JPS5927879A - ベンゾオキサゾロン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は新規なペン９才＋すソ（３ｙ誘導体に関する。 本発明のペン９才＋ｔｊす０ン銹導体は、上記一般式〔
１〕で表わされる。 〔式中Ｒ工はへ〇プン原子、低級アル］＋シ基及び低級
アル＋ル基から選ばれた置換基の１−３個を有すること
のあるフェニル基、Ｒ２は低記に同じ）及びＡは低級Ｐ
ル＋１．／υ基を示す〕上記一般式〔１〕中Ｒ工で定義
される置換フェニル糸の１ａ換基としての）Ｘ、［ｌプ
ン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子及び
沃素原子を、低級アル↑ル基としては、メチル、エチル
、″ｊＯピル、ブチル、１ｅｒｔ−ブチル、ペシチル、
へ＋シル基等を、低級アル］＋シ基としては、メト＋シ
、１ト十シ、づロボ＋シ、ラド＋シ、ｔｔｒｔ　−ブト
↑シ、ぺｙチルオ１シ、へ＋シルオ十シ基等を夫々例示
できる。Ｒ２で定義される低級アル＋ル拭としても上記
と同様のものを例示できる。またＡで定義さｎる低級ア
ル＋しり基としては、メきる。 上記Ｒ０で定義される基のうち好ましいものとしては、
例えばフェニル基；ｔツバ０プノフェニル基（２−，３
−もしくは４−フル性０フエニル基、２−９３−もしく
は４−プＤＥフェニル基、２−９３−もしくは４−りＯ
Ｏフェニル基、２−９３−もしくは４−３＝ドフエニル
基等）；シバＤプノフェニル基（２，３−ジクｏｏフェ
ニル基、２゜４−ジクロロフェニル基、２，５−ジクｏ
Ｏフェニル基、２，６−ジクＯＤフエニル基、３．４−
、；りＤＯフェニル基、３．５−ジクＯＯフェニル基等
）；トリエチルフェニル基（２，３，４−１−リフ［］
Ｏフェニル基、２９３．５−　トリクＯＯフェニル基、
２，３゜６−トリクｏｏフェニル基、３，４．５−トリ
クＯＤフェニル基、３．４．６−　ｔ−リクロロフェニ
ル基等）；七ノ低級アルコ＋ジフェニル基（２”−、３
−もしくは４−メチルフェニル基、２−９３−もしくは
４−エト＋ジフェニル基、２−９３−もしくは４−づ０
ポ十ジフエニル基、２−９３−もしくは４−″ｊト＋ジ
フェニル基、２−７３−もしくは４−　ｔｔｒｔ−ブチ
ルフェニル基、２−９３−もしくは４−ペンチルオ士ジ
フェニル＆、２−．３−もしくは４−へ＋シルオ＋ジフ
ェニル基等）；ジ低級アルコ＋ジフェニル基（２，３−
、：；エト＋ジフェニル基、２，４−シェド＋ジフェニ
ル基、２，５−シェド↑シフエニ１し＆、２．６−ジエ
ト↑ジフェニルｈ（・３・４〜シエド＋ジフエニル基、
３．５−　シエ１゛＋ジフェニル基等）；トリ低級アル
コ↑ジフェニル占〜（ム３，４−トリエト士ジフェニル
基、２，３゜５−トリエチルフェニル基、２．３．６−
１−リエト＋ジフェニル基１，３．４．５−　トリエト
士ジフェニル基、３．４．６−　ｔ−リエト＋ジフェニ
ル基等）；七ノ低級アル＋ル基（２−、，３−もしくは
４−メチルフェニル基、２−９３−もしくは４−メチル
フェニル基、２−１３−もしくは４−づＯじルフェニル
絨、２−９３−もしくは４−′ｊブチルフェニル基２−
９３−もしくは４−１ｔｒｔ−ブチルフェニル基、２−
１３−もしくは４−ぺｙチルフェニル基、２−９３−も
しくは４−へ↑シルフェニル基等）；ジ低級アル↑ルフ
