JPS5928647A - 液体用半導体センサ - Google Patents
液体用半導体センサInfo
- Publication number
- JPS5928647A JPS5928647A JP57140420A JP14042082A JPS5928647A JP S5928647 A JPS5928647 A JP S5928647A JP 57140420 A JP57140420 A JP 57140420A JP 14042082 A JP14042082 A JP 14042082A JP S5928647 A JPS5928647 A JP S5928647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- mold
- molds
- compsn
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、液体用半導体センサ、特番こｓｐ−打型半
導体素子を絶縁物で被覆したもの冬こ関するものである
。
導体素子を絶縁物で被覆したもの冬こ関するものである
。
半導体セッサは、応答が迅速であること、ＺＪＸ型化で
きること、イノビーダンスが小さく信号処理が容易であ
ること等の数々の特長を持つｔこめ、近年医用工学や工
業計測制御等の分野で数々の応用が試みられているセン
サである。この液１本用半導体十ンサは、（笑査する液
体中畳こ浸漬して用も１らｔＬるために、爪板やリード
線を試ｇＫ対して絶縁する仁とが必要である。＠１図１
よ製Ｊ告過程中の従来の液体用半４体セνすの正面図、
第２図は液体用半導体センサを−ｔｆに多数作るウエー
ノ＼の正面図である。
きること、イノビーダンスが小さく信号処理が容易であ
ること等の数々の特長を持つｔこめ、近年医用工学や工
業計測制御等の分野で数々の応用が試みられているセン
サである。この液１本用半導体十ンサは、（笑査する液
体中畳こ浸漬して用も１らｔＬるために、爪板やリード
線を試ｇＫ対して絶縁する仁とが必要である。＠１図１
よ製Ｊ告過程中の従来の液体用半４体セνすの正面図、
第２図は液体用半導体センサを−ｔｆに多数作るウエー
ノ＼の正面図である。
第１図において、液体用半導体センサの感応部はＡで示
す部分の表面にあり、それ以外の他の部分即ちＡの側面
、裏面、Ｂの表面、側面、裏面、及びＣの表面、裏面は
すべて半導体製造過程でウェーハの状態時に８次元的に
絶縁物であるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等で被覆
されている。
す部分の表面にあり、それ以外の他の部分即ちＡの側面
、裏面、Ｂの表面、側面、裏面、及びＣの表面、裏面は
すべて半導体製造過程でウェーハの状態時に８次元的に
絶縁物であるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等で被覆
されている。
Ｃの側面は、半導体製造過程において第２図に示すウェ
ーハより切り出したため、シリコン基板がそのまま雌出
している。（１）、（２）は各々リード線をハンダ付等
で接続する部分である。第２図の（４）は特殊なエツチ
ング法によってシリコン基板が除かれた部分であり、複
数個ある半導体セッサ（３）は連続部（５）によって互
いに連なっている。このウェーハより連続部（５）を切
り出した半導体センサ（３）の第１図におけるＣの側面
とリード線部を高分子接着剤等を用いて絶縁物でさらに
被覆すれば、液体中に浸漬して用いることができる。
ーハより切り出したため、シリコン基板がそのまま雌出
している。（１）、（２）は各々リード線をハンダ付等
で接続する部分である。第２図の（４）は特殊なエツチ
ング法によってシリコン基板が除かれた部分であり、複
数個ある半導体セッサ（３）は連続部（５）によって互
いに連なっている。このウェーハより連続部（５）を切
り出した半導体センサ（３）の第１図におけるＣの側面
とリード線部を高分子接着剤等を用いて絶縁物でさらに
被覆すれば、液体中に浸漬して用いることができる。
１足来の液体ＩＩ半薄体センサは以にのように構成され
ているので、シリコン、に仮に８ｇ元的に化学的加−［
する必要Ｌウェーハはくしの鋼状に切り抜かツｔでいろ
。ＣＩ））故１２１月乎導体七ンサン現在のトラ゛／ジ
スタや渠、１回路の喉傾プロセスで生産することはこの
