JPS5932264A - 固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子の駆動方法Info
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- JPS5932264A JPS5932264A JP57141115A JP14111582A JPS5932264A JP S5932264 A JPS5932264 A JP S5932264A JP 57141115 A JP57141115 A JP 57141115A JP 14111582 A JP14111582 A JP 14111582A JP S5932264 A JPS5932264 A JP S5932264A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
- H10F39/1538—Time-delay and integration
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/626—Reduction of noise due to residual charges remaining after image readout, e.g. to remove ghost images or afterimages
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の対象〕
本発明は、半導体基板上に複数の光電変換素子および各
素子の光学情報を取り出す走査素子（ＣＣＩ）シフトレ
ジスタ）を集積化した、Ｃ（”Ｉ）型固体撮像素子の駆
動方法に関するものである。
素子の光学情報を取り出す走査素子（ＣＣＩ）シフトレ
ジスタ）を集積化した、Ｃ（”Ｉ）型固体撮像素子の駆
動方法に関するものである。
を従来技術〕
固体撮像素子は、現行のテレビジョン放送で使用されて
いる撮像用市、子管並みの解像力を備ｆＡ撮像板を必要
とし、このため約５００ Ｘ ５ （１０個の絵素マト
リックスを構成する光電変換素子と、それに相当し、た
走査素子が必要となる。従一つで、固体撮像素子は、高
集積化が比較的容易なＭＯ８大規模集積回路技術を用い
て作られ、構成素子として一般にＣＯＤ （光ダイオー
ド→−ＣＤ Ｉ）シフトレジスタ）あるいはＭＯＳ）ラ
ンジスタ（毘ダイオード＋ＭＯＳシフトレジスタ）等が
使用されている。
いる撮像用市、子管並みの解像力を備ｆＡ撮像板を必要
とし、このため約５００ Ｘ ５ （１０個の絵素マト
リックスを構成する光電変換素子と、それに相当し、た
走査素子が必要となる。従一つで、固体撮像素子は、高
集積化が比較的容易なＭＯ８大規模集積回路技術を用い
て作られ、構成素子として一般にＣＯＤ （光ダイオー
ド→−ＣＤ Ｉ）シフトレジスタ）あるいはＭＯＳ）ラ
ンジスタ（毘ダイオード＋ＭＯＳシフトレジスタ）等が
使用されている。
第１図にＣＣＤ （電荷結合素子）の動作原理を示す。
半導体３（ｎ形でもｐ形でもよい。図の場合はｎ形）と
金属１とで絶縁物２をはさむ。捷ず最初に、左側の金鵬
１に電油５により負の電圧を印）Ｊ１］する。す７Ｌと
１つ導体の絶縁物に近い部分に空乏層が形成され、その
ｊｉｌ’１分に余分の正札電荷４が蓄えられた状態と７
’ｚ ７．）。仁の状すむｒおいて、左側よりもさらに
犬さ？ｒ、Ｆ！、電荷を電池６により右側の金網ｌに与
えてやると、蓄えられた旧刊電荷４は、電位のＩＢい右
隣へσＩすれ込む。多数のｈ’ ＯＳ ’、！２−イオ
ードを同一基板上に近接し−ＣＧＩ２べ、こ０操作を操
り返ノーことにより、片側７ノ・ら一方向へ、電荷を順
次転送することができる。
金属１とで絶縁物２をはさむ。捷ず最初に、左側の金鵬
１に電油５により負の電圧を印）Ｊ１］する。す７Ｌと
１つ導体の絶縁物に近い部分に空乏層が形成され、その
ｊｉｌ’１分に余分の正札電荷４が蓄えられた状態と７
’ｚ ７．）。仁の状すむｒおいて、左側よりもさらに
犬さ？ｒ、Ｆ！、電荷を電池６により右側の金網ｌに与
えてやると、蓄えられた旧刊電荷４は、電位のＩＢい右
隣へσＩすれ込む。多数のｈ’ ＯＳ ’、！２−イオ
ードを同一基板上に近接し−ＣＧＩ２べ、こ０操作を操
り返ノーことにより、片側７ノ・ら一方向へ、電荷を順
次転送することができる。
第２図に、油記ＣＣＩ）を用いたＣＣＤ型揃像素子の基
本構成を示す。１ｔ；１光ダイオードから成る光電変Ｉ
Ｑ素子、２および３は光ｔｌ、背照素子１に蓄積された
尤信号を出力瑞に取りｍ１ための垂直ＣＣＤ７フトレジ
スタおよび水平７フトレジスタ、矢印４は光１ｒＬ変換
素子１に糸種さｔまた信号を垂直シフトレジスタに送り
込む転送ゲートを示す。水素−ｆ’−（ＣＣＤ型）の特
徴は、寄生容量が小さいためＭＯ８型素子に較べて雑音
が小さく、実効感度が高い（低照度下で撮像ができる）
ことであり、これからの撮像デバイスとして大きな期待
が寄せられている。
本構成を示す。１ｔ；１光ダイオードから成る光電変Ｉ
Ｑ素子、２および３は光ｔｌ、背照素子１に蓄積された
尤信号を出力瑞に取りｍ１ための垂直ＣＣＤ７フトレジ
スタおよび水平７フトレジスタ、矢印４は光１ｒＬ変換
素子１に糸種さｔまた信号を垂直シフトレジスタに送り
込む転送ゲートを示す。水素−ｆ’−（ＣＣＤ型）の特
徴は、寄生容量が小さいためＭＯ８型素子に較べて雑音
が小さく、実効感度が高い（低照度下で撮像ができる）
ことであり、これからの撮像デバイスとして大きな期待
が寄せられている。
しかしながら、ＣＣＤデバイスに走査に使用するＣＣＤ
シフトレジスタが一方向のみにしか信号電荷を転送でき
ないため、次のような問題をかかえている。