ェニル＆　（２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジ
メチルフェニル基、２，５−；メチルフェニル基、２．
６−ジメチルフェニル基、３．４−；メチルフェニル基
、３，５−ジメチルフェニル基、２，３−ジエチ；レフ
１ニル法那う；トリ低級アル＋ルフェニル基（２，３，
４−１−ジメチルフェニル基、２．３．５−トリメチル
フェニル基、２．３．６−トリメチルフェニル基、３，
４．５−　ｔ−リメチル〕工二ル基、３，４．６−１−
ジメチルフェニル基、２，３゜４−トリエチルフェニル
基等）を例示できる。 本発明の上記一般式（１）で表わされるペン９才定剤、
解熱剤、抗痙れん剤、抗しスタミン剤、降圧剤として有
用である。 本発明のべｙソオ＋グツロン誘導体こ１〕は、例えば下
記各反応行程式に示す数種の方法に従い製造することが
できる、 〔反応行程式−１〕 ！。 Ｒ２こ３Ｊ 〔２〕 〔式中　Ｒ工及びＡは上記に同じ。Ｒ２は低・汲Ｐル＋
ル基、ＸはハＤプン原子を示す〕 即ち本発明誘導体中Ｒ２が低級アルキル基を示す化合物
〔１〕は、一般式Ｃ〕で示すぺｙ・ノオ′＋スリロｙ誘
導体と一般式〔３〕で示すピペラジン誘導体とを反応さ
せることにより製造することができる。。 上記ペン９才十サリｏ：Ｊ誘導体〔２〕とじベラジｙ誘
導体〔３〕との反応は、例えば好ましくは塩基性化合物
を脱へロプン化水素剤として用いて、適当な溶媒中室温
−２００’Ｃ１好ましくは５０−ｉ　ｓ　ｏ　’ｃで数
時間−１５時間を要して行なわれる。 上記において適当な溶媒としては、例えばメタノール、
エタノール、イソプロパノール等の低級アルコール煩；
アヒトン、メチルエチルケトン等のケトン頬；ジオｆ−
すン、ジエチし：Ｊｌ）す］−ルジメチルエーテル等の
エーテル類纂トルエン、＋シレン等の芳香族炭化水素類
；ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ＋シト等を例
示できる。また脱ハ０プン化水素剤として利用できる塩
基性化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ナトリウム
メｌ−１′″サイド、ナトリウムエト＋サイド、カリウ
ムエト＋サイド、水素化ナトリウム、金属カリウム、ナ
トリウムアミド、トリジン、十ノリン、トリエチルアミ
ン、トリづＤごルアミシ等の第三級アミン類等を例示で
きるっ上記反応においてはまた反応促進剤として沃化カ
リウム、沃化ナトリウム等の沃化アルカリ金属化合物を
使用することもできる。ベンソオ＋ｔｊす０ン誘導体〔
２〕とピペラジン誘導体〔３〕との使用割合は、特に制
限はないが、ｔｌｉＪ者１ｔル当り後者ｔ−Ｉ　Ｅ　、
１し以上、通常１−５七ル程度用いるのがよい。 前記反応において出発原料とする一般式〔２〕で示すペ
ン９才十グリｏ：Ｊ誘導体〔２〕は、新規化合物であり
、例えばド記反応行程式−２に示す方法に従い４易に＃
造できる。 Ｊ反応行程式−２〕 （４）　　　　　　　　Ｃ５Ｊ　　　　　　　　（６）
Ｃ７）　　　　　　　　　　〔８Ｊ １゜ ２ 〔ｌＯ〕 〔上記各式において８２及びＸはＲｉｌ記に同じ。 ＴＨＰはテトラしドＯじラニル基全示す」上記ジしドロ
＋シベンぜン〔４〕からのニトロジしド０＋シベンゼン
〔５〕の製造は、通常のニドＤ化反応方法に従い行なわ
れる。核ニドＯ化に用いられる硝化剤としては、例えば
