JPS5927612A - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
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- JPS5927612A JPS5927612A JP13719582A JP13719582A JPS5927612A JP S5927612 A JPS5927612 A JP S5927612A JP 13719582 A JP13719582 A JP 13719582A JP 13719582 A JP13719582 A JP 13719582A JP S5927612 A JPS5927612 A JP S5927612A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- peaking
- impedance
- diode
- circuit
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、回路構成素子の素子値の修正、調整が困難な
モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路技術等に
おいて広帯域化のために用いられるピーキング特性ある
いは同調特性を有する増幅回路に関するものである。
モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路技術等に
おいて広帯域化のために用いられるピーキング特性ある
いは同調特性を有する増幅回路に関するものである。
ピーキング形増幅回路を例りして従来技術について説明
する。第１図は、従来のエミッタビーキング増幅回路で
ある。回路構成は、人カドランジスタロと負荷抵抗７
（Ｒ’ＬＩ） ＋直列帰還抵抗８ＣＲｐ：１）及びピー
キングｇＪｔ９（Ｃｐ）よシなシ、３Ｉ′ｉ入力端子、
４は出力端子である。この増幅回路は、直列帰還形増岬
回路であり、直列帰還抵抗８（ＲＥＩ）とピーキング容
ｎｔ９（Ｃｐ）の並列接続如よって、低周波領域では帰
還量が大きく、高周波領域では小さくなるように構成さ
れておシ、その電圧利得Ａｖは、角周波数をω、ビーキ
ノグ答准９（Ｃｐ）を接続しないときの当該増幅回路の
３ｄＢ低下帯域をωｂとして で近似される。
する。第１図は、従来のエミッタビーキング増幅回路で
ある。回路構成は、人カドランジスタロと負荷抵抗７
（Ｒ’ＬＩ） ＋直列帰還抵抗８ＣＲｐ：１）及びピー
キングｇＪｔ９（Ｃｐ）よシなシ、３Ｉ′ｉ入力端子、
４は出力端子である。この増幅回路は、直列帰還形増岬
回路であり、直列帰還抵抗８（ＲＥＩ）とピーキング容
ｎｔ９（Ｃｐ）の並列接続如よって、低周波領域では帰
還量が大きく、高周波領域では小さくなるように構成さ
れておシ、その電圧利得Ａｖは、角周波数をω、ビーキ
ノグ答准９（Ｃｐ）を接続しないときの当該増幅回路の
３ｄＢ低下帯域をωｂとして で近似される。
従って、」二人よりω＝ １ ／ （ＲＥＩ −Ｃｐ
）のとき零点を生じ、この増幅回路の直列帰還抵抗８（
ＲＥＩ）とピーキング容量９（Ｃｐ）を適当な値に設定
することにより、入カドランジスタロ自身の狭帯域化効
果を補償することが可能であり、増幅回路の広帯域化を
図ることができる。
）のとき零点を生じ、この増幅回路の直列帰還抵抗８（
ＲＥＩ）とピーキング容量９（Ｃｐ）を適当な値に設定
することにより、入カドランジスタロ自身の狭帯域化効
果を補償することが可能であり、増幅回路の広帯域化を
図ることができる。
第２図は、従来の差動形のエミッタピーキング増幅回路
である。第２図について説明する。回路構成は、前述し
た第１図のエミッタピーキング形増幅回路を差動形式と
したものであり、人カドランジスタロ、人カトラ／ジス
タ１０．負荷抵抗７（ＲＬＩ）Ｉ負荷抵抗１５ （ＲＬ
２） １直列帰還抵抗８（Ｒｐ：＋）。
である。第２図について説明する。回路構成は、前述し
た第１図のエミッタピーキング形増幅回路を差動形式と
したものであり、人カドランジスタロ、人カトラ／ジス
タ１０．負荷抵抗７（ＲＬＩ）Ｉ負荷抵抗１５ （ＲＬ
２） １直列帰還抵抗８（Ｒｐ：＋）。
