JPS5928996B2 - 電子部品の取付方法 - Google Patents
電子部品の取付方法Info
- Publication number
- JPS5928996B2 JPS5928996B2 JP50075271A JP7527175A JPS5928996B2 JP S5928996 B2 JPS5928996 B2 JP S5928996B2 JP 50075271 A JP50075271 A JP 50075271A JP 7527175 A JP7527175 A JP 7527175A JP S5928996 B2 JPS5928996 B2 JP S5928996B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- thermal expansion
- substrate
- coefficient
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＬＳＩ素子などのように非常に多くの端子数を
有する電子部品と取付基板との取付方法に関し、特に従
来通ヤ電子部品を基板にボンディング出来て、しかも該
両者に熱膨脹係数の差によるクラックや破損が生ずるこ
とのない様に工夫した新規な取付方法を提供するもので
ある。
有する電子部品と取付基板との取付方法に関し、特に従
来通ヤ電子部品を基板にボンディング出来て、しかも該
両者に熱膨脹係数の差によるクラックや破損が生ずるこ
とのない様に工夫した新規な取付方法を提供するもので
ある。
一般に、ガラス基板上に電子部品を取付ける場合に、電
子部品の熱膨脹係数と基板の熱膨脹係数とが比較的大き
く異なる時には温度サイクル等によつて基板にクラック
が発生したわ、部品が破損したＤすることは知られてい
る。例えば、第１図に示す様にガラス基板１上の端子Ｉ
Ａ）ＩＡに電子部品２をハンダ３によつて取付ける場合
に、ガラス基板１の熱膨脹係数（９０〜１００×１０−
７ｃｍ／℃）と比較的近い熱膨脹係数を有する電子部品
２、つまヤセラミツク部品（熱膨脹係数７８×１０−’
！、ｃｍ／℃）であればクラックが発生したり）部品が
破損したりすることがない。
子部品の熱膨脹係数と基板の熱膨脹係数とが比較的大き
く異なる時には温度サイクル等によつて基板にクラック
が発生したわ、部品が破損したＤすることは知られてい
る。例えば、第１図に示す様にガラス基板１上の端子Ｉ
Ａ）ＩＡに電子部品２をハンダ３によつて取付ける場合
に、ガラス基板１の熱膨脹係数（９０〜１００×１０−
７ｃｍ／℃）と比較的近い熱膨脹係数を有する電子部品
２、つまヤセラミツク部品（熱膨脹係数７８×１０−’
！、ｃｍ／℃）であればクラックが発生したり）部品が
破損したりすることがない。
そして、電子部品２がシリコン部品の様に熱膨脹係数（
３０×１０−“ｃｍ／℃）が基板１と大きく異なるもの
にあつては基板１にクラックが発生したヤ、部品が破損
したヤするものである。この様な問題を解消する方法と
して、従来は導電性の金属板をコ字型などに形成して弾
性をもたせた歪吸収部材を電子部品端子と基板端子の間
に介在させて該両者間を電気的機械的に結合する取付方
法が提案されている。
３０×１０−“ｃｍ／℃）が基板１と大きく異なるもの
にあつては基板１にクラックが発生したヤ、部品が破損
したヤするものである。この様な問題を解消する方法と
して、従来は導電性の金属板をコ字型などに形成して弾
性をもたせた歪吸収部材を電子部品端子と基板端子の間
に介在させて該両者間を電気的機械的に結合する取付方
法が提案されている。
然し乍ら、このような従来の取付方法は歪吸収部材を電
子部品端子と基板端子の間の導通用として兼用している
ために、たとえば電子部品がＬＳＩ素子のように小型で
しかも多数の端子を有するものでは電子部品と基板の各
端子間を上記導電性の金属板を用いて一つゝ結合してい
かなければならず、取付に非常に多くの手間と時間を要
するという欠点がある。
子部品端子と基板端子の間の導通用として兼用している
ために、たとえば電子部品がＬＳＩ素子のように小型で
しかも多数の端子を有するものでは電子部品と基板の各
端子間を上記導電性の金属板を用いて一つゝ結合してい
かなければならず、取付に非常に多くの手間と時間を要
するという欠点がある。
さらに、電子部品、基板上の各端子間ピッチが非常に狭
いから上記導電性の金属板が隣ジのものに接触し易く信
頼性がない。このように従来の取付方法ではＬＳＩ素子
をボンデイングすることが出来ないという致命的な欠点
を有している。
いから上記導電性の金属板が隣ジのものに接触し易く信
頼性がない。このように従来の取付方法ではＬＳＩ素子
をボンデイングすることが出来ないという致命的な欠点
を有している。
それゆえ本発明の目的は、ＬＳＩ素子などのように多く
の端子数を有する電子部品を熱膨脹差によるクラツクや
破損が生ずることのない様に基板にボンデイングし得る
新規な取付方法を提供することにある。
の端子数を有する電子部品を熱膨脹差によるクラツクや
破損が生ずることのない様に基板にボンデイングし得る
新規な取付方法を提供することにある。
以下図にもとづいて本発明方法を詳細に説明する。
第２図において、ガラス基板１上に導電体をエツチング
或は印刷によつて形成した端子１Ａ１１Ａにシリコン部
品の如き基板１とは熱膨脹係数の大きく異なる電子部品
２をハンダ３により取付けるのであるが、前記ガラス基
板１上に熱膨脹係数がガラス基板１と電子部品２との間
