JPS6056247A - 半導体イオンセンサの絶縁法 - Google Patents
半導体イオンセンサの絶縁法Info
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- JPS6056247A JPS6056247A JP58164502A JP16450283A JPS6056247A JP S6056247 A JPS6056247 A JP S6056247A JP 58164502 A JP58164502 A JP 58164502A JP 16450283 A JP16450283 A JP 16450283A JP S6056247 A JPS6056247 A JP S6056247A
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- JP
- Japan
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- ion sensor
- semiconductor
- semiconductor ion
- sensor
- insulation
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、水溶液中での使用を目的とする半導体イオ
ンセンサの絶縁法に関するものである。
ンセンサの絶縁法に関するものである。
半導体イオンセンサは、応答が速り、小型化可能、低イ
ンピーダンスのため信号処理が容易、マルチ化（多重化
）が可能、半導体プロセスで製造されるため器量でき低
価格センサが供給できるなど数々の特徴をもつため、近
年、医用工学、環境制御、工業計測制御等の分野で種・
々の応用が試みられている。このセンナは、溶液中で使
用するため、半導体基板のスクライブ面やリード線端子
部分を溶液から絶縁する必要がある。この絶縁にはワッ
クス、シリコン系接着剤およびエポキシ系接着剤などが
使われているが、中でも熱硬化させたエポキシ樹脂か良
い絶縁性を示すことが知られている。第１および第２図
に従来の金型を用いたモールドによる熱硬化性樹脂の絶
縁法を示し、第１図（ａ）はあらかじめ成形した固定台
を用いた場合の金型製着装（ｈ、のｉＥ面断面図、（ｂ
）はそのｌｂ −１ｂ線断面図、第２図０は板状の固定
台を用いた場合の正面断面図、（ｂ）はそのｊｌｂ −
［ｂ線断面図である。
ンピーダンスのため信号処理が容易、マルチ化（多重化
）が可能、半導体プロセスで製造されるため器量でき低
価格センサが供給できるなど数々の特徴をもつため、近
年、医用工学、環境制御、工業計測制御等の分野で種・
々の応用が試みられている。このセンナは、溶液中で使
用するため、半導体基板のスクライブ面やリード線端子
部分を溶液から絶縁する必要がある。この絶縁にはワッ
クス、シリコン系接着剤およびエポキシ系接着剤などが
使われているが、中でも熱硬化させたエポキシ樹脂か良
い絶縁性を示すことが知られている。第１および第２図
に従来の金型を用いたモールドによる熱硬化性樹脂の絶
縁法を示し、第１図（ａ）はあらかじめ成形した固定台
を用いた場合の金型製着装（ｈ、のｉＥ面断面図、（ｂ
）はそのｌｂ −１ｂ線断面図、第２図０は板状の固定
台を用いた場合の正面断面図、（ｂ）はそのｊｌｂ −
［ｂ線断面図である。
図においてｉｌ＋は下部モールド金型、（２）は上部モ
ールド金型、（３）は半導体イオンセンサ、（４）は半
導体イオン感応部のリード線、（５）は固定台、（６）
は高分子弾性体、（７）は熱硬化性樹脂注入口、（８）
は空気抜き穴、（９）はガラス板である固定台である。
ールド金型、（３）は半導体イオンセンサ、（４）は半
導体イオン感応部のリード線、（５）は固定台、（６）
は高分子弾性体、（７）は熱硬化性樹脂注入口、（８）
は空気抜き穴、（９）はガラス板である固定台である。
次に上記装着装置を用いた時のモールド法について説明
する。第１図に示しだように、あらかじめ別の金型を用
いて作られた熱硬化性樹脂の固定台（５）を下部モール
ド金型（１）に嵌め込み、この台上に半導体イオンセン
ナ（３）を置き、上部モールド金型（２）を高分子弾性
体（６）を挟んで重ね合せる。高分子弾性体（６）は半
