JPS5926667B2 - エッチング処理装置 - Google Patents
エッチング処理装置Info
- Publication number
- JPS5926667B2 JPS5926667B2 JP6978476A JP6978476A JPS5926667B2 JP S5926667 B2 JPS5926667 B2 JP S5926667B2 JP 6978476 A JP6978476 A JP 6978476A JP 6978476 A JP6978476 A JP 6978476A JP S5926667 B2 JPS5926667 B2 JP S5926667B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etching solution
- degree
- deterioration
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子製造時において半導体ウニハ表面の
導体層及び絶縁層を部分的あるいは全面的にエッチング
する際の上記エッチング液の劣化度を測定するためのモ
ニター槽部を有するエッチング処理装置に関するもので
ある。
導体層及び絶縁層を部分的あるいは全面的にエッチング
する際の上記エッチング液の劣化度を測定するためのモ
ニター槽部を有するエッチング処理装置に関するもので
ある。
半導体ウェハ表面の導体層又は絶縁層のエッチング作業
におけるエッチング液の交換は一般に所定のロッド数処
理後定期的に交換する方法が採られている。
におけるエッチング液の交換は一般に所定のロッド数処
理後定期的に交換する方法が採られている。
し力化、各ロッドの流れが不安全な場合、各ロッド数の
半導体ウェハ枚数の差がある場合などにおいてはロッド
数による定期的な交換ではむずかしく、特に経時的化学
変化するエッチング液についてはこのような定期的な交
換はとうてい不可能であつた。
半導体ウェハ枚数の差がある場合などにおいてはロッド
数による定期的な交換ではむずかしく、特に経時的化学
変化するエッチング液についてはこのような定期的な交
換はとうてい不可能であつた。
したがつて正確かつ確実なエッチングを行うためにはど
うしてもエッチング液の交換回数が多くなりエッチング
液の無駄が多くなり、また正確かつ確実なエッチングが
行われにくかつた。本発明はエッチング液の劣化度と懸
濁度との間に相関性があることに着目してなされたもの
で、その目的はエッチング液の劣化度を正確に測定する
ことにより、エッチング液の無駄を防止し正確かつ確実
なエッチングを行わせることにある。上記目的を達成す
るために、本発明のエッチング処理装置では、エッチン
グ液に光をあてて、その透過率を測定するためのモニタ
ー槽部を、エッチング液によつて被処理物をエッチング
処理するためのエッチング槽の一部に付加せしめたこと
を特徴とする。このような処理装置によれば、エッチン
グ液に特定波長の光をあててその光の透過率を測定し、
その測定値によつてそのエッチング液の劣化度を知るこ
とができる。以下本発明を詳細に説明する。第１図は本
発明のエッチング液劣化度測定法の一実施態様に従つて
、エッチング液劣化度を測定する方法を示すものである
。
うしてもエッチング液の交換回数が多くなりエッチング
液の無駄が多くなり、また正確かつ確実なエッチングが
行われにくかつた。本発明はエッチング液の劣化度と懸
濁度との間に相関性があることに着目してなされたもの
で、その目的はエッチング液の劣化度を正確に測定する
ことにより、エッチング液の無駄を防止し正確かつ確実
なエッチングを行わせることにある。上記目的を達成す
るために、本発明のエッチング処理装置では、エッチン
グ液に光をあてて、その透過率を測定するためのモニタ
ー槽部を、エッチング液によつて被処理物をエッチング
処理するためのエッチング槽の一部に付加せしめたこと
を特徴とする。このような処理装置によれば、エッチン
グ液に特定波長の光をあててその光の透過率を測定し、
その測定値によつてそのエッチング液の劣化度を知るこ
とができる。以下本発明を詳細に説明する。第１図は本
発明のエッチング液劣化度測定法の一実施態様に従つて
、エッチング液劣化度を測定する方法を示すものである
。
同図に示すように、エッチング槽１を四角な箱形容器の
側部で外側に突出する小容器状のモニター槽２を備えた
石英器からなるエッチング槽を用意する。
側部で外側に突出する小容器状のモニター槽２を備えた
石英器からなるエッチング槽を用意する。
この槽内にエッチング液３を満して処理すべき半導体ウ
ェハ４を投入する。そして、このモニター槽２をはさん
でその一方側にレーザ光発生装置５を配置し、他方側に
受光装置６を配置する。
ェハ４を投入する。そして、このモニター槽２をはさん
でその一方側にレーザ光発生装置５を配置し、他方側に
受光装置６を配置する。
このような設備を備えたエッチング槽にて半導体ウェハ
をエッチング処理する。この際、エッチング液３は経済
的に変化し徐々に劣化していくものである。このエッチ
ング液の状態すなわらエッチングの劣化度をレーザ光発
生装置５から発生させたレーザ光をモニター槽２の中の
エッチング液３を通して受光装置６に達する光の量によ
つて測定するのである。
をエッチング処理する。この際、エッチング液３は経済
的に変化し徐々に劣化していくものである。このエッチ
ング液の状態すなわらエッチングの劣化度をレーザ光発
生装置５から発生させたレーザ光をモニター槽２の中の
エッチング液３を通して受光装置６に達する光の量によ
つて測定するのである。
エツチング液の劣化度測定は１ｍＷ〜１０ｍＷのレーザ
光発生装置５からＨｅ−Ｎｅ可視レーザ光（λ＝６３２
８八）の例えば１０ｍＶレーザ光を発生させレーザ光を
モニター槽２のエツチング液３を通して受光装置６に達
したレーザ光の透過強度（エツチング液による吸収及ひ
一定である石英容器による吸収が含まれる）を記録する
