JPS5934662A - 光直接点弧サイリスタ - Google Patents

光直接点弧サイリスタ

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Publication number
JPS5934662A
JPS5934662A JP57144701A JP14470182A JPS5934662A JP S5934662 A JPS5934662 A JP S5934662A JP 57144701 A JP57144701 A JP 57144701A JP 14470182 A JP14470182 A JP 14470182A JP S5934662 A JPS5934662 A JP S5934662A
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JP
Japan
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optical fiber
package
metallic sleeve
thyristor
fiber
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Application number
JP57144701A
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English (en)
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JPH0139660B2 (ja
Inventor
Tsunemichi Otai
小田井 恒吾
Katsumi Akabane
赤羽根 克己
Tadashi Sakagami
阪上 正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5934662A publication Critical patent/JPS5934662A/ja
Publication of JPH0139660B2 publication Critical patent/JPH0139660B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/26Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors
    • H10F30/263Photothyristors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/421Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
    • GPHYSICS
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    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4295Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光により直接点弧させつるサイリスタに係り
、特にパッケージ内部の気密性を保持し、光の伝送効率
を低下させない信頼性の高い光導入部機構を提供するこ
とにある。
従来の光直接点弧サイリスタの光導入部機構としては、
上部銅電極より垂直に光ファイバを挿入する方法と、パ
ッケージ内部でL字型に成型する光ファイバを横方向よ
り挿入する方法がある。前者は光ファイバを挿入する方
法としては比較的容易であるが、銅電極とファイバとの
熱膨張係数が大きく異なる為にパッケージ内部の気密性
を保持することが如しい、或いは、光ファイバが上部電
極に突出する為にサイリスタ素子の保守・取扱いが面倒
である、更には、サイリスタを多数個直列接続するよう
なスタック装置が組立てにくいというような欠点があっ
た。後者の方法は、以上の点を解消できる反面、光ファ
イバがL字型の特殊な形状金している為にファイバの固
定方法及びこれに伴いパッケージ内部の気密性を保持す
るのが困難になる等の欠点がある。
本発明の目的は、上述の欠点をすべて解決した光直接点
弧サイリスタを提供するものである。本発明の目的を具
体的に言えば、パッケージ内部の気智性を保持し、かつ
光伝送効率を低下芒せないような光導入部構造を有する
直接点弧サイリスタを提供することにある。
光直接点弧サイリスタのパッケージ内部の気密性全保持
するのは、結局、光ファイバとその固定部品との間を熱
劣化しないような壱機接着剤或いは低融点ガラス剤等に
より封着することによる。
本発明は、サイリスタ素子の取扱いを非常に容易にする
為に予め固定部品内に元ファイバヶ気笛封治し、これを
光伝送系のファイバに接続妊せるものである。
以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図を用いて説
明する。図におい又、1は所定のり1】接合ケ有する半
導体基体11、その両側Vこ取付けら’i’l−7’(
電極12 及び13、パッシベーション椙14からなる
サイリスタ素子、2及び3はサイリスタ索子10両側に
位置する一対の4電部材、4は環状の絶縁部拐、5及び
6は尋奄部材2.3と絶縁部拐4との間を気筐に封止し
てサイリスタ素子を包囲するパッケージを形成するフラ
ンジ、7は絶縁部材4を貫通して形成された光導入部で
、これは、絶縁部材4の貫通孔41にろう付は芒れた第
10金楓スリーブ71、抽属スリーブ71のパッケージ
外側端にろう付けされた第2の金属スリーブ72、金属
