JPS5925418A - 半導体スイツチ回路 - Google Patents
半導体スイツチ回路Info
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- JPS5925418A JPS5925418A JP13530182A JP13530182A JPS5925418A JP S5925418 A JPS5925418 A JP S5925418A JP 13530182 A JP13530182 A JP 13530182A JP 13530182 A JP13530182 A JP 13530182A JP S5925418 A JPS5925418 A JP S5925418A
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 101150019209 IL13 gene Proteins 0.000 description 1
- 241001609370 Puschkinia scilloides Species 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/725—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for AC voltages or currents
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は制御電極付き双方向性Ｎ １．’ Ｎ Ｐ Ｎ
スイッチ（以下’Ｉ’ｌｌ、 ｌ ＡＣという）を用い
た変流スイッチに関ｔ／％特に制御信号により変流電圧
のゼロボルト・クロス点でトリガするゼロクロス変流ス
イッチに関するものである。
スイッチ（以下’Ｉ’ｌｌ、 ｌ ＡＣという）を用い
た変流スイッチに関ｔ／％特に制御信号により変流電圧
のゼロボルト・クロス点でトリガするゼロクロス変流ス
イッチに関するものである。
従来のこの種の回路は、負荷全制御する主１” ＩＬ
−Ｉ−ＡＣのゲート電極とＴ２電極間に、ゲート電流を
供給する、補助用のＴ几ＩＡＣ’ｉ接続し、この補助１
゛ｌ（・ＩＡＣｉ点弧させるトリガ信号を、主Ｉ！＋、
ＩΔＣの再端子電圧を検出することによって交流電源電
圧のゼロクロス近辺でのみ供給するように構成されてい
た。従って、制御回路の電源としては補助１’ｌｔ、Ｊ
ΔＣのゲート感度（数ｍ Ａ ）以上の直流電流を流し
得る容置のものが必要であり、このため主Ｔ几Ｉ Ａ、
Ｃを導通させるための制御回路の電力損失が多かった。
−Ｉ−ＡＣのゲート電極とＴ２電極間に、ゲート電流を
供給する、補助用のＴ几ＩＡＣ’ｉ接続し、この補助１
゛ｌ（・ＩＡＣｉ点弧させるトリガ信号を、主Ｉ！＋、
ＩΔＣの再端子電圧を検出することによって交流電源電
圧のゼロクロス近辺でのみ供給するように構成されてい
た。従って、制御回路の電源としては補助１’ｌｔ、Ｊ
ΔＣのゲート感度（数ｍ Ａ ）以上の直流電流を流し
得る容置のものが必要であり、このため主Ｔ几Ｉ Ａ、
Ｃを導通させるための制御回路の電力損失が多かった。
さらに非導通時に於いても主’１１？、Ｉ八〇の両端正
、圧の検出回路にｔま検出電流が常時負荷を介して流れ
てしまい、さらに電力損失を大きくするという欠点もあ
った。以下、第１図に示す従来回路の動作を詳しく説明
する。図に於いて１は交流用、源、２は欧荷インピーダ
ンス、３は導通することにより負荷２に電力を供給する
主Ｔ几［ＡＣで、３−１．３−２および３−３はそれぞ