に位置してガラス基板１の熱膨脹係数に近い物質、即ち
熱膨脹係数７５Ｘ１０−ＣＴｒＬ／℃を有するガラス層
４，４と、前記層４，４の上に積層状態にして熱膨脹係
数が前記と同様に基板１と部品２との間に位置し且つ部
品２の熱膨脹係数に近い物質、即ち熱膨脹係数５０×１
０−７Ｃｍ／℃を有する今一つのガラス層５，５とを印
刷或は蒸着によジ夫々２０μ程度の厚さに形成し、この
ガラス層５，５上に端子１Ａ１１Ａを設けたものである
。
或は印刷によつて形成した端子１Ａ１１Ａにシリコン部
品の如き基板１とは熱膨脹係数の大きく異なる電子部品
２をハンダ３により取付けるのであるが、前記ガラス基
板１上に熱膨脹係数がガラス基板１と電子部品２との間
に位置してガラス基板１の熱膨脹係数に近い物質、即ち
熱膨脹係数７５Ｘ１０−ＣＴｒＬ／℃を有するガラス層
４，４と、前記層４，４の上に積層状態にして熱膨脹係
数が前記と同様に基板１と部品２との間に位置し且つ部
品２の熱膨脹係数に近い物質、即ち熱膨脹係数５０×１
０−７Ｃｍ／℃を有する今一つのガラス層５，５とを印
刷或は蒸着によジ夫々２０μ程度の厚さに形成し、この
ガラス層５，５上に端子１Ａ１１Ａを設けたものである
。
そして、前記端子１Ａ１１Ａに電子部品２をハンダ３に
より取付けたものである。
より取付けたものである。
この実施例の取付方法によれば、基板１とガラス層４、
ガラス層４とガラス層５、ガラス層５と電子部品２の各
々の熱膨脹係数の差を小さくすることが出来、これによ
つて基板１と電子部品２との間を実質的に小さな熱膨脹
係数差でもつて接続することが出来る。
ガラス層４とガラス層５、ガラス層５と電子部品２の各
々の熱膨脹係数の差を小さくすることが出来、これによ
つて基板１と電子部品２との間を実質的に小さな熱膨脹
係数差でもつて接続することが出来る。
したがつて、基板１と電子部品２との熱膨脹係数の差に
よる影響、すなわち熱歪は著しく暖和され、これによジ
ガラス基板１へのクラツクの発生及び電子部品２の破損
を防止することが出来る。さらに、この実施例では、歪
吸収部材を絶縁性及び極薄層にしているので、基板表面
との間に段差がほとんどなく、したがつて該層上にエツ
チング又は印刷によう基板の他の配線パターンとともに
微細な端子パターンを形成することが出来る。
よる影響、すなわち熱歪は著しく暖和され、これによジ
ガラス基板１へのクラツクの発生及び電子部品２の破損
を防止することが出来る。さらに、この実施例では、歪
吸収部材を絶縁性及び極薄層にしているので、基板表面
との間に段差がほとんどなく、したがつて該層上にエツ
チング又は印刷によう基板の他の配線パターンとともに
微細な端子パターンを形成することが出来る。
このため、この端子パターンに電子部品をボンデイング
することが可能となシ、依つてＬＳＩ素子などのように
多数の端子を備えた電子部品を従来通りのボンデイング
手段を用いて熱歪によるクラツクや破損が発生すること
のない様に基板上に取付ることが出来、特に信頼性と量
産性において著しく改善することができる。他方、第３
図は他の実施例を示すものであり１ガラス基板１上の端
子１Ａ１１Ａにシリコン部品の如き基板１とは熱膨脹係
数の大きく異なる電子部品２をハンダ３により取付ける
のであるが、ガラス基板上に熱膨脹係数がガラス基板１
と電子部品２との間にあつて且つ電子部品２の熱膨脹係
数に近いガラス層６、即ちガラス基板１の熱膨脹係数よ
ジ非常に小さな熱膨脹係数を有するガラス層６，６を形
成し、このガラス層６の形成でガラス基板１の表面に圧
縮応力を加えることにようガラス基板１を強化せしめ、
そして、このガラス層６，６上に設けられた端子１Ａ１
１Ａにハンダ３によジ電子部品２を取付けるものである
。
することが可能となシ、依つてＬＳＩ素子などのように
多数の端子を備えた電子部品を従来通りのボンデイング
手段を用いて熱歪によるクラツクや破損が発生すること
のない様に基板上に取付ることが出来、特に信頼性と量
産性において著しく改善することができる。他方、第３
図は他の実施例を示すものであり１ガラス基板１上の端
子１Ａ１１Ａにシリコン部品の如き基板１とは熱膨脹係
数の大きく異なる電子部品２をハンダ３により取付ける
のであるが、ガラス基板上に熱膨脹係数がガラス基板１
と電子部品２との間にあつて且つ電子部品２の熱膨脹係
数に近いガラス層６、即ちガラス基板１の熱膨脹係数よ
ジ非常に小さな熱膨脹係数を有するガラス層６，６を形
成し、このガラス層６の形成でガラス基板１の表面に圧
縮応力を加えることにようガラス基板１を強化せしめ、
そして、このガラス層６，６上に設けられた端子１Ａ１
１Ａにハンダ３によジ電子部品２を取付けるものである
。
この第３図の方法はガラス層６によりガラス基板１を強
化ガラスの原理によつて強化し、またその熱膨脹係数を
ガラス基板１と電子部品２との間に設定することで基板
と部品間の熱膨脹係数の差を小さく押え、これによつて
部品２の破損をも防止することができるなど、先の実施
例同様の効果を奏することが出来る。
化ガラスの原理によつて強化し、またその熱膨脹係数を
ガラス基板１と電子部品２との間に設定することで基板
と部品間の熱膨脹係数の差を小さく押え、これによつて
部品２の破損をも防止することができるなど、先の実施
例同様の効果を奏することが出来る。
以上の様に本発明方法によれば、絶縁性の歪吸収部材に
よる極薄層を基板上に形成し、この極薄層上に端子を形
成して該端子に電子部品を取付るようにしたから、電子
部品、取付基板間の熱膨脹差からこれら部品基板のクラ
