JPS5929332A - イオンマイクロアナライザ− - Google Patents
イオンマイクロアナライザ−Info
- Publication number
- JPS5929332A JPS5929332A JP57138598A JP13859882A JPS5929332A JP S5929332 A JPS5929332 A JP S5929332A JP 57138598 A JP57138598 A JP 57138598A JP 13859882 A JP13859882 A JP 13859882A JP S5929332 A JPS5929332 A JP S5929332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- slit
- ions
- mass spectrometer
- scanning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高分解能イオンマイクロアナライザーに係り
、特に二次イオンの制限頭載’ｔｃＲＴに表示すること
により分析条件設定の容易なイオンマイクロアナライザ
ーに関する。
、特に二次イオンの制限頭載’ｔｃＲＴに表示すること
により分析条件設定の容易なイオンマイクロアナライザ
ーに関する。
第１図は従来のイオンマイクロアナライザを示す例であ
る。同図において、試料１には１次イオンビーム２が照
射し、試料より放出する二次イオン４Ｉｌ−１：、加速
電圧３により加速される。加速された二次イオン４は、
レンズ５によりスリット６上に収束される。このスリッ
トと質量分析部８の間には、制限スリット７があり、質
量分析部８へ入射する二次イオンの開き角α、β？規制
する。また試料上での１次イオンの照射径ｄ、Ｈ、レン
ズ５の条件設定により、制限スリット７上ではＤｌに対
応し、スリット径”Ｄｘの範囲内のみ通過させる。
る。同図において、試料１には１次イオンビーム２が照
射し、試料より放出する二次イオン４Ｉｌ−１：、加速
電圧３により加速される。加速された二次イオン４は、
レンズ５によりスリット６上に収束される。このスリッ
トと質量分析部８の間には、制限スリット７があり、質
量分析部８へ入射する二次イオンの開き角α、β？規制
する。また試料上での１次イオンの照射径ｄ、Ｈ、レン
ズ５の条件設定により、制限スリット７上ではＤｌに対
応し、スリット径”Ｄｘの範囲内のみ通過させる。
しかしながら、このスリットの軸舒せが容易でない欠点
？有する。
？有する。
本発明の目的は、二次イオンの開き角および分析領域？
規制する制限スリン）ｋ複数個有し、分析目的に応じ切
替選択するイオンマイクロアナライザにおいて、その機
械的−の調整を容易にし、各種モードの選択全容易にし
たイオンマイクロアナライザケ提供することにある。
規制する制限スリン）ｋ複数個有し、分析目的に応じ切
替選択するイオンマイクロアナライザにおいて、その機
械的−の調整を容易にし、各種モードの選択全容易にし
たイオンマイクロアナライザケ提供することにある。
このような目的全達成するために、本発明は、−次イオ
ンビームを適当に絞り、試料面上？走査するようにする
。この時、制限スリットで規制される二次イオン？検出
増巾し、ＣＲＴの輝度変調をさせる。このＣＲ，ＴのＸ
Ｙ定走査１次イオンビームのＸＹ定走査同期させると、
ＣＲ，Ｔには制限二次イオン像が得られる。スリツート
部は、二次イオンが通過し検出されないので、像は得ら
れず、黒抜きとなる。この黒抜きがＣＩ（Ｔの中心にな
れば軸があっていることになるということに基づいてな
されたものである。第２図は、本考案の一実施例？示す
ものである。−次イオンビーム２は、偏向電源１２に接
続した偏向電極１１により偏向され、試料１上？ｔの範
囲走査する。試料１には、二次イオン加速電源３が接続
されており、放出した二次イオン４全加速させる。二次
イオン４はレンズ５により入射スリット６部に収束され
、質量分析部８へ入射する。質量分析部８は、二次イオ
ン４を質量数に応じて分離し、コレクタースリット９を
通過した特定質量数二次イオン？検出器１０で検出する
。入射スリット６と質量分析部の間には、制限スリット