れ該′１１１もＩＡＣの１１ 、 、 ＩＪＩ １およ
び（）雷、極である。４は交流電源′ｉ１Ｔ、 １．、
−、ｌ：、のゼロクロス近傍でのみ主’Ｉ’ｌｌ、ＩＡ
Ｃ３にトリガ信号全供給するゼロクロス・トリガ機能回
路で、補助１’ｌｌ、ｌＡＣ３，Ｉ’Ｕ’ｌ’６． Ｐ
ＮＰ トランジスタ７６しよび抵抗８．９で構成されて
いる。１０は制御回路の直流型１源で、１１は補助Ｔ几
Ｉへ〇の点弧軍、流全制限する抵抗である。今、スイッ
チ１２が開放状態の場合、補助＋１１几ＩＡＣのゲート
およびＴ１′ｖｌ極に電、源１０から可、流電圧が印加
されるため、補助Ｔ］１．ＩＡＣへのトリガ信号は供給
されない。
、圧の検出回路にｔま検出電流が常時負荷を介して流れ
てしまい、さらに電力損失を大きくするという欠点もあ
った。以下、第１図に示す従来回路の動作を詳しく説明
する。図に於いて１は交流用、源、２は欧荷インピーダ
ンス、３は導通することにより負荷２に電力を供給する
主Ｔ几［ＡＣで、３−１．３−２および３−３はそれぞ
れ該′１１１もＩＡＣの１１ 、 、 ＩＪＩ １およ
び（）雷、極である。４は交流電源′ｉ１Ｔ、 １．、
−、ｌ：、のゼロクロス近傍でのみ主’Ｉ’ｌｌ、ＩＡ
Ｃ３にトリガ信号全供給するゼロクロス・トリガ機能回
路で、補助１’ｌｌ、ｌＡＣ３，Ｉ’Ｕ’ｌ’６． Ｐ
ＮＰ トランジスタ７６しよび抵抗８．９で構成されて
いる。１０は制御回路の直流型１源で、１１は補助Ｔ几
Ｉへ〇の点弧軍、流全制限する抵抗である。今、スイッ
チ１２が開放状態の場合、補助＋１１几ＩＡＣのゲート
およびＴ１′ｖｌ極に電、源１０から可、流電圧が印加
されるため、補助Ｔ］１．ＩＡＣへのトリガ信号は供給
されない。
（ｊＹＥッ’１ｒ主Ｔｌ′ＬＬＡＣＩｄ阻止状態にあｆ
） 、 ＩＪＩ 、 、 ｆＩｊ２の両端には交流電源
１の雷１圧がブロックされている。このため、電圧検出
回路を構成している２つの抵抗８．９とトランジスタ７
のエミ、ｙり・ベースおよびＰ ＴＪ Ｔ ６のアノー
ドゲートには、そり、それ電源電圧が抵抗分割された検
出雷、流が負荷インピーダンス２全介して常に流れてい
る。
） 、 ＩＪＩ 、 、 ｆＩｊ２の両端には交流電源
１の雷１圧がブロックされている。このため、電圧検出
回路を構成している２つの抵抗８．９とトランジスタ７
のエミ、ｙり・ベースおよびＰ ＴＪ Ｔ ６のアノー
ドゲートには、そり、それ電源電圧が抵抗分割された検
出雷、流が負荷インピーダンス２全介して常に流れてい
る。
次に、スイッチ１２が又流雪、源１の任意の点、例工ば
、主Ｔ １１． Ｉ ＡＣ３（７） ’ＩＩ’ ２電極
が正（１’ｌＸ極が負）の半”す゛イクルの任意の位相
でスイッチ１２が閉じｆｒ場合、その点での主ＴＲＩＡ
Ｃ３の両端電圧ＶＴＩ、Ｔ２が大きく検出抵抗８の両端
電圧ＶＲ８がゼロクロス検出市、川ＶＢｎ（＝Ｖ人Ｇ）
よ、シ大きいようであればＩ） Ｎ Ｉ） ｌ−ランジ
スタ８のコレクタ・エミッタ間は導通状態であシ、直流
′醒圧１０からの点弧電流Ｆｉ抵抗１１を介し１）ＮＰ
）ランジスタ８でバイパスされるため補助′１゛几ｌＡ
Ｃ３は導通しない。以降、この半サイクルの終りに近い
領域、即ぢ几８抵抗の両端電圧ＶＲ８がｖｕｓ＝ｏ−ｖ
ｇｎでは前記バイパス用のＰＮＰ）ランジスタ８が力、
ト・オフ状態になるため補助’Ｉ’１１．ＩＡＣのゲー
トにけ点弧電流が供給される。同様に交流電源１の極性
がゼロ点をクロスし返転してＴ１電極が正（Ｔ２市、極
が負）になる。初共用電圧状態、即ちＲ８抵抗の両端蟹
、圧ｖａｔｓがゼロクロス検出電圧ＶＡＧ（−ＶＲＢ）