くしの歯状のウェーハの加上過侶が必要臀ｔこめに［相
離ｃ、ｈる。
ているので、シリコン、に仮に８ｇ元的に化学的加−［
する必要Ｌウェーハはくしの鋼状に切り抜かツｔでいろ
。ＣＩ））故１２１月乎導体七ンサン現在のトラ゛／ジ
スタや渠、１回路の喉傾プロセスで生産することはこの
くしの歯状のウェーハの加上過侶が必要臀ｔこめに［相
離ｃ、ｈる。
この花明は」二記のような従来のものの欠点？除去する
ｔこめになされたもので＝＊肴する成環に反応する感応
部とリード線を有ヂる平面型半導体素子、この平向型半
導不素子の感応部をに出させ′Ｃ全庫を被覆する絶縁物
を備えることにより、通線の半導１本生産過程で製造可
能で、絶縁膜ｆｉｆｆが長く、機械的強度の商い成体用
半導１不セノサを提供すること紮１」的とじＣいろ。
ｔこめになされたもので＝＊肴する成環に反応する感応
部とリード線を有ヂる平面型半導体素子、この平向型半
導不素子の感応部をに出させ′Ｃ全庫を被覆する絶縁物
を備えることにより、通線の半導１本生産過程で製造可
能で、絶縁膜ｆｉｆｆが長く、機械的強度の商い成体用
半導１不セノサを提供すること紮１」的とじＣいろ。
以１・、この発明の一実施例である半面型水素イ」゛ン
懸受性電界９ＪＪ果型トウノジスタを用いてその製造法
を説明するう第８図は平面型半導１本素子の山間図であ
り、第４図は第８図のＩＶ−ｉＶ線断面図でゐろ。図に
おい−Ｃ（６）は平１ＩＩＩ型半導体素子、（７）はチ
ャンネル、（８）はドレイン、（９）はソース、ａｌは
感応部、Ｕυはシリコン基板、す擾はシリコン酸化Ｖあ
るいはシリコン酸化膜の仁にシリコン窒配膜を積み重ね
た１造からなる絶縁膜、ａ葎はリード線である。リード
線Ｑ場は、平面型半導体素子（６）にはんｔご付さｎで
おり、このはんだ部分以外は被覆電線でｈる。この半４
１４累子（６）は、半導体基板の一面より加工処理して
得られた平面型半導体素子群から切り出したものである
ため、この切り出した部分である４か所の側面及び底面
はシリコン基板０υが露出した構造になっている。
懸受性電界９ＪＪ果型トウノジスタを用いてその製造法
を説明するう第８図は平面型半導１本素子の山間図であ
り、第４図は第８図のＩＶ−ｉＶ線断面図でゐろ。図に
おい−Ｃ（６）は平１ＩＩＩ型半導体素子、（７）はチ
ャンネル、（８）はドレイン、（９）はソース、ａｌは
感応部、Ｕυはシリコン基板、す擾はシリコン酸化Ｖあ
るいはシリコン酸化膜の仁にシリコン窒配膜を積み重ね
た１造からなる絶縁膜、ａ葎はリード線である。リード
線Ｑ場は、平面型半導体素子（６）にはんｔご付さｎで
おり、このはんだ部分以外は被覆電線でｈる。この半４
１４累子（６）は、半導体基板の一面より加工処理して
得られた平面型半導体素子群から切り出したものである
ため、この切り出した部分である４か所の側面及び底面
はシリコン基板０υが露出した構造になっている。
さらに、Ｌ記平面型半導体累子（６）をモールド法によ
って感応部（１１を露出して全体を絶縁する。第５図は
平面型半導体素子（６）の底面及び側＋Ｍ７の一部を絶
縁するための台α→で、平（ｈｉ型半導体素子（６）が
入る四部を有しており、絶縁材料を用いて注型製作した
。この時の絶縁材料としではエポキシ樹脂と酸無水物と
からなるエポキシ樹脂組成物を用いている。第６図に示
すように下部モールド型α力に台０荀を入れ、台０４の
四部に平面型半導体素子（６）を直きさらに感応部上に
同分子弾訃体としてシリコノゴム片ａυを１４＜。リー
ド線Ｑ３ ｋ ｉｔ切に配）＋１ シ、に部上−ルド型
Ｏ１を下部モールド型α力に重ね、金属製クラップ等で
固定する。次にエポキシ樹脂組成物を真空脱泡し、針状
の注入部をもつ注入器に入れ、Ｌ部上−・レド型ＱＱの
住人穴（ト）から注入する。
って感応部（１１を露出して全体を絶縁する。第５図は
平面型半導体素子（６）の底面及び側＋Ｍ７の一部を絶
縁するための台α→で、平（ｈｉ型半導体素子（６）が
入る四部を有しており、絶縁材料を用いて注型製作した
。この時の絶縁材料としではエポキシ樹脂と酸無水物と
からなるエポキシ樹脂組成物を用いている。第６図に示
すように下部モールド型α力に台０荀を入れ、台０４の
四部に平面型半導体素子（６）を直きさらに感応部上に
同分子弾訃体としてシリコノゴム片ａυを１４＜。リー
ド線Ｑ３ ｋ ｉｔ切に配）＋１ シ、に部上−ルド型
Ｏ１を下部モールド型α力に重ね、金属製クラップ等で
固定する。次にエポキシ樹脂組成物を真空脱泡し、針状