７を備える。この場合、制限スリット７は２つの機能を
有している。一つは、質量分析計へ入射する二次イオン
の開き角？制限する機能である。質量分析計の分解能Ｉ
ｔ、はＲ＝□−□ ・・・・・・・・・（１
）Ｗｃ ＋ ＭＷｓ ＋ Ａ で表される。ここでＷｃ 、Ｗｓはそれぞれコレクタ、
入射各スリットの幅、ｒは磁場半径、Ｍけｆ象倍率を表
す。Ａけ質量分析計の収差を表し、（２）式％式％ （ （２） （２）式より横方向および縦方向の開き角α、βが、収
差に影響する。つまり高分解能時には制限スリットを小
さくし、α、βを小さくする必要がある。
ンビームを適当に絞り、試料面上？走査するようにする
。この時、制限スリットで規制される二次イオン？検出
増巾し、ＣＲＴの輝度変調をさせる。このＣＲ，ＴのＸ
Ｙ定走査１次イオンビームのＸＹ定走査同期させると、
ＣＲ，Ｔには制限二次イオン像が得られる。スリツート
部は、二次イオンが通過し検出されないので、像は得ら
れず、黒抜きとなる。この黒抜きがＣＩ（Ｔの中心にな
れば軸があっていることになるということに基づいてな
されたものである。第２図は、本考案の一実施例？示す
ものである。−次イオンビーム２は、偏向電源１２に接
続した偏向電極１１により偏向され、試料１上？ｔの範
囲走査する。試料１には、二次イオン加速電源３が接続
されており、放出した二次イオン４全加速させる。二次
イオン４はレンズ５により入射スリット６部に収束され
、質量分析部８へ入射する。質量分析部８は、二次イオ
ン４を質量数に応じて分離し、コレクタースリット９を
通過した特定質量数二次イオン？検出器１０で検出する
。入射スリット６と質量分析部の間には、制限スリット
７を備える。この場合、制限スリット７は２つの機能を
有している。一つは、質量分析計へ入射する二次イオン
の開き角？制限する機能である。質量分析計の分解能Ｉ
ｔ、はＲ＝□−□ ・・・・・・・・・（１
）Ｗｃ ＋ ＭＷｓ ＋ Ａ で表される。ここでＷｃ 、Ｗｓはそれぞれコレクタ、
入射各スリットの幅、ｒは磁場半径、Ｍけｆ象倍率を表
す。Ａけ質量分析計の収差を表し、（２）式％式％ （ （２） （２）式より横方向および縦方向の開き角α、βが、収
差に影響する。つまり高分解能時には制限スリットを小
さくし、α、βを小さくする必要がある。
制限スリットの第２の機能は、レンズ５０倍率とスリッ
ト径の組合せにより質量分析する試料表面の領域を制限
できることである。このため制限スリット７は、スリッ
ト径？複数段切替えることができる。この場合、スリッ
トの芯と二次イオン質量分析光学系の芯７合せる必要が
ある。このため、本実施例ではス、リット７全コレクタ
ーとし、流入したイオン電流？増巾器１５で増巾し、Ｃ
Ｒ’ｌ”１４の輝度変調信号とする。一方、−次イオン
偏向電源１２の出力は、ＣＲＴ偏向′亀源１３へ入力し
Ｃ几１゛上へ得られるイオン１象Ｖｉ、第３図Ａに示す
如くスリット部はイオンが通過するため暗くなり、制限
した部分は輝度が高くなる。この制限スリッドの影像７
＞）ＣＩ（、Ｔの中心になる様にスリットの軸合せをす
ることによって（第３図Ｂ）複数段のスリット切替えが
容易となり操作性が極めて向上する。
ト径の組合せにより質量分析する試料表面の領域を制限
できることである。このため制限スリット７は、スリッ
ト径？複数段切替えることができる。この場合、スリッ
トの芯と二次イオン質量分析光学系の芯７合せる必要が
ある。このため、本実施例ではス、リット７全コレクタ
ーとし、流入したイオン電流？増巾器１５で増巾し、Ｃ
Ｒ’ｌ”１４の輝度変調信号とする。一方、−次イオン
偏向電源１２の出力は、ＣＲＴ偏向′亀源１３へ入力し
Ｃ几１゛上へ得られるイオン１象Ｖｉ、第３図Ａに示す
如くスリット部はイオンが通過するため暗くなり、制限
した部分は輝度が高くなる。この制限スリッドの影像７
＞）ＣＩ（、Ｔの中心になる様にスリットの軸合せをす
ることによって（第３図Ｂ）複数段のスリット切替えが
容易となり操作性が極めて向上する。
以上述べた実施例においては、質量分析計の入射スリッ
トと質量分析部の制限スリットについて述べた。しかし
電場と磁場？有する二重収束質量分析計におけるエネル
ギースリットへ適用することも出来る。またコレクター
