近傍で、高濃度に
添加されていることが好ましい。即ちｐ−ｎ接合近傍に
窒素が多く添加されておれば、発光効率が高くなる。そ
こで本発明者等はｐ−ｎ接合近傍に窒素を多く添加する
ために、種々の実験を行つた。その一つとして、ｎ型Ｇ
ａＰ基板上のｎ型ＧａＰ層のドナー濃度（ここでいうド
ナー濃度とは正味のドナー濃度即ち、−、である）と窒
素濃度埒 との関係を調べたところ成長方向に対し逆比
例することが判明した。即ちｎ型ＧａＰ層のドナー濃度
は、通常偏析係数が１よ杉小であることに起因して成長
方向に単調に増加し、一方向時に添加した窒素濃度ＮＴ
は吸収スペクトル測定および光電測定法により測定した
ところ成長方向に対し減少していた。したがつてｐ−ｎ
接合付近の発光中心である窒素濃度ＮＴは低くな虱発光
効率を低下せしめる原因となる。本発明は上記した実験
事実に対処し、ｎ型ＧａＰ基板上のｐ−ｎ接合を構成す
るＧａＰ層のドナー濃度を今迄と逆に成長方向に対し階
段状に減少するように構成し、発光中心となる窒素をｐ
−ｎ接合側のｎ型ＧａＰ層に含むようにして発光効率を
向上せしめたＧａＰ緑色発光素子を提供するものである
。
ａＡｓＰ発光素子では黄色から赤色発光が得られている
。そしてこの種の発光素子のうち緑色ＧａＰ発光素子或
いは黄色ＧａＡｓＰ発光素子では、発光中心不純物とし
て窒素Ｎ原子をドープする。この窒素をドープした発光
素子例えば緑色ＧａＰ発光素子は次のようにして得られ
る。即ちｎ型ＧａＰ基板上に液相エピタキシャル成長或
いは気相エピタキシャル成長よりｎ型ＧａＰ層を形成し
、この上に上記成長法或いは拡散法によｌ！）Ｐ型Ｇａ
Ｐ層を形成してＰ−ｎ接合を形成したものである。そし
て発光中心である窒素原子は、ｎ型ＧａＰ層及びＰ型Ｇ
ａＰ層内に添加されている。ところでこの窒素原子は、
実質的に発光に有効であるｐ−ｎ接合近傍で、高濃度に
添加されていることが好ましい。即ちｐ−ｎ接合近傍に
窒素が多く添加されておれば、発光効率が高くなる。そ
こで本発明者等はｐ−ｎ接合近傍に窒素を多く添加する
ために、種々の実験を行つた。その一つとして、ｎ型Ｇ
ａＰ基板上のｎ型ＧａＰ層のドナー濃度（ここでいうド
ナー濃度とは正味のドナー濃度即ち、−、である）と窒
素濃度埒 との関係を調べたところ成長方向に対し逆比
例することが判明した。即ちｎ型ＧａＰ層のドナー濃度
は、通常偏析係数が１よ杉小であることに起因して成長
方向に単調に増加し、一方向時に添加した窒素濃度ＮＴ
は吸収スペクトル測定および光電測定法により測定した
ところ成長方向に対し減少していた。したがつてｐ−ｎ
接合付近の発光中心である窒素濃度ＮＴは低くな虱発光
効率を低下せしめる原因となる。本発明は上記した実験
事実に対処し、ｎ型ＧａＰ基板上のｐ−ｎ接合を構成す
るＧａＰ層のドナー濃度を今迄と逆に成長方向に対し階
段状に減少するように構成し、発光中心となる窒素をｐ
−ｎ接合側のｎ型ＧａＰ層に含むようにして発光効率を
向上せしめたＧａＰ緑色発光素子を提供するものである
。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
まず第１図に示すような液相エピタキシヤル成長装置を
用いて、ｎ型ＧａＰ基板土にｎ型ＧａＰ層を形成した、
次にこのｎ型ＧａＰ層土にｐ型ＧａＰ層を形成してｐ−
ｎ接合を形成しＧａＰ緑色発光素子を得る。
用いて、ｎ型ＧａＰ基板土にｎ型ＧａＰ層を形成した、
次にこのｎ型ＧａＰ層土にｐ型ＧａＰ層を形成してｐ−
ｎ接合を形成しＧａＰ緑色発光素子を得る。
このようにして得られたＧａＰ緑色発光素子の発光効率
は、約０．２３％という高い値である。以下この実施例
の方法を具体的に説明する。まず第１図に示す成長装置
