JPS5933826A - マスク形成方法およびこれに用いる電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
マスク形成方法およびこれに用いる電子ビ−ム露光装置Info
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- JPS5933826A JPS5933826A JP57144443A JP14444382A JPS5933826A JP S5933826 A JPS5933826 A JP S5933826A JP 57144443 A JP57144443 A JP 57144443A JP 14444382 A JP14444382 A JP 14444382A JP S5933826 A JPS5933826 A JP S5933826A
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- Japan
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- vacuum
- electron beam
- torr
- beam exposure
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマスク形成方法およびこれに用いる電子ビーム
露光装置に関するものである。
露光装置に関するものである。
２ベーパ
従来例の構成とその問題点
半導体素子の集積化に供ない、マスク製作のために電子
ビーム露光装置が用いられるようになった。ネガ形電子
ビームレジストは、一般に解像度が低い。しかも、露光
後真空中で反応が進行することによって生じる後重合効
果により、マスク面内でのパターン幅が変化する。この
反応は真空中より大気中に取り出すことにより停止する
ことができる。
ビーム露光装置が用いられるようになった。ネガ形電子
ビームレジストは、一般に解像度が低い。しかも、露光
後真空中で反応が進行することによって生じる後重合効
果により、マスク面内でのパターン幅が変化する。この
反応は真空中より大気中に取り出すことにより停止する
ことができる。
電子ビーム露光装置は第１図に示すように本体室１．お
よび予備排気室２から々る。さらにマスク形成基板の出
し入れの作業性を向上させるために本体室１と予備排気
室２との間でマスク基板を自動的に出し入れするオート
ローダ装置３が取り付けられている。予備排気室２にあ
らかじめ一定枚数のマスク基板を格納し、オートローダ
装置３を用いて露光装置本体室１内に１板のマスク基板
を送り、露光終了後予備排気室２内のマスク基板と交換
する。ここで、４は電子線源、５は照明レンズ、６はビ
ーム形状可変レンズ、７は縮小レン３ ：＜’ ズ、８は投影レンズ、９−：位置偏向電極である。
よび予備排気室２から々る。さらにマスク形成基板の出
し入れの作業性を向上させるために本体室１と予備排気
室２との間でマスク基板を自動的に出し入れするオート
ローダ装置３が取り付けられている。予備排気室２にあ
らかじめ一定枚数のマスク基板を格納し、オートローダ
装置３を用いて露光装置本体室１内に１板のマスク基板
を送り、露光終了後予備排気室２内のマスク基板と交換
する。ここで、４は電子線源、５は照明レンズ、６はビ
ーム形状可変レンズ、７は縮小レン３ ：＜’ ズ、８は投影レンズ、９−：位置偏向電極である。
この方式でｄ：、露光終了後マスク基板は長時間予備排
気室２の真空中に放置されることに々リネガ形レジスト
を用いる場合には後重合効果によるパターン幅の変化が
著しい。これを防雨するためには、従来、予備排気室を
大気圧（７６０Ｔｏｒｒ ）にリークさせていた。しか
しそのために排気回数の増加、大気圧から再度高真空に
到達させるだめの排気時間が数分間を要すという排気時
間の増加及びそれに供なう装置の不安定性増大が避けら
れない。従って、オートローダ装置つき電子ビーム露光
装置に適したネガ形レジストパターン幅制御方法が望ま
れていた。
気室２の真空中に放置されることに々リネガ形レジスト
を用いる場合には後重合効果によるパターン幅の変化が
著しい。これを防雨するためには、従来、予備排気室を
大気圧（７６０Ｔｏｒｒ ）にリークさせていた。しか
しそのために排気回数の増加、大気圧から再度高真空に
到達させるだめの排気時間が数分間を要すという排気時
間の増加及びそれに供なう装置の不安定性増大が避けら
れない。従って、オートローダ装置つき電子ビーム露光
装置に適したネガ形レジストパターン幅制御方法が望ま
れていた。
発明の目的
本発明は上記欠点にかんがみなされたもので、パターン
幅の変化をきたずことなくマスク形成が出来るマスク形
成方法及びこれに用いる電子ビーム露光装置を提供せん
とするものである。
幅の変化をきたずことなくマスク形成が出来るマスク形
成方法及びこれに用いる電子ビーム露光装置を提供せん
とするものである。
発明の構成
