JPS5873973A - 低温用コネクタ - Google Patents
低温用コネクタInfo
- Publication number
- JPS5873973A JPS5873973A JP17103381A JP17103381A JPS5873973A JP S5873973 A JPS5873973 A JP S5873973A JP 17103381 A JP17103381 A JP 17103381A JP 17103381 A JP17103381 A JP 17103381A JP S5873973 A JPS5873973 A JP S5873973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- male
- female
- low
- connector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液体窒素、液体ヘリウム温度等の低温で使用
される低温デバイス実装用コネクタに関するものである
。
される低温デバイス実装用コネクタに関するものである
。
エレクトロニクス部品としてのコネクタは、従来通常で
は常温付近で使用されていた。近時コンピュータの超高
速化、大容量化に伴ない、シリコンデバイスに代り、ガ
リウムヒ素化合物半導体や新しい原理に基づくジョセフ
ソン素子の実用化研究が盛んになっている。これらの新
素子は何れも液体窒素あるいは液体ヘリウム中で使用さ
れるものであり、これが高密度実装されることにより初
めてコンピュータの超高速化が可能となる。そこで低温
で高密度実装に適したコネクタの開発が望まれていた。
は常温付近で使用されていた。近時コンピュータの超高
速化、大容量化に伴ない、シリコンデバイスに代り、ガ
リウムヒ素化合物半導体や新しい原理に基づくジョセフ
ソン素子の実用化研究が盛んになっている。これらの新
素子は何れも液体窒素あるいは液体ヘリウム中で使用さ
れるものであり、これが高密度実装されることにより初
めてコンピュータの超高速化が可能となる。そこで低温
で高密度実装に適したコネクタの開発が望まれていた。
従来のコネクタは、接触子にばね材料を用いて成形し、
嵌合時にそのばね力により接触力を与える構造がとられ
ていた。このようにばね力による接触力を利用するため
、その寸法を小さくすることが困難で小型化に限界があ
り、コネクタ端子密度を１本１−以上に高めることは構
造上著しく困難であり、デバイスの高密度実装上問題と
なっていた。またコネクタ端子数を５０本以上にすると
、通常のコネクタでは挿抜力が大きくなり、その脱着は
一般には不可能になる欠点があった。この点を解決のた
め、雌コネクタの対向する対の両雌接触子間の間隔を広
狭に変える機構を備え、雄コネクタの挿入時にはその間
隔を広めておき挿抜力を要しないようにし、挿入後にそ
の間隔を狭めて接触させるようにしたＺＩＦと呼ばれる
無挿抜力コネクタが開発されたが、構造が複雑になるた
めコネクタの小形化には不適であった。
嵌合時にそのばね力により接触力を与える構造がとられ
ていた。このようにばね力による接触力を利用するため
、その寸法を小さくすることが困難で小型化に限界があ
り、コネクタ端子密度を１本１−以上に高めることは構
造上著しく困難であり、デバイスの高密度実装上問題と
なっていた。またコネクタ端子数を５０本以上にすると
、通常のコネクタでは挿抜力が大きくなり、その脱着は
一般には不可能になる欠点があった。この点を解決のた
め、雌コネクタの対向する対の両雌接触子間の間隔を広
狭に変える機構を備え、雄コネクタの挿入時にはその間
隔を広めておき挿抜力を要しないようにし、挿入後にそ
の間隔を狭めて接触させるようにしたＺＩＦと呼ばれる
無挿抜力コネクタが開発されたが、構造が複雑になるた
めコネクタの小形化には不適であった。
本発明は上記の点にかんがみ、従来のような機構を要し
なく無挿抜力で、小形化して高密度実装し得る低温用コ
ネクタを提供するものであって、以下図面について詳細
に説明する。
なく無挿抜力で、小形化して高密度実装し得る低温用コ
ネクタを提供するものであって、以下図面について詳細
に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示し、１は雄コネクタの雄
接触子であって、Ｆｅ−５６重量％Ｎ１合金の例えば厚