直列帰還抵抗１６（ＲＥ２）及び定′ル、波回路１７に
より差動対が形成され、入カドランジスタロ及び人カド
が接続された（１６成となっている。人力端ｆ−は３−
１および３−２であり、出力端子は４−１および４−２
である。この増幅回路の動作は前述した第１図のエミッ
タピーキング形増幅回路と同様に考えられ、増幅回路の
電圧利得Ａｖは人カドランジスタロ及びＪＯが同一であ
り、直列帰還抵抗８（１え月）と１６（Ｒｈ；２）か等
しいとすると で近似される。
より差動対が形成され、入カドランジスタロ及び人カド
が接続された（１６成となっている。人力端ｆ−は３−
１および３−２であり、出力端子は４−１および４−２
である。この増幅回路の動作は前述した第１図のエミッ
タピーキング形増幅回路と同様に考えられ、増幅回路の
電圧利得Ａｖは人カドランジスタロ及びＪＯが同一であ
り、直列帰還抵抗８（１え月）と１６（Ｒｈ；２）か等
しいとすると で近似される。
従っテ、前述の第１図のエミッタピーキング形増幅回路
の場合と同様に１直列帰還抵抗８（Ｒ，ρ。
の場合と同様に１直列帰還抵抗８（Ｒ，ρ。
１６（ＲＥ２）及ヒヒーキノｆ’ｇＭ９ （Ｃｐ）ｋ！
当；Ｈ＋ｆｆに設定することにより、置周波特性全袖イ
ｊ（するピーキングを施すことが可能である。
当；Ｈ＋ｆｆに設定することにより、置周波特性全袖イ
ｊ（するピーキングを施すことが可能である。
以上説明したように、ピーキング技術は増幅回路の広帯
域化を施す上で有効な技術である。しかしながら、集積
回路等でピーキングを用いる場合、抵抗値及び容量値の
精度に限界があり、設計通りのピーキング特性を得る事
が困難である。特に高周波領域でのピーキングでは、直
列帰還抵抗とピーキング容量の積を小さくとる必要があ
るが、精度よく低抵抗値、低容量値を実現することがむ
ずかしく、場合によっては発掘を起す等の不都合が生じ
、設計通りにピーキングを施す事が困難である。また、
（１）式および（２）式で示したようにピーキングのた
めの極はＣＰとＲＥＩの積できする。利得および直流設
計からＲＥｌＯ値は決定されるので、ビーキング量の調
整はＣｐだけに左右されることになってし１い、ピーキ
ングを多くかけようとしてＣｐを大きくすると、極は低
周波１１１にずれこみ、低周波側で利得が持ちあがって
し１うという好捷しくない結果を生じる。これを避けよ
うとすると、ピーキングを十分かけることができなくな
り、ピーキングを有効に生かして広帯域化を図ることが
難しいという問題がある。
域化を施す上で有効な技術である。しかしながら、集積
回路等でピーキングを用いる場合、抵抗値及び容量値の
精度に限界があり、設計通りのピーキング特性を得る事
が困難である。特に高周波領域でのピーキングでは、直
列帰還抵抗とピーキング容量の積を小さくとる必要があ
るが、精度よく低抵抗値、低容量値を実現することがむ
ずかしく、場合によっては発掘を起す等の不都合が生じ
、設計通りにピーキングを施す事が困難である。また、
（１）式および（２）式で示したようにピーキングのた
めの極はＣＰとＲＥＩの積できする。利得および直流設
計からＲＥｌＯ値は決定されるので、ビーキング量の調
整はＣｐだけに左右されることになってし１い、ピーキ
ングを多くかけようとしてＣｐを大きくすると、極は低
周波１１１にずれこみ、低周波側で利得が持ちあがって
し１うという好捷しくない結果を生じる。これを避けよ
うとすると、ピーキングを十分かけることができなくな
り、ピーキングを有効に生かして広帯域化を図ることが
難しいという問題がある。
ビーキング増幅回路を例として説明したが、一般的な同
調増幅回路においても同様であり、同様の問題がある。
調増幅回路においても同様であり、同様の問題がある。
本発明は、これらのり（点を除去するために、集積化が
容易なダイオードの微分抵抗を利用したイノビーダンス
調整回路を具（＃ｎ Ｌ 、ピーキング特性あるいは同
調特性が外部端イから直流バイアス秀と独立に制御可能
なこ々を特徴とし、安定な広帯域化と製造のｒｉｉｉ易
化をはかり低価格化することのできる増幅回路を提伊す
るものである。
容易なダイオードの微分抵抗を利用したイノビーダンス
調整回路を具（＃ｎ Ｌ 、ピーキング特性あるいは同
調特性が外部端イから直流バイアス秀と独立に制御可能
