JPS5932039B2 - 高分子圧電トランスデユ−サ - Google Patents

高分子圧電トランスデユ−サ

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JPS5932039B2
JPS5932039B2 JP52033142A JP3314277A JPS5932039B2 JP S5932039 B2 JPS5932039 B2 JP S5932039B2 JP 52033142 A JP52033142 A JP 52033142A JP 3314277 A JP3314277 A JP 3314277A JP S5932039 B2 JPS5932039 B2 JP S5932039B2
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JP
Japan
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polymer piezoelectric
piezoelectric transducer
film
polarized
electrodes
Prior art date
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JP52033142A
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English (en)
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JPS53118019A (en
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信久 跡地
博之 直野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/04—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
    • H10N30/045—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning by polarising
    • H—ELECTRICITY
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    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
    • H10N30/098—Forming organic materials

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は音響変換器(機器)の目的、性能によって接続
の方法が任意にとれ、感度を向上させたり、指向性を制
御したり、設計自由度の高い構成の高分子圧電トランス
デユーサに関するものである。
以下、本発明について図面とともに説明する。
まず、第1図に本発明に係る多分割電極の一実施例を示
しており、連続したポリフッ化ビニリデンフィルム等の
高分子圧電性フィルム10両面に蒸着または接着、塗装
等の手段によって密着させた導電電極層を化学的、光学
的、機械的手段でもってエツチングし、機器の目的に応
じて任意の形に多数の方形状電極2.2’(ここで電極
2′は図面の裏面)を残したものである。
しかる後、図示した+、−の記号のようにマルチ電極に
より交互に分極化し、圧電性をもたせたフィルム1の一
部分を第1図は示している。
すなわち、第1図では一枚の圧電性フィルム1上に多数
の方形状電極2.2′ が設けられ、表裏面分極方向が
互いに異なるように分極され、かつ電極2,2′ は上
下および左右が同一面上において互いに異符号な分極を
もつ構成となっている。
また、3,4,5,6および3’、 4’、 5’、
6’ (3’〜6′は裏面)は組立時にトランスデユ
ーサとしての出力あるいは入力用あるいは結線用に使つ
リード線の結合端子部である。
つぎに、第2図は第3図に示す一軸方向のみが曲率をも
つように曲げた格子状の窓を有する固定枠7の外側曲面
に、第1図の点線dtmで切り取られた素子a1 t
a2 1 a3 t a+ 、・・・・・・・・
・の一つを貼り合せたものである。
ここで、切り取られた素子a1〜a4・・・・・・・・
・を固定枠7に貼ったものを変換デバイスユニットと呼
ぶことにする。
また、図では1個の素子a0の中にさらに小さいチップ
(コンデンサを形成している)pl、p2.p3゜p4
の4個が含まれるように切断寸法l2mで記述している
が、これは機器の目的、性能に応じてチップが2個、3
個、4個、5個、6個、・・・・・・・・・となるよう
に任意の大きさに切断することができる。
ついで、一例として上記素子a1について内容を説明す
ると、チップp0 とp3は図面の表面が+極、チップ
p2とp4が一極になるように交互にマルチ分極された
ものである。
今、素子a0の表側から音波が当り、フィルム全体が振
動して裏側に沈んだ時、チップp1.p3の表に十の電
圧が発生したとすれば、分極の向きが逆であるからチッ
プp2.p4の表には−の電圧が発生する。
この時チップp2.p4の裏側は当然子の電圧が発生し
ている。
これらのチップp1.p2.p3゜p4を第2図および
第4図のように全部直列に接続すれば、3と6の端子部
間には1個のチップ間の発生電圧の4倍が得られ、感度
を高めることができる。
第2図および第4図において8.9.10は端子部3′
と4′、4と5,5′ と6′とを接続するリード線で
ある。
第5図は他の接続状態を示しており、チップp1とp2
を直列に接続し、チップp3とp4を同様に直列に接続
し、これらを逆方向に並列に接続したものである。
この場合例えば水平方向に対しては出力電圧は打ち消し