より小さい領域（ＶＲ８”０−ＶＡ Ｇ ）では、Ｐ
ｔＪ １’ ６がカット・オフ状態になっているため補
助′１゛ルＩＡＣのゲートへ点弧雷、流が供給される。
、主Ｔ １１． Ｉ ＡＣ３（７） ’ＩＩ’ ２電極
が正（１’ｌＸ極が負）の半”す゛イクルの任意の位相
でスイッチ１２が閉じｆｒ場合、その点での主ＴＲＩＡ
Ｃ３の両端電圧ＶＴＩ、Ｔ２が大きく検出抵抗８の両端
電圧ＶＲ８がゼロクロス検出市、川ＶＢｎ（＝Ｖ人Ｇ）
よ、シ大きいようであればＩ） Ｎ Ｉ） ｌ−ランジ
スタ８のコレクタ・エミッタ間は導通状態であシ、直流
′醒圧１０からの点弧電流Ｆｉ抵抗１１を介し１）ＮＰ
）ランジスタ８でバイパスされるため補助′１゛几ｌＡ
Ｃ３は導通しない。以降、この半サイクルの終りに近い
領域、即ぢ几８抵抗の両端電圧ＶＲ８がｖｕｓ＝ｏ−ｖ
ｇｎでは前記バイパス用のＰＮＰ）ランジスタ８が力、
ト・オフ状態になるため補助’Ｉ’１１．ＩＡＣのゲー
トにけ点弧電流が供給される。同様に交流電源１の極性
がゼロ点をクロスし返転してＴ１電極が正（Ｔ２市、極
が負）になる。初共用電圧状態、即ちＲ８抵抗の両端蟹
、圧ｖａｔｓがゼロクロス検出電圧ＶＡＧ（−ＶＲＢ）
より小さい領域（ＶＲ８”０−ＶＡ Ｇ ）では、Ｐ
ｔＪ １’ ６がカット・オフ状態になっているため補
助′１゛ルＩＡＣのゲートへ点弧雷、流が供給される。
更にスイッチ１２が閉になっている間は主ＴＩｔＪ Ａ
（？ ３が導通し、 Ｖ）ｘｓ＜Ｖｙ＋ｎ、 Ｖ人Ｇ
となフＰＮＰトランジスタとＩ’ＵＴは常にカット・オ
フであるため、補助用Ｔ几ｌＡＣ３への点弧電流は継続
して流れる。
（？ ３が導通し、 Ｖ）ｘｓ＜Ｖｙ＋ｎ、 Ｖ人Ｇ
となフＰＮＰトランジスタとＩ’ＵＴは常にカット・オ
フであるため、補助用Ｔ几ｌＡＣ３への点弧電流は継続
して流れる。
次に該スイッチが任意の半サイクルの任意の位相で開放
された場合、補助Ｔ几１ＡＣ５への点弧電流はスイット
１２の開放と同時に遮断されるが、主Ｔ几ｌＡＣ３はす
でにその半サイクルの初めのゼロクロス近傍の点弧信号
で導通状態に入っているため、四半ザイクルのＰニジに
於いて負荷電流が主’Ｉ’１１．−ＩＡＣの保持電流以
下になるまで導通は保持される。以上のような動作をす
ることで任意に開・閉されるスイッチ１２によシ主Ｔ几
ｌＡＣ３は又流電源１のゼロクロス点で導通および阻止
状態に入るｙ流ゼロクロス電力制御が行われる。
された場合、補助Ｔ几１ＡＣ５への点弧電流はスイット
１２の開放と同時に遮断されるが、主Ｔ几ｌＡＣ３はす
でにその半サイクルの初めのゼロクロス近傍の点弧信号
で導通状態に入っているため、四半ザイクルのＰニジに
於いて負荷電流が主’Ｉ’１１．−ＩＡＣの保持電流以
下になるまで導通は保持される。以上のような動作をす
ることで任意に開・閉されるスイッチ１２によシ主Ｔ几
ｌＡＣ３は又流電源１のゼロクロス点で導通および阻止
状態に入るｙ流ゼロクロス電力制御が行われる。
このように、補助用’Ｉ”ＲＩＡＣの点弧電流は一般的
に数ｍ Ａ程度であるため制御回路の７（Ｙ、力損失が
大きく、直流電源はこれが許容できる電源である必要が
あるという第１の欠点、寸た、比重状態に於いても、ゼ
ロクロス検出回路には負荷を介して常時検出軍、流が流
れているという第２の欠点、あるいは補助用の１゛几Ｉ
ＡＣがｄｖ／ｄｔによる誤点弧をしないよう設計上考慮
する必要がある等の欠点があった。
に数ｍ Ａ程度であるため制御回路の７（Ｙ、力損失が
大きく、直流電源はこれが許容できる電源である必要が
あるという第１の欠点、寸た、比重状態に於いても、ゼ
