JPS5934124A - 赤外線リニアアレイ素子 - Google Patents
赤外線リニアアレイ素子Info
- Publication number
- JPS5934124A JPS5934124A JP57145056A JP14505682A JPS5934124A JP S5934124 A JPS5934124 A JP S5934124A JP 57145056 A JP57145056 A JP 57145056A JP 14505682 A JP14505682 A JP 14505682A JP S5934124 A JPS5934124 A JP S5934124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- elements
- pyroelectric
- linear array
- array element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は熱センサとして用いる焦電形赤外線リニアアレ
イ素子に関する。
イ素子に関する。
従来例の構成とその問題点
焦電形赤外線検出器は熱センサであるので、材料の熱伝
導、支持方法等によって感度が変る。従ってより高感度
にするには支持体を中空支持体にすることにより伝導に
よる熱の逃げをおさえることが行なわれている。この支
持構成においても一次元リニアアレイや二次元センサを
構成する時、焦電材上の電極のみを分離するだけでは材
料の横方向の熱拡散がおさえきれず、横方向の像のボケ
を生じる。
導、支持方法等によって感度が変る。従ってより高感度
にするには支持体を中空支持体にすることにより伝導に
よる熱の逃げをおさえることが行なわれている。この支
持構成においても一次元リニアアレイや二次元センサを
構成する時、焦電材上の電極のみを分離するだけでは材
料の横方向の熱拡散がおさえきれず、横方向の像のボケ
を生じる。
このボケをなくするためには焦電材料にレーザー等を用
いて溝を形成して熱分離する方法もあるが完全に切断し
て分離した方が望ましい。ところがこの場合、分離した
切断個所から入射赤外光が入りこみ支持体をとりつけで
ある面より反射してきて、必要以外の素子の裏面や側面
より入力して熱像がボケる原因となる。この様子を第１
図、第２図に示す。中空支持体１２上に多数の焦電素子
１１が並列して接着されているリニアアレイにおいて、
第２図に示すように完全分離された切断個所から入射す
る赤外光２５を考える。リニアアレイのピッチを１００
μ、切断ギャップを２０μ位にすることは可能であるの
で、この２０μのギヤツブから入射する赤外線はほぼ波
長と同程度のスリットを通ることになり回折を起し、こ
のギャップを通った後各方向に散乱される。この赤外光
が下の取付面２４により反射し、その反射光２６が隣接
素子ばかりでなく、かなシはなれた素子の裏面電極２３
、または側面より入力して影響を及ぼし、分解能を悪く
する原因となる。
いて溝を形成して熱分離する方法もあるが完全に切断し
て分離した方が望ましい。ところがこの場合、分離した
切断個所から入射赤外光が入りこみ支持体をとりつけで
ある面より反射してきて、必要以外の素子の裏面や側面
より入力して熱像がボケる原因となる。この様子を第１
図、第２図に示す。中空支持体１２上に多数の焦電素子
１１が並列して接着されているリニアアレイにおいて、
第２図に示すように完全分離された切断個所から入射す
る赤外光２５を考える。リニアアレイのピッチを１００
μ、切断ギャップを２０μ位にすることは可能であるの
で、この２０μのギヤツブから入射する赤外線はほぼ波
長と同程度のスリットを通ることになり回折を起し、こ
のギャップを通った後各方向に散乱される。この赤外光
が下の取付面２４により反射し、その反射光２６が隣接
素子ばかりでなく、かなシはなれた素子の裏面電極２３
、または側面より入力して影響を及ぼし、分解能を悪く
する原因となる。
発明の目的
本発明はこのような切断ギャップから入射する赤外光の
散乱による分解能の低下を除去せんとするものである。
散乱による分解能の低下を除去せんとするものである。
発明の構成
本発明は互に分離された複数の焦電素子を中空支持体に
線状に配列し、中空支持体の底面又は取付面を黒化した
構成の赤外線リニアアレイ素子である。
線状に配列し、中空支持体の底面又は取付面を黒化した
構成の赤外線リニアアレイ素子である。
実施例の説明
以下本発明の一実施例を詳細に説明する。
第３図は本発明による赤外・肖りニアアレイ素子の実施
例の第２図に対応する断面図である。図において、２１
は焦電材料、２２は赤外吸収電極、２８は赤外反射電極
で、これらにより焦電素子１１が構成される。この焦電
素子１１は支持体１２にとりつけられ、これを更にセラ
ミックパッケージ等に取付ける。
例の第２図に対応する断面図である。図において、２１
は焦電材料、２２は赤外吸収電極、２８は赤外反射電極
で、これらにより焦電素子１１が構成される。この焦電
素子１１は支持体１２にとりつけられ、これを更にセラ
ミックパッケージ等に取付ける。
この場合、取付面２４は通常セラミックのｉｔか、金メ
タライズされている。特に金メタライズによシミ極結線
している場合は取付面が乱反射面となシ、クロストーク
の原因となる。従ってこの取付面２４を放射率の十分に
大きな材料、例えばアクア・ダックベルベット・コーテ
ィングの様な黒化剤２７で覆い、放射率を１または１に
近い面を形成する。
タライズされている。特に金メタライズによシミ極結線
している場合は取付面が乱反射面となシ、クロストーク
の原因となる。従ってこの取付面２４を放射率の十分に
大きな材料、例えばアクア・ダックベルベット・コーテ
ィングの様な黒化剤２７で覆い、放射率を１または１に
近い面を形成する。
このような構成によれば、各素子１１のギャップから入
射した赤外光は黒化剤２７で吸収され、他の素子にもれ
ることはなくなる。また仮に少量もれたとしても、赤外
反射電極２日により反射され、素子１１に入射してクロ
ストークを生ずることはない。
射した赤外光は黒化剤２７で吸収され、他の素子にもれ
ることはなくなる。また仮に少量もれたとしても、赤外
反射電極２日により反射され、素子１１に入射してクロ