シフトレジスタが一方向のみにしか信号電荷を転送でき
ないため、次のような問題をかかえている。
＜１） ＣＣ］）シフトレジスタを駆動させるための
タロツクパルスの第１フイールドでは、例えば奇数列、
第２フイールドでは例えば偶数列の信号を読み出す１列
おきのインタレース走査が行われるため、前フィールド
に蓄積された信月が新し７い信号に重畳する、いわゆる
残像が発生する。
タロツクパルスの第１フイールドでは、例えば奇数列、
第２フイールドでは例えば偶数列の信号を読み出す１列
おきのインタレース走査が行われるため、前フィールド
に蓄積された信月が新し７い信号に重畳する、いわゆる
残像が発生する。
（２］ カラー素子の場合、カラー毎に専用の信号出
力線（複数の出力線）を設けることができないため、解
像度の高くなる色フイルータ配列法を採用することがで
きず、さらに、各カラー信号間の混じり（混色）が発生
し良好な画質を得ることができない。
力線（複数の出力線）を設けることができないため、解
像度の高くなる色フイルータ配列法を採用することがで
きず、さらに、各カラー信号間の混じり（混色）が発生
し良好な画質を得ることができない。
これらの問題点を解決する素子構成概念として、第３図
に示した素子構成を考えることができる。
に示した素子構成を考えることができる。
２．１．２−２は垂直ＣＣＤシフトレジスタの中に絶縁
分離帯５を設けることにより形成された複数の垂ｉｆｆ
シフトレジスタ、矢印４−１．．４−２は市松状（二つ
の要素が屹い違いに現）つれる四角い形状）に設置され
た転送ゲートであり、４−１は信号を垂直レジスタ２−
１に、４−２は信号を垂直レジスタ２−２に送り込むゲ
ートである。さらに、各垂直レジスタにより転送された
信号電荷は、相当する水平レジスタ（矢印６−１．６−
２）内に送り込まれ、水平レジスタの一端から順次１言
号が取出される。この様な構成を具体的に駆動させるこ
とができれば、従来、ＣＣＩ）型素子の欠点とされてき
た残像、解像度および混色の問題を解消され、高感度、
高画質を備えた（：’ ＣＤ型撮像素子を実現すること
が可能となる。
分離帯５を設けることにより形成された複数の垂ｉｆｆ
シフトレジスタ、矢印４−１．．４−２は市松状（二つ
の要素が屹い違いに現）つれる四角い形状）に設置され
た転送ゲートであり、４−１は信号を垂直レジスタ２−
１に、４−２は信号を垂直レジスタ２−２に送り込むゲ
ートである。さらに、各垂直レジスタにより転送された
信号電荷は、相当する水平レジスタ（矢印６−１．６−
２）内に送り込まれ、水平レジスタの一端から順次１言
号が取出される。この様な構成を具体的に駆動させるこ
とができれば、従来、ＣＣＩ）型素子の欠点とされてき
た残像、解像度および混色の問題を解消され、高感度、
高画質を備えた（：’ ＣＤ型撮像素子を実現すること
が可能となる。
本発明の目的は、前述の如き従来の欠点を改善するため
、フィールドごとに１列ずれた１組の光電変換素子群を
走査するインタレース方式の駆動を実現してフィールド
残像の発生をなくシ、かつカラー素子に対して解像度の
向上と、混合発生の防止が可能な固体撮像素子の駆動方
法を提供することにある。
、フィールドごとに１列ずれた１組の光電変換素子群を
走査するインタレース方式の駆動を実現してフィールド
残像の発生をなくシ、かつカラー素子に対して解像度の
向上と、混合発生の防止が可能な固体撮像素子の駆動方
法を提供することにある。
（発明の詳細な説明〕
本発明は、上記目的を達成するため、腹数列の垂ｉ［ｃ
ｃＤシフトレジスタおよび各レジスタに属する市松配列
の転送ゲートを備えたＣ Ｃ１，１型撮像素子において
、垂直帰線期間内に１組の転１ηゲート開閉パルス（第
１パルスおよヒｍ ２ ハル１０２種で１組）を設け、
この１組のパルスを？にのようにする。すなわち、第１
パルスは、第１フイールドでは時間的な遅れがなく、か
つ、第２フ・イールドでは時間的に対応した第２パルス
に対しＣ，’ｆ、−の第２パルスのパルス幅だけ遅延さ
せて発生させる。
ｃＤシフトレジスタおよび各レジスタに属する市松配列
の転送ゲートを備えたＣ Ｃ１，１型撮像素子において
、垂直帰線期間内に１組の転１ηゲート開閉パルス（第
１パルスおよヒｍ ２ ハル１０２種で１組）を設け、
この１組のパルスを？にのようにする。すなわち、第１
パルスは、第１フイールドでは時間的な遅れがなく、か
つ、第２フ・イールドでは時間的に対応した第２パルス
に対しＣ，’ｆ、−の第２パルスのパルス幅だけ遅延さ
せて発生させる。
第２パルスは、第１フイールドでは時間的に対応した第
１パルスに対して第１パルスのノくルス幅たけ遅れて発
生させ、第２フイールドでは時間的に遅れのない第２ノ
くルスを発生させるようにする。
１パルスに対して第１パルスのノくルス幅たけ遅れて発
生させ、第２フイールドでは時間的に遅れのない第２ノ
くルスを発生させるようにする。
本発明は、この（羨なパルスにより、上記転送ゲートヶ
開閉することを特徴とするＣ ＣＩ）型固体撮像素子の
駆動方法である。
開閉することを特徴とするＣ ＣＩ）型固体撮像素子の
駆動方法である。
以下、本発明奢′４．施例を用いて詳細に説１明する。
第４図は、第３図に示した素子を駆動する本発明のタロ
ツクパルスのタイムチャートを示している。
ツクパルスのタイムチャートを示している。
φ、ｆま垂直ＣＣｌ）シフトレジスタを駆動させるため
の第１のクロックパルス、φ、はφ、ト位相の異なるも
う１つの第２のり「１ツクパルスを示している。
の第１のクロックパルス、φ、はφ、ト位相の異なるも
う１つの第２のり「１ツクパルスを示している。
第５図は、第３図に示した七子構成の本発明の平面レイ
アウト構成を示している。２−１，２−２１ｄ、 ＣＣ
