JPS593016A - ダイヤモンドの製造法 - Google Patents

ダイヤモンドの製造法

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Publication number
JPS593016A
JPS593016A JP57111789A JP11178982A JPS593016A JP S593016 A JPS593016 A JP S593016A JP 57111789 A JP57111789 A JP 57111789A JP 11178982 A JP11178982 A JP 11178982A JP S593016 A JPS593016 A JP S593016A
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JP
Japan
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diamond
carbon
hydrogen
liq
large quantities
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Pending
Application number
JP57111789A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Nishida
茂雄 西田
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  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はダイヤモンドの製造方法に関する。
更に詳細にはダイヤそンド準安定領域におけるダイヤモ
ンドの製造方法に関する。ダイヤモンド準安定領域とは
、周知の炭素相図上の黒鉛対ダイヤモンド平衡線の下方
にあるとして一般に述べられている領域のことである。
従来より大気圧以下のダイヤモンドが熱力学的に準安定
橙状態にあるとされる条件下でダイヤモンドを製造する
方法が知られている。たとえば特公昭４８−第３２５１
９号公報によると温度９００〜１１００℃、圧力０．１
へ５．０ｍ＋Ｈｇで炭素含有ガス中におけるダイヤモン
ド種結晶を増成できるとしている。しかしながら従来の
方法は種結晶ダイヤモンドの炭素原子の配向活性に基づ
いているため種結晶が必要であシ、ダイヤモンドの生成
速度も遅い。
本発明の目的はダイヤモンドを容易で多量に製造できる
方法を提供することである。この目的を達成するために
本発明の方法を詳細に説明する。
本発明の方法は液体水素中に遊離の原子状炭素を投入さ
せる。原子状炭素は凝集し、液体水素の触媒としての働
きによシダイヤモンドが生成する。遊離の原子状炭素と
は、個々バラバラの炭素原子型たけ炭素イオンのことで
ある。炭素原子が液体水素温度Ｋまで急激に冷却される
ため生成するダイヤそンドは非晶質なものが多く、生成
速度も著しく速い。遊離の原子状炭素を発生させ液体水
素中に投入させるには種々の既知の方法が利用できる。
たとえば液面近くの空間に設置した黒鉛をレーザー、赤
外線のような電磁波を用いて加熱、蒸発させても良い。
炭素電極の放電により発生させても良い。液面近くの空
間にて、炭素原子を遊離させる化学反応をおこなわせて
も良い。たとえば次の反応等が利用できる。
００Ｒ＋　２Ｍｆ→０　＋　２ＭｆＯ 炭素化合物を熱分解させても良い。たとえば次の反応等
が利用できる。
ＯＨ→Ｏ＋　２Ｈ。
遊離の炭素原子を液体水素に到達させるため、また到達
する壕えに炭素原子間子が結合することを防ぐため、ヘ
リウム、゛アルゴンカどの不活性ガスまたは水素分子ガ
スをキャリアーガスおよび稀釈剤として使用し、ても良
い。本発明は液体水素に遊離炭素原子を投入させるだけ
でダイヤモンドが生成するため、ダイヤモンド安定領域
で合成する高圧法のような特別に高い圧力を必要としな
い。またダイヤモンド準安定領域で合成する、従来知ら
れている低圧法のように反応器を大気圧以下に減圧する
必要もない。本発明で圧力の制限はとくにないが通常装
置の簡易性から大気圧で実施するのが良い。また本発明
では種結晶ダイヤモンドも必要とし力い。液体水素中に
遊離の炭素原子を供給すれば良いので多量のダイヤモン
ドを容易に合成できる。以上の記載から明らかなように
本発明は容易に多量のダイヤモンドを製造できる方法を
提供するもので産業上きわめて有用である。
特許出願人　西　　１）　茂　雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 液体水素に遊離の原子状炭素を投入することによりダイ
    ヤモンドを生成させることを特徴とするダイヤそンドの
    製造法。
JP57111789A 1982-06-30 1982-06-30 ダイヤモンドの製造法 Pending JPS593016A (ja)

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JP57111789A JPS593016A (ja) 1982-06-30 1982-06-30 ダイヤモンドの製造法

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JP57111789A JPS593016A (ja) 1982-06-30 1982-06-30 ダイヤモンドの製造法

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JPS593016A true JPS593016A (ja) 1984-01-09

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ID=14570192

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0365594A (ja) * 1989-08-02 1991-03-20 Yoshitoshi Nanba ダイヤモンド薄膜の製造方法
US5154945A (en) * 1990-03-05 1992-10-13 Iowa Laser Technology, Inc. Methods using lasers to produce deposition of diamond thin films on substrates
WO2004025002A1 (fr) * 2002-09-12 2004-03-25 Skvortsov Vladimir Anatolievic Procede de synthese de diamants au moyen de champs magnetiques mono
WO2015197047A1 (de) 2014-06-26 2015-12-30 Friedrich-Schiller-Universität Jena Atomare kohlenstoffquelle

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WO2004025002A1 (fr) * 2002-09-12 2004-03-25 Skvortsov Vladimir Anatolievic Procede de synthese de diamants au moyen de champs magnetiques mono
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