JPS592743B2 - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS592743B2 JPS592743B2 JP14538180A JP14538180A JPS592743B2 JP S592743 B2 JPS592743 B2 JP S592743B2 JP 14538180 A JP14538180 A JP 14538180A JP 14538180 A JP14538180 A JP 14538180A JP S592743 B2 JPS592743 B2 JP S592743B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gear
- vapor deposition
- trajectory
- wafer
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体ウェハ等の被蒸着物にアルミニウム等
を蒸着する装置に係り、特に蒸着膜厚分布の均一化を図
る被蒸着物固定治具の回転構造に関する。
を蒸着する装置に係り、特に蒸着膜厚分布の均一化を図
る被蒸着物固定治具の回転構造に関する。
半導体ウェハに配線用のアルミニウムを蒸着する蒸着装
置の内部構造は一般に第１図の様に構成され、周囲は図
示せぬベルジヤで真空に保たれる。
置の内部構造は一般に第１図の様に構成され、周囲は図
示せぬベルジヤで真空に保たれる。
１、１’は皿状（球面の一部）のウェハ支持皿で、ｊ０
その内面に多数の半導体ウェハ２が固定される。
その内面に多数の半導体ウェハ２が固定される。
３、３’は自転軸で、その一端は支持皿１、１’の中心
部に結合される。
部に結合される。
４はギヤボックス５で回転自在に支持された公転軸で、
その一端４ａは図示せぬ駆動源（モータ）の出力回転軸
のクランク軸状７５部分に係合する。
その一端４ａは図示せぬ駆動源（モータ）の出力回転軸
のクランク軸状７５部分に係合する。
ギヤボックス５は静止した主ギヤ６と自公転可能な複数
の副ギヤＴを噛合させたもので、各副ギヤＴが自転軸３
、３’の各他端に結合される。複数（例えば３本）の自
転軸３、３’は公転４に対し所定角度傾斜して放射状に
配設され、そして公転軸４との間が連結アーム８および
突起部１１で結合される。１２、１３は軸受であり、こ
れらにより公転軸４が矢印β方向に回転する際に自転軸
３、３’および支持皿１、１’は矢印α方向に自転しか
つ、支持皿１、１’および自転軸３、３’が相対関係を
変えることなく公転軸４を中心に公転する。
の副ギヤＴを噛合させたもので、各副ギヤＴが自転軸３
、３’の各他端に結合される。複数（例えば３本）の自
転軸３、３’は公転４に対し所定角度傾斜して放射状に
配設され、そして公転軸４との間が連結アーム８および
突起部１１で結合される。１２、１３は軸受であり、こ
れらにより公転軸４が矢印β方向に回転する際に自転軸
３、３’および支持皿１、１’は矢印α方向に自転しか
つ、支持皿１、１’および自転軸３、３’が相対関係を
変えることなく公転軸４を中心に公転する。
即ち、公転軸４はギヤボックス５内では軸受１４により
回転可能に支持されているだけであり、ギヤ６などの他
の部材とは非結合の状態であり、従つて公転軸４の回転
βに伴なι哨転軸３、３０３’が同方向に公転すると、
主ギヤ６が静止しているので副ギヤ□が回転し、従つて
自転軸３、３’および支持皿１、１’は矢印α方向に回
転し、こうして自公転が行なわれる。９はギヤボックス
５を支持するギヤボックス支持柱、１０は蒸着源である
。