Ｄ垂直シフトレジスタであり、これらシフトレジスタの
電気的な絶縁は分離帯５（例えば、基板と同型かつｓｔ
度の高い不純物によって形成する）によって行われる。
アウト構成を示している。２−１，２−２１ｄ、 ＣＣ
Ｄ垂直シフトレジスタであり、これらシフトレジスタの
電気的な絶縁は分離帯５（例えば、基板と同型かつｓｔ
度の高い不純物によって形成する）によって行われる。
４−１．４−２は１フイ一ルド期間の間に、光ダイオー
ドに蓄積された光信号電荷をシフトレジスタ２−１．２
−２に送り込むだめの転送ゲート領域を示している。ま
た、シフトレジスタ（２−１，２−２）はいずれもクロ
ックパルスφ、が加わる蓄積電極Ｓ１、転送電極Ｔ１お
よびタロツクパルスφ、が加わる。１１電極Ｓ２、転送
電極Ｔ、によって構成さＪしこいる。
ドに蓄積された光信号電荷をシフトレジスタ２−１．２
−２に送り込むだめの転送ゲート領域を示している。ま
た、シフトレジスタ（２−１，２−２）はいずれもクロ
ックパルスφ、が加わる蓄積電極Ｓ１、転送電極Ｔ１お
よびタロツクパルスφ、が加わる。１１電極Ｓ２、転送
電極Ｔ、によって構成さＪしこいる。
以下、信号電荷転送の動作を第４図および第５図を用い
て説明する。第１フイールドの出発点を時間−ｔ、。、
第２フイールドの出発点を時間ｔ、。とする。第１フイ
ールドでは、クロックパルスφ。
て説明する。第１フイールドの出発点を時間−ｔ、。、
第２フイールドの出発点を時間ｔ、。とする。第１フイ
ールドでは、クロックパルスφ。
の″′、Ｈレベルは出発時間ｔ、。より所定の時間ｔｄ
だけ遅れて発生し、クロックパルスφ、の“１″レベル
は出発時間’１０より時間ｔ’ｄｌこけ遅れて発生する
ものとする。これとけ逆に、第２フイールドハ、クロッ
クパルスφ、のＩｔ ＩＩ＋ＩＩルが出発時間ｔｗｏよ
り所定の時間１．だけ遅しテ発生シ、タロツクパルスφ
、の”１”レベルが出発時間ｔｔｏより時間ｔ１４たけ
遅れて発生するものとする。ここで、クロックパルスの
１”レベルおよヒ本レベルＫＭ＜Ｍ”レベル、“０”レ
ベルの持続時間（パルス幅）は、それらの合計時間がフ
ィールド毎に設けられている垂直帰線期間（ＴｓＬ〜２
．７ｍ８ｅｃ） より短かくなる範囲で如何なる値に
設定してもよい。パルス幅の合計時間Ｔ ｗは次式で表
わされる。
だけ遅れて発生し、クロックパルスφ、の“１″レベル
は出発時間’１０より時間ｔ’ｄｌこけ遅れて発生する
ものとする。これとけ逆に、第２フイールドハ、クロッ
クパルスφ、のＩｔ ＩＩ＋ＩＩルが出発時間ｔｗｏよ
り所定の時間１．だけ遅しテ発生シ、タロツクパルスφ
、の”１”レベルが出発時間ｔｔｏより時間ｔ１４たけ
遅れて発生するものとする。ここで、クロックパルスの
１”レベルおよヒ本レベルＫＭ＜Ｍ”レベル、“０”レ
ベルの持続時間（パルス幅）は、それらの合計時間がフ
ィールド毎に設けられている垂直帰線期間（ＴｓＬ〜２
．７ｍ８ｅｃ） より短かくなる範囲で如何なる値に
設定してもよい。パルス幅の合計時間Ｔ ｗは次式で表
わされる。
Ｔｗ ＝２ 、（１１％”１” ４− ｔｗ”Ｍ” ）
＋ｔｄ°−°ｌＩＪまたφ２．φ２の各クロックパルス
共に、垂直帰線期間ＴＩＩＴ、の後に続くＭ”、°゛０
”レベルの繰り返し゛”Ｍ、 ＩＩ 、 ＩＩ Ｑ、
＃、″Ｍ 、 ′ｙ 、 ｔｔ ｏ、 ｎ。
＋ｔｄ°−°ｌＩＪまたφ２．φ２の各クロックパルス
共に、垂直帰線期間ＴＩＩＴ、の後に続くＭ”、°゛０
”レベルの繰り返し゛”Ｍ、 ＩＩ 、 ＩＩ Ｑ、
＃、″Ｍ 、 ′ｙ 、 ｔｔ ｏ、 ｎ。
・・・・・・” Ｍ ｒｎ ” 、 ” Ｑ ｒｎ
”は垂直ＣＣＵシフトレジスタを駆動させるパルスであ
り、通常、′Ｍ″。
”は垂直ＣＣＵシフトレジスタを駆動させるパルスであ
り、通常、′Ｍ″。
０″の繰返し周波数は１５．７ＫＨ２である。垂直ＣＣ
Ｉ）シフトレジスタをｔｌ／Ｉ成する蓄積電極ｓ１訃よ
び転送電極′Ｉ゛、にはクロックパルスφ、が印加され
、もう−組の電極Ｓｉ 、Ｔ２にはタロツクパルスφ、
が印〃］１されるものとする。
Ｉ）シフトレジスタをｔｌ／Ｉ成する蓄積電極ｓ１訃よ
び転送電極′Ｉ゛、にはクロックパルスφ、が印加され
、もう−組の電極Ｓｉ 、Ｔ２にはタロツクパルスφ、
が印〃］１されるものとする。
第４図および第５図にも・いて、第１フイールドの時間
ｔ、、において、クロックパルスφ１のａｔ １″レベ
ルが転送ゲート４−１ （ｎ−１）、 ４−２（ｎ−１
１および電極’Ｊ−Ｚ ＊ Ｓ＋に加わると、１フイー
ルドの期間に（ｎ−１）列目の光ダイオード１−１（ｎ
−１）および１−２ （ｎ −１）に蓄積されていた光
信号電荷Ｑ （ｎ−１） 、 Ｑ、’ （ｎ−１）は
、転送ゲート４−１ （ｎ−１）、 ４−２（ｎ−１）
を介して垂直ＣＣＬ）シフトレジスタ２１．２−２の電
極Ｔ、に、′１”レベルの期間（’Ｉ＋ ”’−’Ｉｔ
）に送り込まれる（２）。さらにこの電荷はｔｌｌ
”’＋３の期間に電極Ｔ、よりも’ｆｌｊ、位の低い電
極Ｓ、に流れ込む（１））。ここで電位の高低は、素子
制作工程において、例えば電極Ｔ、。
ｔ、、において、クロックパルスφ１のａｔ １″レベ
ルが転送ゲート４−１ （ｎ−１）、 ４−２（ｎ−１
１および電極’Ｊ−Ｚ ＊ Ｓ＋に加わると、１フイー
ルドの期間に（ｎ−１）列目の光ダイオード１−１（ｎ
−１）および１−２ （ｎ −１）に蓄積されていた光
信号電荷Ｑ （ｎ−１） 、 Ｑ、’ （ｎ−１）は
、転送ゲート４−１ （ｎ−１）、 ４−２（ｎ−１）
を介して垂直ＣＣＬ）シフトレジスタ２１．２−２の電
極Ｔ、に、′１”レベルの期間（’Ｉ＋ ”’−’Ｉｔ
）に送り込まれる（２）。さらにこの電荷はｔｌｌ
”’＋３の期間に電極Ｔ、よりも’ｆｌｊ、位の低い電