導体イオンセンサのイオン感応膜上に押し当てられ、熱
硬化性樹脂がイオン感応部に付着するのを防いでいる。
する。第１図に示しだように、あらかじめ別の金型を用
いて作られた熱硬化性樹脂の固定台（５）を下部モール
ド金型（１）に嵌め込み、この台上に半導体イオンセン
ナ（３）を置き、上部モールド金型（２）を高分子弾性
体（６）を挟んで重ね合せる。高分子弾性体（６）は半
導体イオンセンサのイオン感応膜上に押し当てられ、熱
硬化性樹脂がイオン感応部に付着するのを防いでいる。
次に脱泡した熱硬化性樹脂を流し込み、金型の空間部分
を満たす。これを熱処理し完全に硬化させてから、金型
ｔｌｌ 、 ＋２１ 、高分子弾性体（６）をはずすと
、第３図に示したような半導体イオンセンサが得られる
。熱硬化性樹脂硬化物の固定台の代わりに、第２図に示
したようガガ２ス板（９）を用いると同様の方法で第４
図に示した半導体イオンセンサが得られる。図３，４に
おいてａ〔は熱硬化性樹脂硬化物、ａｏは半導体センサ
のイオン感応部である。
を満たす。これを熱処理し完全に硬化させてから、金型
ｔｌｌ 、 ＋２１ 、高分子弾性体（６）をはずすと
、第３図に示したような半導体イオンセンサが得られる
。熱硬化性樹脂硬化物の固定台の代わりに、第２図に示
したようガガ２ス板（９）を用いると同様の方法で第４
図に示した半導体イオンセンサが得られる。図３，４に
おいてａ〔は熱硬化性樹脂硬化物、ａｏは半導体センサ
のイオン感応部である。
しかし従来のモールド法は金型を使うため、モールド操
作が非常に煩雑になり、また、金型を押えるときの力で
素子表面に傷が生じたり１例えば固定台に用いたガラス
板を破損することもある。
作が非常に煩雑になり、また、金型を押えるときの力で
素子表面に傷が生じたり１例えば固定台に用いたガラス
板を破損することもある。
さらに熱硬化性樹脂が十分に金型の空間に満たされず、
絶縁不十分になり、センサの歩留りが悪くなるという欠
点があった。
絶縁不十分になり、センサの歩留りが悪くなるという欠
点があった。
この発明は上記従来のものの欠点を除去するためになさ
れたもので、イオン感応部を残して、半導体イオンセン
サにチクリトロピック剤を含有する熱硬化性樹脂を塗布
し硬化させ絶縁することにより、金型を用いなくても簡
便でかつ、素子に損傷を与えず、さらに絶縁性の良い半
導体イオンセンサの絶縁法を提供することを目的とする
。
れたもので、イオン感応部を残して、半導体イオンセン
サにチクリトロピック剤を含有する熱硬化性樹脂を塗布
し硬化させ絶縁することにより、金型を用いなくても簡
便でかつ、素子に損傷を与えず、さらに絶縁性の良い半
導体イオンセンサの絶縁法を提供することを目的とする
。
〔発明の実７１ｉ′！ｉ１シ１１〕
第５図はこの発明の一実施例により絶縁された半導体イ
オンセンサの斜視図である。図において（３）は半導体
イオンセンサ、（４）はこのセンサのリード線、ａｚは
半導体イオンセンサを装着する台、０りは半導体イオン
センサのスクライブ側面、リード線端子部分を絶縁する
チクリトロピック剤を混合したエポキシ樹脂硬化物であ
る。
オンセンサの斜視図である。図において（３）は半導体
イオンセンサ、（４）はこのセンサのリード線、ａｚは
半導体イオンセンサを装着する台、０りは半導体イオン
センサのスクライブ側面、リード線端子部分を絶縁する
チクリトロピック剤を混合したエポキシ樹脂硬化物であ
る。
この発明の一実施例に用いる熱硬化性樹脂としては２例
えばエポキシ樹脂およびシリコン樹脂等がある。
えばエポキシ樹脂およびシリコン樹脂等がある。
この発明の一実施例に用いるチクリトロピック剤として
は１例えばエロジル（日本アエロジル社）およびカリド
リア−ＲＧ−２４４（ユニオンカーバイド）等がある。
は１例えばエロジル（日本アエロジル社）およびカリド
リア−ＲＧ−２４４（ユニオンカーバイド）等がある。
以下実施例によりこの発明をさらに説明するが。
これにより発明を限定しない。
実施例１
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ＥＰＯＮ８２８（シェ
ル社製）１０り、硬化剤ＨＮ３５００ （日立化成ｇ）
ａ ｙ 、および硬化促進剤を適宜混合し、これにチ