は、石英製の反応炉１１内に成長用ボート１２が配置さ
れ、反応炉１１の外側に２つの加熱装置１３ａ，１３ｂ
が設けられたもので、成長用ボート１２はｎ型ＧａＰ基
板１４を収容する凹部１４ａを有するスライダー１５と
、溶液１６を収容する部分を有し且つ不純物をドープす
るための小孔１７を有する溶液収容ボート１８とで構成
されて訃広ｎ型ＧａＰ基板１４上及び溶液１６上には例
えば石英からなる蓋１４ｂ，１６ｂが設けられている。
そしてこの成長用ボート１２と少し離れた部分に例えば
亜鉛Ｚｎからなる不純物蒸発源１９が備えられている。
また反応炉１１の両側には、ガスを供給するための開口
１１ａ，１１ａ′と、ガスを排出するための開口１１ｂ
が設けられている。このような成長装置で、ｎ型ＧａＰ
基板上にｎ型ＧａＰ層及びｐ型ＧａＰ層を形成する場合
、第２図Ａ，ｂ，ｃのように成長用ボート１２を駆動し
て行う。まず第２図ａに示すようにグラフアイトからな
るスライダー２５の凹部２４ａに硫黄Ｓドープのｎ型Ｇ
ａＰ基板２４を設置し、溶液収容ボート２８の溶液収容
溜にＧａ５ｇ収容し、ガス供給口１１ａ′からＨ２ガス
を流入しながら加熱装置を動作させ成長用ボート１２を
１０１０℃まで上昇せしめＧａＰ未飽和でドナー不純物
を含まない（自然に入るドナー不純物例えばシリコン等
は入つている）Ｇａ溶液２６を作る。このように１０１
０℃に達してから１５分後、スライダー２５を可動せし
め、第２図ｂに示すようにＧａＰ基板２４と溶液２６を
接触させ、第２図ｃのようにＧａＰ基板２４上に溶液２
６の一部を載せたまま多数の小孔２７を有する部分まで
移動せしめる。この時ＧａＰ基板２４上の溶液２６の厚
さが例えば１．５？となるように前記スライダー２５の
凹部２４ａの深さを設置しておく。この状態で例えば１
０分間保持して上記溶液２６にＧａＰ基板２４の表面を
溶し込み、この後一定の冷却速度例えば１．５℃／分で
所定の温度例えば９６０℃まで冷却する。
は、約０．２３％という高い値である。以下この実施例
の方法を具体的に説明する。まず第１図に示す成長装置
は、石英製の反応炉１１内に成長用ボート１２が配置さ
れ、反応炉１１の外側に２つの加熱装置１３ａ，１３ｂ
が設けられたもので、成長用ボート１２はｎ型ＧａＰ基
板１４を収容する凹部１４ａを有するスライダー１５と
、溶液１６を収容する部分を有し且つ不純物をドープす
るための小孔１７を有する溶液収容ボート１８とで構成
されて訃広ｎ型ＧａＰ基板１４上及び溶液１６上には例
えば石英からなる蓋１４ｂ，１６ｂが設けられている。
そしてこの成長用ボート１２と少し離れた部分に例えば
亜鉛Ｚｎからなる不純物蒸発源１９が備えられている。
また反応炉１１の両側には、ガスを供給するための開口
１１ａ，１１ａ′と、ガスを排出するための開口１１ｂ
が設けられている。このような成長装置で、ｎ型ＧａＰ
基板上にｎ型ＧａＰ層及びｐ型ＧａＰ層を形成する場合
、第２図Ａ，ｂ，ｃのように成長用ボート１２を駆動し
て行う。まず第２図ａに示すようにグラフアイトからな
るスライダー２５の凹部２４ａに硫黄Ｓドープのｎ型Ｇ
ａＰ基板２４を設置し、溶液収容ボート２８の溶液収容
溜にＧａ５ｇ収容し、ガス供給口１１ａ′からＨ２ガス
を流入しながら加熱装置を動作させ成長用ボート１２を
１０１０℃まで上昇せしめＧａＰ未飽和でドナー不純物
を含まない（自然に入るドナー不純物例えばシリコン等
は入つている）Ｇａ溶液２６を作る。このように１０１
０℃に達してから１５分後、スライダー２５を可動せし
め、第２図ｂに示すようにＧａＰ基板２４と溶液２６を
接触させ、第２図ｃのようにＧａＰ基板２４上に溶液２
６の一部を載せたまま多数の小孔２７を有する部分まで