ロクロス検出回路には負荷を介して常時検出軍、流が流
れているという第２の欠点、あるいは補助用の１゛几Ｉ
ＡＣがｄｖ／ｄｔによる誤点弧をしないよう設計上考慮
する必要がある等の欠点があった。
本発明の目的は制御回路における電力損失を極力小さく
した変流スイッチを提供することにあり、そのために補
助スイッチとしてＭＯ８型電界効果トランジスタを用い
、さらにゼ日りロス点弧機能部には、前記補助ＭＯ８Ｆ
Ｅ’ｌ’スイッチの組み合せで動作する他のＭＵＳ型電
界効果トランジスタを用いたことを特徴とする。
した変流スイッチを提供することにあり、そのために補
助スイッチとしてＭＯ８型電界効果トランジスタを用い
、さらにゼ日りロス点弧機能部には、前記補助ＭＯ８Ｆ
Ｅ’ｌ’スイッチの組み合せで動作する他のＭＵＳ型電
界効果トランジスタを用いたことを特徴とする。
本発明によれば補助Ｔｌｌ、ＩＡＣを必要としないため
、主′Ｐ几ＩＡＣ制御回路の損失を極度にｌド−ｆｆて
き、さらにｄｖ／ｄｔによる誤点弧で主Ｔ几工へＣが誤
動作することのない又流ゼロクロス電力制御回路が得ら
れる。
、主′Ｐ几ＩＡＣ制御回路の損失を極度にｌド−ｆｆて
き、さらにｄｖ／ｄｔによる誤点弧で主Ｔ几工へＣが誤
動作することのない又流ゼロクロス電力制御回路が得ら
れる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第２図は本発明の一実施例であって、１，２゜３は従来
回路の第１図と同様交流電源と負荷インピーダンスおよ
び主′１゛ＩもＩＡＣを示し、３−１．３−２，３−３
はそれぞれ＋ｌｌ、 、 Ｔ１およびＧ電極で を示す。４′は変流電源電圧のゼロポルト近鉤み主′１
゛几■ΔＣ３にトリガ信号を供給するゼロクロス・トリ
ガ（幾能回路で、ここでは４つのエレハンスメント形Ｍ
ＣＪＳ型電界効果トランジスタ１３゜１４．１５，１６
”ｆ−例として使用している。また、１（＋、１１．１
２は従来回路と同様夫々直流′Ｉ“１を源と７１ｊ流制
限用抵抗および制御用スイッチである。
回路の第１図と同様交流電源と負荷インピーダンスおよ
び主′１゛ＩもＩＡＣを示し、３−１．３−２，３−３
はそれぞれ＋ｌｌ、 、 Ｔ１およびＧ電極で を示す。４′は変流電源電圧のゼロポルト近鉤み主′１
゛几■ΔＣ３にトリガ信号を供給するゼロクロス・トリ
ガ（幾能回路で、ここでは４つのエレハンスメント形Ｍ
ＣＪＳ型電界効果トランジスタ１３゜１４．１５，１６
”ｆ−例として使用している。また、１（＋、１１．１
２は従来回路と同様夫々直流′Ｉ“１を源と７１ｊ流制
限用抵抗および制御用スイッチである。
以下、これの動作を詳細に説明する。今スイッヂ１２が
開放状態にある時、２つのＭＯ８ＦＥ’ｌ’ １３およ
び１４のゲート・ソース間には制御電圧Ｖ。Ｓが印加さ
れないため、他の２つのＭＯＳＦＥＴ １４および１
５のゲート・ソース間のバイアス１ぼ、圧に関係なくド
レイン電流は流れない。従って主’Ｊ’［Ｌ−ＩＡＣ３
へはトリガ電、流の供給がないため阻止状態である。次
に、スイッチ１２が変流電源１の任意（Ｄ点ｓ 例ｉば
主ＩＩＬＩＡｃ ３のＴ２ｖＬ極カ正（Ｔｌ電極が負）
の半サイクルの任意の位相で閉じた場合、その点での主
′Ｖ几ｌＡＣ３のＴ２ ・０間電圧：ＶＴ ２−Ｇ（＝
ＶＴ ｔ ・Ｔ ２ ）カ大きく、仮［ＭＯ８ＦＥ’ｌ
’１５のゲーＩ・・ソース間電圧：Ｖ□Ｂ とチャネ
ル電圧：Ｖｃｂとの関係に於いて、Ｖ Ｔ ２ ａ中Ｖ
（１ｓ、＞Ｖｏｈ であれば、’ ＭＯ８１ｉ’ＥＴ
１５けスイッチ１２が閉じると同時に導通する。こ
の時はＭ（ＪＳＦＥＴ１３へのゲート・ソース間には制