の注入部をもつ注入器に入れ、Ｌ部上−・レド型ＱＱの
住人穴（ト）から注入する。
この時０９は空気穴となる。エポキシ樹脂組成物を完全
に注入後、所定温度のｍ気オーブノに入れ、必要時間硬
化を行なう。硬化後Ｌトモ−・レド型ｔはずし、エポキ
シ樹脂組成物で被イリされた平面型土ｊ！Ｉ素子を取り
出す。＠８図はこのようにして絶縁された平向型半導不
素子のｔｔｉｔ造？図小したものでＪ）る。第８図にお
いて、平面型半導体素子（６）はエポキシ樹脂硬化物α
）によ−）で感応部（１→を除いて全体を？？ｉｆされ
ている。この発明によって得られた欣１本用半Ｊ与体セ
／すは６か用具りの絶縁寿命を示したつ なお、に尼実施例では台９〜の製作とＬ部のモールド絶
縁を２度に分けて行なったが、虐切な工夫にＪ：つＵ
ｌ ＋、ｙで行なうこともできる。又、Ｌ記実施例では
リード線と支持台を兼ねるフレームを用いなかったが、
フレームを用いたモーーリド法で製造することもでき、
さらに複数個の平面型半導体セッサを同時に絶縁する方
法でもできる７又、絶縁物として、他の絶縁性のある篩
分子化合物を用いｔコリ、感応部の絶縁を除く目的で他
の高分子弾性体を用いでもよい。
に注入後、所定温度のｍ気オーブノに入れ、必要時間硬
化を行なう。硬化後Ｌトモ−・レド型ｔはずし、エポキ
シ樹脂組成物で被イリされた平面型土ｊ！Ｉ素子を取り
出す。＠８図はこのようにして絶縁された平向型半導不
素子のｔｔｉｔ造？図小したものでＪ）る。第８図にお
いて、平面型半導体素子（６）はエポキシ樹脂硬化物α
）によ−）で感応部（１→を除いて全体を？？ｉｆされ
ている。この発明によって得られた欣１本用半Ｊ与体セ
／すは６か用具りの絶縁寿命を示したつ なお、に尼実施例では台９〜の製作とＬ部のモールド絶
縁を２度に分けて行なったが、虐切な工夫にＪ：つＵ
ｌ ＋、ｙで行なうこともできる。又、Ｌ記実施例では
リード線と支持台を兼ねるフレームを用いなかったが、
フレームを用いたモーーリド法で製造することもでき、
さらに複数個の平面型半導体セッサを同時に絶縁する方
法でもできる７又、絶縁物として、他の絶縁性のある篩
分子化合物を用いｔコリ、感応部の絶縁を除く目的で他
の高分子弾性体を用いでもよい。
以りのように、この発明によれば、軟体用半導体センサ
として、瑛査する液体に反応する感応部と、リード線を
有する平面型半導体素子、この半導体素子の：感応部を
露出させて全体を被覆する絶縁物を備える構成にしたの
で、連層の半韓体製造過程で生産できるため製造が簡単
で、絶縁身命が長く、機械的強度の高いものが得られる
効果がある。
として、瑛査する液体に反応する感応部と、リード線を
有する平面型半導体素子、この半導体素子の：感応部を
露出させて全体を被覆する絶縁物を備える構成にしたの
で、連層の半韓体製造過程で生産できるため製造が簡単
で、絶縁身命が長く、機械的強度の高いものが得られる
効果がある。
第１図は従来の製造過程中の半４体ナノサの正面図、第
２図は従来のセンサを一度に多数作るウェーハの正面図
、第８図はこの発明の一実施例にかかわる平面型半導体
素子の正面図、第４図は第８図の１ｖ−α線断（ｍ図、
第５図は平面型半導体素子の底ｉｆｉ’ｉ及び側面の一
部を絶縁するための台の斜視図、第６図はこの発明の一
尖施例の半導体センサの製造過１！１！中の正面断面図
、第７図は第６図のＶｎｌｌ線断面図、第８図はこの発
明の−・実施例で、感応部を露出して全１本を絶縁１勿
で被覆したｌ夜体用半＋ｊ’４．体セッサの正面図、及
び第９図は第８図の■−ＩＸ線断面図でＪ）ろ。 （ｌｌ＋（２）・・リーヒ線接続部、（６）・・平面型
半導体素子、０１・・・感応部、（１０・・・シリコン
裁板、０４・・・シリコン酸化膜、（１，ヤ・・・リー
ド線、ＯＱ・・・高分子弾性体、（イ）・・・絶縁物、 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示１゜ 代 理 人 葛 野 信 − 第１図 第２図 第：３図 乙 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 ■ 第９図 手続補正占：（自発） 特許庁長官殿 ■、事件の表示 特願昭５７−１４０４２０号２
発明の名称 液体用半導体センサ３、補正をす
る台 事件との関係 笥・許出１ｐ（ｉ人代表者片（（１