移動せしめる。この時ＧａＰ基板２４上の溶液２６の厚
さが例えば１．５？となるように前記スライダー２５の
凹部２４ａの深さを設置しておく。この状態で例えば１
０分間保持して上記溶液２６にＧａＰ基板２４の表面を
溶し込み、この後一定の冷却速度例えば１．５℃／分で
所定の温度例えば９６０℃まで冷却する。
そして９６０℃に達したら所定の時間例えば６０分間温
度を一定に保ぢ保持開始と同時にガス供給口１１ａから
アンモニアＮＨ，を含むＨ，ガスを流入する。このよう
にすると、流入されたアンモニアは第２図ｃに示す状態
で多数の小孔２７を介してＧａＰ結晶上のガリウム溶液
２６と反応し、高濃度のＮがガリウム溶液に添加される
。６０分経過後溶液を再び例えば１．５℃／分の冷却速
度で９００℃まで冷却せしめ、途中から高濃度の窒素原
子を添加したｎ型ＧａＰ層を成長させる。
度を一定に保ぢ保持開始と同時にガス供給口１１ａから
アンモニアＮＨ，を含むＨ，ガスを流入する。このよう
にすると、流入されたアンモニアは第２図ｃに示す状態
で多数の小孔２７を介してＧａＰ結晶上のガリウム溶液
２６と反応し、高濃度のＮがガリウム溶液に添加される
。６０分経過後溶液を再び例えば１．５℃／分の冷却速
度で９００℃まで冷却せしめ、途中から高濃度の窒素原
子を添加したｎ型ＧａＰ層を成長させる。
引続き９００℃に達したら、所定の時間例えば３０分間
温度を一定に保ち、保持開始と同時に、第１図に示す例
えばＺｎからなる不純物蒸発源１９の加熱装置１３ｂを
動作させ例えば５６０℃まで昇温せしめその温度で保温
する。このようにするとＺｎが蒸発し、第１図に示すガ
ス供給口１１ａ″から例えばＨ，ガスと共に多数の小孔
２７を介してｎ型ＧａＰ層が成長したｎ型ＧａＰ基板上
の溶液に送り込まれる。その後溶液を再び例えば１．５
℃／分の冷却速度で８００℃まで冷却せじめ、ｎ型Ｇａ
Ｐ層上にｐ型ＧａＰ層を成長させ、後は加熱装置１３ａ
及び１３ｂの電源（図示しない）を切刃、自然冷却させ
る。ところで以上の成長用ボート１２及び不純物蒸発源
１９の温度プログラムは、上述した点からも明らかであ
るが、図示すると第３図Ａ，ｂに示すような分布である
。このようにして得られたｎ型ＧａＰ基板上のｎ型Ｇａ
Ｐ層のドナー濃度の分布は、第４図の実線で示すように
成長方向に対して階段状に大きく減少するようになつた
。これは、ｎ型ＧａＰ層を液相エピタキシヤル成長する
時に、ＧａＰ未飽和で且つドナー不純物を含まないＧａ
溶液にＧａＰ基板表面を一旦溶解させ、この溶解したＧ
ａＰ溶液を、前半は水素雰囲気下で、後半はアンモニア
を含んだ水素雰囲気下で再析出させることによると思わ
れる。即ちエピタキシヤル成長前半では、石英製反応管
表面が水素ガスで還元される為ガリウム溶液に高濃度シ
リコンＳｉが混入することが考えられ、これを反映して
前半に成長するｎ型ＧａＰ層には高濃度のＳｉが添加さ
れる。
温度を一定に保ち、保持開始と同時に、第１図に示す例
えばＺｎからなる不純物蒸発源１９の加熱装置１３ｂを
動作させ例えば５６０℃まで昇温せしめその温度で保温
する。このようにするとＺｎが蒸発し、第１図に示すガ
ス供給口１１ａ″から例えばＨ，ガスと共に多数の小孔
２７を介してｎ型ＧａＰ層が成長したｎ型ＧａＰ基板上
の溶液に送り込まれる。その後溶液を再び例えば１．５
℃／分の冷却速度で８００℃まで冷却せじめ、ｎ型Ｇａ
Ｐ層上にｐ型ＧａＰ層を成長させ、後は加熱装置１３ａ
及び１３ｂの電源（図示しない）を切刃、自然冷却させ
る。ところで以上の成長用ボート１２及び不純物蒸発源
１９の温度プログラムは、上述した点からも明らかであ
るが、図示すると第３図Ａ，ｂに示すような分布である