クリトロピック剤エロジル（日本アエロジル社Ｍ）２２
を加えて流れない適度の粘度までにし真空ポンプで脱泡
する。半導体イオンセンサ（３）を合板上α４に固定し
スクライブ面やリード線端子部分にチクリトロピック剤
を加えたエボギン和ｌ脂を泡が入らないように塗り、硬
化させる。
ル社製）１０り、硬化剤ＨＮ３５００ （日立化成ｇ）
ａ ｙ 、および硬化促進剤を適宜混合し、これにチ
クリトロピック剤エロジル（日本アエロジル社Ｍ）２２
を加えて流れない適度の粘度までにし真空ポンプで脱泡
する。半導体イオンセンサ（３）を合板上α４に固定し
スクライブ面やリード線端子部分にチクリトロピック剤
を加えたエボギン和ｌ脂を泡が入らないように塗り、硬
化させる。
このようにして絶縁された半導体イオンセンサの耐水性
絶縁性は非常に良好で、１年以上、常温常圧で連続使用
しても絶縁は破壊されなかった。
絶縁性は非常に良好で、１年以上、常温常圧で連続使用
しても絶縁は破壊されなかった。
なお、上記実施例ではエポキシ樹脂を用いた場合につい
て述べたが他種類の熱硬化性樹脂を用いた場合も所期の
目的を達成できる。
て述べたが他種類の熱硬化性樹脂を用いた場合も所期の
目的を達成できる。
また、上記実施例では、板状の台の上に半導体イオンセ
ンサを固定した場合について示しだが。
ンサを固定した場合について示しだが。
板状でなく、棒吠なと任意の形の上面や側面に固定し絶
縁することができる。第６図に棒上エポキシ樹脂に半導
体イオンセンサを装着し絶縁したものを示す。図におい
て（３）は半導体イオンセンサ。
縁することができる。第６図に棒上エポキシ樹脂に半導
体イオンセンサを装着し絶縁したものを示す。図におい
て（３）は半導体イオンセンサ。
（４）はリード線、（１３はチクリトロピック剤入りエ
ポキシ樹脂硬化物、ｆ１４Ｌｌ−１棒状エポキシ樹脂硬
化物である。
ポキシ樹脂硬化物、ｆ１４Ｌｌ−１棒状エポキシ樹脂硬
化物である。
なお、半導体イオンセンサを固定する台としてエポキシ
樹脂硬化物を用いているのは、絶縁する熱硬化性樹脂と
同じ材質の成形物および積層板を固定台として用いる方
が熱膨張率の違いによる絶縁不良を生じにくいのである
。
樹脂硬化物を用いているのは、絶縁する熱硬化性樹脂と
同じ材質の成形物および積層板を固定台として用いる方
が熱膨張率の違いによる絶縁不良を生じにくいのである
。
さらに、上記実施例では、１個の半導体イオンセンナを
装着した場合を示したが、第７図に示したように、複数
個同時に絶縁することも可能である。
装着した場合を示したが、第７図に示したように、複数
個同時に絶縁することも可能である。
以上説明したとおり、この発明はイオン感応部を残して
、半導体イオンセンサにチクソトロビソク剤を金屑する
熱硬化性樹脂を塗布し硬化させ絶縁することにより、金
型を用いなくても簡便でかつ、素子に損傷を与えず、さ
らに絶縁性の良い半導体イオンセンサの絶縁法を得るこ
とができる。
、半導体イオンセンサにチクソトロビソク剤を金屑する
熱硬化性樹脂を塗布し硬化させ絶縁することにより、金
型を用いなくても簡便でかつ、素子に損傷を与えず、さ
らに絶縁性の良い半導体イオンセンサの絶縁法を得るこ
とができる。
第１図および第２図は従来の半導体イオンセンサの絶縁
法を示す断面図、第３図および第４図ｔま従来法により
絶縁された半導体イオンセンナの斜視図、第５図、第６
図および第７図はこの発明の−笑施例により絶縁した半
導体イオンセンサの斜視図および平面図である。 図において、（Ｉ〕は下部モールド金型、（２）は上部
モールド金型、（３）は半導体イオンセンサ、（４１Ｕ
！Ｊ−ド線、（５）は固定台、（６）は高分子弾性体、
（７）は熱硬化性樹脂注入口、（８）は空気抜き穴、（
９）はガラス板である固定台、 ＩＩＩは熱硬化性樹脂
硬化物、ｏ１）は半導体イオンセンナのイオン感応部、
Ｑ２は合板。 ０′３はチクソトロビソク剤人工ポキシ樹脂硬化物。 Ｑ４］は棒状熱硬化（ｊｂ ４１′ｉＪ脂硬化物である
。 なお９図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第 ２ 図 ６ｙ、 ３ １”４ ；、Ｊｔ’ ４図 第５図 第６図 第７図
法を示す断面図、第３図および第４図ｔま従来法により