ヒバ部 ４、代理人 ５、補正の対象 （１）明細書の図面の簡単な説明の欄 （２）図面 ６、補正の内容 （１）明細書中箱７頁第９行に「リービ線」とあるのを
１リード線」と訂正する。 （２）図中、第８図を別紙のとおり訂正する。 ７、 添付書類の目録 図面（第８図） １通以５土 第８図
２図は従来のセンサを一度に多数作るウェーハの正面図
、第８図はこの発明の一実施例にかかわる平面型半導体
素子の正面図、第４図は第８図の１ｖ−α線断（ｍ図、
第５図は平面型半導体素子の底ｉｆｉ’ｉ及び側面の一
部を絶縁するための台の斜視図、第６図はこの発明の一
尖施例の半導体センサの製造過１！１！中の正面断面図
、第７図は第６図のＶｎｌｌ線断面図、第８図はこの発
明の−・実施例で、感応部を露出して全１本を絶縁１勿
で被覆したｌ夜体用半＋ｊ’４．体セッサの正面図、及
び第９図は第８図の■−ＩＸ線断面図でＪ）ろ。 （ｌｌ＋（２）・・リーヒ線接続部、（６）・・平面型
半導体素子、０１・・・感応部、（１０・・・シリコン
裁板、０４・・・シリコン酸化膜、（１，ヤ・・・リー
ド線、ＯＱ・・・高分子弾性体、（イ）・・・絶縁物、 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示１゜ 代 理 人 葛 野 信 − 第１図 第２図 第：３図 乙 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 ■ 第９図 手続補正占：（自発） 特許庁長官殿 ■、事件の表示 特願昭５７−１４０４２０号２
発明の名称 液体用半導体センサ３、補正をす
る台 事件との関係 笥・許出１ｐ（ｉ人代表者片（（１
ヒバ部 ４、代理人 ５、補正の対象 （１）明細書の図面の簡単な説明の欄 （２）図面 ６、補正の内容 （１）明細書中箱７頁第９行に「リービ線」とあるのを
１リード線」と訂正する。 （２）図中、第８図を別紙のとおり訂正する。 ７、 添付書類の目録 図面（第８図） １通以５土 第８図
Claims (1)
- 検査する液体に反応する感応部と、リード線を有する平
面型半導体素子、この半導体素子の感ＬＵ部を露出させ
て全体を被覆する絶縁物を備えた液体用半導体センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140420A JPS5928647A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 液体用半導体センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140420A JPS5928647A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 液体用半導体センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928647A true JPS5928647A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15268293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57140420A Pending JPS5928647A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 液体用半導体センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928647A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6379566U (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-26 |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP57140420A patent/JPS5928647A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6379566U (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-26 |
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