極Ｓ、に流れ込む（１））。ここで電位の高低は、素子
制作工程において、例えば電極Ｔ、。
Ｔ、下の半導体基板表面にはヨ４（板と同一かつＪＦ、
板より１０１１４１の高い不純物をイオン杓込みし、′
■“１ 。
板より１０１１４１の高い不純物をイオン杓込みし、′
■“１ 。
Ｔ！下の電位を８１．８２の電位よりもそれぞれ高ぐす
ることにより形成される。
ることにより形成される。
次に、時期ｔ８においてタロツクパルスφ、の″１″レ
ベルが転送ゲート４−１ （ｎ）、 ４−２（＋１）
、電極Ｔ’ｔ、Ｓｔに加わると、その期間（１１３〜ｔ
、４ ）に、ｎ列目の光ダイ本−Ｆ１〜２ （ｎ）、
１−１ （ｎ）に蓄偕さＩｔていた光信号電荷Ｑ’
（１１）、Ｑ（ｎ）は、転送ゲー１−４−１（ｎ ）
、 ４−２ （ｎ ）を介して垂直ＣＣ］）シフトレ
ジスタ２−１．２−２の転送電極Ｔ、に送り込まれる（
Ｃ）。さらにこの電荷は、ｔ、４〜１．、ｌの期間に′
市極＋ｐ、よりも電位の低いＳ、に流れ込む（ｄｌ。
ベルが転送ゲート４−１ （ｎ）、 ４−２（＋１）
、電極Ｔ’ｔ、Ｓｔに加わると、その期間（１１３〜ｔ
、４ ）に、ｎ列目の光ダイ本−Ｆ１〜２ （ｎ）、
１−１ （ｎ）に蓄偕さＩｔていた光信号電荷Ｑ’
（１１）、Ｑ（ｎ）は、転送ゲー１−４−１（ｎ ）
、 ４−２ （ｎ ）を介して垂直ＣＣ］）シフトレ
ジスタ２−１．２−２の転送電極Ｔ、に送り込まれる（
Ｃ）。さらにこの電荷は、ｔ、４〜１．、ｌの期間に′
市極＋ｐ、よりも電位の低いＳ、に流れ込む（ｄｌ。
一方、時間ｔいで′由、ＤＴ、、 Ｓ、へのクロックバ
ルブ（このパルス１亀である）が’Ｍ”レベルから°゛
０″０″レベルされ、同時に同一時間ｔ０で隣接する（
ｎ列目）電極ｒｌｌ、 ｌ ｓ２に゛′１″レベルのク
ロックパルスが加わるため、（ｎ−１１１列上りｎ列目
の方が市１位が低くなり、左側の垂ｉｉ ＣＣＩ）シフ
トレジスタの電極Ｓ、■に一時蓄積されていり尤ダイＡ
−ド１−１． （ｎ−１）、 １−２（ｎ−１）の電荷
Ｑ（ｎ １）、Ｑ’（ｎ−１）は、Ｋ位の低い１゛、
へ移動１２、さらによりｉ１４、位の低いＳ２下に流れ
込む（ｅｌ。流れ込む時間は’１３〜１□である。
ルブ（このパルス１亀である）が’Ｍ”レベルから°゛
０″０″レベルされ、同時に同一時間ｔ０で隣接する（
ｎ列目）電極ｒｌｌ、 ｌ ｓ２に゛′１″レベルのク
ロックパルスが加わるため、（ｎ−１１１列上りｎ列目
の方が市１位が低くなり、左側の垂ｉｉ ＣＣＩ）シフ
トレジスタの電極Ｓ、■に一時蓄積されていり尤ダイＡ
−ド１−１． （ｎ−１）、 １−２（ｎ−１）の電荷
Ｑ（ｎ １）、Ｑ’（ｎ−１）は、Ｋ位の低い１゛、
へ移動１２、さらによりｉ１４、位の低いＳ２下に流れ
込む（ｅｌ。流れ込む時間は’１３〜１□である。
前述の説明から分かるように転送ｅＩＩ′ｉ転送ｄとほ
ぼ同時間（ｔ７、〜’＋５ とｔ、４〜ｔ１５ ）に行
なわれ、同時（ｔ’ｓ）に完了する。この結果、（ｎ−
１，）列目す？よびｎ列目の光ダーイオードの信号をよ
、同列（ｎ）の電極Ｓ、下に並ぶことになる。
ぼ同時間（ｔ７、〜’＋５ とｔ、４〜ｔ１５ ）に行
なわれ、同時（ｔ’ｓ）に完了する。この結果、（ｎ−
１，）列目す？よびｎ列目の光ダーイオードの信号をよ
、同列（ｎ）の電極Ｓ、下に並ぶことになる。
時間’Ｉｓで手直ＣＣＩ）シフトレジスタ内の電極に電
荷転送用クロック″Ｍ、ｎ・ＩＩＱ、Ｎ。
荷転送用クロック″Ｍ、ｎ・ＩＩＱ、Ｎ。
′Ｍ、′・ＩＩＱ２１Ｆ、・・・・・・が加わると（１
１−１１列、ｎ列目の隣接する２列の光ダイＡ−ド信号
電荷は、同一時相１に、（ｎ＋１）列目、（ｎ−１−２
）列目・・・・・・と送られ、最終列の下に設けらＪま
た水平ＣＣＩ）シフトレジスタに、同時にプり込ｔｙｔ
イ）。
１−１１列、ｎ列目の隣接する２列の光ダイＡ−ド信号
電荷は、同一時相１に、（ｎ＋１）列目、（ｎ−１−２
）列目・・・・・・と送られ、最終列の下に設けらＪま
た水平ＣＣＩ）シフトレジスタに、同時にプり込ｔｙｔ
イ）。
ここで、例えば（１１−１）列目（偶数列） ｔｌ）Ｉ
ｉ＜け電荷ｉ−を水平ＣＣ１）シフトレジスタ３−１（
２１’Ｓ３図）内に、ｒ＋何列目奇数列）の信号用、荷
は３−２内に送り込１れ、隣接する２列（ｎ−１，ｎ）
の総ての尤ダイオードの信号電荷は、名水−＝Ｆ Ｃ（
川）シフトレジスタ内を同一時刻に同一行の’ｉｌｘ
Ｒｉ、へと転送される。従って、各水平ＣＣｌ）シフト
レジスタの串力には、各列の尤ダイオードの信号電荷を
同一時刻に取り出すことができる。以上の一連の動作は
各列、同時に進行する。さらに、市松状の構成のため、
例えば水平ｃ ｃ Ｉ）シフトレジスタ３−１にｂ偶数
列の電荷が入り、３−２には全数例の電荷が入る。
ｉ＜け電荷ｉ−を水平ＣＣ１）シフトレジスタ３−１（
２１’Ｓ３図）内に、ｒ＋何列目奇数列）の信号用、荷
は３−２内に送り込１れ、隣接する２列（ｎ−１，ｎ）
の総ての尤ダイオードの信号電荷は、名水−＝Ｆ Ｃ（
川）シフトレジスタ内を同一時刻に同一行の’ｉｌｘ
Ｒｉ、へと転送される。従って、各水平ＣＣｌ）シフト
レジスタの串力には、各列の尤ダイオードの信号電荷を
同一時刻に取り出すことができる。以上の一連の動作は
各列、同時に進行する。さらに、市松状の構成のため、
例えば水平ｃ ｃ Ｉ）シフトレジスタ３−１にｂ偶数
列の電荷が入り、３−２には全数例の電荷が入る。
一方、第２フイールドでは、第１フイールドの場合とは
逆に最初（時間ｔ７．）にタロツクパルスφ２の″ＩＨ
レベルが、次（Ｉｔｓ）にクロックパルスφ富の″１″
レベルが各電極に加えられる。
逆に最初（時間ｔ７．）にタロツクパルスφ２の″ＩＨ
レベルが、次（Ｉｔｓ）にクロックパルスφ富の″１″
レベルが各電極に加えられる。