。このようにして得られたｎ型ＧａＰ基板上のｎ型Ｇａ
Ｐ層のドナー濃度の分布は、第４図の実線で示すように
成長方向に対して階段状に大きく減少するようになつた
。これは、ｎ型ＧａＰ層を液相エピタキシヤル成長する
時に、ＧａＰ未飽和で且つドナー不純物を含まないＧａ
溶液にＧａＰ基板表面を一旦溶解させ、この溶解したＧ
ａＰ溶液を、前半は水素雰囲気下で、後半はアンモニア
を含んだ水素雰囲気下で再析出させることによると思わ
れる。即ちエピタキシヤル成長前半では、石英製反応管
表面が水素ガスで還元される為ガリウム溶液に高濃度シ
リコンＳｉが混入することが考えられ、これを反映して
前半に成長するｎ型ＧａＰ層には高濃度のＳｉが添加さ
れる。
一方後半の成長はアンモニアを含む水素雰囲気下で行わ
れる為ガリウム溶液には多量の窒素が添加され、その窒
素の一部が溶液中に溶け込んでいるＳｉと安定な化合物
を形成して溶液中のＳｉ濃度が減少してしまい、溶液中
のドナー不純物としては基板結晶の溶解によつてもたら
された硫黄が主となｂ１この為後半で成長するｎ型Ｇａ
Ｐ層のドナー濃度が低くなると考えられる。したがつて
ｎ型ＧａＰ層の不純物分布は、エピタキシヤル成長させ
る際に途中でアンモニアを含んだ水素雰囲気下で行うよ
うにしているため階段状に変化していると思われる。な
卦比較のためにアンモニア添加を最初の昇温時又はｎ型
ＧａＰ層の成長開始時に行つた場合、ｎ型ＧＧａＰ層の
ドナー濃度が第４図点線で示すように低くな虱これに伴
つてｎ型ＧａＰ層全体の発光中心不純物濃度ＮＴが高く
例えば２×１０１８／〜程度とな拡この高い発光中心不
純物濃度によつて、光を吸収してしまい、外部発光効率
を低下させてしまう原因となる。また上記で示したよう
にｎ型ＧａＰ層の前半の部分（ドナー濃度の高い部分）
のドナー不純物がＳｉであるために硫黄などのドナー不
純物でｎ型ＧａＰ層を形成するより結晶性が良くなる。
れる為ガリウム溶液には多量の窒素が添加され、その窒
素の一部が溶液中に溶け込んでいるＳｉと安定な化合物
を形成して溶液中のＳｉ濃度が減少してしまい、溶液中
のドナー不純物としては基板結晶の溶解によつてもたら
された硫黄が主となｂ１この為後半で成長するｎ型Ｇａ
Ｐ層のドナー濃度が低くなると考えられる。したがつて
ｎ型ＧａＰ層の不純物分布は、エピタキシヤル成長させ
る際に途中でアンモニアを含んだ水素雰囲気下で行うよ
うにしているため階段状に変化していると思われる。な
卦比較のためにアンモニア添加を最初の昇温時又はｎ型
ＧａＰ層の成長開始時に行つた場合、ｎ型ＧＧａＰ層の
ドナー濃度が第４図点線で示すように低くな虱これに伴
つてｎ型ＧａＰ層全体の発光中心不純物濃度ＮＴが高く
例えば２×１０１８／〜程度とな拡この高い発光中心不
純物濃度によつて、光を吸収してしまい、外部発光効率
を低下させてしまう原因となる。また上記で示したよう
にｎ型ＧａＰ層の前半の部分（ドナー濃度の高い部分）
のドナー不純物がＳｉであるために硫黄などのドナー不
純物でｎ型ＧａＰ層を形成するより結晶性が良くなる。
したがつて外部発光効率が硫黄などのドナー不純物で構
成されたｎ型ＧａＰ層のｐ−ｎ接合付近のドナー濃度が
低くなるため、これを反映してｐ−ｎ接合付近の緑色発
光中心不純物であるＮ濃度ＮＴは２×１０１８／ｄと高
濃度となつている。したがつて発光効率は、ｐ型ＧａＰ
層からｎ型ＧａＰ層へのホールの注入の増大及び発光中
心不純物濃度の増大のために大幅に向上する。な卦上記
実施例では、アンモニア添加をｎ型ＧａＰ層の成長途中
の２０Ｐｍ付近で行つているが、１５μｍ〜２５μｍ付
近であつても良い。
成されたｎ型ＧａＰ層のｐ−ｎ接合付近のドナー濃度が