本発明は、真空度か１０ Ｔｏｒｒ以上の高真空に保
たれた予備排気室へ試オ・１を取り出し／こ後、一定時
間後に真空度を下げて比較的高い真空度すなわぢ０．○
Ｉ Ｔｏｒｒより５ ＴｏｒｒＯ間に保つ。さらＶこそ
の後再び１０ Ｔｏｒｒ以−にの高真空に戻すことを
基本操作とするマスク形成方法とそれに用いる電子ビー
ム露光装置である。すなわち、本発明は予備排気室の圧
力を大気圧にしなくても、必要な酸素を供給すれば後重
合効果を防１１−出来ることにかんがみなされたもので
ある。
たれた予備排気室へ試オ・１を取り出し／こ後、一定時
間後に真空度を下げて比較的高い真空度すなわぢ０．○
Ｉ Ｔｏｒｒより５ ＴｏｒｒＯ間に保つ。さらＶこそ
の後再び１０ Ｔｏｒｒ以−にの高真空に戻すことを
基本操作とするマスク形成方法とそれに用いる電子ビー
ム露光装置である。すなわち、本発明は予備排気室の圧
力を大気圧にしなくても、必要な酸素を供給すれば後重
合効果を防１１−出来ることにかんがみなされたもので
ある。
実施例の説明
以下（Ｃ本発明の実施例を第２図に基づいて説明する。
第２図に］、、−いて、第１図と同一番号にニ同一部分
を示す。オートローダつき予備排気室２に電磁パルプ１
０を介してバリアプルリークバルブ１１を取り伺ける。
を示す。オートローダつき予備排気室２に電磁パルプ１
０を介してバリアプルリークバルブ１１を取り伺ける。
ネガ形レジストとしてポリグリシジルメタアクリレート
（ＰＧＭＡ）を用い、試別交換後３０分後に電磁バルブ
１０を開けて、バリアプルリークバルブ１１の調節によ
り予備排気室２の真空度を０２ガス丑たけ空気容器１２
から気体をフローすると、とて０．Ｉ Ｔｏｒｒにする
。１分後に５ペー、゛ 再ひ電磁パルプ１０を閉じて予備刊気室２を１Ｏ−３Ｔ
ｏｒｒ以」二の高真空にする。この操作によりＰ ＧＭ
Ａレジストにおける後重合の進行は、露光３０分後に真
空度が０，１Ｔｏｒｒになった時点で停止する。
（ＰＧＭＡ）を用い、試別交換後３０分後に電磁バルブ
１０を開けて、バリアプルリークバルブ１１の調節によ
り予備排気室２の真空度を０２ガス丑たけ空気容器１２
から気体をフローすると、とて０．Ｉ Ｔｏｒｒにする
。１分後に５ペー、゛ 再ひ電磁パルプ１０を閉じて予備刊気室２を１Ｏ−３Ｔ
ｏｒｒ以」二の高真空にする。この操作によりＰ ＧＭ
Ａレジストにおける後重合の進行は、露光３０分後に真
空度が０，１Ｔｏｒｒになった時点で停止する。
なお、この真空度から１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以上の高真空を
再現するには数捗〜十数秒で可能である。
再現するには数捗〜十数秒で可能である。
この後重合効果の停止回、次の実験結果に基づいている
。すなわちマスク基板にｏ、５１皿厚のＰ ＣｉＭＡレ
ジストを塗布後、０ 、５１１ ｃ ／ ｃｔｙｆの露
光騎で露光。
。すなわちマスク基板にｏ、５１皿厚のＰ ＣｉＭＡレ
ジストを塗布後、０ 、５１１ ｃ ／ ｃｔｙｆの露
光騎で露光。
現像後膜厚を測定した。試料＃１は露光後すぐに真空よ
り大気中に取り出したもの、試料＃２は露光後１０時間
１０ Ｔｏｒｒ以」二の真空中に放置したもの、試別＃
３〜６は露光後酸素（０２）または空気を導入して、真
空度を低下させて１分間放置後１０時間１０−’Ｔｏｒ
ｒ以上の真空中に放置したものである。結果を以下に示
す。
り大気中に取り出したもの、試料＃２は露光後１０時間
１０ Ｔｏｒｒ以」二の真空中に放置したもの、試別＃
３〜６は露光後酸素（０２）または空気を導入して、真
空度を低下させて１分間放置後１０時間１０−’Ｔｏｒ
ｒ以上の真空中に放置したものである。結果を以下に示
す。
試料 ＃１ ０．２５７１ｍ（膜厚
）＃２ ０．３５μｍ（膜厚）＃
３ 真空度 ５ Ｔｏｒｒ ｏ、２ｔｓｌ１ｍ （膜
厚）＃４ 真空度０．１Ｔｏｒｒ ０．２Ｂｐｍ（膜
厚）６弓−゛ ＃５ 真空度 ０．０１ Ｔｏｒｒ ０．２５１１ｍ
（膜厚）＃６ 真空度０．００５Ｔｏｒｒ ０．３
μｍ （ＩＩ＠厚）この実験結果から、真空度を０
．○１Ｔｏｒｒより低くすれば後重合反応は大気圧にリ
ークすることなく停止］二できることがわかる。
）＃２ ０．３５μｍ（膜厚）＃
３ 真空度 ５ Ｔｏｒｒ ｏ、２ｔｓｌ１ｍ （膜
厚）＃４ 真空度０．１Ｔｏｒｒ ０．２Ｂｐｍ（膜
厚）６弓−゛ ＃５ 真空度 ０．０１ Ｔｏｒｒ ０．２５１１ｍ
（膜厚）＃６ 真空度０．００５Ｔｏｒｒ ０．３
μｍ （ＩＩ＠厚）この実験結果から、真空度を０
．○１Ｔｏｒｒより低くすれば後重合反応は大気圧にリ
ークすることなく停止］二できることがわかる。
発明の効果
以」二に述べたように本発明は通常、真空度が１０
Ｔｏｒｒ以上の高真空に保たれ、電子ビニム露光装置本
体室１より予備排気室２へ試料を取り出した後、一定時
間後に真空度が低下して０．○ＩＴｏｒｒより５Ｔｏｒ
ｒの間に保たれ、その後再び１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以上の高
