JPH03219675A - 光駆動半導体装置 - Google Patents
光駆動半導体装置Info
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- JPH03219675A JPH03219675A JP1361690A JP1361690A JPH03219675A JP H03219675 A JPH03219675 A JP H03219675A JP 1361690 A JP1361690 A JP 1361690A JP 1361690 A JP1361690 A JP 1361690A JP H03219675 A JPH03219675 A JP H03219675A
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- Japan
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- optical transmission
- transmission line
- bonded
- semiconductor device
- metal cylinder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、絶縁外囲器を貫通して該外囲器に金属接着さ
れた金属筒の内部に、光信号導入用の光伝送路が挿入さ
れて構成されている光駆動半導体装置に係り、特に、前
記金属筒の内面と光伝送路の外面とを接着封止する部分
の強度信頼性の向上を図った光駆動半導体装置に関する
。
れた金属筒の内部に、光信号導入用の光伝送路が挿入さ
れて構成されている光駆動半導体装置に係り、特に、前
記金属筒の内面と光伝送路の外面とを接着封止する部分
の強度信頼性の向上を図った光駆動半導体装置に関する
。
[従来の技術]
光駆動半導体装置の1つとして、例えば、光駆動型サイ
リスタが知られている。光駆動型サイリスタは、光信号
の照射により、サイリスタを順方向阻止状態から導通状
態にスイッチする機能を有している。そして、光駆動型
サイリスタは、通常の電気ゲートサイリスタと比較して
、主回路とゲート回路とを電気的に絶縁することができ
るため、ゲート回路の構成を簡単にすることができる、
電磁誘導によるノイズに対して強い等の利点を有してい
る。
リスタが知られている。光駆動型サイリスタは、光信号
の照射により、サイリスタを順方向阻止状態から導通状
態にスイッチする機能を有している。そして、光駆動型
サイリスタは、通常の電気ゲートサイリスタと比較して
、主回路とゲート回路とを電気的に絶縁することができ
るため、ゲート回路の構成を簡単にすることができる、
電磁誘導によるノイズに対して強い等の利点を有してい
る。
このため、近年、光駆動型サイリスタの開発、実用化が
進められている。しかし、これまでの光駆動型サイリス
タには、解決しなければならない課題として、光駆動型
サイリスタの絶縁外囲器内の受光部へ、外囲器の外側か
ら光信号を導く光伝送路と絶縁外囲器との間の気密性に
関する高信頼度化がある。
進められている。しかし、これまでの光駆動型サイリス
タには、解決しなければならない課題として、光駆動型
サイリスタの絶縁外囲器内の受光部へ、外囲器の外側か
ら光信号を導く光伝送路と絶縁外囲器との間の気密性に
関する高信頼度化がある。
以下、前述の従来技術による光駆動型サイリスタの一例
を図面により説明する。
を図面により説明する。
第7図は従来技術の構造を示す断面図、第8図は要部拡
大断面図である。第7図、第8図において、lは第1の
金属筒、2は第2の金属筒、3は連結筒、4は光伝送路
、5は絶縁外囲器、6は金属接着層、7は接着剤、8は
接着部、10はカソード外部電極、11はアノード外部
電極、12はサイリスタ素子、14はカソード側緩衝板
、18〜20は金属フランジである。
大断面図である。第7図、第8図において、lは第1の
金属筒、2は第2の金属筒、3は連結筒、4は光伝送路
、5は絶縁外囲器、6は金属接着層、7は接着剤、8は
接着部、10はカソード外部電極、11はアノード外部
電極、12はサイリスタ素子、14はカソード側緩衝板
、18〜20は金属フランジである。
従来技術による光駆動型サイリスタは、第7図に示すよ
うに、サイリスタ素子12のカソード側にカソード側緩
衝板14を介したカソード外部電極10を備え、サイリ
スタ素子12の他方の側にアノード外部電極11を備え
た基本構造を有している。そして、前記画体部電極10
.11は、その周囲に配置される円筒状の絶縁外囲器5
との間が金属フランジ18〜20により気密に接続され