低くなるため、これを反映してｐ−ｎ接合付近の緑色発
光中心不純物であるＮ濃度ＮＴは２×１０１８／ｄと高
濃度となつている。したがつて発光効率は、ｐ型ＧａＰ
層からｎ型ＧａＰ層へのホールの注入の増大及び発光中
心不純物濃度の増大のために大幅に向上する。な卦上記
実施例では、アンモニア添加をｎ型ＧａＰ層の成長途中
の２０Ｐｍ付近で行つているが、１５μｍ〜２５μｍ付
近であつても良い。
これはエピタキシヤル成長を６０μｍ行い、ｐ型ＧａＰ
層が２０μｍの場合であつて成長或いはｐ型ＧａＰ層の
厚さが異なる場合は上述した値に限ることがない。ただ
しこの条件としては、発光領域であるｐ−ｎ接合付近の
ｎ型ＧａＰ層近傍（２〜５μｍ）で窒素濃度の変化をな
くして結晶性を良くし、また上述したように窒素による
光の吸収を少なくすることである。また上記実施例では
ｎ型ＧａＰ層を液相エピタキシヤル成長する時に水素雰
囲気中で行つたが、例えばアルゴンＡｒ雰囲気中で行つ
ても良い。
層が２０μｍの場合であつて成長或いはｐ型ＧａＰ層の
厚さが異なる場合は上述した値に限ることがない。ただ
しこの条件としては、発光領域であるｐ−ｎ接合付近の
ｎ型ＧａＰ層近傍（２〜５μｍ）で窒素濃度の変化をな
くして結晶性を良くし、また上述したように窒素による
光の吸収を少なくすることである。また上記実施例では
ｎ型ＧａＰ層を液相エピタキシヤル成長する時に水素雰
囲気中で行つたが、例えばアルゴンＡｒ雰囲気中で行つ
ても良い。
例えばアンモニア添加の時にＡｒ雰囲気中で行うと、上
述したように窒素（アンモニア）の一部が溶液中に溶け
込んでいるＳｉと安定な化合物を形成し溶液中のＳｉ濃
度が減少し、溶液中のドナー不純物としては基板結晶の
溶解によつてもたらされた硫黄が主となｂ１この為アン
モニア添加した後で成長するｎ型ＧａＰ層のドナー濃度
が低くな虱ある場合にはｐ型に反転する場合がある。さ
らに上記実施例に卦いて、ｎ型ＧａＰ基板のドナー不純
物として硫黄Ｓを用いたが、テルルＴｅ或いはセレンＳ
ｅであつても良く、ｐ型ＧａＰ層のアクセプタ不純物と
してＺｎに限ることなくＣｄであつても良い。
述したように窒素（アンモニア）の一部が溶液中に溶け
込んでいるＳｉと安定な化合物を形成し溶液中のＳｉ濃
度が減少し、溶液中のドナー不純物としては基板結晶の
溶解によつてもたらされた硫黄が主となｂ１この為アン
モニア添加した後で成長するｎ型ＧａＰ層のドナー濃度
が低くな虱ある場合にはｐ型に反転する場合がある。さ
らに上記実施例に卦いて、ｎ型ＧａＰ基板のドナー不純
物として硫黄Ｓを用いたが、テルルＴｅ或いはセレンＳ
ｅであつても良く、ｐ型ＧａＰ層のアクセプタ不純物と
してＺｎに限ることなくＣｄであつても良い。
さらにまた上記実施例で説明した数値は、それに限るこ
となく種々変えることができる。
となく種々変えることができる。
第１図は本発明の一実施例の方法に用いた液相エピタキ
シヤル成長装置の概略を示す断面図、第２図ａ−ｃは第
１図装置の成長用ボートを駆動様態を示す断面図、第３
図は第１図装置の成長用ボートと不純物蒸発源の温度プ
ロフアイルを示す曲線図、第４図は本発明の一実施例の
方法によつて得られた発光素子の不純物プロフアイルを
示す図である。 １１・・・反応炉、１２・・・成長用ボート、１３ａ，
１３ｂ・・・加熱装置、１４，２４・・・ｎ型ＧａＰ基
板、１４ａ，２４ａ・・・基板を収容する凹部、１４ｂ
，２４ｂ，１６ｂ，２６ｂ・・一蓋、１５，２５−・・
スライダー、１６，２６・・・溶液、１７，２７・・・
小孔、１８，２８・・・溶液収容ボート、１９・・・不
純物蒸発源、１１ａ，１１ａξ・・ガスを供給するため
の開口、１１ｂ・・・ガスを排出するための開口。