スリットへ適用し位置合せ？容易にすることもできる。
トと質量分析部の制限スリットについて述べた。しかし
電場と磁場？有する二重収束質量分析計におけるエネル
ギースリットへ適用することも出来る。またコレクター
スリットへ適用し位置合せ？容易にすることもできる。
第１図は従来のイオンマイクロアナライザーの一例ケ示
す構成Ｍ、第２図は本発明によるイオンマイクロアナラ
イザーの一実施例？示す構成図、第３図は本発明による
実施例における像表示を示す説明図である。 ｄｏ・・・−次イオンビーム径、ｄｌ・・・−次イオン
照射領域、ｄ２・・・質層分析領域、Ｄｌ・・・制限ス
リット上における１次イオン照射領域、Ｄ２・・・制限
スリット幅（ｄ２に対応する。）、１２・・・−次イオ
ン偏向電源、１３・・・ＣＲＴ偏同電源、１４・・・Ｃ
Ｒ，Ｔ、１５・・・増幅器。
す構成Ｍ、第２図は本発明によるイオンマイクロアナラ
イザーの一実施例？示す構成図、第３図は本発明による
実施例における像表示を示す説明図である。 ｄｏ・・・−次イオンビーム径、ｄｌ・・・−次イオン
照射領域、ｄ２・・・質層分析領域、Ｄｌ・・・制限ス
リット上における１次イオン照射領域、Ｄ２・・・制限
スリット幅（ｄ２に対応する。）、１２・・・−次イオ
ン偏向電源、１３・・・ＣＲＴ偏同電源、１４・・・Ｃ
Ｒ，Ｔ、１５・・・増幅器。
Claims (1)
- ■、細束化した一次イオンビーム奮試料に照射し、試料
より放出する二次イオン全質量分析するイオンマイクロ
アナライザーにおいて、−次イオンを偏向走査する手段
と、二次イオン？引出し質量分析計へ導入する引出系と
、質量分析計の入射スリットと、二次イオンの開き角ま
たは、分析領域全規制するスリット機構よりなり、−次
イオンの走査と同期して、該スリット機構へ入射する二
次イオン電流音検出し、前記−次イオン走査の信号と同
期してラスタースキャンするＣＲＴ表示装置の輝度変調
信号として入力したことを特長とするイオンマイクロア
ナライザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57138598A JPS5929332A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | イオンマイクロアナライザ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57138598A JPS5929332A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | イオンマイクロアナライザ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5929332A true JPS5929332A (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=15225829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57138598A Pending JPS5929332A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | イオンマイクロアナライザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03138850A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-13 | Hitachi Ltd | ２次イオン質量分析装置 |
-
1982
- 1982-08-11 JP JP57138598A patent/JPS5929332A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03138850A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-13 | Hitachi Ltd | ２次イオン質量分析装置 |
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