JPS5931583A - 極低温用コネクタ - Google Patents
極低温用コネクタInfo
- Publication number
- JPS5931583A JPS5931583A JP13995082A JP13995082A JPS5931583A JP S5931583 A JPS5931583 A JP S5931583A JP 13995082 A JP13995082 A JP 13995082A JP 13995082 A JP13995082 A JP 13995082A JP S5931583 A JPS5931583 A JP S5931583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holder
- bottle
- pin
- connector
- cryogenic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000252233 Cyprinus carpio Species 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明は、極低温で使用する電子装置、例えばジョセフ
ソン素子で構成されるＬＳＩパッケージ等を接続する極
低温用コネクタに関する。
ソン素子で構成されるＬＳＩパッケージ等を接続する極
低温用コネクタに関する。
従来技術
従来、この種コネクタは、第１図に示すように構成され
る。すなわち、ビン１と該ビン１と歌合するホルダー２
とから構成され、ホルダー２にはビン１を嵌合１−る穴
３が穿設され、また、ホルダー２の周壁の一部には、ビ
ン１をホルダー２に鉦合したときビンｌを押圧ト１．１
定するバネｆＸｌ！ ４が形ＪＪＩ〆された構う告であ
る１、第２図はビン１およびオルクー２の断面図であり
、氾３図はωζ合ｖコ態にネ・ける断面図である。すな
わち、ビン１はパイ・部４を押し除＆１てポルクー２に
嵌合され、バネ部４の付勢力によってポルクー２に接続
固定さｉＬることによりビン］とホルダー２が電気的に
接続される。上述の従沫のコネクタは、極低温装置に用
いると、動作のだめの極低温と、保守、修理等のための
常ン晶…１の温度ザイクルのためバネ部４の付勢力が劣
化し装置の仏頼度が１１．ｊ、 Ｔ−するという欠点が
ある。
る。すなわち、ビン１と該ビン１と歌合するホルダー２
とから構成され、ホルダー２にはビン１を嵌合１−る穴
３が穿設され、また、ホルダー２の周壁の一部には、ビ
ン１をホルダー２に鉦合したときビンｌを押圧ト１．１
定するバネｆＸｌ！ ４が形ＪＪＩ〆された構う告であ
る１、第２図はビン１およびオルクー２の断面図であり
、氾３図はωζ合ｖコ態にネ・ける断面図である。すな
わち、ビン１はパイ・部４を押し除＆１てポルクー２に
嵌合され、バネ部４の付勢力によってポルクー２に接続
固定さｉＬることによりビン］とホルダー２が電気的に
接続される。上述の従沫のコネクタは、極低温装置に用
いると、動作のだめの極低温と、保守、修理等のための
常ン晶…１の温度ザイクルのためバネ部４の付勢力が劣
化し装置の仏頼度が１１．ｊ、 Ｔ−するという欠点が
ある。
発明の目（杓
本発明の目的は、上述の従来の欠点を解決し、常温と極
低温間のτ黒度変化がくり返えさオシても接続状ｙ１が
劣化しない極低温用コネクタを提供することにある１、 発明の構成 本発明のコネクタは、常温において相互に低合司能なビ
ンおよびホルダーから成り、前記ホルタ−は前記ビンよ
り大きい熱膨張係数の導電材オ（で形成されたことを特
徴とする。
低温間のτ黒度変化がくり返えさオシても接続状ｙ１が
劣化しない極低温用コネクタを提供することにある１、 発明の構成 本発明のコネクタは、常温において相互に低合司能なビ
ンおよびホルダーから成り、前記ホルタ−は前記ビンよ
り大きい熱膨張係数の導電材オ（で形成されたことを特
徴とする。
発明の実施例
第４図は、本発明の一実施例を示す斜視図であり、旭５
図は常温における断面図、ｄ’ｙ ６図は極低溜、にお
ける断面図である。本実施例では、ピン１１は細い円柱
状の導電相１であり、その熱膨張係数は負捷たは小さい
正の個を有する。例えばＦｅ−ｐｔ金合金使用する。ホ
ルダー１２には常τｇにおいてピン１１を囚ノるく嵌合
する穴１３が穿設されていて、その熱膨張係数はピン１
１の熱膨張係数より大きい。例えばＣｕ−Ｚｎ合金で作
成する。當１：＋でピン１１をホルダー１２に嵌合した
状態は、第５図の断面図から理解さノ１．るようにわず
かな隙間があり、常温での挿抜は自在である。ピンｊ１
とホルダー１２をＩｔｆ合した状態で液体ヘリウム勢−
へ浸漬し、極低温にすると、ホルダー１２が収縮するこ
とにより前記隙間がなくなり、第６図の−ＨｎＩ図に示
すようにピン１１とボルダ−１２が固く接続随ｊボづれ
る。この接続力はバネの付勢力によるものではないから
、極低温と常温とがくり返されても劣化しないという効
果がある。勿ｉ１＋ｌ； Ｑｔ ｊ氏渦においてはピン
１１とポルクー１２とは電＜Ａ的に接輸、官ね、ている
。
図は常温における断面図、ｄ’ｙ ６図は極低溜、にお
ける断面図である。本実施例では、ピン１１は細い円柱
状の導電相１であり、その熱膨張係数は負捷たは小さい
正の個を有する。例えばＦｅ−ｐｔ金合金使用する。ホ
ルダー１２には常τｇにおいてピン１１を囚ノるく嵌合
する穴１３が穿設されていて、その熱膨張係数はピン１
１の熱膨張係数より大きい。例えばＣｕ−Ｚｎ合金で作
成する。當１：＋でピン１１をホルダー１２に嵌合した
状態は、第５図の断面図から理解さノ１．るようにわず
かな隙間があり、常温での挿抜は自在である。ピンｊ１
とホルダー１２をＩｔｆ合した状態で液体ヘリウム勢−
へ浸漬し、極低温にすると、ホルダー１２が収縮するこ
とにより前記隙間がなくなり、第６図の−ＨｎＩ図に示
すようにピン１１とボルダ−１２が固く接続随ｊボづれ
る。この接続力はバネの付勢力によるものではないから
、極低温と常温とがくり返されても劣化しないという効
果がある。勿ｉ１＋ｌ； Ｑｔ ｊ氏渦においてはピン
１１とポルクー１２とは電＜Ａ的に接輸、官ね、ている
。
発明の効ｌｌ！４シ
以上のように、本庁’！Ｊｆ Ｖ（−おいては、ピンと
該ピンを嵌合するボルダ−とでコネクタを構Ｊ戎し、上
記ポルターを前記ピンよりも熱膨張係数の大きい導′１