この結果、ｔ７．〜ｔｚｓの期間に、ｎ列目の光ダイオ
ード１−ｚ（ｎ）、 ｌ−１（ｎ）に蓄積されていた
光信号電荷（この電荷は第１フイールドにおけるそれと
は別のものである。ｔ２１〜’２３の時間までには、ｔ
Ｐｊｌフィールドにおける電荷は、ｆ テＫ Ｍ 、
Ｎ 、 ｎ ｏ 、 ＃ 、 ” Ｍ 、Ｈ、’Ｉ
Ｏ、”９・・・・・・Ｍｍ”・０ｍ″の転送用クロッ
クにより水平ＣＣＩ）シフトレジスタへ送り込１れて馳
る）が電極Ｓ、下に流れ込む（この転送動作を第１フイ
ールドの場合と同様の記号ｃ、ｄで表わす）。
ード１−ｚ（ｎ）、 ｌ−１（ｎ）に蓄積されていた
光信号電荷（この電荷は第１フイールドにおけるそれと
は別のものである。ｔ２１〜’２３の時間までには、ｔ
Ｐｊｌフィールドにおける電荷は、ｆ テＫ Ｍ 、
Ｎ 、 ｎ ｏ 、 ＃ 、 ” Ｍ 、Ｈ、’Ｉ
Ｏ、”９・・・・・・Ｍｍ”・０ｍ″の転送用クロッ
クにより水平ＣＣＩ）シフトレジスタへ送り込１れて馳
る）が電極Ｓ、下に流れ込む（この転送動作を第１フイ
ールドの場合と同様の記号ｃ、ｄで表わす）。
次ニ、時間ｉｔｓでタロツクパルスφ、の″１″レベル
が加わることにより、Ｆ９〜ｔｔｓの期間に、ｎ −１
−１列目の光ダイオードの信号電荷Ｑ（ｎ＋ｔ）。
が加わることにより、Ｆ９〜ｔｔｓの期間に、ｎ −１
−１列目の光ダイオードの信号電荷Ｑ（ｎ＋ｔ）。
Ｑ’（ｎ＋１）が■１千１列目の電極Ｓ、下に流れ込む
（ａ’ ｌ ｂ’ ）。同時に、時間ｔｚｓでクロック
パルスφ２ （負のパルス）の“Ｍ”レベルは″０″ル
ベルに落とされ、この時ｎ ＋ １列目に印加されてい
るクロックφ、の電位は′”１”および′Ｍｎであるだ
め、ｎ＋１列目の電位がｎ列目より低くなり、右側の垂
直ＣＣＩ）シフトレジスタにおいてｎ列目の電極１３．
下に一時蓄積されていた電位は、ｎ＋１列目の電暖Ｓ、
下に転送される（ｅ′）。この結果、第２フイールドに
おいては、ｎ列目、ｎ＋１列目の光ダイオードの信号電
荷がｎ ＋ １列目の電極Ｓ、下に並ぶことになる。こ
れらの電荷は、時間ｔ２５から始まる転送用クロックパ
ルス゛ＮＭ、ＩＩパＯ１”、“Ｍ、”・Ｎ Ｏ，１″。
（ａ’ ｌ ｂ’ ）。同時に、時間ｔｚｓでクロック
パルスφ２ （負のパルス）の“Ｍ”レベルは″０″ル
ベルに落とされ、この時ｎ ＋ １列目に印加されてい
るクロックφ、の電位は′”１”および′Ｍｎであるだ
め、ｎ＋１列目の電位がｎ列目より低くなり、右側の垂
直ＣＣＩ）シフトレジスタにおいてｎ列目の電極１３．
下に一時蓄積されていた電位は、ｎ＋１列目の電暖Ｓ、
下に転送される（ｅ′）。この結果、第２フイールドに
おいては、ｎ列目、ｎ＋１列目の光ダイオードの信号電
荷がｎ ＋ １列目の電極Ｓ、下に並ぶことになる。こ
れらの電荷は、時間ｔ２５から始まる転送用クロックパ
ルス゛ＮＭ、ＩＩパＯ１”、“Ｍ、”・Ｎ Ｏ，１″。
・・・・・・” Ｍ ｍ ”・“Ｏｍ′″が垂直ＣＣＤ
シフトレジスタの各電極に加わると、同一時刻にｎ＋２
．ｎ＋３列目・・・・・・と送られ、例えばｎ列目（奇
数列）の信号電荷は水平ＣＣＤシフトレジスタ３−１（
第３図）内に、（ｎ＋１）列目（偶数列）の信号電荷は
水平ＣＣＵシフトレジスタ３−２内に送シ込まれる。
シフトレジスタの各電極に加わると、同一時刻にｎ＋２
．ｎ＋３列目・・・・・・と送られ、例えばｎ列目（奇
数列）の信号電荷は水平ＣＣＤシフトレジスタ３−１（
第３図）内に、（ｎ＋１）列目（偶数列）の信号電荷は
水平ＣＣＵシフトレジスタ３−２内に送シ込まれる。
以上説明した動作かられかるように、本発明の素子駆動
方式により、第１フイールドでは隣接した２列（ｎ−１
，ｎ列）の光ダイオードの信号電荷を一組として読み出
し、第２フイールｔ′では、第１フイールドとは１列ず
れた２列（ｎ、ｎ＋１列）の信号電荷を一紹七してＶδ
７み１１３ずことができる。そして、前ｑ７１ｓのよう
に、第１フイールドで転送された２列の信号電荷（ｎ−
１，ｎ列）のうち、ロー１列（偶数列）を水平ＣＣＵ
２−７トレジスタ（３−１）へ、ｎ列（奇数列）を３−
２へ送り込み、第２フイールドで転送された２タリの信
号電荷（ｎ、ｎ＋１列）のうち、ｎ列（奇数列）を水平
ＣＣＩ）Ｖ７トレジス、ｐ（３−ｔｌへ、ｎ −１−１
列（偶数列）を３−２へ送む。この、桔％ｉ５．各水平
ＣＣＤシフトレジスタ（３−１，３−２）へは、総ての
列の信号電荷が送出されることになる。すなわち、本発
明の駆動方式を採用することにより、第３図に示しだ如
き複数個の垂直ＣＣＤ／フトレジスタ（さらには水ゝ１
７．０ＣＩ）シフトレジスタ）を設けた素子を現実に駆
動することが可能となる。
方式により、第１フイールドでは隣接した２列（ｎ−１
，ｎ列）の光ダイオードの信号電荷を一組として読み出
し、第２フイールｔ′では、第１フイールドとは１列ず
れた２列（ｎ、ｎ＋１列）の信号電荷を一紹七してＶδ
７み１１３ずことができる。そして、前ｑ７１ｓのよう
に、第１フイールドで転送された２列の信号電荷（ｎ−
１，ｎ列）のうち、ロー１列（偶数列）を水平ＣＣＵ
２−７トレジスタ（３−１）へ、ｎ列（奇数列）を３−
２へ送り込み、第２フイールドで転送された２タリの信
号電荷（ｎ、ｎ＋１列）のうち、ｎ列（奇数列）を水平
ＣＣＩ）Ｖ７トレジス、ｐ（３−ｔｌへ、ｎ −１−１
列（偶数列）を３−２へ送む。この、桔％ｉ５．各水平
ＣＣＤシフトレジスタ（３−１，３−２）へは、総ての
列の信号電荷が送出されることになる。すなわち、本発
明の駆動方式を採用することにより、第３図に示しだ如
き複数個の垂直ＣＣＤ／フトレジスタ（さらには水ゝ１
７．０ＣＩ）シフトレジスタ）を設けた素子を現実に駆
動することが可能となる。
また、本実施例においては、２列の光グ・ｆオードの信