御電圧が印加されず、ドレイン電流は流れない。従って
ＴＲｌＡＣ３ヘトリガ信号の供給はなく導ｊ中しない。
開放状態にある時、２つのＭＯ８ＦＥ’ｌ’ １３およ
び１４のゲート・ソース間には制御電圧Ｖ。Ｓが印加さ
れないため、他の２つのＭＯＳＦＥＴ １４および１
５のゲート・ソース間のバイアス１ぼ、圧に関係なくド
レイン電流は流れない。従って主’Ｊ’［Ｌ−ＩＡＣ３
へはトリガ電、流の供給がないため阻止状態である。次
に、スイッチ１２が変流電源１の任意（Ｄ点ｓ 例ｉば
主ＩＩＬＩＡｃ ３のＴ２ｖＬ極カ正（Ｔｌ電極が負）
の半サイクルの任意の位相で閉じた場合、その点での主
′Ｖ几ｌＡＣ３のＴ２ ・０間電圧：ＶＴ ２−Ｇ（＝
ＶＴ ｔ ・Ｔ ２ ）カ大きく、仮［ＭＯ８ＦＥ’ｌ
’１５のゲーＩ・・ソース間電圧：Ｖ□Ｂ とチャネ
ル電圧：Ｖｃｂとの関係に於いて、Ｖ Ｔ ２ ａ中Ｖ
（１ｓ、＞Ｖｏｈ であれば、’ ＭＯ８１ｉ’ＥＴ
１５けスイッチ１２が閉じると同時に導通する。こ
の時はＭ（ＪＳＦＥＴ１３へのゲート・ソース間には制
御電圧が印加されず、ドレイン電流は流れない。従って
ＴＲｌＡＣ３ヘトリガ信号の供給はなく導ｊ中しない。
以降、この半サイクルの終りに近いゼロボルト近傍で、
ＭｏＳ２”Ｅ’ｌ’ １５のゲート・ソース間′電圧Ｖ
ｏｓ７に前記チャネル電圧Ｖｃｂ との関係に於いてＶ
Ｔ２Ｇ＊ ＶＯ２＜’１’ＯＩｌ トナル？［圧領Ｍテ
ｉｉｍ ＭＯ８ＦＥＴ１５のドレイン・ソース間は高抵
抗となるため直流電圧１０はほとんどそのままＭＯ８Ｆ
ＥＴ１３のゲート・ソース間に印加される。ここで直流
電圧１０をＭ（ＪＳＦＥＴ １３ オ、１：び１４ノチ
ヤ、＊ルＷ、圧Ｖ。）。
ＭｏＳ２”Ｅ’ｌ’ １５のゲート・ソース間′電圧Ｖ
ｏｓ７に前記チャネル電圧Ｖｃｂ との関係に於いてＶ
Ｔ２Ｇ＊ ＶＯ２＜’１’ＯＩｌ トナル？［圧領Ｍテ
ｉｉｍ ＭＯ８ＦＥＴ１５のドレイン・ソース間は高抵
抗となるため直流電圧１０はほとんどそのままＭＯ８Ｆ
ＥＴ１３のゲート・ソース間に印加される。ここで直流
電圧１０をＭ（ＪＳＦＥＴ １３ オ、１：び１４ノチ
ヤ、＊ルＷ、圧Ｖ。）。
よ勺充分大きく設定しておけば、Ｔ几ＩＡＣ３のゲート
１に、流はＭ（ＪＳＦＥｉ’ｌ ３のＤ→ＳへさらにＭ
Ｏ８ＦＥＴ１４のＳ−＋Ｊ）へとチャネル電流として供
給され、その結果、導通する。同様に又流電源工の極性
がゼロ点をクロスし返転してＴｓ！極が正（Ｉｌ１３電
極が負）になった初期電圧状態、即ちＭ（ＪＳＦ【朝゛
１Ｇの一ゲート・ソース間電圧Ｖｏ、が、同チャネル電
圧Ｖ ｃｌ、との関係に於いて■Ｔ２ｏ中Ｖ。５＜Ｖｃ
ｌｌとなる電圧領域では、Ｍ（ＪＳＦＥ’ｌ’１６のド
レイン・ソース間は高抵抗であるため、′Ｊ゛几ｌＡＣ
３のゲート電流はＭＯ８Ｉｉ”ｌ弓Ｔ１４の１〕→Ｓへ
さらにＭ（ＪＳＩｉ’ Ｅ’ｒ １３のＳ→Ｊ）へとチ
ャネル電流として供給され、導通する。以後、スイッチ
１２が閉になツー乙いる間は１ｉｔＲＩＡＣ３が導通し
、ＭＯ８Ｆ（！；Ｔ１５および１６のゲート・ソース間
電圧はチャネル′亀圧に対し充分小さい（Ｖｏ ｓ＜＜
Ｖｃ Ｉｔ ）ため、同Ｆ 、１弓Ｉｌｌのドレイン
・ソース間は高抵抗であ！Ｊ直流制餌１４１（、圧１１
まゼロクロス近傍を含めＭ（ＪＳ円（１’ １３および
１４のゲート・ソース間に継続してＨＪ加され、Ｔ几ｌ
ＡＣ３へは点弧電流が流れる状態が相持される。次に該
スイッチが任意の半サイクルの任意の位相で開放された
場合、 ＭＯＳＦＥＴ １３および１４へのゲート・ソ
ース間電圧はスイッチ１２の開放と日時に遮断されるが