なこ々を特徴とし、安定な広帯域化と製造のｒｉｉｉ易
化をはかり低価格化することのできる増幅回路を提伊す
るものである。
以１−’本発明の詳細な説明する。
第３図は、本発明の基本的なイノビーダンス調整回路の
実施例であって、■は高１１１：位電源端子、２は低電
位電源端子、２１ｉｌ−ｉ信号入力端子、２３はインピ
ーダンス調整入力端子、９はコツプ／す、２２はダイオ
ード、１７は′市流値口■変′屯流源である。又第３図
＋ｂｌは動作を説明するための第３図＋ａｌの回路の交
流等価回路であり、ＣＤはダイオード２２の拡散容ｊｔ
、Ｒｐはダイオード２２の微分抵抗である。ｔｂ１図に
おいて端子２１と低電位電源端子２間のインピーダンス
は次式で示すことができる。
実施例であって、■は高１１１：位電源端子、２は低電
位電源端子、２１ｉｌ−ｉ信号入力端子、２３はインピ
ーダンス調整入力端子、９はコツプ／す、２２はダイオ
ード、１７は′市流値口■変′屯流源である。又第３図
＋ｂｌは動作を説明するための第３図＋ａｌの回路の交
流等価回路であり、ＣＤはダイオード２２の拡散容ｊｔ
、Ｒｐはダイオード２２の微分抵抗である。ｔｂ１図に
おいて端子２１と低電位電源端子２間のインピーダンス
は次式で示すことができる。
ＲＤとＣＤの積はダイオードのカットオフ周波数で決ま
る値であシ、動作電流ＩＤによらず常に一定であるから
、（３）式のインピーダンスの周波数特性は抛４図のと
おりになる。即ちＯとＲＤ−ＣＤで決まる極ω１．ω３
と、ＲＤ（Ｃｐ十Ｃｏ）で決まる零点ω２を持つ。
る値であシ、動作電流ＩＤによらず常に一定であるから
、（３）式のインピーダンスの周波数特性は抛４図のと
おりになる。即ちＯとＲＤ−ＣＤで決まる極ω１．ω３
と、ＲＤ（Ｃｐ十Ｃｏ）で決まる零点ω２を持つ。
極ω１．ω２はダイオード２２の動作電流ＩＤによらず
一定であり、零点ω２はＣＰを適当に選ぶこと、また、
ＩＤを調整してＲＤを加えることにより、２つの極ω１
゜ω３の間を自由に変化させうる。従って、そのインピ
ーダンスの周波数特性を第４図に示すように部分的に平
坦な特性とすることができ、しかもその領域を自由に設
定することができる。Ｃｐの調整は集積回路で本回路を
実現するような場合には困難であるが、ＲＤの調整即ち
ＩＤの調整は外部端子から容易に行ないつる。
一定であり、零点ω２はＣＰを適当に選ぶこと、また、
ＩＤを調整してＲＤを加えることにより、２つの極ω１
゜ω３の間を自由に変化させうる。従って、そのインピ
ーダンスの周波数特性を第４図に示すように部分的に平
坦な特性とすることができ、しかもその領域を自由に設
定することができる。Ｃｐの調整は集積回路で本回路を
実現するような場合には困難であるが、ＲＤの調整即ち
ＩＤの調整は外部端子から容易に行ないつる。
第３図＋ａｌの回路は、（Ｃ）のように震災することが
できる。
できる。
第５図および第６図は本回路の顕著な特長を示すもので
あり、並列に抵抗ＲＥを接続したときのイノビーダンス
の周波数特性であり、詔５図は電流ＩＤをパラメータと
したもの、第６図は容量ＣＰをパラメータとしたもので
ある。図において、抵抗Ｒト二は８０Ω、ダイオードの
走行時間τ、は２５ ｐＳとしている。第５図は平坦部
のインピーダンスのｌさが電流ＩＤで独立に調整しうろ
ことを示しており、ＩＤをかえてもインピーダンスが減
少しはじめる点、即ち極は殆んど変化していない。一方
第６図は自・により独立にインピーダンスから減少しは
じめる点即ち極を調整しうろことを示しておシ、平坦部
のインピーダンスの大きさはＣＰをかえても変化してい
ない。このようにインピーダンスの極ヲ自由に変化しえ
て、しかも平坦な部分をもつ特性とすることができ、そ
の平坦部のインピーダンスを１１Ｌ流ＩＤにより任意に
調整しうろことは、特にピーキング増幅器の実現に非常
ＫｕＩ過である。
あり、並列に抵抗ＲＥを接続したときのイノビーダンス
の周波数特性であり、詔５図は電流ＩＤをパラメータと
したもの、第６図は容量ＣＰをパラメータとしたもので
ある。図において、抵抗Ｒト二は８０Ω、ダイオードの
走行時間τ、は２５ ｐＳとしている。第５図は平坦部
のインピーダンスのｌさが電流ＩＤで独立に調整しうろ
ことを示しており、ＩＤをかえてもインピーダンスが減