回転可能に支持されているだけであり、ギヤ６などの他
の部材とは非結合の状態であり、従つて公転軸４の回転
βに伴なι哨転軸３、３０３’が同方向に公転すると、
主ギヤ６が静止しているので副ギヤ□が回転し、従つて
自転軸３、３’および支持皿１、１’は矢印α方向に回
転し、こうして自公転が行なわれる。９はギヤボックス
５を支持するギヤボックス支持柱、１０は蒸着源である
。
９５１５はねじであり、図示しないが該ねじは紙面垂直
方向にもあつて、アルミニウムなどの蒸発物質を載せる
ボートが該ねじで両端を固定される。
方向にもあつて、アルミニウムなどの蒸発物質を載せる
ボートが該ねじで両端を固定される。
本例では該ボートは２個ある。ボートは通電加熱され、
該ボートに載せられた物質を蒸発させる。１６は絶縁体
、１７は電流導入管である。
該ボートに載せられた物質を蒸発させる。１６は絶縁体
、１７は電流導入管である。
また１８は軸受１３の支持プロツク、１９は支持皿１の
固定金具で該支持皿に固着されており、矢印Ｆ方向へ引
抜くことにより支持皿１を自転軸３から外し、また矢印
Ｆとは逆方向に挿し込むことにより支持皿を自転軸へ取
付ける。固定金具１９および支持皿１には図示しないが
孔があいており、また軸受１２に取付けられた回転プロ
ツク２０には突起があり、これらの孔と突起の嵌合によ
り、部材１９と２０が一体化する。蒸着源１０で例えば
アルミニウム（Ａｌ）を加熱、溶融して蒸発させるとそ
のＡｌ粒子は上昇して支持皿１，１′内面のウエハ２表
面に付着する。
固定金具で該支持皿に固着されており、矢印Ｆ方向へ引
抜くことにより支持皿１を自転軸３から外し、また矢印
Ｆとは逆方向に挿し込むことにより支持皿を自転軸へ取
付ける。固定金具１９および支持皿１には図示しないが
孔があいており、また軸受１２に取付けられた回転プロ
ツク２０には突起があり、これらの孔と突起の嵌合によ
り、部材１９と２０が一体化する。蒸着源１０で例えば
アルミニウム（Ａｌ）を加熱、溶融して蒸発させるとそ
のＡｌ粒子は上昇して支持皿１，１′内面のウエハ２表
面に付着する。
通常は蒸着時間を調整して蒸着膜厚を制御するが、蒸着
源１０に近いほどＡｌ粒子の付着量が多く、遠いほど少
ないので、上述した回転構造で支持皿１，１′を自公転
させて膜厚の均一化を図ろうとする。しかしながら従来
の蒸着装置では主ギヤ６の歯数Ｎ１と副ギヤ７の歯数Ｎ
２との比Ｎ１／Ｎ２が例えば５０／２５＝２の様に整数
であるため、支持皿１，Ｖが公転するとウエハ２は２自
転して元の位置に戻る。このため何公転しても支持皿上
の異なる位置の各ウエハの軌跡は各々独立しており入れ
換わることはないので、蒸着膜厚分布に比較的大きな偏
差が残る欠点がある。第２図はＮ，／Ｎ２２とした場合
のウエハ２の軌跡を平面的に見たものである。図では支
持皿１で１８０的異なる位置に配設されたウエハをＡ，
Ｂで区別してある。同図から明らかなように、支持皿１
が１公転する間に描くウエハＡの軌跡Ｃ，は横長の楕円
であるのに対し、ウエハＢの軌跡Ｃ２は縦長の楕円であ
り、これらの軌跡は何公転しても変らない。そこで偶偶
軌跡Ｃ１の一部に蒸着障害物があり、軌跡Ｃ２にはそれ
がないと、ウエハＡはウエハＢより蒸着膜厚が薄くなる
。第４図ａの曲線Ｓ１はギヤ比Ｎ１／Ｎ２−２で実験的
に得た膜厚の分布パターンの例で、１．０μｍを目標値
としたものである。
源１０に近いほどＡｌ粒子の付着量が多く、遠いほど少
ないので、上述した回転構造で支持皿１，１′を自公転
させて膜厚の均一化を図ろうとする。しかしながら従来
の蒸着装置では主ギヤ６の歯数Ｎ１と副ギヤ７の歯数Ｎ
２との比Ｎ１／Ｎ２が例えば５０／２５＝２の様に整数
