JPS5927582A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS5927582A JPS5927582A JP57137702A JP13770282A JPS5927582A JP S5927582 A JPS5927582 A JP S5927582A JP 57137702 A JP57137702 A JP 57137702A JP 13770282 A JP13770282 A JP 13770282A JP S5927582 A JPS5927582 A JP S5927582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disk
- transparent
- semiconductor device
- optical semiconductor
- adhesive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
□この発明は、光半導体装置と光フアイバケーブルとの
接続方法を改良した光半導体装置に関するものである。
接続方法を改良した光半導体装置に関するものである。
光半導体装置、とくに光トリガサイリスクのような大電
力光半導体装置では、光ファイバ等をとおしで、パッケ
ージ内部の光トリガサイリスクエレメントの受光部に光
を供給している。ところが、このような電力半導体装置
においては、その特性の維持のため内部エレメントを気
密封止する必要がある。したがって、前記光半導体装置
のパッケージの光入射部のレセプタについて、第１図及
び第２図に示されるような構造が考えられる。
力光半導体装置では、光ファイバ等をとおしで、パッケ
ージ内部の光トリガサイリスクエレメントの受光部に光
を供給している。ところが、このような電力半導体装置
においては、その特性の維持のため内部エレメントを気
密封止する必要がある。したがって、前記光半導体装置
のパッケージの光入射部のレセプタについて、第１図及
び第２図に示されるような構造が考えられる。
第１図は全体図で、第２図は第１図の主要部の部分図で
ある。
ある。
第１図において、５０はその上面にトリガ用の受光部５
１を廟する光トリガーシ°イリスタのベーシックエレメ
ント、３．１はそれぞれこのベーシックエレメント５０
の上、下面に設けられた陽極おＩＣ１＆電極、２はたと
えばアルミナセラミックス等の絶縁物でできたパーケー
ジで、上記電極をそれぞれに設けられたフランジ部３ａ
、ｌａを用い−もロー旬や溶括等の適当な方法で気密に
固定している。６ ＆；Ｊ、 −Ｉ： ｉｌｉ、−：パ
ッケージ２の１１１す而に設けられた穴２ａにロー刊等
の適当な方法で気密に固定さ゛ノｌだしセブタであ、す
、第２図に示すように、このし七ブタ６す、セラミック
ボディ２に気密に固着され、・リファイア円板７は該し
七ブタ６に気密にろう拐９によりろう刊されているため
に、パッケージ全体の気密性が保たれる。光フアイバケ
ーブル８から出た光をよ、透明なサファイア円板７を通
して、内部ライ、トガイド５に入射し、光トリガーリー
ｆリスタエレメント５０の受光部５１にｄ、とはれる。
１を廟する光トリガーシ°イリスタのベーシックエレメ
ント、３．１はそれぞれこのベーシックエレメント５０
の上、下面に設けられた陽極おＩＣ１＆電極、２はたと
えばアルミナセラミックス等の絶縁物でできたパーケー
ジで、上記電極をそれぞれに設けられたフランジ部３ａ
、ｌａを用い−もロー旬や溶括等の適当な方法で気密に
固定している。６ ＆；Ｊ、 −Ｉ： ｉｌｉ、−：パ
ッケージ２の１１１す而に設けられた穴２ａにロー刊等
の適当な方法で気密に固定さ゛ノｌだしセブタであ、す
、第２図に示すように、このし七ブタ６す、セラミック
ボディ２に気密に固着され、・リファイア円板７は該し
七ブタ６に気密にろう拐９によりろう刊されているため
に、パッケージ全体の気密性が保たれる。光フアイバケ
ーブル８から出た光をよ、透明なサファイア円板７を通
して、内部ライ、トガイド５に入射し、光トリガーリー
ｆリスタエレメント５０の受光部５１にｄ、とはれる。
ところが、゛す゛ファイアのＪｉ＋ｌ折率が１．７６と
空気の７１１（折率１と比べＣかなシ大きいため、端面
における反射損失が大きくなる。これを改善するだめに
、−Ｉ：、 Ｒｅリーフ゛）゛イア円板７の両面に反射
防止膜をつける方法が不発開基等によって考案されてい
る。この方法でたとえは、反射防止膜とじてＮｉ ｇ
Ｆ 、を蒸着ずれは、端面の反射損失が０．１６ｄｊ３
改着されることが明らかにされている。ところが、”す
゛ファイア円板７し１し七ブタ６の奥にとりつりられて
いるだめに、反射防止膜を均一に蒸着するのが困難で、
歩留シけ３０％稈度であった。また、サファイア円板７
に反射防止膜をつけた後、レセプタ６にろう伺する方法
も考えられるが、ろう刊の際の高熱で反射防止膜の損傷
をひきおこす問題が残された。
空気の７１１（折率１と比べＣかなシ大きいため、端面