少しはじめる点、即ち極は殆んど変化していない。一方
第６図は自・により独立にインピーダンスから減少しは
じめる点即ち極を調整しうろことを示しておシ、平坦部
のインピーダンスの大きさはＣＰをかえても変化してい
ない。このようにインピーダンスの極ヲ自由に変化しえ
て、しかも平坦な部分をもつ特性とすることができ、そ
の平坦部のインピーダンスを１１Ｌ流ＩＤにより任意に
調整しうろことは、特にピーキング増幅器の実現に非常
ＫｕＩ過である。
第７図はピーキング増幅回路の本発明の実施例である。
回路構成は入カドランジスタロ、負荷抵抗７ （ＲＬＩ
） ＋直列帰還抵抗８（ＲＥＩ）により直列帰還形の増
幅回路が形成されており、３は入力信号端子、４は出力
信号端子、２は低電位電源端子、４１はインピーダンス
調整回路である。この増幅回路において、利得は近似的
に次式で表わすことができる。
） ＋直列帰還抵抗８（ＲＥＩ）により直列帰還形の増
幅回路が形成されており、３は入力信号端子、４は出力
信号端子、２は低電位電源端子、４１はインピーダンス
調整回路である。この増幅回路において、利得は近似的
に次式で表わすことができる。
Ｌ
””ＲＥＩ／Ｚ
Ｚｄ第３図のイノピーダンス調整回路のインピーダンス
である。分母のＲＥＩと２の並列インピーダンスは先に
説明したように第５図および第６図の周波数特性となる
。従って、利得Ｇの周波数特性は分子υのインピーダン
スの逆数の形となり、ピーキング量性となる。このｌ特
性は、第５図、＃！６図で説明したように、Ｃｐの設定
によりピーキングを開始する周波数を直流バイアス特性
などと独立に設定でき、しかもピーキング量を電流ＩＤ
によって同流バイアス特性、ピーキング開始周波数と独
立に自由に調整可能である。
である。分母のＲＥＩと２の並列インピーダンスは先に
説明したように第５図および第６図の周波数特性となる
。従って、利得Ｇの周波数特性は分子υのインピーダン
スの逆数の形となり、ピーキング量性となる。このｌ特
性は、第５図、＃！６図で説明したように、Ｃｐの設定
によりピーキングを開始する周波数を直流バイアス特性
などと独立に設定でき、しかもピーキング量を電流ＩＤ
によって同流バイアス特性、ピーキング開始周波数と独
立に自由に調整可能である。
第８図は本発明のピーキング増幅回路の他の実施例であ
り、■は高電位電諒端イ、２は低電位電源端子、３−１
および３−２は信号人力ｙ；１シ子、４−１および４−
２は信号出力端子、７は負イ’＝４ｒ抵抗、８は直列帰
還抵抗、４１はインピーダンス調整回路、２３はイノビ
ーダンス調整端イである。この増幅回路においても、第
５図の増幅回路と同一の原理でピーキング特性をＣｐの
選択と外部端子から１昂をａｔ！Ｉ御することにより自
由に調整することができる。
り、■は高電位電諒端イ、２は低電位電源端子、３−１
および３−２は信号人力ｙ；１シ子、４−１および４−
２は信号出力端子、７は負イ’＝４ｒ抵抗、８は直列帰
還抵抗、４１はインピーダンス調整回路、２３はイノビ
ーダンス調整端イである。この増幅回路においても、第
５図の増幅回路と同一の原理でピーキング特性をＣｐの
選択と外部端子から１昂をａｔ！Ｉ御することにより自
由に調整することができる。
重子説明したように、本発明はコンデンサとダイオード
の微分抵抗を利用し、このダイオードの電流バイアス条
件を制御することによって、インピーダンスを調整、変
化することができる。特にピーキング増幅回路とした場
合はビーキング開始周波数とビーキ／グｈ土を独立に調
整設定できる０即ち、所望のピーキング開始点からコン
デンサの値を設定し、ピーキング量を外部端子から容易
に調整することができる。従って、４）に集積回路等の
素子値の修正が困難なものでも特性をみながらピーキン
グ量を調整し、安定な増幅器特性を精度よく実現するこ
とができる。これにより、歩留りの向」二、低価格化が
図れ、しかも最大限に広帯域化できるという利点がある
。ピーキング増幅回路のみならず、同調形１２＋１ち特
定の周ｌル数特性を有する増幅回路においても、その周
波数特性を外部ψ；Ｍイから調整することができ、′ピ
ーキング増幅回路と同様の効呆かある。
の微分抵抗を利用し、このダイオードの電流バイアス条