濃硝酸、無水硝酸、硝酸と濃硫酸、発煙硝酸、発煙硝酸
と無水酢酸もしくは酢酸との混液、硫酸と硝酸カリウム
、硝酸ナトリウム等の硝酸塩との混液等を例示するとと
ができる。該硝化剤の使用量は、通常原料とするジしド
０↑シベンピン〔４〕に対して、０．５−１．５倍七ル
、好ましくは等ｔル程度とされる。該二１０化反応は、
通常０−５０″Ｃ程度で進行し、特に約０−５　’Ｃで
行なうのが好ましい。 ニドＯジしドＤ＋シペンｔ！　ｙ　（５Ｊからのア三ノ
ジヒドＤ＋シペンぜン〔６〕の製造は、通常公知の種々
の還元法により実施される。該還元、方法としては、例
えば還元剤を用いる方法又は水添触媒を用いる方法を例
示でき、これらは常圧でも加圧下でも行なわれる。上記
還元剤を用いる方法において、好ましい還元剤としては
、例えば鉄と塩酸、亜鉛と酢酸、塩化第１錫と塩酸等を
例示でき、之等のうち塩化第１錫と塩酸が特に好適であ
る。これら還元剤の使用承け、通常原料二トロジしドＤ
＋シベシピｙ　（５Ｊに対して、等℃ル址−過剰電、好
ましくは約３−５倍ｔルとされ、反応は約〇−１５０’
Ｃ１好ＩＬ＜ｌｄ約５０−１００”ｃ（７）温度下で行
なわれる。また上記水添触媒を用いる方法において、水
添触媒としては、具体的には例えばパラジウム黒、パラ
ジウム炭素、ラネーニッケル、二酸化白金等を例示でき
、之等は通常の醜媒敬で用いられる。該反応は通常適当
な溶媒例えば水、メタノール、エタノール、イソづロバ
ノール、酢酸等の存在ドに実施される。反応温度として
は約ｏ　−ｉ　ｏ　ｏ　’ｃ、好ましくは室温付近の温
度が採用される。 上記により得られるア三ノジしドＤ↑シペシぜンこ６〕
の閉環反応によるしドロ＋シペｙソオ＋サリ０ン〔７〕
の製造は、一般に無溶媒もしくは適当な溶媒例えば四塩
化炭素、クロロホルム、メチ１ノンジクロライド等の溶
媒中、尿素、ホスゲン、り０口炭酸エチル等の閉環剤を
、アミノジヒドＤ＋シペンピンこ６〕に対し約等しルー
５倍しル作用させることにより行なわれる。該閉環反応
は、通常約８０−２００　”Ｃ、好ましくは約１２０−
１６０゛Ｃの温度下に良好に進行する。 上記に引き続く、ヒトＤ＋シベンジオ十すソ０ン〔７〕
の水１俊基・＼の保護基の導入は、例えば適当な溶媒中
、触媒の存在Ｆに、２，３−ジしドＤじうりを用いて行
なわれる。溶媒としては具体的にはベニ、ｌＩ！ン、ト
ルエン、＋シレン等の芳香族炭化水素るジエチルエーテ
ル、■、２−ジメト＋シエタン、ジオ＋すｙ　等のエー
テル；ｎ−へ十うン、シクロへ＋ラン、塩化メチレン、
りＯＯホルム・ジメチルホルムアミド、へ＋１メチルリ
ｙｆｌｌｌトリア三ド、ジメチルホルオ＋シト等を例示
できる。触媒としては具体的には、硫酸、塩酸、臭化水
素酸、リン酸等の無機酸；酢酸、戸−トルエシスルホン
酸、メタｙスルホン酸等のＭ機酸纂オ＋シ塩化１ノ１、
塩化アルミニウム、塩化亜鉛、三弗化硼素等のルイス酸
；塩化チオニル等を例示できる。上記保護基の導入反応
は、原料〔７〕に対し、少なくとも等℃ル戚の２，３−
ジしドＯじラン及び約０．１−５重量％、好ましくは約
０・５−３重量％の触媒を用いて、通常ＯＣから溶媒の
沸点まで、好ましくは室温付近−約５０′Ｃの範囲の温
度下に、約１−６時間を要して行なわれる。 上記により得られる化合物〔８〕と、化合物（９Ｊとの
反応、即ち化合物〔８〕の窒素ノ京子へのアル＋ル基（
Ｒ２基）の導入反応は、例えば塩基性化合物の存在Ｆ、