ツクや破損を防止することが出来るとともに、上記極薄
層土に印刷等の手法によジ形成した端子パターンに従来
通ｖ電子部品端子をボンデイングすることが出来る。
よる極薄層を基板上に形成し、この極薄層上に端子を形
成して該端子に電子部品を取付るようにしたから、電子
部品、取付基板間の熱膨脹差からこれら部品基板のクラ
ツクや破損を防止することが出来るとともに、上記極薄
層土に印刷等の手法によジ形成した端子パターンに従来
通ｖ電子部品端子をボンデイングすることが出来る。
したがつて、本発明方法によればＬＳＩ素子のように端
子数の多い電子部品の取付に非常に効果的である。
子数の多い電子部品の取付に非常に効果的である。
第１図は従来の電子部品の取付方法を示す説明図、第２
図は本発明の取付方法を示す説明図、第３図は同方法に
よる他の実施例を示す説明図である。 １・・・基板、１Ａ・・・端子、２・・・電子部品、３
・・・ハンダ、４，５，６・・・ガラス層。
図は本発明の取付方法を示す説明図、第３図は同方法に
よる他の実施例を示す説明図である。 １・・・基板、１Ａ・・・端子、２・・・電子部品、３
・・・ハンダ、４，５，６・・・ガラス層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス基板の如き取付基板上に電子部品を取付るも
のにおいて、上記基板上に、熱膨張による歪を吸収し得
る絶縁性の部材にて極薄層を形成し、且この極薄層上に
端子を形成し、この端子に上記電子部品を取付るように
したことを特徴とする電子部品の取付方法。 ２ 上記絶縁性の歪吸収部材による極薄層を、熱膨張係
数が上記取付基板と上記電子部品の熱膨脹係数の間にあ
るガラス層で形成してなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の電子部品の取付方法。 ３ 上記絶縁性の歪吸収部材による極薄層を２層のガラ
ス層で形成し、上記取付基板側ガラス層の熱膨脹係数を
該取付基板のものに近づけ、上記電子部品側ガラス層の
熱膨脹係数を該電子部品のものに近づけて形成してなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子部
品の取付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50075271A JPS5928996B2 (ja) | 1975-06-19 | 1975-06-19 | 電子部品の取付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50075271A JPS5928996B2 (ja) | 1975-06-19 | 1975-06-19 | 電子部品の取付方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51150671A JPS51150671A (en) | 1976-12-24 |
| JPS5928996B2 true JPS5928996B2 (ja) | 1984-07-17 |
Family
ID=13571388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50075271A Expired JPS5928996B2 (ja) | 1975-06-19 | 1975-06-19 | 電子部品の取付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928996B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138897A (en) * | 1979-04-17 | 1980-10-30 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Device for mounting leadless component to printed circuit board |
| JPS59117188A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体モジュール |
| JPH0237735A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体チップの実装構造 |
| WO1997003460A1 (en) * | 1995-07-12 | 1997-01-30 | Hoya Corporation | Bare chip mounted board, method of manufacturing the board, and method of forming electrode of bare chip |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4857652U (ja) * | 1971-11-02 | 1973-07-23 |
-
1975
- 1975-06-19 JP JP50075271A patent/JPS5928996B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51150671A (en) | 1976-12-24 |
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