であるため、支持皿１，Ｖが公転するとウエハ２は２自
転して元の位置に戻る。このため何公転しても支持皿上
の異なる位置の各ウエハの軌跡は各々独立しており入れ
換わることはないので、蒸着膜厚分布に比較的大きな偏
差が残る欠点がある。第２図はＮ，／Ｎ２２とした場合
のウエハ２の軌跡を平面的に見たものである。図では支
持皿１で１８０的異なる位置に配設されたウエハをＡ，
Ｂで区別してある。同図から明らかなように、支持皿１
が１公転する間に描くウエハＡの軌跡Ｃ，は横長の楕円
であるのに対し、ウエハＢの軌跡Ｃ２は縦長の楕円であ
り、これらの軌跡は何公転しても変らない。そこで偶偶
軌跡Ｃ１の一部に蒸着障害物があり、軌跡Ｃ２にはそれ
がないと、ウエハＡはウエハＢより蒸着膜厚が薄くなる
。第４図ａの曲線Ｓ１はギヤ比Ｎ１／Ｎ２−２で実験的
に得た膜厚の分布パターンの例で、１．０μｍを目標値
としたものである。
測定は同図ｂのように支持皿１に８枚のウエハ２を固着
して蒸着した後、各ウエハ毎に１と２と３，４と５と６
，・・・・・・の３点ずつ、全体で２４点膜厚をサンプ
リングしたものである。実用装置ではギヤ比Ｎ１／Ｎ２
−２でも曲線Ｓ１より良好なパターンを期待できるが、
Ｓ１のように最悪ケースでは最大値１．２μｍと最小値
０．８４μｍとの間に０，３６μｍの差があり、これで
は実用に供し得ない。本発明は、被蒸着物支持皿の自公
転に伴なう被蒸着物の軌跡を相互に入り組むようにして
蒸着膜厚の均一化を図ろうとするものである。
して蒸着した後、各ウエハ毎に１と２と３，４と５と６
，・・・・・・の３点ずつ、全体で２４点膜厚をサンプ
リングしたものである。実用装置ではギヤ比Ｎ１／Ｎ２
−２でも曲線Ｓ１より良好なパターンを期待できるが、
Ｓ１のように最悪ケースでは最大値１．２μｍと最小値
０．８４μｍとの間に０，３６μｍの差があり、これで
は実用に供し得ない。本発明は、被蒸着物支持皿の自公
転に伴なう被蒸着物の軌跡を相互に入り組むようにして
蒸着膜厚の均一化を図ろうとするものである。
本発明の蒸着装置は、駆動源に連結される公転軸と、固
定的に支持された主ギヤおよびこれと噛合する複数の公
自転可能な副ギヤを有するギヤボツクスと、該公転軸に
対し所定角度傾斜して放射状に配設され、そして各一端
が該複数の副ギヤにそれぞれ結合された複数の自転軸と
、該複数の自転軸の各他端に取り付けられた複数の被蒸
着物支持皿と、該複数の自転軸および支持皿を、それら
の相対位置関係を変えずに且つ自転可能に支持しながら
該公転軸の周囲を公転させる。該公転軸との間の連結機
構と、該支持皿の下方に設けられた蒸着源とを備え、該
主ギヤの歯数Ｎ１と副ギヤの歯数Ｎ２との比Ｎ，／Ｎ２
を３公転以上で前記支持皿上の点の空間的位置が最初の
状態に戻る値に選定してなることを特徴とするが、以下
図面を参照しながらこれを詳細に説明する。本発明の蒸
着装置もその機構の概要は第１図の構成で良い。
定的に支持された主ギヤおよびこれと噛合する複数の公
自転可能な副ギヤを有するギヤボツクスと、該公転軸に
対し所定角度傾斜して放射状に配設され、そして各一端
が該複数の副ギヤにそれぞれ結合された複数の自転軸と
、該複数の自転軸の各他端に取り付けられた複数の被蒸
着物支持皿と、該複数の自転軸および支持皿を、それら
の相対位置関係を変えずに且つ自転可能に支持しながら
該公転軸の周囲を公転させる。該公転軸との間の連結機
構と、該支持皿の下方に設けられた蒸着源とを備え、該
主ギヤの歯数Ｎ１と副ギヤの歯数Ｎ２との比Ｎ，／Ｎ２
を３公転以上で前記支持皿上の点の空間的位置が最初の
状態に戻る値に選定してなることを特徴とするが、以下