合って零、それと交わる方向には指向性をもち、双指向
性が得られる。
第3図の固定枠7.としては一例ではプラスチックフレ
ームを用いてリード線8,10で端子部3′と4’、
5’ と6′とを接続したが、第3図の点線部lL12
をプラスチックメッキし、導電性接着剤を併用して端子
部3′と47. s/ と6′とを接続することもで
きる。
また、メッキの代りに薄い金属リード片をプラスチック
成形時にインサートすることもできる。
第6図は上記変換デバイスユニツ)al’、a2♂a
3/ 、 a 、 /の複数個(本実施例では4個)を
一つの円周上に曲率な合せて配列した音響変換器への原
理的な応用例を示しており、この場合素子al 。
a2.a3.a4 もチップ(上記p1.p2.p3゜
p4のこと)も直列に接続すれば1個のチップに対し1
6倍の感度が得られる。
図で13はユニットa1′〜a4′を固定またはハウジ
ングするケースの一部である。
この時、ユニツ)a1′、a2’。a 3/ 、 a
、 /を直列、並列の組合せで接続すれば、インピーダ
ンスの変化や指向性の制御に使える利点がある。
第7図は機器の設計目的によって円形の固定枠(上記固
定枠7に対応)に貼れるように扇形の分割電極を実施し
た一例であり、大きなフィルムに上記と同様な電極パタ
ーンがとれる。
第7図での番号は第1図と対応させである。
この場合は円形の固定枠に対応させて切断線7.mは円
形に打ち抜けばよい。
なお、本発明の背景には、一軸方向に彎曲された高分子
圧電性フィルムの音圧感度は、そのフィルムの振動受波
面積に関係せず常に一定であるという理想的なモデルに
おける理論にもとづいた考えがあり、具体的な実施態様
、すなわち固定枠の周辺部のクランプ状態や縦と横の寸
法比等によって多少の感度変化はある。
参考までにその理論感度式を記述する。
感度1−1はマイクロホン出力を高インピーダンスで受
ける時は、 ここで、Rは振動膜の曲率、dはフィルムの圧電定数、
εはフィルムの誘電率である。
上式において、感度は振動膜の曲率R、フィルムの圧電
定数d、誘電率εに依存するが、振動膜面積には関係が
ない。
すなわち、1チツプ寸法を小さくしても1チツプそのも
のの感度は変らない。
したがって、これらチップを直列に接ぐことにより感度
を向上できる。
また、上記の実施例においては多分割電極の分極方向が
同一面における左右および上下が互いに異符号な分極を
もつバイスユニットで説明したが、これは左右が同符号
で上下が異符号な分極をもつデバイスユニットでもよい
ことはもちろんである。
以上のように本発明は構成されているものであり、1個
の振動膜(圧電性フィルム)上に複数個のチップを交互
に分極しであるから、機器の目的、性能によって接続の
方法が任意にとれ、感度を向上させたり、内部インピー
ダンスを変化させたり、指向性を制御したり、設計自由
度の高いものが得られ、産業性の犬なるものである。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の高分子圧電トランスデユーサに係る多
分割電極の一実施例の上面図、第2図は同変換デバイス
ユニットの一実施例の斜視図、第3図は同デバイスユニ
ットを構成する固定枠の斜視図、第4図および第5図は
同デバイスユニットの接続状態を示す模式図、第6図は
同デバイスユニットを一つの円周上に曲率な合せて複数
個配列した変換器の応用例を示す斜視図、第7図は多分
割電極の他の実施例を示す上面図である。 1・・・・・・高分子圧電性フィルム、2,2′−・・
・・・多分割電極、3・・・・・・固定枠。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 高分子圧電性フィルムを用いたトランスデユーサに
    おいて、一枚の振動膜(圧電性フィルム)上に複数個の
    多分割電極を設け、上記フィルムの表裏面分極方向が互
    いに異なるように分極し、それらの分割された電極を直
    列または並列に接続するとともに上記フィルムな一軸方
    向のみが曲率なもつように湾曲して構成したことを特徴
    とした高分子圧電トランスデユーサ。 2 多分割電極の分極方向が、同一面における左右およ
    び上下が互いに異符号な分極をもつ構成とした特許請求
    の範囲第1項記載の高分子圧電トランスデユーサ。 3 多分割電極の分極方向が、同一面における左右が同
    符号で上下が異符号な分極をもつ構成とした特許請求の
    範囲第1項記載の高分子圧電トランスデユーサ。 4 多分割電極を直列または並列に接続してなる特許請
    求の範囲第2項または第3項記載の高分子圧電トランス
    デユーサ。 5 多分割電極をそれぞれ独立に固定する格子状の窓を
    有し、かつ一軸方向のみが曲率な持つように湾曲した固
    定枠を用いてなる特許請求の範囲第2項、第3項または
    第4項記載の高分子圧電トランスデユーサ。
JP52033142A 1977-03-24 1977-03-24 高分子圧電トランスデユ−サ Expired JPS5932039B2 (ja)

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JPS53118019A JPS53118019A (en) 1978-10-16
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DE3127406C2 (de) * 1981-07-10 1986-03-27 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Modulationsvorrichtung zur optischen Signalübertragung
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