適当な溶媒中にて実施されるっ塩基性化合物としては、
例えば水素化ナトリウム、カリウム、ナトリウム、ナト
リウムアミド、カリウムアミド等を挙げることができる
。溶媒としては例えばジオ十すり、ジエチレシタリコー
ルジメチルエーテル等のエーテル煩；トルエン、＋シレ
ン等の芳香族炭化水素類；ジメチルホルムアミド、ジメ
チルホルホ＋シト、へ１′−スメチルリン酸トリアミド
等を挙げることができる。化合物〔８〕と化合物

〔９〕
との使用゛割合は、特に限定がなく広い範囲内で適宜選
択でき、通常前者に対して後者を少なくとも等［ル程度
、好筐しくは等七ルー２倍ｔル程度用いるのがよい。該
反応は通常０−７０　’Ｃ程度、好１しくは０　’Ｃ−
室温付近にて行なわれ、一般に０．５−１２時間程度で
反応は終ｒする。 最後の工程である化合物〔１０〕からの保護基の除去は
、ベシぜン、トルエン、↑シレン等の芳香族系溶媒；ｎ
−へ＋サン、シフＤへ＋すン、ジエチルエーテル、１，
２−ジメト＋シエタシ、ジオ士サン等のエーテ！し系溶
媒；メタノール、エタノール、づＤパノール等のアルコ
ール系溶媒纂りＯＯホルム、ジメチルホルムアミド、へ
＋サメチルリン酸トリア三ド、ジメチルスルホ＋シト等
の溶媒又はこれと水との混合溶媒中、酸を用いて行なわ
れる。酸としては例えば塩酸、硫酸、リシ酸、臭化水素
酸等の無機酸；酢酸、／−１−ルエンスルホン酸、メタ
ンスルホシ酸等の有機酸が広く用いられるが、無機及び
有機の弱酸が好ましいっ使用される酸の虚としては特に
限定がなく化合物〔１ｏ〕に対して過剰量とするのがよ
い。該反応は通常室温−溶媒の沸点、好ましくは室温−
５０’Ｃで行なうのがよい。 かくして前記反応行程式−１に従い本発明誘導体を製造
するだめの原料化合物〔２〕を収得できる。。 示す化合物は、下記反応行程式−３に従い製造できる。 〔反応行程式−３〕 ノＩ ｒ７Ｊ　　　　　　　　　　　　　　（３）こ式中Ｒ工
、Ａ及びＸはｍｌＩ記に同じ。Ｒ２は上記＋／Ｊ応行程
式−３に示す反応は、しド０＋シぺｙソオＰすりロシ〔
７〕に対し、じペラジン誘導体Ｃ３Ｊを少なくとも等モ
ル量、好ましくは約２−４倍しル蔵用いる以外は、前記
反Ｌ６行程式−１と合物Ｃ１′’、’）を収得できる。 ′また本発明のベンジオ１＝リソロン誘導体〔１〕は、
ド記反応行程式−４に示す方法に従つ′Ｃも製造するこ
とができるう （、反応行程式−４〕 Ｒ，（１２Ｊ 、：１１　Ｊ ■ ２ 〔１〕 Ｃ式中Ｒ３は低級アル＋ル基又は−Ａ−Ｘ　基を示す。 Ｒ工、Ａ、Ｘ及びＲ２はＭｆｊ記に同じ〕上記反応行程
式−４において、本発明誘導体〔ＩＪは、ハＤプノアル
コ士シベンリオ十グリＤン誘導体〔１１〕に、公知のし
ペラジン誘導体〔１２〕を反応させることにより製造さ
れる。 該反応は、無溶媒で又は通常の不活性溶媒中で、０−２
００　’Ｃ１好ましくは室温−１００’Ｃの温度条件下
Ｑこ、数時間−２４時間程度で完結する。不活性醸媒と
しては、例えばジオ十すン、テトラヒドロフラン、エチ
レンタリコール、ジメチルエーテル等のエーテル類；ペ
ンピン、トルエン、↑シレン等の芳香族炭化水素類纂メ
タノール、エタノール、イソづＯパノール等の低級アル
コール傾；ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ↑シ
ト等の極性溶剤を使用できる。上記反応はより有利には