件を制御することによって、インピーダンスを調整、変
化することができる。特にピーキング増幅回路とした場
合はビーキング開始周波数とビーキ／グｈ土を独立に調
整設定できる０即ち、所望のピーキング開始点からコン
デンサの値を設定し、ピーキング量を外部端子から容易
に調整することができる。従って、４）に集積回路等の
素子値の修正が困難なものでも特性をみながらピーキン
グ量を調整し、安定な増幅器特性を精度よく実現するこ
とができる。これにより、歩留りの向」二、低価格化が
図れ、しかも最大限に広帯域化できるという利点がある
。ピーキング増幅回路のみならず、同調形１２＋１ち特
定の周ｌル数特性を有する増幅回路においても、その周
波数特性を外部ψ；Ｍイから調整することができ、′ピ
ーキング増幅回路と同様の効呆かある。
第１図は従来のエミッタビーキング増幅回路例を示す回
路図、第２図Ｉｉ差動形のエミッタビーギノグ増幅回路
例を示す回路図、第３図は本発明に用いるインピーダン
ス調整回路例を・示す回路図、第４図はインピーダンス
調整回路の動作原理を説明するための図、第５図、第６
図はピーキング調整回路と抵抗のｉｌ＋２列インピーダ
ンスの周波数特性の一例を示す特性図、第７図、第８図
は本発明のヒ−キング同調整形増幅回路の人施例を）Ｊ
＜す回路図であるＯ １・・・尚′電位１Ｌ＃端子、 ２・・・低電位電蝕
端子、３ 、３−１ 、３−２・・・イら号入力端了、
４．４−１．４−２・・・信号出力端子、 ６，
１０・・・入力トランジスタ、７．１５・・・負荷抵抗
、 ８，１６・・・直列帰還抵抗、９・・・ピーキング
容量、 １７・・・定電流回路、２１・・・信号入力端
子、２２・・・ダイオード、２３・・・インピーダンス
調整入力端１．４１・・・インピーダンス調整回路。 特許用に「１人 口本電信電話公社 代 理 人 白 水 常 ｊ（ｆｉ外１
名 躬３図 Ｊ“ （ａ） （ｂ）（Ｃ） 躬 ４ 図
路図、第２図Ｉｉ差動形のエミッタビーギノグ増幅回路
例を示す回路図、第３図は本発明に用いるインピーダン
ス調整回路例を・示す回路図、第４図はインピーダンス
調整回路の動作原理を説明するための図、第５図、第６
図はピーキング調整回路と抵抗のｉｌ＋２列インピーダ
ンスの周波数特性の一例を示す特性図、第７図、第８図
は本発明のヒ−キング同調整形増幅回路の人施例を）Ｊ
＜す回路図であるＯ １・・・尚′電位１Ｌ＃端子、 ２・・・低電位電蝕
端子、３ 、３−１ 、３−２・・・イら号入力端了、
４．４−１．４−２・・・信号出力端子、 ６，
１０・・・入力トランジスタ、７．１５・・・負荷抵抗
、 ８，１６・・・直列帰還抵抗、９・・・ピーキング
容量、 １７・・・定電流回路、２１・・・信号入力端
子、２２・・・ダイオード、２３・・・インピーダンス
調整入力端１．４１・・・インピーダンス調整回路。 特許用に「１人 口本電信電話公社 代 理 人 白 水 常 ｊ（ｆｉ外１
名 躬３図 Ｊ“ （ａ） （ｂ）（Ｃ） 躬 ４ 図
Claims (2)
- （１）アノード端子とカソード端子を有するダイオード
と、電流値が制御可能で電流値制御端子と電流出力端子
と共通接地端子を有する電流源と、２つの端子を有する
コンデンサとから構成され、ダイオードのアノード端子
が高電位電源に接続され、当該ダイオードのカソード端
子が前記コンデンサの第１の端子と電流源の出力端子と
に接続され、前記電流源の電流値制御端子を調整して前
記コンデンサの第２の端子と接地電位との間のインピー
ダンスを調整しうるインピーダンス調整回路を有するこ
ｊを特徴とする増幅回路。 - （２）アノード端子とカソード端子を有するダイオード
と、電流値が制御可能で′電流値制御端子と電流出力端
子と共通接地端子を有するｍ流源と、２つの端子を有す
るコンデンサとから構成され、ダイオードのカソード端
子が低電位電源に接続され当該ダイオードのアノード端
子が前記コンデンサの第１の端子と電流源の出力端子と
に接続され、前記〜、電流源電流値制御端子を調整して
前記コンデンサの第２の端子と接地′電位との間のイン
ピーダンスを調整しうるインピーダンス調整回路を有す
