JPS5932059B2 - ボンデイングヘツド - Google Patents

ボンデイングヘツド

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Publication number
JPS5932059B2
JPS5932059B2 JP54082864A JP8286479A JPS5932059B2 JP S5932059 B2 JPS5932059 B2 JP S5932059B2 JP 54082864 A JP54082864 A JP 54082864A JP 8286479 A JP8286479 A JP 8286479A JP S5932059 B2 JPS5932059 B2 JP S5932059B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
block
bearing
heating
spindle
Prior art date
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Expired
Application number
JP54082864A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS567445A (en
Inventor
隆治 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP54082864A priority Critical patent/JPS5932059B2/ja
Publication of JPS567445A publication Critical patent/JPS567445A/ja
Publication of JPS5932059B2 publication Critical patent/JPS5932059B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体素子などのボンディングに使用するボ
ンディング装置のボンディングヘッドに関するものであ
る。
金属フレームに半導体素子をボンディングするために、
従来から行なわれている方法は、第1図に示されている
ように、まず所定温度に加熱されている加熱ブロック1
上に金属フレーム2を並設配置して、各フレーム上のボ
ンディングパット2aに前工程で付着させてある半田3
を溶解させておき、ついでビニールシート4上に貼りつ
けられている半導体素子5を、図示していないボンディ
ング装置のニードルで1個づつ吸着して、前記ボンディ
ングパット2a上に搬送し、半田3を介して加圧付着さ
せ、その後、金属フレーム2を冷却させて固着させると
いうものであつた。
そして前記ボンディング作業に使用するボンディング装
置のボンディングヘッドは、一般に第2図および第3図
のように構成されている。
すなわち、これらの各図において、ボンディングアーム
6の先端部には、軸受けシリンダTを土下方向に向けて
装着してあり、この軸受けシリンダTに対して、下部に
ニードル9を有し、かつ上、下部で径差を与えたスピン
ドル8を、上下摺動自在に貫挿させると共に、廻り止め
部材10による廻り止めを施し、さらに前記軸受けシリ
ンダTにパイプ11から空気圧を導入してスピンドル8
に下方への所定加圧力を与え、かつこのスピンドル8を
パイプ12により真空ポンプに連通させて、ニードル9
の先端に負圧、すなわち半導体素子5に対する吸着力を
発生させるようにしたものである。従つてこのような構
成によるボンディングヘッドによれば、ニードル9によ
る半導体素子5の吸着ができると共に、この吸着ならび
に金属フレーム2への加圧付着に際しての緩衝を、軸受
けシリンダTへの空気圧導入によつて行なわせ得るほか
、その動作中は廻り止め部材10によりスピンドル8の
位置規制をなして、正確なボンディング作業を実行でき
るのである。ここで前記ボンディング作業を高能率に行
なわせろ目的で、装置自体を自動化かつ商運化するのに
は、パターン認識技術によつて、半導体素子の位置、方
向などの検出、ならびに修正を行なう必要があり、その
作動制御装置が複数かつ高価になるという不都合がある
ほか、半導体素子を1個づつボンディングさせているこ
とから、その作業能力には自ずから限界を生ずるもので
あつた。
また第4図に示したように、前記加熱プロツク1上に所
定のピツチ間隔P1で、一連に連接された金属フレーム
13を配設させ、かつトレイ14土に前記ピツチ間隔P
1に等しいピツチ間隔P2で形成した角孔14a内に、
各々の半導体素子5を収納させておき、同時に複数個の
半導体素子5を各角孔14aから吸着して搬送させ、金
属フレーム13止の各ボンデイングパツト13aに同時
に加圧付着させる手段が考えられる。なおこのときのボ
ンデイング条件としては、→1としてピツチ間隔Pl,
P2が12關、ニードルの温度が約300℃、ニードル
の加圧力が約1Kfであればよい。そしてこのような方
法に適用されるボンディングヘツドは、複数のスピンド
ルを有する構成とし、かつ常に加熱零囲気に曝されるた
めに、スピンドル相互の間隔が熱変化しないこと、およ
び高温下での作動が円滑であることなどの条件を満足す
る必要がある。この発明はこのような条件を満足して、
同時に複数個の半導体素子を、対応する金属フレーム土
の各ボンデイングパツトに対し、ボンデイングすること
のできるボンデイングヘツドを提供するものである。
以下、この発明に係わるボンデイングヘツドの−実施例
につき、第5図ないし第7図を参照して詳細に説明する
これらの第5図ないし第7図において、ボンディングア
ーム15の先端部には、熱影響を避けるためにスペーサ
16を介して、一体構成された支持プロツク17が取付
けてある。
この支持プロツク1rは、前記ピツチ間隔Pl,P2に
等しいピツチ間隔で下方に開口された複数の受け孔17
aを設けると共に、その全体を均一に加熱制御するため
に、所定個数のヒータ18と熱電対19とを分散配置さ
せてあり、これらを各々のリード線18a,19aによ
り図示しない制御装置に結線してある。また前記各受け
孔17aには、土方から加圧調整ネジ20が螺合され、
かつ各受け孔17aの相互間は連通路21により連通さ
れていて、パイプ21aを経てこれらの各受け孔17a
を図示しない真空ポンプに接続してある。また前記支持
プロツク17の下部には、前記各受け孔17aの位置に
一致して同数の軸受け孔22aを上下方向に形成させた
軸受けプロック22が固定してあつて、各軸受け孔22
aに径大とした頭部をもつ中空管状の吸着スピンドル2