ストークを生ずることはない。
なお、支持体１２が有底支持体であるときは、支持体１
２の底部を黒化すればよい。
２の底部を黒化すればよい。
発明の効果
以上のように本発明は互に分離された複数の焦電素子を
中空支持体に線状に配列し、各素子の下方に相対した面
、即ち中空支持体の底面又は取付面を黒化して放射率を
１またば１に近くすることにより赤外光のもれの反射に
よるクロストークのない高い分解能の赤外線リニアアレ
イ素子が得られる。
中空支持体に線状に配列し、各素子の下方に相対した面
、即ち中空支持体の底面又は取付面を黒化して放射率を
１またば１に近くすることにより赤外光のもれの反射に
よるクロストークのない高い分解能の赤外線リニアアレ
イ素子が得られる。
第１図は従来の赤外線リニアアレイ素子の平面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図は本発明による
赤外線リニアアレイ素子の実施例を示す断面図である。 １１・・・・・・焦電素子、１２・・・・・・中空支持
体、２１・・・・・・焦電材料、２２・・・・・・赤外
吸収電極、２４・・・・・・取付面、２５・・・・・・
赤外入射光、２７・・・・・・黒化層、２８・・・・・
・赤外反射電極。
図は第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図は本発明による
赤外線リニアアレイ素子の実施例を示す断面図である。 １１・・・・・・焦電素子、１２・・・・・・中空支持
体、２１・・・・・・焦電材料、２２・・・・・・赤外
吸収電極、２４・・・・・・取付面、２５・・・・・・
赤外入射光、２７・・・・・・黒化層、２８・・・・・
・赤外反射電極。
Claims (1)
- （１） 中空支持体に互に分離された複数の焦電素子
を配列し、前記中空支持体の底面又は取付面を放射率１
または１に近くしたことを特徴とする赤外線リニアアレ
イ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145056A JPS5934124A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 赤外線リニアアレイ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145056A JPS5934124A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 赤外線リニアアレイ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5934124A true JPS5934124A (ja) | 1984-02-24 |
| JPH0479406B2 JPH0479406B2 (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=15376355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57145056A Granted JPS5934124A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 赤外線リニアアレイ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5934124A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7313909B2 (en) | 2004-10-25 | 2008-01-01 | General Electric Company | High-emissivity infrared coating applications for use in HIRSS applications |
| US8366317B2 (en) | 2004-06-09 | 2013-02-05 | Excelitas Technologies Gmbh & Co. Kg | Sensor for detecting electromagnetic radiation |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7137722B1 (ja) | 2022-02-01 | 2022-09-14 | Dmg森精機株式会社 | 工作機械 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53139589A (en) * | 1977-05-12 | 1978-12-05 | Fujitsu Ltd | Infrared ray detector |
-
1982
- 1982-08-20 JP JP57145056A patent/JPS5934124A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53139589A (en) * | 1977-05-12 | 1978-12-05 | Fujitsu Ltd | Infrared ray detector |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8366317B2 (en) | 2004-06-09 | 2013-02-05 | Excelitas Technologies Gmbh & Co. Kg | Sensor for detecting electromagnetic radiation |
| US7313909B2 (en) | 2004-10-25 | 2008-01-01 | General Electric Company | High-emissivity infrared coating applications for use in HIRSS applications |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0479406B2 (ja) | 1992-12-15 |
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