真空に戻すことを操作の基本とするマスク形成方法およ
び電子ヒーム露光装置である。従って本発明の方法およ
び装置を用いることにより、予備排気室２を大気圧まで
リークすることなくネガレジストの後重合反応を停止で
きるため排気回数、排気時間の減少とそれに供なう装置
の安定化が可能である。
Ｔｏｒｒ以上の高真空に保たれ、電子ビニム露光装置本
体室１より予備排気室２へ試料を取り出した後、一定時
間後に真空度が低下して０．○ＩＴｏｒｒより５Ｔｏｒ
ｒの間に保たれ、その後再び１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以上の高
真空に戻すことを操作の基本とするマスク形成方法およ
び電子ヒーム露光装置である。従って本発明の方法およ
び装置を用いることにより、予備排気室２を大気圧まで
リークすることなくネガレジストの後重合反応を停止で
きるため排気回数、排気時間の減少とそれに供なう装置
の安定化が可能である。
第１図は従来の電子ビーム露光装置を示す概略７メー゛
′ 図、第２図は本発明の電子ビーム露光装置を示す概略図
である。 １・・・・・・本体室、２・・・・・・予備排気室、３
・・・・・・オートロータ装置、１０・・・・電磁バル
ブ、１１・・・・バリアプルリークバルブ、１２ ・・
・０２ガスまたは空気容器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
′ 図、第２図は本発明の電子ビーム露光装置を示す概略図
である。 １・・・・・・本体室、２・・・・・・予備排気室、３
・・・・・・オートロータ装置、１０・・・・電磁バル
ブ、１１・・・・バリアプルリークバルブ、１２ ・・
・０２ガスまたは空気容器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (2)
- （１）真空度が１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以−１−の高真空内で
マスク基板を電子ビーム露光したのち、前記マスク基板
を前記高真空室に隣接した予備排気室へ移動した後、前
記予備排気室に酸素もしくは空気を導いて０．○１Ｔｏ
ｒｒ〜５Ｔｏｒｒの真空度に保つ工程をそなえたマスク
形成方法。 - （２）電子ビーム露光手段と、マスク基板を配備し得る
高真空室と、前記高真空室に隣接して前記マスク基板を
格納し得る予備排気室と、前記予備排気室を露光後の前
記マスク基板を置いた状態で０．０１ Ｔｏｒｒ〜６Ｔ
ｏｒｒの酸素もしくは空気圧に保持する排気手段をそな
えた電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144443A JPS5933826A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | マスク形成方法およびこれに用いる電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144443A JPS5933826A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | マスク形成方法およびこれに用いる電子ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933826A true JPS5933826A (ja) | 1984-02-23 |
Family
ID=15362332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57144443A Pending JPS5933826A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | マスク形成方法およびこれに用いる電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933826A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01127890A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | セラミックファイバーモジュールによる窯炉の内張構造 |
-
1982
- 1982-08-19 JP JP57144443A patent/JPS5933826A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01127890A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | セラミックファイバーモジュールによる窯炉の内張構造 |
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