、塩基性化合物を脱ハＤプン化水素剤として用いて行な
われるっ該塩基性化合物としては、例えば炭酸カリウム
、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリ
ウム、ナトリウムアミド、水素化ナトリウム、トリエチ
ルアＥｙ、トリづＤじルア三ン、じリジン、十ノリン等
の第三級アミン類等を使用できる。また上記反応は、必
要に応じ反応促進剤として、沃化カリウム、沃化ナトリ
ウム等の沃化アルカリ金属化合物ｔｌ−添加することが
できる。上記反応Ｖこおけるハ０プノアルコ士シペンリ
オ＋ｔｊ％）口ｙＲ４体〔１１〕と、ヒペラジン誘導体
〔１２〕との使用、１）１１合は、特に限定されず、通
常前者に対し後者を等七ルー過剰量、好ましくは等℃ル
ー５倍七ルとすればよい。 上記反応に出発原料として利用されるへ０グツアルコ士
シベンソオ十サソｏ：Ｊ誘導体こ１１Ｊは、例えば下記
反応行程式−５に示す方法により容易に製造される。 〔反応行程式−５」 Ｈ １（１４，） ４ 〔式中Ｒ４Ｖｉ水素原子又は低級アル＋ル基を示し、Ｘ
はへ〇′Ｊ′ン原子を示す。またＸ、Ａ及びＲ３は上記
に同じ〕 即ちハ０プノアルコ士シペンリオ十グリＯｙ誘導体〔１
１〕は、一般式〔１３〕に示すベニ、１９才十寸’）Ｕ
Ｊｙｄ導体とシバ０ゲノアル力ン誘導体〔１４〕とを反
応させることにより得らｎる。該反応における反応条件
は、反応行程式−ＩＶこ示す脱ハロプｙ化水素反応のそ
れと同様のものとすればよい。 かＸして本発明のベニ、Ｊソオ＋ＩｊソＯン誘導体コ１
〕を得るっ該誘導体〔１〕は、これに適当な酸を作用さ
せることにより医薬として許容される酸付加塩とするこ
とができる、核酸としては例えば塩酸、硫酸、リシ酸、
臭化水素酸等の無機酸、シュウ酸、マレイｙ酸、フマー
ル酸、リン」酸、酒石酸、クエン酸、安息香酸等の有機
酸を挙げることができる。 斯くして得られる各々の行程での目的化合物は、通常の
分離手段により容易に単ｍ精製することができる。該分
離手段としては、例えば溶媒抽出法、希釈法、再結晶法
、カラムク０ントクラフイー、づレパラテイづ薄層り０
マドグラフイー等を例示できる。 本梢明化合物のベニ、ｌソオ＋＋ｙ　ｖ　ｏン誘導体及
びその塩は、そのま捷で又はこれらを有効成分として慣
用の製剤担体と共に、人及び動物に投与することができ
る、その際投与経路及び投与学位形態は、特に制限され
ず、例えば錠剤、頴粒剤、経口用溶液等の経口剤や注射
剤等の非経口剤等として、経口的にもしくは非経口的に
投与できる。有効成分の投与量は、投手経路、投与単位
形態、所望の薬理効果等に応じて適宜決定される。通常
１目当り体重１　ｋｑ当りの有効成分投学績は、約４０
μｆ−５ダとすればよく、これは１日、３−４回に分け
て投与できる。上記の投与単位形態は、常法に従い容易
に製造され、その際用い得る担体も通常のものでよい。 例えば錠剤は、有効成分を、じラチン、澱粉、乳糖、ス
テアリン酸マジネシウム、滑石、アラビアコム等の賦形
剤と混合して賦形される。力づじル剤は有効成分を不活
性の製剤充填剤もしくは希釈剤と混合し、硬質ビラ子ｙ
カラヒル、軟質カブしル等に充填される。また注射専の
非経口投与用朶剤は有効成分を滅菌した液状担体に溶解
又は懸濁して製造される。好ましい担体は水又は塩水で
ある。 以下本発明を更に詳細に説明するために参考例及び実施
例を挙げるが、本発明はこれ等に限定されるものではな