図面を参照しながらこれを詳細に説明する。本発明の蒸
着装置もその機構の概要は第１図の構成で良い。
但し、主ギヤ６と副ギヤ７とのギヤＮ，／Ｎ２を非整数
とする点が従来と異なる。第３図はＮ１／Ｎ２−７／３
とした本発明の一実施例装置において、支持皿１上に１
２０発ずつ回転位置を異ならせて配設した３枚のウエハ
Ａ−Ｃの描く軌跡を示す。図中の１〜７は支持皿１の公
転位置を７分割して示すものである。各ウエハは支持皿
１が３公転することで元の位置に戻る。例えばウエハＡ
は第１公転目の軌跡Ｃｌｌ、第２公転目の軌跡Ｃｌ２、
第３公転目の軌跡Ｃｌ３を経て原位置１へ戻る。またウ
エハＢは第１公転目の軌跡Ｃｌ３、第２公転目の軌跡Ｃ
ｌｌ、第３公転目の軌跡Ｃｌ２を経て原位置１へ戻る。
同様にしてウエハＣは第１公転目の軌跡Ｃ，２、第２公
転目の軌跡Ｃｌ３、第３公転目の軌跡Ｃ，ｌを経て原位
置１へ戻る。従つて、これらのウエハＡ−Ｃは軌跡Ｃ，
，〜Ｃｌ３を共通にするので蒸着条件は等しくなる。支
持皿上の他の位置に置かれるウエハの軌跡はウハハＡ，
Ｂ，Ｃの軌跡Ｃｌ，，Ｃ，２，Ｃｌ３とは異なるが、こ
れらの軌跡の間にありかつ軌跡Ｃｌｌ〜Ｃｌ３のように
公転路を複雑に通るから、蒸着条件はウエハＡ−Ｃとほ
ぼ同じであることが期待できる。第４図ａの曲線Ｓ２は
ギヤ比Ｎ１／Ｎ２−７／３で得た蒸着膜厚の分布パター
ンであり、サンプリング条件は曲線Ｓ１と同様である。
とする点が従来と異なる。第３図はＮ１／Ｎ２−７／３
とした本発明の一実施例装置において、支持皿１上に１
２０発ずつ回転位置を異ならせて配設した３枚のウエハ
Ａ−Ｃの描く軌跡を示す。図中の１〜７は支持皿１の公
転位置を７分割して示すものである。各ウエハは支持皿
１が３公転することで元の位置に戻る。例えばウエハＡ
は第１公転目の軌跡Ｃｌｌ、第２公転目の軌跡Ｃｌ２、
第３公転目の軌跡Ｃｌ３を経て原位置１へ戻る。またウ
エハＢは第１公転目の軌跡Ｃｌ３、第２公転目の軌跡Ｃ
ｌｌ、第３公転目の軌跡Ｃｌ２を経て原位置１へ戻る。
同様にしてウエハＣは第１公転目の軌跡Ｃ，２、第２公
転目の軌跡Ｃｌ３、第３公転目の軌跡Ｃ，ｌを経て原位
置１へ戻る。従つて、これらのウエハＡ−Ｃは軌跡Ｃ，
，〜Ｃｌ３を共通にするので蒸着条件は等しくなる。支
持皿上の他の位置に置かれるウエハの軌跡はウハハＡ，
Ｂ，Ｃの軌跡Ｃｌ，，Ｃ，２，Ｃｌ３とは異なるが、こ
れらの軌跡の間にありかつ軌跡Ｃｌｌ〜Ｃｌ３のように
公転路を複雑に通るから、蒸着条件はウエハＡ−Ｃとほ
ぼ同じであることが期待できる。第４図ａの曲線Ｓ２は
ギヤ比Ｎ１／Ｎ２−７／３で得た蒸着膜厚の分布パター
ンであり、サンプリング条件は曲線Ｓ１と同様である。
同図から明らかなように、曲線Ｓ２は最大値ＭＡＸ＝０
．８μへ最小値ＭＩＮ−０．７４μｍで、その差Δｄ−
６００人は曲線Ｓ１に比し著しく小さい良好な値である
。曲線Ｓ２の膜厚平均値はΦ−７６３５人であるから、
偏差は＋３．９％である。尚、ギヤ比は上述した例に限
らず、例えばＮ１／Ｎ２−１１／５とすることもでき、
この場合には１つのウエハは１０公転で元の位置に復帰
する。
．８μへ最小値ＭＩＮ−０．７４μｍで、その差Δｄ−
６００人は曲線Ｓ１に比し著しく小さい良好な値である
。曲線Ｓ２の膜厚平均値はΦ−７６３５人であるから、
偏差は＋３．９％である。尚、ギヤ比は上述した例に限
らず、例えばＮ１／Ｎ２−１１／５とすることもでき、
この場合には１つのウエハは１０公転で元の位置に復帰
する。
ギヤ比選定には次のことが要件になる。即ちギヤ比はギ
ヤ６と７の直径比でもあり、ギヤ比が著しく大であると