さ０ 、１５１１１１ 、幅０．４ｍ、長さ５ｍの低温
における低収縮材２と、Ｃｕ −！ｉ３％Ｚｎ合金の例
えば厚さ０．１５■、幅ｏ、’＄１１１１、長さ５−の
低温における高収縮材３とを張り合わせたものの上に厚
さ０．２μ、のＡｕめつきを施したものである。４はＡ
ＢＳ樹脂からなる雄接触子支持部材であって、列設した
雄接触子１の一端を埋込み支持している。
接触子であって、Ｆｅ−５６重量％Ｎ１合金の例えば厚
さ０ 、１５１１１１ 、幅０．４ｍ、長さ５ｍの低温
における低収縮材２と、Ｃｕ −！ｉ３％Ｚｎ合金の例
えば厚さ０．１５■、幅ｏ、’＄１１１１、長さ５−の
低温における高収縮材３とを張り合わせたものの上に厚
さ０．２μ、のＡｕめつきを施したものである。４はＡ
ＢＳ樹脂からなる雄接触子支持部材であって、列設した
雄接触子１の一端を埋込み支持している。
５はＡＢＳｗ脂よｐなる雌コネクタのハウジングであっ
て、本体部６と、この本体部６の一端側に固着され、そ
の間に対向する６対の列設した雌接触子８の一端を固定
する押え板７とよりなっている。
て、本体部６と、この本体部６の一端側に固着され、そ
の間に対向する６対の列設した雌接触子８の一端を固定
する押え板７とよりなっている。
雌接触子８は例えば厚さ０．２μｍ＋、幅０．６簡のＣ
ｕ板上にＡｕめつきを施されたものよりなる。
ｕ板上にＡｕめつきを施されたものよりなる。
雌コネクタと雄コネクタとが嵌合した状態において、常
温では第１図（ｂ）に示すように雄接触子１と雌接触子
８との間に間隙があシ接触力が生じないようになされ、
低温時には雄接触子１が第１図（Ｃ）に示すように彎曲
して雌接触子８との間に接触８ 力が発生するよう対向する両雌接触子令、４間の間隔が
選ばれている。従って雌雄両コネクタを常温において脱
着すれば挿抜力を殆んど要しない。
温では第１図（ｂ）に示すように雄接触子１と雌接触子
８との間に間隙があシ接触力が生じないようになされ、
低温時には雄接触子１が第１図（Ｃ）に示すように彎曲
して雌接触子８との間に接触８ 力が発生するよう対向する両雌接触子令、４間の間隔が
選ばれている。従って雌雄両コネクタを常温において脱
着すれば挿抜力を殆んど要しない。
雄接触子１と雌接触予電の寸法を前記例示のよ ８
うなものとし、対向する対の両雌接触子番、会間の間隔
ｔ−０，５■とじた場合、液体窒素中に浸漬すると、雄
接触子１の先端部でのたわみ量は約０．４■となるので
、雌雄両コネクタ嵌金時の雌雄固接触子各、１の接触力
は１００ｆ以上になり、接触抵抗は０．１ｍｌ以下の極
めて低く安定した接触特性が得られた。雌雄接触子１．
８の幅寸法も更に小さくしても上記のような動作をして
充分な接触力を得ることができ、端子間隔を１ｍ以下に
でき、無挿抜力のため端子数も従来より遥かに多くでき
る。
ｔ−０，５■とじた場合、液体窒素中に浸漬すると、雄
接触子１の先端部でのたわみ量は約０．４■となるので
、雌雄両コネクタ嵌金時の雌雄固接触子各、１の接触力
は１００ｆ以上になり、接触抵抗は０．１ｍｌ以下の極
めて低く安定した接触特性が得られた。雌雄接触子１．
８の幅寸法も更に小さくしても上記のような動作をして
充分な接触力を得ることができ、端子間隔を１ｍ以下に
でき、無挿抜力のため端子数も従来より遥かに多くでき
る。
第２図は他の実施例を示し、１１は雌接触子であって、
Ｆｅ−５６％Ｎｉ合金の例えば厚さ０．１瓢、幅０．８
ｍの低収縮材１２と、Ｃｕ −５５％Ｚｎ合金の例え
ば厚さ０．１１１１１％幅０．８ｍの高収縮材１３を張
シ合わせたものよりなり、低収縮材１２０表面側すなわ
ち雄接触子との接触側のみ例えば２μｍ厚のＡｕめつき
を施しである。１４はＡＢＳ樹脂からなる雌コネクタの
ハウジングであって、本体部１５と、この本体部１５の
一端に固着されて雌接触子１１の一端の直角折曲部を固
定する押え板１６とよりなっている。１７は９ん青銅の
例えば厚さ０．２瓢幅０．５．、長さ４■からなる雄接
触子であって、その表面にはＡｕめつきを２ ｐｍの厚
さに施しである。１８は列設した雄接触子１７の各一端
部を埋め込んだＡＢＳ樹脂よりなる雄コネクタの雄接触
子支持部材である。
Ｆｅ−５６％Ｎｉ合金の例えば厚さ０．１瓢、幅０．８
ｍの低収縮材１２と、Ｃｕ −５５％Ｚｎ合金の例え
ば厚さ０．１１１１１％幅０．８ｍの高収縮材１３を張
シ合わせたものよりなり、低収縮材１２０表面側すなわ