て、サイリスタ素子12に対して気密構造を形成してい
る。
うに、サイリスタ素子12のカソード側にカソード側緩
衝板14を介したカソード外部電極10を備え、サイリ
スタ素子12の他方の側にアノード外部電極11を備え
た基本構造を有している。そして、前記画体部電極10
.11は、その周囲に配置される円筒状の絶縁外囲器5
との間が金属フランジ18〜20により気密に接続され
て、サイリスタ素子12に対して気密構造を形成してい
る。
絶縁外囲器5には、該外囲器5を貫通して第1の金属筒
lが設けられており、該第1の金属筒1の内部には、第
2の金属筒2と、該第2の金属筒2の外形寸法を一部小
さくした部分に嵌め込まれ、溶着された連結筒3とによ
る円筒体が挿入されている。そして、第1の金属筒lと
連結筒3とは、溶接部15により、気密に封止されてい
る。第2の金属筒2の内部には、光伝送路4が固定され
て貫通しており、該光伝送路4を介して光信号が気密封
止された半導体装置の内部及び外部相互間を結合してい
る。光伝送路4は、光サイリスタ素子12の受光部に光
信号を導くため、その半導体装置内部で湾曲しており、
絶縁外囲器5外の端面が光導入端部となっている。
lが設けられており、該第1の金属筒1の内部には、第
2の金属筒2と、該第2の金属筒2の外形寸法を一部小
さくした部分に嵌め込まれ、溶着された連結筒3とによ
る円筒体が挿入されている。そして、第1の金属筒lと
連結筒3とは、溶接部15により、気密に封止されてい
る。第2の金属筒2の内部には、光伝送路4が固定され
て貫通しており、該光伝送路4を介して光信号が気密封
止された半導体装置の内部及び外部相互間を結合してい
る。光伝送路4は、光サイリスタ素子12の受光部に光
信号を導くため、その半導体装置内部で湾曲しており、
絶縁外囲器5外の端面が光導入端部となっている。
前述のように構成される光半導体装置において、光伝送
路4を装置外部から装置内部に導入する構造の気密封止
は、次のように行われている。
路4を装置外部から装置内部に導入する構造の気密封止
は、次のように行われている。
すなわち、第1の金属筒lは、絶縁外囲器5に設けられ
た貫通孔の内面にメタライズ層21を介して金属接着層
6、例えば、銀ろう等により気密に固定される。
た貫通孔の内面にメタライズ層21を介して金属接着層
6、例えば、銀ろう等により気密に固定される。
また、第2の金属筒2は、光信号導入側の外形寸法が、
予め小さく仕上げられており、この小さな外形寸法の部
分に連結筒3が規定の長さ寸法まで入れられ、第2の金
属筒2と連結筒3とは、第2の金属筒2の長さ途中の継
目の部分で、銀ろう等による連結溶着部17を介して気
密に固定されている。
予め小さく仕上げられており、この小さな外形寸法の部
分に連結筒3が規定の長さ寸法まで入れられ、第2の金
属筒2と連結筒3とは、第2の金属筒2の長さ途中の継
目の部分で、銀ろう等による連結溶着部17を介して気
密に固定されている。
このようにして一体化された第2の金属筒2と連結筒3
の内径側に光伝送路4が貫通しており、該光伝送路4は
、第2の金属筒2の内面と光伝送路4の外面との間で、
低融点封着ガラス等の接着剤7により固定され、これに
より、第2の金属筒2と光伝送路4とが気密に封止され
ている。
の内径側に光伝送路4が貫通しており、該光伝送路4は
、第2の金属筒2の内面と光伝送路4の外面との間で、
低融点封着ガラス等の接着剤7により固定され、これに
より、第2の金属筒2と光伝送路4とが気密に封止され
ている。
前述したような光半導体装置における光導入部の構造は
、光伝送路4、第2の金属筒2及び連結筒3による構造
体をガラス焼成炉に挿入して製造することができ、この
ような構造体を、第1の金属筒1の内側に挿入し、第1
の金属筒lと連結筒3の端面を溶接s15で溶接すれば
内部の半導体素子12を気密にした光半導体装置を形成
することができる。このため前述の従来技術による光半
導体装置は、作業性よく効率的にその組立てを行うこと
ができるという利点を有している。
、光伝送路4、第2の金属筒2及び連結筒3による構造
体をガラス焼成炉に挿入して製造することができ、この
ような構造体を、第1の金属筒1の内側に挿入し、第1
の金属筒lと連結筒3の端面を溶接s15で溶接すれば
内部の半導体素子12を気密にした光半導体装置を形成
することができる。このため前述の従来技術による光半
導体装置は、作業性よく効率的にその組立てを行うこと
ができるという利点を有している。
なお、前述した従来技術において、半導体装置内部の半
導体素子12の受光部へ光信号を導く光伝送路の内部側
は、予め、受光部から第1の金属筒1の端面近傍まで配