１１利享１でハネ成したから、彬ｊＬｌ ｉ＝において
は熱膨張係数の差によって、ホルタ−とピンとが固く接
続さえする。１なわち、當渦における挿抜が自在で、極
低Ｉ昌におＶ）るイ］″１′メ実な接続、をｈ」能とす
る効］１４がある。木コネクタ・ｚ） ＃；＋ｉ ３全
１Ｃ１極めて簡単で２．シ、しかもＦＡＡ、 ＯＳサイ
クルによる劣化を生じないという大なる効果を有する。
該ピンを嵌合するボルダ−とでコネクタを構Ｊ戎し、上
記ポルターを前記ピンよりも熱膨張係数の大きい導′１
１１利享１でハネ成したから、彬ｊＬｌ ｉ＝において
は熱膨張係数の差によって、ホルタ−とピンとが固く接
続さえする。１なわち、當渦における挿抜が自在で、極
低Ｉ昌におＶ）るイ］″１′メ実な接続、をｈ」能とす
る効］１４がある。木コネクタ・ｚ） ＃；＋ｉ ３全
１Ｃ１極めて簡単で２．シ、しかもＦＡＡ、 ＯＳサイ
クルによる劣化を生じないという大なる効果を有する。
第】１ン１け↑＋１−来のコイ・フタの一例を示す５ｆ
ｉ＋視図、第２図けそのｌｊ’ｌ（（用図、２１１３図
はその嵌合状態を示す断１…図、第４図は本発明の一実
施例を示す斜視図、第５図は上記′ｌ！施例の當渦にお
ける状態を示すｔｌｔｌｉ而図、第面図は上記実施例の
極低ｒ／ｉ’、 ｒごおける状態を示すｌ）白（ｒ１図
である。 図において、１．１１川ビン、２．１２・・・ボルダ−
１３，１３・・ピンを嵌合する穴、４・・・バネ部。 代工ψ人 弁Ｆ１１士 住 ＥＢ 浚 宗第２
図 ４ ３′ 第３図 第４図
ｉ＋視図、第２図けそのｌｊ’ｌ（（用図、２１１３図
はその嵌合状態を示す断１…図、第４図は本発明の一実
施例を示す斜視図、第５図は上記′ｌ！施例の當渦にお
ける状態を示すｔｌｔｌｉ而図、第面図は上記実施例の
極低ｒ／ｉ’、 ｒごおける状態を示すｌ）白（ｒ１図
である。 図において、１．１１川ビン、２．１２・・・ボルダ−
１３，１３・・ピンを嵌合する穴、４・・・バネ部。 代工ψ人 弁Ｆ１１士 住 ＥＢ 浚 宗第２
図 ４ ３′ 第３図 第４図
Claims (1)
- 常温において相互に恢合可能なビンおよびホルタ−から
なり、前記ホルタ−は前記ビンよシ大きい熱膨張係数の
導電月相で形成されたことを特徴とする極低温用コネク
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13995082A JPS5931583A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 極低温用コネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13995082A JPS5931583A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 極低温用コネクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5931583A true JPS5931583A (ja) | 1984-02-20 |
Family
ID=15257447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13995082A Pending JPS5931583A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 極低温用コネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931583A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238384A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Yazaki Corp | 電線に対する端子の圧着方法 |
| JP2010086797A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 端子金具及び端子金具付き電線 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5337791A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Preparation of block copolymer |
| JPS5873973A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-04 | 日本電信電話株式会社 | 低温用コネクタ |
| JPS5873974A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-04 | 日本電信電話株式会社 | 低温用コネクタ |
-
1982
- 1982-08-13 JP JP13995082A patent/JPS5931583A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5337791A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Preparation of block copolymer |
| JPS5873973A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-04 | 日本電信電話株式会社 | 低温用コネクタ |
| JPS5873974A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-04 | 日本電信電話株式会社 | 低温用コネクタ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238384A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Yazaki Corp | 電線に対する端子の圧着方法 |
| JP2010086797A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 端子金具及び端子金具付き電線 |
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