号電荷を２個の水平〇 ＣＩ）シフトレジスタに振り分
ける方法を説明したが、水子〇ＣＤシフトレジスタに３
相ＣＣＤシフトレジスタ等を使用すれば１個の水平ＣＣ
Ｄレジスタですむ。この用台は、２列の信号とも同一水
平ＣＣＩ）シフトレジスタ内を１順次転送されるので、
水・Ｆ−Ｃ（’： Ｊ）シフ）レジスタの出力部でサン
プリングを施ｒことに、しり、２列の信号電荷を各列毎
の時系列信号に分離すればよい。
号電荷を２個の水平〇 ＣＩ）シフトレジスタに振り分
ける方法を説明したが、水子〇ＣＤシフトレジスタに３
相ＣＣＤシフトレジスタ等を使用すれば１個の水平ＣＣ
Ｄレジスタですむ。この用台は、２列の信号とも同一水
平ＣＣＩ）シフトレジスタ内を１順次転送されるので、
水・Ｆ−Ｃ（’： Ｊ）シフ）レジスタの出力部でサン
プリングを施ｒことに、しり、２列の信号電荷を各列毎
の時系列信号に分離すればよい。
第４図に示した、駆動パルスは”ビ＋ 、 ｔ＋ Ｎ、
、 ｕ。
、 ｕ。
０”の３１同レベルを備えているが、第７図ＩＦＣｊく
したように、撮像素子の転送グー＋７−１．７−２を垂
ＩσＣＣＩ）シフトレジスタ２−１．２−２を構成する
電極とは別の′１４１．極で構成する用台にｔ、１：
。
したように、撮像素子の転送グー＋７−１．７−２を垂
ＩσＣＣＩ）シフトレジスタ２−１．２−２を構成する
電極とは別の′１４１．極で構成する用台にｔ、１：
。
第６図に示した様な’ｉ”、”ｏ”レベルの２個のレベ
ルを備えた駆動パルスとなる。本パルス系においても、
本発明の駆動方式の骨子となっている２相のクロックパ
ルスの各フィールドにおける位相関係は、第４図の場合
と全く同じである。
ルを備えた駆動パルスとなる。本パルス系においても、
本発明の駆動方式の骨子となっている２相のクロックパ
ルスの各フィールドにおける位相関係は、第４図の場合
と全く同じである。
ｐ Ｉｅ Ｉ” ｔは転送ゲルドアー１．７−２を開閉
する転送ゲートパルスで、第４図における２相駆動ハル
ｙ、ｔｙ） ” ｉ ”レベルに相当している。パルス
Ｆ、 、 Ｆ、の周期は、フィールド周波数（通常５０
Ｈ２または６０Ｈ２）に等しく、パルスＦ。
する転送ゲートパルスで、第４図における２相駆動ハル
ｙ、ｔｙ） ” ｉ ”レベルに相当している。パルス
Ｆ、 、 Ｆ、の周期は、フィールド周波数（通常５０
Ｈ２または６０Ｈ２）に等しく、パルスＦ。
の′１“レベルは第１フイールドの出発点ｔｌｏから１
．だけ遅れ、パルスＦ、のＩＴ 、 ｊｌレベルは’１
０からｔｌシだけ遅れて発生する。寸だ第２フイールド
では、パルスＦ、の”１”レベルは出発点ｔｗｏから（
／ｄだけ、パルスＦ２の”１″レベルは出発点ｔｗｏか
ら１．だけ遅れて発生する。これらパルスＦＩ＋Ｆ２
も前述と同様、垂直帰線期間内（ＴＢＬ）に納められ、 ’Ｊ’ｌｌｔ、＞ｔｄ＋φ ／、＋φｔ’ｗ−・・・Ｃ
２）なる関係を満たす必要がある（通常、φＩｗとφ；
Ｗは等しくとるのがパルス制作上便利である）。さらに
、φ１ ′、φ、′は垂直ＣＣＩ）シフトレジスタの？
［Ｓ、Ｔを駆動するクロックパルスである。７−１．７
−２は各々、光ダイオード１−１および１−２に蓄積さ
れた信号電荷を対応する垂ｉＫ ＣＣＤシフトレジスタ
２−１および２−２に送り込む転送ゲートであり、例え
ば電極Ｓ、Ｔが第１／１ｉｔ′＃、−よび第２層の多結
晶シリコンで形成される場合、転送ゲート７−１．７−
２は第３Ｉｆ１目の多結晶シリコンで形成すればよく、
そのレイアウト形状は、第７図に一点鎖線で示したよう
な縦に走る棒状（ストライプ状）のパターンとなる。
．だけ遅れ、パルスＦ、のＩＴ 、 ｊｌレベルは’１
０からｔｌシだけ遅れて発生する。寸だ第２フイールド
では、パルスＦ、の”１”レベルは出発点ｔｗｏから（
／ｄだけ、パルスＦ２の”１″レベルは出発点ｔｗｏか
ら１．だけ遅れて発生する。これらパルスＦＩ＋Ｆ２
も前述と同様、垂直帰線期間内（ＴＢＬ）に納められ、 ’Ｊ’ｌｌｔ、＞ｔｄ＋φ ／、＋φｔ’ｗ−・・・Ｃ
２）なる関係を満たす必要がある（通常、φＩｗとφ；
Ｗは等しくとるのがパルス制作上便利である）。さらに
、φ１ ′、φ、′は垂直ＣＣＩ）シフトレジスタの？
［Ｓ、Ｔを駆動するクロックパルスである。７−１．７
−２は各々、光ダイオード１−１および１−２に蓄積さ
れた信号電荷を対応する垂ｉＫ ＣＣＤシフトレジスタ
２−１および２−２に送り込む転送ゲートであり、例え
ば電極Ｓ、Ｔが第１／１ｉｔ′＃、−よび第２層の多結
晶シリコンで形成される場合、転送ゲート７−１．７−
２は第３Ｉｆ１目の多結晶シリコンで形成すればよく、
そのレイアウト形状は、第７図に一点鎖線で示したよう
な縦に走る棒状（ストライプ状）のパターンとなる。
信号電荷の転送タイミングは、第４図、第５図の実施例
場合と本質的には同じであるが、以下、本実施例（第２
の実施例）の駆動方式の動作について簡単に説明してお
く。第１フイールドにおいて、時間ｉｌｌ〜”Ｉｔの期
間に信号電荷Ｑ（ｎ−１） 、 Ｑ” （ｎ−１）は、
”ｌ ｂｆ：ｕ由し−Ｃｎ−１列目の電ＭＳ、下に流
れ込む。時間’ｌ〜ｔＩ５の期間に電荷Ｑ’（ｎ）、Ｃ
，１，Ｃ１１）はｃ、ｄを経由してｎ列目の１！極Ｓ２
下に流れ込む。この時（’１３〜ｔ１５ ）同時にｎ
−１列目電極Ｓ、下に一時蓄積されていた電荷Ｑ（ｎ−
ｘ）、Ｑ、’（１１−１）はｅを経由してｎ列目の′電
極Ｓ、下に転送される。この結果、第１フイールドの時
間ｔｌｌ＋にはｎ −１列目とｎ列目の信号電下が、同
一列（ｎ列）の電極Ｓｔ下に並び、その後、タロツクパ
ルスφ１．φ、により垂１ｃＣＤシフトレジスタの各列
電極を経て順次転送される。第２フイールドでは、’２
１〜ｔｔｓの期間に、信号Ｔ（Ｌ荷Ｑ（ｎ）、Ｑ′ （