シヤル成長装置の概略を示す断面図、第２図ａ−ｃは第
１図装置の成長用ボートを駆動様態を示す断面図、第３
図は第１図装置の成長用ボートと不純物蒸発源の温度プ
ロフアイルを示す曲線図、第４図は本発明の一実施例の
方法によつて得られた発光素子の不純物プロフアイルを
示す図である。 １１・・・反応炉、１２・・・成長用ボート、１３ａ，
１３ｂ・・・加熱装置、１４，２４・・・ｎ型ＧａＰ基
板、１４ａ，２４ａ・・・基板を収容する凹部、１４ｂ
，２４ｂ，１６ｂ，２６ｂ・・一蓋、１５，２５−・・
スライダー、１６，２６・・・溶液、１７，２７・・・
小孔、１８，２８・・・溶液収容ボート、１９・・・不
純物蒸発源、１１ａ，１１ａξ・・ガスを供給するため
の開口、１１ｂ・・・ガスを排出するための開口。
Claims (1)
- １ ｎ型リン化ガリウム基板上にｐ−ｎ接合を構成する
リン化ガリウム層を設けてなるリン化ガリウム緑色発光
素子において、前記リン化ガリウム層のドナー濃度が前
記基板側から表面方向にしたがつて段階状に減少するよ
うに構成し、前記表面側のリン化ガリウム層に窒素を含
むようにしたことを特徴とするリン化ガリウム緑色発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132779A JPS5924556B2 (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | リン化ガリウム緑色 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132779A JPS5924556B2 (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | リン化ガリウム緑色 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12003777A Division JPS5453976A (en) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Gallium phosphide green light emitting element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936981A JPS5936981A (ja) | 1984-02-29 |
| JPS5924556B2 true JPS5924556B2 (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=15089349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132779A Expired JPS5924556B2 (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | リン化ガリウム緑色 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5924556B2 (ja) |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58132779A patent/JPS5924556B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5936981A (ja) | 1984-02-29 |
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