ち雄接触子との接触側のみ例えば２μｍ厚のＡｕめつき
を施しである。１４はＡＢＳ樹脂からなる雌コネクタの
ハウジングであって、本体部１５と、この本体部１５の
一端に固着されて雌接触子１１の一端の直角折曲部を固
定する押え板１６とよりなっている。１７は９ん青銅の
例えば厚さ０．２瓢幅０．５．、長さ４■からなる雄接
触子であって、その表面にはＡｕめつきを２ ｐｍの厚
さに施しである。１８は列設した雄接触子１７の各一端
部を埋め込んだＡＢＳ樹脂よりなる雄コネクタの雄接触
子支持部材である。
雄コネクタと雌コネクタとが嵌合した状態において、対
向する対の両雄接触子１１．１１間の距離は常温では第
２図（ｂ）に示すように対向する対の両雄接触子１１と
雄接触子１７との間に間隙があり接触力の発生はないよ
うにされ、低温例えば液体窒素に浸漬したときの温度下
で竺第２図（Ｃ）に示すように呻接触子１１の高収縮材
１２と低収縮材板１３との収縮差による変形により雄接
触子１７と？１接触子１１との間に接触力が発生するよ
うに選ばれる。
向する対の両雄接触子１１．１１間の距離は常温では第
２図（ｂ）に示すように対向する対の両雄接触子１１と
雄接触子１７との間に間隙があり接触力の発生はないよ
うにされ、低温例えば液体窒素に浸漬したときの温度下
で竺第２図（Ｃ）に示すように呻接触子１１の高収縮材
１２と低収縮材板１３との収縮差による変形により雄接
触子１７と？１接触子１１との間に接触力が発生するよ
うに選ばれる。
雄接触子１７と雌接触子１１の寸法を前記例のようにし
、対向する両雄接触子１１ 、１１間の距離を０．５−
とした場合、液体窒素Ｔで使用したとき、雌雄接触子の
接触力は１５０ｆ以上になｐ１接触抵抗０．１ｍｌ以下
の極めて低く安定した接触特性が得られた。雄接触子１
７と雌接触子の幅は前記の例より更に小さくできるので
端子間隔を１ｍ以下にでき小形にできる。
、対向する両雄接触子１１ 、１１間の距離を０．５−
とした場合、液体窒素Ｔで使用したとき、雌雄接触子の
接触力は１５０ｆ以上になｐ１接触抵抗０．１ｍｌ以下
の極めて低く安定した接触特性が得られた。雄接触子１
７と雌接触子の幅は前記の例より更に小さくできるので
端子間隔を１ｍ以下にでき小形にできる。
本発明は以上のように、雄接触子と雌接触子のうちの一
方を低温における高収縮材と低収縮材との張９合わせに
より形成し、常温においては両液触子間に接触力は生ぜ
ず、低温において変形することにより雌雄両接触子間に
接触力が発生するようにしたものであるから、接触子の
幅を小さくしても充分その機能を発揮させることができ
、また無挿抜力にするための他の機構を要せず、従って
小形にして高密度端子のものとすることができ、しかも
また従来のばね材料の接触子のようなばね性の劣化によ
る接触性能の劣化がなく、長期にわたり接触性能が劣化
せず信頼性の優れたものとなる。
方を低温における高収縮材と低収縮材との張９合わせに
より形成し、常温においては両液触子間に接触力は生ぜ
ず、低温において変形することにより雌雄両接触子間に
接触力が発生するようにしたものであるから、接触子の
幅を小さくしても充分その機能を発揮させることができ
、また無挿抜力にするための他の機構を要せず、従って
小形にして高密度端子のものとすることができ、しかも
また従来のばね材料の接触子のようなばね性の劣化によ
る接触性能の劣化がなく、長期にわたり接触性能が劣化
せず信頼性の優れたものとなる。
第１図は本発明の一実施例を示し、同図（ａ＞は断面図
、同図（ｂ）は常温時の嵌合状態を示す断面図、同図（
Ｃ）は低温時の嵌合状態を示す断面図、第２図は他の実
施例を示し、同図（ａ） ｔｉ断面図、同図（ｂ）は常
温時の嵌合状態を示す断面図、同図（Ｃ）は低温時１２
・・・低温における低収縮材、３．１３・・・低温にお
ける高収縮材 ′＃−ｊ図 （（１） （θ） 、。１．、（Ｃ）
、同図（ｂ）は常温時の嵌合状態を示す断面図、同図（
Ｃ）は低温時の嵌合状態を示す断面図、第２図は他の実
施例を示し、同図（ａ） ｔｉ断面図、同図（ｂ）は常
温時の嵌合状態を示す断面図、同図（Ｃ）は低温時１２
・・・低温における低収縮材、３．１３・・・低温にお
ける高収縮材 ′＃−ｊ図 （（１） （θ） 、。１．、（Ｃ）
Claims (1)
- 雄接触子と雌接触子のうちの一方を低温における高収縮
材と低収縮材との張り合わせたものより形成し、雄コネ