、 ＴＴＬＩＡＣ３はすでにその半サイクルの初めのゼ
ロクロス近傍の点弧信号で導通状態に入っているため、
四半°す゛イクルの終り″に於いて負荷間流がＴ几ＩＡ
Ｃの保持電流以下になシ阻止状態になるまでは導通が保
持される。以上のような動作をすることで、任意に開・
閉されるスイッチ１２により、Ｔｉｔ、ＩＡＣ３は変流
電源１のゼロクロス点で導通および阻止状態に入る交流
ゼロクロス電力制御が行われる。
１に、流はＭ（ＪＳＦＥｉ’ｌ ３のＤ→ＳへさらにＭ
Ｏ８ＦＥＴ１４のＳ−＋Ｊ）へとチャネル電流として供
給され、その結果、導通する。同様に又流電源工の極性
がゼロ点をクロスし返転してＴｓ！極が正（Ｉｌ１３電
極が負）になった初期電圧状態、即ちＭ（ＪＳＦ【朝゛
１Ｇの一ゲート・ソース間電圧Ｖｏ、が、同チャネル電
圧Ｖ ｃｌ、との関係に於いて■Ｔ２ｏ中Ｖ。５＜Ｖｃ
ｌｌとなる電圧領域では、Ｍ（ＪＳＦＥ’ｌ’１６のド
レイン・ソース間は高抵抗であるため、′Ｊ゛几ｌＡＣ
３のゲート電流はＭＯ８Ｉｉ”ｌ弓Ｔ１４の１〕→Ｓへ
さらにＭ（ＪＳＩｉ’ Ｅ’ｒ １３のＳ→Ｊ）へとチ
ャネル電流として供給され、導通する。以後、スイッチ
１２が閉になツー乙いる間は１ｉｔＲＩＡＣ３が導通し
、ＭＯ８Ｆ（！；Ｔ１５および１６のゲート・ソース間
電圧はチャネル′亀圧に対し充分小さい（Ｖｏ ｓ＜＜
Ｖｃ Ｉｔ ）ため、同Ｆ 、１弓Ｉｌｌのドレイン
・ソース間は高抵抗であ！Ｊ直流制餌１４１（、圧１１
まゼロクロス近傍を含めＭ（ＪＳ円（１’ １３および
１４のゲート・ソース間に継続してＨＪ加され、Ｔ几ｌ
ＡＣ３へは点弧電流が流れる状態が相持される。次に該
スイッチが任意の半サイクルの任意の位相で開放された
場合、 ＭＯＳＦＥＴ １３および１４へのゲート・ソ
ース間電圧はスイッチ１２の開放と日時に遮断されるが
、 ＴＴＬＩＡＣ３はすでにその半サイクルの初めのゼ
ロクロス近傍の点弧信号で導通状態に入っているため、
四半°す゛イクルの終り″に於いて負荷間流がＴ几ＩＡ
Ｃの保持電流以下になシ阻止状態になるまでは導通が保
持される。以上のような動作をすることで、任意に開・
閉されるスイッチ１２により、Ｔｉｔ、ＩＡＣ３は変流
電源１のゼロクロス点で導通および阻止状態に入る交流
ゼロクロス電力制御が行われる。
以上本発明の実施例動作の説明から解るように、１゛几
ＩＡＣに点弧電流全供給するスイッチとしてはＮ１ＪＮ
ＰＮの双方向性ザイリスタである補助Ｔ Ｒ，ＩΔ、Ｃ
の変わりに電界効果トランジスタで構成された′間流Ｉ
２）換回路を部用するため、１ｐ合容量の充’Ｒｔ ？
ｔｊ、流に起１■する（Ｉ Ｖ ／ｄ を誤点弧は旨無
となる。また、・ゼロクロス横用回路には絶縁型Ｍ （
Ｊ Ｓ Ｆ Ｉ’、Ｔの絶縁ゲート金使用し同１ｉ１
、ｌ炉ｌｌのゲート・ソース間チャネル下、圧で検出す
る回路構成にしているため、制御回路の電力損失が極め
て小さく、さらに従来スイッチ開放時にゼロクロス検出
回路に負荷を介して常時流れていた検出電流が、本例で
は全く流れないという利点がある。特に低？ＩＴ、流制
御が可能であるためｉ”ｌ’ Ｌ等集積回路の出力で直
接制御ができる等応用化の利点は太きい。尚、へＩＵｓ
ＦＥＴ以外の半導体素子も前述した制御機能を有するも
のであれば使用可能であυ、回路設唱も１商宜変更でき
る。
ＩＡＣに点弧電流全供給するスイッチとしてはＮ１ＪＮ
ＰＮの双方向性ザイリスタである補助Ｔ Ｒ，ＩΔ、Ｃ
の変わりに電界効果トランジスタで構成された′間流Ｉ
２）換回路を部用するため、１ｐ合容量の充’Ｒｔ ？