置されており、この光伝送路の端面ば、前述した光伝送
路4、第2の金属筒2及び連結筒3による構造体を第1
の金属筒1に挿入したとき、該構造体の側の光伝送路4
の端面と突き合わされ、この突き合わせ部を介して、半
導体装置内部へ光信号を内部に導入することができる。
導体素子12の受光部へ光信号を導く光伝送路の内部側
は、予め、受光部から第1の金属筒1の端面近傍まで配
置されており、この光伝送路の端面ば、前述した光伝送
路4、第2の金属筒2及び連結筒3による構造体を第1
の金属筒1に挿入したとき、該構造体の側の光伝送路4
の端面と突き合わされ、この突き合わせ部を介して、半
導体装置内部へ光信号を内部に導入することができる。
前述したような光駆動半導体装置に関する従来技術とし
て、例えば、特開昭58−215071号公報等に記載
された技術が知られている。
て、例えば、特開昭58−215071号公報等に記載
された技術が知られている。
[発明が解決しようとする課題]
前述した従来技術は、光伝送路4を第2の金属筒2の内
側に、低融点封着ガラス7等で気密に接着する場合の接
着部8に対して、充分な配慮がなされておらず、この部
分の熱応力に対する強度上の問題点を有している。
側に、低融点封着ガラス7等で気密に接着する場合の接
着部8に対して、充分な配慮がなされておらず、この部
分の熱応力に対する強度上の問題点を有している。
すなわち、前記従来技術は、第2の金属筒2の内側に光
伝送路4を挿入し、これらをガラス焼成炉に入れて、第
2の金属筒2の内側に光伝送路4を低融点ガラス7で接
着する際、第2の金属筒2と光伝送路4との間の間隙に
溶融ガラス7が、その軸方向に流れてしまうことがあり
、これにより接着部8が軸方向に不均一となり、この部
分の熱応力が不均一になってこの部分の曲げ強度が低下
し、半導体装置の信頼性を低下させるという問題点を有
している。
伝送路4を挿入し、これらをガラス焼成炉に入れて、第
2の金属筒2の内側に光伝送路4を低融点ガラス7で接
着する際、第2の金属筒2と光伝送路4との間の間隙に
溶融ガラス7が、その軸方向に流れてしまうことがあり
、これにより接着部8が軸方向に不均一となり、この部
分の熱応力が不均一になってこの部分の曲げ強度が低下
し、半導体装置の信頼性を低下させるという問題点を有
している。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、第2
の金属筒2と光伝送路4とのガラス封着部の接着長さを
、軸対称となるように、周方向、軸方向共に均一になる
ようにして、この部分の熱応力による曲げ強度の問題点
を解決し、信頼性の高い光導入部構造を有する光駆動半
導体装置を提供することにある。
の金属筒2と光伝送路4とのガラス封着部の接着長さを
、軸対称となるように、周方向、軸方向共に均一になる
ようにして、この部分の熱応力による曲げ強度の問題点
を解決し、信頼性の高い光導入部構造を有する光駆動半
導体装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明によれば前記目的は、第2の金属筒2の内側に光
伝送路4を貫通させ、これらを低融点封着ガラス等の接
着剤7で接着する構造に関し、両者を接着させる軸長Ω
、の範囲にある第2の金属筒2の内径寸法D2と光伝送
路4の外径寸法DHとの相対寸法差D * −D Hを
他の部分より小さくし、溶融した低融点封着ガラスの、
この間隙内への流れ込みを、毛細管現象等により容易に
し、かつ、前記接着させる軸長Ω1の範囲外の第2の金
属筒2の内径寸法D2と光伝送路4の外径寸法DHとの
相対寸法差D * −D sを軸長Q、の部分より大き
くし、溶融した低融点封着ガラスを、表面張力によって
間隙の小さい部分で止めるようにして、この部分に流れ
込まないようにすることにより達成される。
伝送路4を貫通させ、これらを低融点封着ガラス等の接
着剤7で接着する構造に関し、両者を接着させる軸長Ω
、の範囲にある第2の金属筒2の内径寸法D2と光伝送
路4の外径寸法DHとの相対寸法差D * −D Hを
他の部分より小さくし、溶融した低融点封着ガラスの、
この間隙内への流れ込みを、毛細管現象等により容易に
し、かつ、前記接着させる軸長Ω1の範囲外の第2の金
属筒2の内径寸法D2と光伝送路4の外径寸法DHとの
相対寸法差D * −D sを軸長Q、の部分より大き
くし、溶融した低融点封着ガラスを、表面張力によって
間隙の小さい部分で止めるようにして、この部分に流れ
込まないようにすることにより達成される。
[作 用]
第2の金属筒2と光伝送路4とを接着させる部分の、第
2の金属筒2の内径寸法り、と光伝送路4の外径寸法D