ことにより行われ、第２図に示すようにレーザ光の透過
強度（透過率）がある値例えば３ｍＶになつたとき、こ
の時点をエツチング液の能力限界としそれ以下になつた
ときそのエツチング液は劣化したものとして使用できな
いエツチング液とする。
光発生装置５からＨｅ−Ｎｅ可視レーザ光（λ＝６３２
８八）の例えば１０ｍＶレーザ光を発生させレーザ光を
モニター槽２のエツチング液３を通して受光装置６に達
したレーザ光の透過強度（エツチング液による吸収及ひ
一定である石英容器による吸収が含まれる）を記録する
ことにより行われ、第２図に示すようにレーザ光の透過
強度（透過率）がある値例えば３ｍＶになつたとき、こ
の時点をエツチング液の能力限界としそれ以下になつた
ときそのエツチング液は劣化したものとして使用できな
いエツチング液とする。
エツチング液は劣化度によつてその懸濁度が異なりこれ
によつて透過するレーザ光の透過率も異なるので、その
劣化度を正確に測定できるものである。なお、エツチン
グ液の能力限界すなわらエツチング液が使えるか又は使
えないかの限界は、エツチング液の種類、用途及び処理
精度等によつて異なるものである。以上実施例で説明し
たような本発明によれば、エツチング液の劣化度にとも
なう懸濁度合によつて透過するレーザ光の透過強度（透
過率）が異なることを利用してエツチング液の劣化度を
測定するため、エツチング液の劣化度を正確かつ確実に
測定できるものである。
によつて透過するレーザ光の透過率も異なるので、その
劣化度を正確に測定できるものである。なお、エツチン
グ液の能力限界すなわらエツチング液が使えるか又は使
えないかの限界は、エツチング液の種類、用途及び処理
精度等によつて異なるものである。以上実施例で説明し
たような本発明によれば、エツチング液の劣化度にとも
なう懸濁度合によつて透過するレーザ光の透過強度（透
過率）が異なることを利用してエツチング液の劣化度を
測定するため、エツチング液の劣化度を正確かつ確実に
測定できるものである。
したがつて、エツチング液の交換が必要以上に行われる
ことはなくエツチング液の無駄を防止でき、しかも経済
的化学変化するエツチング液についても定期的な交換が
でき正確かつ確実なエツチングを行うことができるもの
である。
ことはなくエツチング液の無駄を防止でき、しかも経済
的化学変化するエツチング液についても定期的な交換が
でき正確かつ確実なエツチングを行うことができるもの
である。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく例えば、
エツチング液の劣化度を測定するための光は水銀光、タ
ングステン光など透過度のよい特定波長光を用いること
ができる。
エツチング液の劣化度を測定するための光は水銀光、タ
ングステン光など透過度のよい特定波長光を用いること
ができる。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図はエツチン
グ時間とレーザ光透過強度の関係を示す曲線図である。 １・・・・・・エツチング槽、２・・・・・・モニター
槽、３・・・・・・エツチング液、４・・・・・・半導
体ウエハ、５・・・・・ルーザ光発生装置、６・・・・
・・受光装置。
グ時間とレーザ光透過強度の関係を示す曲線図である。 １・・・・・・エツチング槽、２・・・・・・モニター
槽、３・・・・・・エツチング液、４・・・・・・半導
体ウエハ、５・・・・・ルーザ光発生装置、６・・・・
・・受光装置。
Claims (1)
- １ エッチング液に光をあてて、その透過率を測定する
ためのモニター槽部を、エッチング液によつて被処理物
をエッチング処理するためのエッチング槽の一部に付加
せしめたことを特徴とするエツチング処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6978476A JPS5926667B2 (ja) | 1976-06-16 | 1976-06-16 | エッチング処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6978476A JPS5926667B2 (ja) | 1976-06-16 | 1976-06-16 | エッチング処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52153494A JPS52153494A (en) | 1977-12-20 |
| JPS5926667B2 true JPS5926667B2 (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=13412720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6978476A Expired JPS5926667B2 (ja) | 1976-06-16 | 1976-06-16 | エッチング処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5926667B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258466U (ja) * | 1988-10-23 | 1990-04-26 |
-
1976
- 1976-06-16 JP JP6978476A patent/JPS5926667B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258466U (ja) * | 1988-10-23 | 1990-04-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52153494A (en) | 1977-12-20 |
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