い。 参考例　１ ３−ニド０カテコールの製造 ジエチルエーテル２．５１にカテコール５０ｆを溶解し
、冷却下発煙硝酸２０ｍ／を加え、１２詩間放置する。 その後反応液を水洗し、乾燥後、ジエチルエーテルを除
去し、残渣にりｏＯホルム２００ｗｔ１を加え、析出晶
を戸別し、り００ホルム溶液をショートカラムに付し、
３−ニド０カテ］−ルを得る。収Ｊｉ２９Ｎ、融点７８
−８０　’Ｃ参考例　２ ３−アミノカテコール塩酸塩の製造 水１５０ｇ／、エタノール６００ｙｓｌ及び塩酸５０震
ｌの混液中に３−ニド０カテコール２’ｌを溶解し、５
％パラジウム炭素６ｙｔ用いて接触還元する。反応終了
後触媒を戸別し、反応液を蒸留して３−アミノカテコー
ル・塩酸塩２８９を得る。融点２１４　’Ｃ（分解） 参考例　３ ７−しドロ＋シー２（３１１）−ベン９才十ｔｊり口ｙ
の製造 ３−ア三ノカテ］−ル・塩酸塩２８ｇと尿素３５ｆ、！
：を、１４０−１５０’Ｏｆ３時間加熱する。 反応路ｒ伝水１００ｍ１を加え、析出晶をｐ取、水洗す
るっＨ２Ｏより再結晶して７−しドロ＋シー２（３Ｈ）
−ヘン９才＋ｔｊ″）ｏｙ１５ｆを得る。融点２３６−
２４０　’ｃ 参考例　４ ７−テトラしドロごラニルオ↑シー２Ｃ３Ｎ）−ベｙ・
ノオ４：グリ０ンの製造 ７−しドロ＋シー２Ｃ３Ｎ）−ペシソオ＋サソロン３．
８ノを塩化メチレン４０ｍ１中に１！！１蜀し、これに
シしドロヒラ：）４．２９を加え、更に触媒量の一硫酸
全加える。室温で１時間反応させ、析出晶を０ｊ取した
後、７．５％の炭酸カリウム水溶液に加え、２時間攪拌
する。結晶全戸数し、水洗後、エタノールより再結晶し
て、７−テトラしド０じラニルオ１ニジ−２（３／／）
−ペンリオ＋ｔｊすＯｙ２．３ｆを得るっ融点２２８−
２３０　’Ｃ参考例　５ ３−メチル−７−テトラしドロビラニルオｆシー２−ぺ
、：／９オ十ヅソロｙの製造 水素化ナトリウム５６Ｌｊ＃をジメチルホルムア三ド２
５ｍ１中に懸濁し、これに７−テトラしドＤじラニルオ
士シー２（３Ｈ）−ベンソオ↑’ｊＪ。 ン２３ｆを加え、室温で１時間攪拌後、ヨウ化メチル６
ノを加え１時間反応させ、次いで反応物を水中に注ぎ、
析出晶を戸数、水洗し、乾燥後、エタノ−１しより再結
晶して、３−メチル−７−チトラヒドＤじラニルオ士シ
ー２−ペンソオ十サリＤン２１ｇを得る。無色リン片伏
晶、融点１２６−１２９　’Ｃ 参考例　６ ３−メチル−７−しド０＋シー２−べｙソオ＋グツＯｙ
の製造 ３−メチル−７−テトラしド【」ごラニルオ↑シー２−
ヘン９才十寸’）ｒ］、：／１ｆをエタノール１０ｙｘ
ｌ中に懸濁し、これに触媒量の濃硫酸を加え、室温で３
時間攪拌後、エタノールを留去し、残渣に水を加え結晶
をｔｔｊ取する。これをエタノールより再結晶して；３
−メチル−７−しドロ＋シー２−ヘン９才＋ｔｊ′−）
Ｏン６７０１Ｂｇを得る。無色−）リズム状晶、融点２
１０−２１２　’Ｃ 参考例　７ ７−（３−り０口づ０ポ＋シ）−３−メチル−２−ベニ
、ｌり１十グリロンの製造 ３−メチル−７−しドＤ＋シー２−ベンリオ＋１ｙすＯ
ｙ　Ｏ，５ｔをジメチルホルムアミド５屑ｌ中に溶解し
、これに炭酸カリウム０．８＆を加え、室温で１時間攪
拌後、■、３−プ〇七りＯＯプロパツｉ、ｏ　ｙを加え
、更に室温で８時間攪拌する。反応物を氷水中に注ぎ、
析出晶を戸数し、水洗後へ十ヅンにて洗浄し、エタノー
ルより再結晶して、７−（３−りｏｏプＯポ＋シ）−３