3を、受け孔側から上下摺動自在に嵌挿させると共に、
その受け孔17a側に開口された上端と、前記加圧調整
ネジ20との間にバネ24を介装させて、この各スピン
ドル23を所定加圧力に弾圧保持させてある。
そしてさらに各スピンドル23の下方に突出された部分
には、個々に加熱プロツク25が止着されており、これ
を前記軸受けプロツク22に連繋させて廻り止め作用を
得ると共に、この加熱プロツク25にも、前記支持プロ
ツク17と同様に、各々にリード線26a,27aを取
出したヒータ26、熱電対27を配置したものである。
従つてこの実施例構成においては、所定のピツチ間隔で
配列される各吸着スピンドル23に、真空ポンプによる
負圧が作用しているので、前記した第4図に示す各角孔
14a内の半導体素子5を同時に吸着して、これらを対
応する金属フレーム13上の各ボンデイングパツト13
aに、溶融半田を介して加圧付着させ得るものであり、
また吸着の際の緩衝ならびにボンデイング加圧は、加圧
調整ネジ20の調整により任意の値に設定でき、さらに
支持プロツク17ならびに加熱プロツク22は、各々内
装した加熱手段、すなわちヒータ18,26およびその
発熱制御のための熱電対19,27により、常に所定温
度に維持させ得るのである。
またボンディング作業に際して、各スピンドル23を軸
支する軸受けプロツク22は、前記した金属フレーム1
3の加熱プロツク1からの輻射熱および各スピンドル2
3の加熱プロツク25からの伝導熱により熱膨張して、
各スピンドル23相互間のピツチが変化することになり
、このた・めに正確なボンディング作業が不能となる。
この対策としてこの実施例では、この軸受けプロック2
2を固定支持する支持プロツク17を加熱するようにさ
せ、作業開始前に軸受けプロツク22を熱膨張させた状
態としておくのであり、同時に各スピンドル23間のピ
ツチもまたこの熱膨張時点で正規のピツチ間隔Pl,P
2となるようにあらかじめ加工しておくのである。実験
の結果によれば、各加熱プロツク1,25の温度に対応
して軸受けプロツク17はおおよそ100℃まで温度上
昇するので、この温度を得るための最適温度、ここでは
おおよそ300℃に支持プロツク17を温度設定したと
ころ、各スピンドル23間のピツチ精度を±0.04m
1程度までにし得た。さらに軸受け孔22aとスピンド
ル23との各摺動表面、例えば窒化処理しておくことに
より、この程度の温度では常に円滑な摺動を行なわせる
ことができる。なお前記実施例は、半導体素子のボンデ
ィングについて述べたが、その他のボンディングについ
ても同様に適用できることは勿論である。以上詳述した
ようにこの発明のボンデイングヘツドによれば、複数の
半導体素子などの対象物のボンディングを同時に実行で
きて、ボンディング作業を高能率化し得られ、ひいては
位置、方向などの作動制御装置を簡略化できるなどの特
長を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のボンデイング作業の動作を示す説明図、
第2図は従来のボンデイングヘツドを示す斜視図、第3
図は同上断面図、第4図はこの発明でのポンディング作
業の動作を概念として示す説明図、第5図はこの発明に
係わるボンデイングヘツドの一実施例を示す斜視図、第
6図は同土断面図、第7図は同土要部を切り欠いた正面
図である。 15・・・・・・ボンディングアーム、16・・・・・
・スペーサ、17・−・・・・支持プロツク、17a・
・・・−・受け孔、18,26・・・・・・ヒータ、1
9,27・・・・・・熱電対、20・・・・・・圧力調
整ネジ、22・・・・・・軸受けプロツク、22a・・
・・・軸受け孔、23・・・・・・吸着スピンドル、2
4・・・・・・バネ、25・・・・・・加熱プロツク。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ボンディングアームの先端にスペーサを介して取付
    けられ、かつ所定のピッチ間隔で複数の受け孔を下方に
    開口させた支持ブロックと、前記各受け孔位置に一致す
    る軸受け孔を有して支持ブロックの下部に固定した軸受
    けブロツクと、前記各軸受け孔に上下摺動自在に嵌挿さ
    れると共に、受け孔側から可調整的に弾圧された複数個
    の吸着スピンドルと、各吸着スピンドルに廻り止めを兼
    ねて止着された個々の加熱ブロックと、前記支持ブロッ
    クおよび各加熱ブロックを各々に設定温度に加熱する加
    熱手段とを備えたことを特徴とするボンディングヘッド
JP54082864A 1979-06-28 1979-06-28 ボンデイングヘツド Expired JPS5932059B2 (ja)

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JP54082864A JPS5932059B2 (ja) 1979-06-28 1979-06-28 ボンデイングヘツド

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JP54082864A JPS5932059B2 (ja) 1979-06-28 1979-06-28 ボンデイングヘツド

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Publication Number Publication Date
JPS567445A JPS567445A (en) 1981-01-26
JPS5932059B2 true JPS5932059B2 (ja) 1984-08-06

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ID=13786190

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JP54082864A Expired JPS5932059B2 (ja) 1979-06-28 1979-06-28 ボンデイングヘツド

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JPS5831543A (ja) * 1981-08-19 1983-02-24 Nec Home Electronics Ltd 半導体装置の製造方法

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JPS567445A (en) 1981-01-26

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