における反射損失が大きくなる。これを改善するだめに
、−Ｉ：、 Ｒｅリーフ゛）゛イア円板７の両面に反射
防止膜をつける方法が不発開基等によって考案されてい
る。この方法でたとえは、反射防止膜とじてＮｉ ｇ
Ｆ 、を蒸着ずれは、端面の反射損失が０．１６ｄｊ３
改着されることが明らかにされている。ところが、”す
゛ファイア円板７し１し七ブタ６の奥にとりつりられて
いるだめに、反射防止膜を均一に蒸着するのが困難で、
歩留シけ３０％稈度であった。また、サファイア円板７
に反射防止膜をつけた後、レセプタ６にろう伺する方法
も考えられるが、ろう刊の際の高熱で反射防止膜の損傷
をひきおこす問題が残された。
本発明は前述のような欠点を解消するためになされたも
のであシ、詳細は以下に記す。第３図は第２図と同じ箇
所の部分図である。ただし、１０は“す゛ファイア円板
７とほぼ径の等しい透明円板で、ｉＢｔ透明接着樹脂、
１２は反射防止膜である。
のであシ、詳細は以下に記す。第３図は第２図と同じ箇
所の部分図である。ただし、１０は“す゛ファイア円板
７とほぼ径の等しい透明円板で、ｉＢｔ透明接着樹脂、
１２は反射防止膜である。
第３図に示すように、まずレセプタ６にサファイア円板
７をろう拐９によシろう刊しておく。そこに、あらかじ
めその一方の面に反射防止膜１２をコートした透明円板
１０に、その他方の面に透明な接着樹脂１１をコートし
て、第３図の矢印に示される方向にレセプタ６の中に挿
入し、−リファイア円板７とはシ合せる。以上が本発明
の要旨であるＯ 以下は本実施例をもとに効果を詳糠する。本実施例では
萌配透明円板ｌＯにＪ１１目ノｌ率１，４５の石英ガラ
ス、透明［’ｉ樹脂１１にレンズ貼シ合ぜ用の屈」）ｉ
ｌｉ、５５の樹脂、反射防止膜１２にＲＩ目１１率１．
３８のＭｇＦ、を用いた。なお・す“ファイア円板７の
屈折率ｔＪ土述のように１．７６である。一般的に屈折
率口０ の（１￥、質からｔ＋６の媒少１に光が入射す
る場合、その境界面での光の透過率°ＩＱ１次の１うに
の場合について、空気中より・リファイア円板の媒質７
中に光Ｉ−が入射する時の透３（ｔ＋ｉ率′ｌ゛をｆｉ
ｔ ：）９シ・てみると、（ａ）の矯１合９２．４％、
（ｂ） （７，） ：ｌｊＪ 合９６ 、０％。
７をろう拐９によシろう刊しておく。そこに、あらかじ
めその一方の面に反射防止膜１２をコートした透明円板
１０に、その他方の面に透明な接着樹脂１１をコートし
て、第３図の矢印に示される方向にレセプタ６の中に挿
入し、−リファイア円板７とはシ合せる。以上が本発明
の要旨であるＯ 以下は本実施例をもとに効果を詳糠する。本実施例では
萌配透明円板ｌＯにＪ１１目ノｌ率１，４５の石英ガラ
ス、透明［’ｉ樹脂１１にレンズ貼シ合ぜ用の屈」）ｉ
ｌｉ、５５の樹脂、反射防止膜１２にＲＩ目１１率１．
３８のＭｇＦ、を用いた。なお・す“ファイア円板７の
屈折率ｔＪ土述のように１．７６である。一般的に屈折
率口０ の（１￥、質からｔ＋６の媒少１に光が入射す
る場合、その境界面での光の透過率°ＩＱ１次の１うに
の場合について、空気中より・リファイア円板の媒質７
中に光Ｉ−が入射する時の透３（ｔ＋ｉ率′ｌ゛をｆｉ
ｔ ：）９シ・てみると、（ａ）の矯１合９２．４％、
（ｂ） （７，） ：ｌｊＪ 合９６ 、０％。
（Ｃ）の場合９６．９％となる。ここで（Ｃ）＾明の実
施例のケースであシ、（ａ） 、 （ｂ）は従来のり・
−スである。
施例のケースであシ、（ａ） 、 （ｂ）は従来のり・
−スである。
なお、上記実施１ｕ１１でシＪ、透明円板１０．透明接
着！’ＩＱ脂１１９反射防ｔＬ１．ｌ＊ １２を−それ
ぞれ、石英円板。
着！’ＩＱ脂１１９反射防ｔＬ１．ｌ＊ １２を−それ
ぞれ、石英円板。
屈１Ｊｊ率１．５５のレンズ接矯用樹脂、Ｍ ｇ Ｆ
２と限定したが、これらに限られることはなく、透明円
板。
２と限定したが、これらに限られることはなく、透明円
板。
透明接陪樹脂９反射防止膜の屈折率をそれぞれ、奮’１
＋ ”２＋ ”８とすれば ｎｓ＜ ｎ、（ｎ２＜１．７６ （す７７ イ／ 円板
（１）屈折率）となる組合ぜであれば本発明の効果は著
しい。また」二記の組合せ以外でも、全体としての光の
透過率が、反射防止膜をつけない時の透過率よセも向−
トーシていれば本発明の目的は達せられる。
＋ ”２＋ ”８とすれば ｎｓ＜ ｎ、（ｎ２＜１．７６ （す７７ イ／ 円板
（１）屈折率）となる組合ぜであれば本発明の効果は著
しい。また」二記の組合せ以外でも、全体としての光の
透過率が、反射防止膜をつけない時の透過率よセも向−
トーシていれば本発明の目的は達せられる。
以上のように、本発明によれば、サファイア円板に直接
反射防止膜をコートする代りに、すでに−面に反射防止
膜を他面に透明接着用４ψＩ脂を貼シイリけた透明円板
をサファイア円板に貼υ刊けるようにしたので、トラブ
ルのない均一な反射防止膜の形成がＤＪ能とな、す、し
７かも光透過率を向上させることも可能となる効果が得
られた。
反射防止膜をコートする代りに、すでに−面に反射防止