ｎ）（第１フイールドの信号とは別のもの）はｃ、ｄを
経１ｔ−１ｔ、て０列１］の電極８２下に流れ込む。’
２３〜’２５の期間に信号電荷。
場合と本質的には同じであるが、以下、本実施例（第２
の実施例）の駆動方式の動作について簡単に説明してお
く。第１フイールドにおいて、時間ｉｌｌ〜”Ｉｔの期
間に信号電荷Ｑ（ｎ−１） 、 Ｑ” （ｎ−１）は、
”ｌ ｂｆ：ｕ由し−Ｃｎ−１列目の電ＭＳ、下に流
れ込む。時間’ｌ〜ｔＩ５の期間に電荷Ｑ’（ｎ）、Ｃ
，１，Ｃ１１）はｃ、ｄを経由してｎ列目の１！極Ｓ２
下に流れ込む。この時（’１３〜ｔ１５ ）同時にｎ
−１列目電極Ｓ、下に一時蓄積されていた電荷Ｑ（ｎ−
ｘ）、Ｑ、’（１１−１）はｅを経由してｎ列目の′電
極Ｓ、下に転送される。この結果、第１フイールドの時
間ｔｌｌ＋にはｎ −１列目とｎ列目の信号電下が、同
一列（ｎ列）の電極Ｓｔ下に並び、その後、タロツクパ
ルスφ１．φ、により垂１ｃＣＤシフトレジスタの各列
電極を経て順次転送される。第２フイールドでは、’２
１〜ｔｔｓの期間に、信号Ｔ（Ｌ荷Ｑ（ｎ）、Ｑ′ （
ｎ）（第１フイールドの信号とは別のもの）はｃ、ｄを
経１ｔ−１ｔ、て０列１］の電極８２下に流れ込む。’
２３〜’２５の期間に信号電荷。
（ｎ−ｌ−１） 、 Ｑ’ （ｆｌ−ト１ ）ｉａ’
、ｂ’ を経由して１１＋１列目のｆｌｌ、ｉ執８１
下に流れ込み、同時に、ｎ列目電極Ｓ、下に一時蓄積さ
れでいた由、荷。′（ｎ ） 、 Ｑ、 （Ｈ）はＱ′
を経由して１１千１列目の電徐Ｓ１ゴに転送される。第
２フイールドの時間ｔ、には、ｎ列目とｎ ＋ １列目
の１８号′市荷が同一列（ｎ千１列）のｔ、Ｉ＋ Ｓ
、下に並ひ、続いて、クロックバルンφＩ＋ φ、によ
り垂直ＣＣＤシフトレジスタの各列電極を経で、水平Ｃ
Ｃｌ） ソフトレジスタの方に向けて順次転送されるこ
とになる。
、ｂ’ を経由して１１＋１列目のｆｌｌ、ｉ執８１
下に流れ込み、同時に、ｎ列目電極Ｓ、下に一時蓄積さ
れでいた由、荷。′（ｎ ） 、 Ｑ、 （Ｈ）はＱ′
を経由して１１千１列目の電徐Ｓ１ゴに転送される。第
２フイールドの時間ｔ、には、ｎ列目とｎ ＋ １列目
の１８号′市荷が同一列（ｎ千１列）のｔ、Ｉ＋ Ｓ
、下に並ひ、続いて、クロックバルンφＩ＋ φ、によ
り垂直ＣＣＤシフトレジスタの各列電極を経で、水平Ｃ
Ｃｌ） ソフトレジスタの方に向けて順次転送されるこ
とになる。
な督、合までの説明は、ＣＣＤ撮像素子の中でも集積度
の高いインターライン型を対象にして行ってきたが、本
発明の趣旨を絨えない範囲でもう１つの型式であるフレ
ームトランスファー型にも本発明を適用できることは自
明である。また、光性非晶質薄膜と積層する二階建状の
啜像七子の場合にも、本発明は基板の駆動万代としてぞ
の寸ま適用でき、この場ばには上記の実施例において尤
ダイオードを光碑電Ｒ膜素子で置き換えれば上い。
の高いインターライン型を対象にして行ってきたが、本
発明の趣旨を絨えない範囲でもう１つの型式であるフレ
ームトランスファー型にも本発明を適用できることは自
明である。また、光性非晶質薄膜と積層する二階建状の
啜像七子の場合にも、本発明は基板の駆動万代としてぞ
の寸ま適用でき、この場ばには上記の実施例において尤
ダイオードを光碑電Ｒ膜素子で置き換えれば上い。
以上、実施例を用いて詳細に説明したように、本発明の
駆動方法によれは、フィールド毎に１列ずれた１組の光
７毬駕換素子群を走介するインタレース方式を備えたＣ
ＣＤへ１）、固体撮像素子を現実に駆動させることが
できる。この結果、従来素子の問題点とされていたフィ
ード残像の発生をＩＸ８市でき、そのうえ、カラー素子
においてはＭ１象世の向上、混色の発生を防止できる等
、画質の春しい改善をはかることができる。
駆動方法によれは、フィールド毎に１列ずれた１組の光
７毬駕換素子群を走介するインタレース方式を備えたＣ
ＣＤへ１）、固体撮像素子を現実に駆動させることが
できる。この結果、従来素子の問題点とされていたフィ
ード残像の発生をＩＸ８市でき、そのうえ、カラー素子
においてはＭ１象世の向上、混色の発生を防止できる等
、画質の春しい改善をはかることができる。
第１図はＣＣＤｌ７）動作原理を示す図、第２図は従来
のＣＣＤ型像像素子の構成を示す図、第３図は本発明の
駆動方法を適用する、フィールド毎に１列ずれた２列１
組を走査するインタレース方式を採用（７た改良型ＣＣ
Ｉ）考子のＪ、Ｊ成概念を示す図、第４図（・」第３回
の素子概念を実現するだめの本発明のｙＨ動方式を示す
図、第５図は第３図に示した構成の平面レイ丁１７トの
一例をボず図、第６図は第４図と；・よ別の実施例の本
発明の、も動刃式を示す図、第７図は第５図とｔよ別の
第：３図に示した繊成概念の平面レイアウトを示す図で
ちろう１・・・）ｔダイオ−ド、２・・・垂直ＣＣＤシ
フトレジスタ、３・・・水平ＣＣＶ）／フトレジスタ、
４．７・・・転送ゲート、訃・・絶縁分離帯、６・・・
転送方向を示す矢印、φ３．φ、・・・クロックバルン
：５ｉ−兼用した転ｆ ゲー） パルス、ＰＩ ｒ ｒ
；”、・・・ｋｇ＞’ ケートパルス、φ１′、φ２′
・・・クロックパルス、Ｓ・・・蓄ＰＳ Ｎ 極、Ｔ・
・・転送′）ｉ ノ！収（＾（１１）・・・ｎ列目の尤
ダイオード４１４ 第 １（２］ 第 ２ 図 下Ｉ羽羽ｍ汗・ 第 ３ 区
のＣＣＤ型像像素子の構成を示す図、第３図は本発明の
駆動方法を適用する、フィールド毎に１列ずれた２列１
組を走査するインタレース方式を採用（７た改良型ＣＣ
Ｉ）考子のＪ、Ｊ成概念を示す図、第４図（・」第３回
の素子概念を実現するだめの本発明のｙＨ動方式を示す
図、第５図は第３図に示した構成の平面レイ丁１７トの
一例をボず図、第６図は第４図と；・よ別の実施例の本