ｔｊ、流に起１■する（Ｉ Ｖ ／ｄ を誤点弧は旨無
となる。また、・ゼロクロス横用回路には絶縁型Ｍ （
Ｊ Ｓ Ｆ Ｉ’、Ｔの絶縁ゲート金使用し同１ｉ１
、ｌ炉ｌｌのゲート・ソース間チャネル下、圧で検出す
る回路構成にしているため、制御回路の電力損失が極め
て小さく、さらに従来スイッチ開放時にゼロクロス検出
回路に負荷を介して常時流れていた検出電流が、本例で
は全く流れないという利点がある。特に低？ＩＴ、流制
御が可能であるためｉ”ｌ’ Ｌ等集積回路の出力で直
接制御ができる等応用化の利点は太きい。尚、へＩＵｓ
ＦＥＴ以外の半導体素子も前述した制御機能を有するも
のであれば使用可能であυ、回路設唱も１商宜変更でき
る。
４ り面のｆ７ｉ１川な智、明
第１図−、従来のゼロクロス交流電力制御１回路図、第
２図は、不発明（・しよるゼロクロスダ流電力制御１０
１路の一実施例のスイッチ回路図である。
２図は、不発明（・しよるゼロクロスダ流電力制御１０
１路の一実施例のスイッチ回路図である。
Claims (1)
- Ｎ Ｐ Ｎ Ｉ３Ｎ素子と該素子のトリガ手段とを有す
る交流スイッチ回路において、前記トリガ手段は直流電
源とこれに接続されたスイッチ手段とによって制御され
る複数の半導体トランジスタ群によって構成されｋ Ａ
ｔＪ記複数の半導体トランジスタ群はＡｉｌ記Ｎ、ＩＦ
Ｎｒ’Ｎ素子の一方の電極と割出ビ屯権間に接続され１
〜リガ信号の電流通路として柳ノ＜１対のトランジスタ
と、この１対のトランジスタの開閉制御ケ１１なうトラ
ンジスタとを含むことｆｆ１ｌｔ’ｆ徴とする半導体ス
イッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13530182A JPS5925418A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 半導体スイツチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13530182A JPS5925418A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 半導体スイツチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925418A true JPS5925418A (ja) | 1984-02-09 |
Family
ID=15148502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13530182A Pending JPS5925418A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 半導体スイツチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106262U (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 |
-
1982
- 1982-08-03 JP JP13530182A patent/JPS5925418A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106262U (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 |
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