ることを特徴とする増幅回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13719582A JPS5927612A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 増幅回路 |
| CA000432581A CA1201775A (en) | 1982-07-19 | 1983-07-18 | Monolithic integrated circuit device including ac negative feedback type high frequency amplifier circuit |
| US06/515,280 US4542350A (en) | 1982-07-19 | 1983-07-19 | Monolithic integrated circuit device including AC negative feedback type high frequency amplifier circuit |
| DE8383304191T DE3381390D1 (de) | 1982-07-19 | 1983-07-19 | Monolithische integrierte schaltungsanordnung mit hochfrequenter verstaerkerschaltung mit wechselstromgegenkopplung. |
| EP83304191A EP0101201B1 (en) | 1982-07-19 | 1983-07-19 | Monolithic integrated circuit device including ac negative feedback type high frequency amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13719582A JPS5927612A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927612A true JPS5927612A (ja) | 1984-02-14 |
Family
ID=15193015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13719582A Pending JPS5927612A (ja) | 1982-07-19 | 1982-08-09 | 増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927612A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61210710A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-18 | Nec Corp | 広帯域負帰還増幅回路 |
| JP2002151985A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 可変利得増幅器 |
| JP2009290516A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 差動増幅回路 |
| JP2010273058A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 振幅制限増幅回路 |
| JP2014175763A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 可変利得増幅回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539235U (ja) * | 1976-07-09 | 1978-01-26 |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP13719582A patent/JPS5927612A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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