ギヤボツクス５が過大となつて蒸着に対する大きな障害
物となつてしまう。なお第１図では作図の都合上ギヤボ
ツクス５を大きく画いてあるが、実際にはこれより可成
り小さい。実用装置ではギヤ比２が普通であり、従つて
本発明でもギヤ比は２に近い非整数とするのがよい。ま
たギJ■■その分母は最初の状態に戻る（ギヤ６上のあ
る歯とギヤ７上のある歯とが噛合つている状態を最初の
状態とすれば、自公転して再びその状態に戻ること）迄
の公転数を示している。従つてギヤ比を１にすれば４公
転して最初の状態に戻り、軌跡は一層複雑になつて均一
化が図れる。この場合は支持皿上の直交２直径上の４ウ
エハの軌跡が同一となり、支持皿上の他の位置のウエハ
の軌跡はその間に入ることになる。ギヤ比がΣのときは
２公転で元に戻るから同じ軌跡になるのは直径上の２点
のみとなり、それと直交する直径上のウエハの軌跡は上
記とは大きく異なるから蒸着不均一の恐れがある。元に
戻るのは３公転以上とすれば、支持皿上３点（正三角形
の３頂点）以上のウエハの軌跡が同一になるから、確実
な蒸着均一化が期待できる。以上述べたように本発明に
よれば、自公転を繰り返す被蒸着物支持皿上の異なる位
置に配設された複数の被蒸着物がほマ同じ軌跡を描くの
で、各被蒸着物に形成される蒸着膜厚が均一化される利
点がある。
ヤ６と７の直径比でもあり、ギヤ比が著しく大であると
ギヤボツクス５が過大となつて蒸着に対する大きな障害
物となつてしまう。なお第１図では作図の都合上ギヤボ
ツクス５を大きく画いてあるが、実際にはこれより可成
り小さい。実用装置ではギヤ比２が普通であり、従つて
本発明でもギヤ比は２に近い非整数とするのがよい。ま
たギJ■■その分母は最初の状態に戻る（ギヤ６上のあ
る歯とギヤ７上のある歯とが噛合つている状態を最初の
状態とすれば、自公転して再びその状態に戻ること）迄
の公転数を示している。従つてギヤ比を１にすれば４公
転して最初の状態に戻り、軌跡は一層複雑になつて均一
化が図れる。この場合は支持皿上の直交２直径上の４ウ
エハの軌跡が同一となり、支持皿上の他の位置のウエハ
の軌跡はその間に入ることになる。ギヤ比がΣのときは
２公転で元に戻るから同じ軌跡になるのは直径上の２点
のみとなり、それと直交する直径上のウエハの軌跡は上
記とは大きく異なるから蒸着不均一の恐れがある。元に
戻るのは３公転以上とすれば、支持皿上３点（正三角形
の３頂点）以上のウエハの軌跡が同一になるから、確実
な蒸着均一化が期待できる。以上述べたように本発明に
よれば、自公転を繰り返す被蒸着物支持皿上の異なる位
置に配設された複数の被蒸着物がほマ同じ軌跡を描くの
で、各被蒸着物に形成される蒸着膜厚が均一化される利
点がある。
第１図は蒸着装置の内部構造を示す側面図、第２図は従
来の蒸着装置で被蒸着物が描く軌跡の説明図、第３図は
本発明の一実施例装置で被蒸着物が描く軌跡の説明図、
第４図は第２図および第３図の軌跡による蒸着膜厚の分
布パターンを対比して示す説明図である。 図中、１，Ｖはウエハ支持皿（被蒸着物支持皿）、２，
Ａ−Ｃはウエハ、３，３′は自転軸、４は公転軸、５は
ギヤボツクス、６は主ギヤ、７は副ギヤ、８は連結アー
ム、１０は蒸着源である。
来の蒸着装置で被蒸着物が描く軌跡の説明図、第３図は
本発明の一実施例装置で被蒸着物が描く軌跡の説明図、
第４図は第２図および第３図の軌跡による蒸着膜厚の分
布パターンを対比して示す説明図である。 図中、１，Ｖはウエハ支持皿（被蒸着物支持皿）、２，
Ａ−Ｃはウエハ、３，３′は自転軸、４は公転軸、５は
ギヤボツクス、６は主ギヤ、７は副ギヤ、８は連結アー