膜を他面に透明接着用４ψＩ脂を貼シイリけた透明円板
をサファイア円板に貼υ刊けるようにしたので、トラブ
ルのない均一な反射防止膜の形成がＤＪ能とな、す、し
７かも光透過率を向上させることも可能となる効果が得
られた。
第１図１は光半導体装置の全体を示す断面図、第２図は
従来の光半導体装置の一部を示す断面図、第３図は本発
明の光半導体装置の一部を示す断面図、第４図は本発明
の詳細な説明するだめの図である。 １・・・陽極電極、２・・・セラミックボディ、３・・
・陰極相、極１．４２・すＩＣ１：半°漕イ本−エーリ
ーブ−１５・・・内部ライトガイド、６・・・しけブタ
、７・・・ツファイア円板、８・・・光フアイバクープ
ル、９・・・ろう利、１０・・・透明円板（石英円板）
、１１・・・透明接ｆｌＮ樹脂、１２・・・ル射防」］
−膜、５０・・・光トリガーリイリスクエレメント二←
光州６炉休啼１−） ０ 代 胛 入 葛 野 イ１ −第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正外（自発） 特許庁長官殿 １、 ｌ（イ′１の表示 特願昭５７−１３７
７０２号２、発明の名称 光半専体装１− ３、補正をする者 代表者 片 ＩＩ＋ 仁 八 部 （２）明細書をつぎのとおり訂正する。 第４図
従来の光半導体装置の一部を示す断面図、第３図は本発
明の光半導体装置の一部を示す断面図、第４図は本発明
の詳細な説明するだめの図である。 １・・・陽極電極、２・・・セラミックボディ、３・・
・陰極相、極１．４２・すＩＣ１：半°漕イ本−エーリ
ーブ−１５・・・内部ライトガイド、６・・・しけブタ
、７・・・ツファイア円板、８・・・光フアイバクープ
ル、９・・・ろう利、１０・・・透明円板（石英円板）
、１１・・・透明接ｆｌＮ樹脂、１２・・・ル射防」］
−膜、５０・・・光トリガーリイリスクエレメント二←
光州６炉休啼１−） ０ 代 胛 入 葛 野 イ１ −第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正外（自発） 特許庁長官殿 １、 ｌ（イ′１の表示 特願昭５７−１３７
７０２号２、発明の名称 光半専体装１− ３、補正をする者 代表者 片 ＩＩ＋ 仁 八 部 （２）明細書をつぎのとおり訂正する。 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１外部よりの光入力をパッケージ内に導入するレセ
プタと、気密封止のために前記レセプタにろう伺された
ザファイア円板とを廟する光半導体装置において、前記
ザファイア円板とｔ′！！は等しい径を持ちそふ一方の
円面に反射防止膜がコートされその他方の円面に透明接
着樹脂゛がコートされた透明円板を備え、該導間円板の
透明接着樹脂をコートした面と前記゛す゛ファイア円板
のパッケージの外側に向いたＴｒＩｉとを向い合せて貼
シ合せたことを／ｌ’＋−徴とする光半導体装置。 （２）前記透明円板、透明接着樹脂１反射防止膜の屈４
７ｒ率ｆｌ’１ ＋ ＩＮ”２ 、１１３を
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137702A JPS5927582A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137702A JPS5927582A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927582A true JPS5927582A (ja) | 1984-02-14 |
| JPS6259909B2 JPS6259909B2 (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=15204815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57137702A Granted JPS5927582A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300765A (ja) * | 1987-08-08 | 1988-12-07 | Oohiro Seisakusho:Kk | 美顔用蒸気発生装置 |
-
1982
- 1982-08-06 JP JP57137702A patent/JPS5927582A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300765A (ja) * | 1987-08-08 | 1988-12-07 | Oohiro Seisakusho:Kk | 美顔用蒸気発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6259909B2 (ja) | 1987-12-14 |
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