発明の、も動刃式を示す図、第７図は第５図とｔよ別の
第：３図に示した繊成概念の平面レイアウトを示す図で
ちろう１・・・）ｔダイオ−ド、２・・・垂直ＣＣＤシ
フトレジスタ、３・・・水平ＣＣＶ）／フトレジスタ、
４．７・・・転送ゲート、訃・・絶縁分離帯、６・・・
転送方向を示す矢印、φ３．φ、・・・クロックバルン
：５ｉ−兼用した転ｆ ゲー） パルス、ＰＩ ｒ ｒ
；”、・・・ｋｇ＞’ ケートパルス、φ１′、φ２′
・・・クロックパルス、Ｓ・・・蓄ＰＳ Ｎ 極、Ｔ・
・・転送′）ｉ ノ！収（＾（１１）・・・ｎ列目の尤
ダイオード４１４ 第 １（２］ 第 ２ 図 下Ｉ羽羽ｍ汗・ 第 ３ 区
Claims (1)
- １、同一半導体基板上に光学情報を取出す光電変換素子
群、該素子群に蓄潰された光信号電荷を順次転送する複
数列の垂直ＣＣＪ）シフトレジスタ、該光′ｒ４ｆ、変
換素子群と該垂直シフトレジスタを結ぶ転送ゲート群お
よび単一あるいは複数々りの水平ＣＣＩ）ジットレジス
タを集債比し、かつフィールド毎に１列ずれた２列１組
を走部するインタレース方式を採用したＣＣＤ型固体撮
像素子において、垂直帰線期間の中に、汀＜ ＩＦ、−
よび第２の開閉パルスを設け、第１パルスは第１フイー
ルドでは時間遅れがなく、第２フイールドでは該第２パ
ルスに対し７て該；ｐ、２パルス幅だけ遅延され、第２
パルスは第１フイールドでは該第１パルスに対して該第
１パルスのパルス幅だけ遅延され、第２フイールドでは
時間遅れのないようにして、両パルスにより該転送ゲー
トを開閉し、該信号電荷を順次転送することを特徴とす
る固体撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57141115A JPS5932264A (ja) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | 固体撮像素子の駆動方法 |
| CA000424057A CA1199400A (en) | 1982-04-07 | 1983-03-21 | Solid-state imaging device |
| EP83103316A EP0091120A3 (en) | 1982-04-07 | 1983-04-05 | Solid-state imaging device |
| KR1019830001407A KR890005237B1 (ko) | 1982-04-07 | 1983-04-06 | 고체촬상소자 및 그 구동방법 |
| US06/482,791 US4514766A (en) | 1982-04-07 | 1983-04-07 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57141115A JPS5932264A (ja) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932264A true JPS5932264A (ja) | 1984-02-21 |
Family
ID=15284504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57141115A Pending JPS5932264A (ja) | 1982-04-07 | 1982-08-16 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932264A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127275A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Hitachi Ltd | 電荷結合形撮像素子の駆動方法 |
| JPS63114473A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Nec Corp | 電荷結合撮像素子とその駆動方法 |
| US6160580A (en) * | 1996-09-25 | 2000-12-12 | Nec Corporation | CCD image sensor having two-layered electrode structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5390721A (en) * | 1977-01-20 | 1978-08-09 | Sony Corp | Solid pickup element |
| JPS5441017A (en) * | 1977-09-08 | 1979-03-31 | Sony Corp | Solid color image pickup device |
-
1982
- 1982-08-16 JP JP57141115A patent/JPS5932264A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5390721A (en) * | 1977-01-20 | 1978-08-09 | Sony Corp | Solid pickup element |
| JPS5441017A (en) * | 1977-09-08 | 1979-03-31 | Sony Corp | Solid color image pickup device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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