クタと雌コネクタの嵌合時に常・１温では上記両液触子
間には接触力が生じなく、低温では低温における高収縮
材と低収縮材とを張シ合わせて形成した接触手の変形に
より上記両接触子゛間に接触力が発生するよ□うにした
ことを特徴とする低温用コネクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17103381A JPS5873973A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 低温用コネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17103381A JPS5873973A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 低温用コネクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873973A true JPS5873973A (ja) | 1983-05-04 |
Family
ID=15915836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17103381A Pending JPS5873973A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 低温用コネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873973A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58130390U (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-03 | 富士通株式会社 | 電子機器のソケツト |
| JPS5931583A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-20 | 日本電気株式会社 | 極低温用コネクタ |
| US4950173A (en) * | 1983-06-15 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Service temperature connector and packaging structure of semiconductor device employing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5453288A (en) * | 1977-10-04 | 1979-04-26 | Fujitsu Ltd | Zero-force connector |
-
1981
- 1981-10-26 JP JP17103381A patent/JPS5873973A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5453288A (en) * | 1977-10-04 | 1979-04-26 | Fujitsu Ltd | Zero-force connector |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58130390U (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-03 | 富士通株式会社 | 電子機器のソケツト |
| JPS5931583A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-20 | 日本電気株式会社 | 極低温用コネクタ |
| US4950173A (en) * | 1983-06-15 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Service temperature connector and packaging structure of semiconductor device employing the same |
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