スリーブ72の内(Iljlに接着された第1の光ファ
イバ73、全体とL字形全なし一端が金属スリーブ71
内にあって第1の光ファイバ73に対向し、他端がサイ
リスタ素子1の受光面に対向している第2の光ファイバ
74から構成されている。
光サイリスタは、先により直接点弧させねばならfこの
為外部よりファイバのような光導入部拐を挿入しなけれ
ばならない。従って、素子の信頼性全確保する為のパッ
ケージ内部の気密性は、有機接着剤や低融点ガラス材の
ような封着剤全使用することにより確保することになる
。従来は、パッケージの光導入部固定部分に直接気密封
止する構造としていた為に、気密封着剤の融点が低いこ
とにより、光に固定部品全パッケージ(セラミックシー
ル)にロウ付けし、次いで光ファイバを挿入し気密封着
するものであった。しかしながら、このような構造とし
た場合には作業性が悪く、気密封着剤が硬化する際に光
ファイバの光導入部端面に封着剤が付層し光伝送効率を
低下させるという欠点や、光ファイバの位置ズレが生じ
て元ゲートに光が到達しないという不具合を生じてしま
う。
本実施例によれば、光伝送系ファイバ(図示せず)と気
密封着用のファイバ73とを分離した為に従来の欠点即
ち気密封管作業性が悪い、光ファイバの端部に接着剤が
付層し光伝送効率を低下する、光ファイバの位置ずれが
生じる等の欠点を解消することができる。しかも気密封
着用の光ファイバ73を予め準備出来るので、これをパ
ッケージに固定するだけで良く非常に作業性が良くなる
。父、気密用光ファイバ73の入力端面を金属スリーブ
72の端面に合せることによりファイバ73の損傷を防
御出来、出力端面を金属スリーブ72の端面より突出さ
せることにより、封着剤の汚染を防止することが出来る
本発明によれば、光直接点弧サイリスクの光ゲート導入
部の気密封着が容易に出来るので、構造が簡単で、作業
性の良い、しかも信頼性の高い光サイリスタのパッケー
ジ構造を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光直接点弧サイリスタの一実施例を示
す断面図、第2図は、第1図光導入部の拡大断面図であ
る。 1・・・サイリスタ素子、4・・・絶縁部材、71.7
2・・・金属スリーブ、73.74・・・光ファイバ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、気密封着されたパッケージ内に光信号により駆動さ
    れるサイリスタ素子を案内し、パッケージの絶縁部分を
    貫通する光信号導入用の光ファイバを設けたものにおい
    て、光ファイバはパッケージを貫通する第1の部分と第
    1の部分とサイリスタ素子間を結ぶ第2の部分とに分割
    され、光ファイバの第1の部分はパッケージ外に設けら
    れた第1の金属スリーブ内に接着され、第1の金属スリ
    ーブはパッケージの絶縁部分を貫通して絶縁部分に固着
    された第2の金属スリーブのパッケージ外側端に接着て
    れ、第2の金属スリーブ内で光ファイバの第1の部分と
    第2の部分とを光結合したこと全特徴とする光直接点弧
    サイリスタ。
JP57144701A 1982-08-23 1982-08-23 光直接点弧サイリスタ Granted JPS5934662A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57144701A JPS5934662A (ja) 1982-08-23 1982-08-23 光直接点弧サイリスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57144701A JPS5934662A (ja) 1982-08-23 1982-08-23 光直接点弧サイリスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5934662A true JPS5934662A (ja) 1984-02-25
JPH0139660B2 JPH0139660B2 (ja) 1989-08-22

Family

ID=15368264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57144701A Granted JPS5934662A (ja) 1982-08-23 1982-08-23 光直接点弧サイリスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5934662A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62217663A (ja) * 1986-03-19 1987-09-25 Toshiba Corp 光駆動型半導体装置
JPH08228564A (ja) * 1996-01-23 1996-09-10 Iseki & Co Ltd 乗用型コンバイン

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62217663A (ja) * 1986-03-19 1987-09-25 Toshiba Corp 光駆動型半導体装置
JPH08228564A (ja) * 1996-01-23 1996-09-10 Iseki & Co Ltd 乗用型コンバイン

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0139660B2 (ja) 1989-08-22

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