−メチル−２−ベンソオ十すすｏ　：、ＩＯ，６ｆを得
る。無色プリズム状晶、融点１０９−１１０　’Ｃ 参考例　８ ３−（３−り０ロブ０じル）−７−（，３−りＯＯＯＯ
ポ＋シン−２−ベニＪりオ十すリＯンの製造７−しドＯ
＋シー２　（３Ｈ）−へりソオ＋ｔｊソｏ　：Ｊ２　ｆ
　１１＋３−プ［］七りＯＯプロパン３．２ｆ及び炭ｒ
ａ　ｊ］リウム２．７ノをジメチルホルムアミド２０　
ｍｌに懸濁し、室温ドに一夜放Ｉｔ後、反応物を水中に
注入し、析出晶（２，Ｏｆ　）を戸数し、水洗後乾燥し
、リタＵイシーベ：Ｊｔ！シ混液より再結晶して３−（
３−りＯＯづ０ヒル）−７−（３−クロＯづＯボ＋シ）
−２−ベニＪリオ＋ｔｊソＤン１．５ｆを得る。融点７
８−８０　’Ｃ 実施例　１ ３−メチル−７−しドロ＋シー２−ぺｙソオ十す′−）
０ン１．Ｏｆ、１−（４−フェニルじペラジｙ−１−イ
ル）−３−プ０５づ０バ：）２．ＯＦＩ及び炭酸カリウ
ム１．６ｇをジメチルホルムアミド２０＋ｗｌに懸濁し
、これを８０−９０　’Ｃで１８時間加熱攪拌後、減圧
乾固し、炭酸水素ナトリウム水溶液を加え析出晶金ｐ収
（〜、エタノールから再結晶して、３−メチル−′７−
　〔３−（４−フェニルじペラジｙ−１−イル）−プＤ
ポ＋シ〕−２−ペン９才＋１″）Ｄ：Ｊｏ、４ＦＩを得
る。 結晶形：無色リン片状晶 融　点：　１１１−１１２’Ｃ 実施例　２ ３−メチル−７−（３−りｏｏうＤポ↑シン−２−ペン
９才＋ＩＪすＤン１．２ｇ及び３つ化ナトリ「ンム１．
２ｇをアセトンＪ　Ｏｔｘｌ　Ｋ懸濁し、これを３時間
還流後、減圧乾固し、ジメチルホルムアミド３０ｍ１を
加え、更にフェニルヒペラジ：Ｊ１．１ｇ及びトリエチ
ルアミリ０．８９を加え、８０−９００で３．５時間加
熱後、減圧乾固し、以後実施例１と同−操作全繰返して
、３−メチル−７−（３−（４−フェニルじペラジン−
１−イル）−プ０ポ＋シ〕−２−ペン９オ＋ｔｊソＤン
０．６ｆを得る１、結晶形：無色リシ片状晶 融　点：　１１１−１１２　’Ｃ 実施例　３−５ 実施例１及び２のいずれかと同様にして、適当な出発原
料より下記第１表に示す本発明誘導体を得る。 第１表 ｊｆ３ 実施例　６ ３−（３−ｙｏｏプ０じＪｂ　）　−７−＜　３−りＤ
ｏ′Ｘ５ｏボｆニア）−２−ぺ３９才：Ｆｔｊソ［ｌｙ
ｌ、５Ｎ及びヨウ化ナトリウム１．７１をアセトン３０
ｍ１に懸濁し、３時間加熱還流させた後、減圧乾固し、
−これにジメチルホルムアミド２０ｇ１を加え、更にフ
ェニルごペラジン２．３ｙ及びトリエチルアミン４．５
ｆを加え、８０−９００で４時間加熱後、減圧乾固し、
炭酸水素ナトリウム水溶液及びり００ホルムを加えて抽
出し、カラ乙により精製後、エタノールから再結晶して
、３−　Ｃ３−（４−フェニル上ペラジン−１−イル）
づＯじル）−７−（３−（４−フェニルじペラジ：Ｊ−
１−イル）ｊ。 ポ＋シー２−ペン９才士’ｊすＤン０．７ｆを得る。 融　点：　９７−９８　”Ｃ （以　上）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■　一般式 〔式中Ｒ□はハ０プン原子、低級アルコ＋シ基及び低級
   アル＋ル基から選ばれた置換基の１−３個を有すること
   のあるフェニル基、Ｒ２は上記に同じ）及びＡは低級ア
   ル↑レン基を示す〕 で表わされることを特徴とするペン・ノオ十寸す０ン誘
   導体。