ム、１０は蒸着源である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 駆動源に連結される公転軸と、固定的に支持された
主ギヤおよびこれと噛合する複数の公自転可能な副ギヤ
を有するギヤボックスと、該公転軸に対し所定角度傾斜
して放射状に配設され、そして各一端が該複数の副ギヤ
にそれぞれ結合された複数の自転軸と、該複数の自転軸
の各他端に取り付けられた複数の被蒸着物支持皿と、該
複数の自転軸および支持皿を、それらの相対位置関係を
変えずに且つ自転可能に支持しながら該公転軸の周囲を
公転させる、該公転軸との間の連結機構と、該支持皿の
下方に設けられた蒸着源とを備え、該主ギヤの歯数Ｎ＿
＿１と副ギヤの歯数Ｎ＿２との比Ｎ＿１／Ｎ＿２を３公
転以上で前記支持皿上の点の空間的位置が最初の状態に
戻る値に選定してなることを特徴とする蒸着装置。 ２ ギヤ比Ｎ＿１／Ｎ＿２が、７／３、７／４などの２
に近い非整数であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14538180A JPS592743B2 (ja) | 1980-10-17 | 1980-10-17 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14538180A JPS592743B2 (ja) | 1980-10-17 | 1980-10-17 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5770274A JPS5770274A (en) | 1982-04-30 |
| JPS592743B2 true JPS592743B2 (ja) | 1984-01-20 |
Family
ID=15383921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14538180A Expired JPS592743B2 (ja) | 1980-10-17 | 1980-10-17 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592743B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5866637U (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | 日本真空技術株式会社 | 薄膜形成装置に於ける自公転偏角治具装置 |
| JP2592311B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1997-03-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
| FR2754940A1 (fr) * | 1996-10-23 | 1998-04-24 | Coprebat | Dispositif support d'antenne permettant d'assurer les reglages aupres de la zone de fixation |
-
1980
- 1980-10-17 JP JP14538180A patent/JPS592743B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5770274A (en) | 1982-04-30 |
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