絶縁された半導体イオンセンナの斜視図、第５図、第６
図および第７図はこの発明の−笑施例により絶縁した半
導体イオンセンサの斜視図および平面図である。 図において、（Ｉ〕は下部モールド金型、（２）は上部
モールド金型、（３）は半導体イオンセンサ、（４１Ｕ
！Ｊ−ド線、（５）は固定台、（６）は高分子弾性体、
（７）は熱硬化性樹脂注入口、（８）は空気抜き穴、（
９）はガラス板である固定台、 ＩＩＩは熱硬化性樹脂
硬化物、ｏ１）は半導体イオンセンナのイオン感応部、
Ｑ２は合板。 ０′３はチクソトロビソク剤人工ポキシ樹脂硬化物。 Ｑ４］は棒状熱硬化（ｊｂ ４１′ｉＪ脂硬化物である
。 なお９図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第 ２ 図 ６ｙ、 ３ １”４ ；、Ｊｔ’ ４図 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- イオン感応部を残して、半導体イオンセンサにチクソト
ロビソク剤を含有する熱硬化性樹脂を塗布し硬化させ絶
縁する半導体イオンセンサの絶縁法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164502A JPS6056247A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体イオンセンサの絶縁法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164502A JPS6056247A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体イオンセンサの絶縁法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6056247A true JPS6056247A (ja) | 1985-04-01 |
Family
ID=15794371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58164502A Pending JPS6056247A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体イオンセンサの絶縁法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056247A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62193123U (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-08 | ||
| JPS6379566U (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-26 | ||
| JP2019516992A (ja) * | 2016-05-18 | 2019-06-20 | ディーエヌエーイー グループ ホールディングス リミテッド | 集積回路のためのパッケージングにおける又は関連する改善 |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP58164502A patent/JPS6056247A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62193123U (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-08 | ||
| JPS6379566U (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-26 | ||
| JP2019516992A (ja) * | 2016-05-18 | 2019-06-20 | ディーエヌエーイー グループ ホールディングス リミテッド | 集積回路のためのパッケージングにおける又は関連する改善 |
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