Hとの相対寸法差Da DHを他の部分より小さくす
ることにより、この部分でのみ両者を接着するすること
ができる。
2の金属筒2の内径寸法り、と光伝送路4の外径寸法D
Hとの相対寸法差Da DHを他の部分より小さくす
ることにより、この部分でのみ両者を接着するすること
ができる。
本発明は、これにより、接着部分の軸長がΩ1で、均一
な接着部を得ることができ、また、前記間隙の大きい部
分に溶融ガラスが流れた場合にも、人員の溶融ガラスが
流れ込むことがなく、この部分で第2の金属筒2の内側
と光伝送路4とが接着することを防止することができる
。
な接着部を得ることができ、また、前記間隙の大きい部
分に溶融ガラスが流れた場合にも、人員の溶融ガラスが
流れ込むことがなく、この部分で第2の金属筒2の内側
と光伝送路4とが接着することを防止することができる
。
[実施例]
以下、本発明による光駆動半導体装置の実施例を図面に
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の構造を示す断面図、第
2図はその要部拡大断面図、第3図、第4図は組み立て
前の光導入部の断面図である。第1図〜第4図において
、101は第2の金属筒、102は接着部、103は非
接着部であり、他の符号は第7図、第8図の場合と同一
である。
2図はその要部拡大断面図、第3図、第4図は組み立て
前の光導入部の断面図である。第1図〜第4図において
、101は第2の金属筒、102は接着部、103は非
接着部であり、他の符号は第7図、第8図の場合と同一
である。
本発明の第1の実施例は、第2図、第4図に示すように
、第2の金属筒101の内径が、2種の寸法を持って構
成されている点に特徴を有する。
、第2の金属筒101の内径が、2種の寸法を持って構
成されている点に特徴を有する。
すなわち、本発明による第2の金属筒101は、第2の
金属筒101と光伝送路4とを、低融点封着ガラス等の
接着剤7で接着固定する接着部102の軸長Q、の範囲
を予め決定しておき、この部分の第2の金属筒101の
内径が他の部分より小さくなるように形成される。この
ため、この部分の第2の金属筒101の内面と光伝送路
4との間の間隙は、他の非接着部103となる部分より
小さくなり、溶融した封着ガラス等の接着剤7は、毛細
管現象等により、流れ込みやすくなる。
金属筒101と光伝送路4とを、低融点封着ガラス等の
接着剤7で接着固定する接着部102の軸長Q、の範囲
を予め決定しておき、この部分の第2の金属筒101の
内径が他の部分より小さくなるように形成される。この
ため、この部分の第2の金属筒101の内面と光伝送路
4との間の間隙は、他の非接着部103となる部分より
小さくなり、溶融した封着ガラス等の接着剤7は、毛細
管現象等により、流れ込みやすくなる。
一方、第2の金属筒101と光伝送路4との接着を行わ
ない非接着部103は、第2の金属筒101の内径が前
記接着部102の部分より大きく生成されている。この
結果、非接着部103の軸長範囲は、第2の金属筒10
1の内面と光伝送路4との間の相対寸法差が、接着部1
02より大きくなり、これにより生じる間隙部には、溶
融した封着ガラスが流れ込むことがなく、この部分で第
2の金属筒101と光伝送路4とが接着されることはな
い。
ない非接着部103は、第2の金属筒101の内径が前
記接着部102の部分より大きく生成されている。この
結果、非接着部103の軸長範囲は、第2の金属筒10
1の内面と光伝送路4との間の相対寸法差が、接着部1
02より大きくなり、これにより生じる間隙部には、溶
融した封着ガラスが流れ込むことがなく、この部分で第
2の金属筒101と光伝送路4とが接着されることはな
い。
すなわち、本発明による第2の金属筒101と光伝送路
4との接着は、第2の金属筒101と光伝送路4との間
隙の小さい部分に、溶融した封着がラスが毛細管現象に
より均一に流れ込むことにより行われる。そして、前記
間隙の大きい部分に対しては、溶融した封着ガラスは、
その表面張力により流れ込むことがなく、また、万−流
れ込んだ場合にも、両部材間の間隙が大きいので、両部
材がこの部分で接着固定されることがない。
4との接着は、第2の金属筒101と光伝送路4との間
隙の小さい部分に、溶融した封着がラスが毛細管現象に
より均一に流れ込むことにより行われる。そして、前記
間隙の大きい部分に対しては、溶融した封着ガラスは、
その表面張力により流れ込むことがなく、また、万−流
れ込んだ場合にも、両部材間の間隙が大きいので、両部
材がこの部分で接着固定されることがない。
なお、前述した接着剤7として用いる低融点封着ガラス
は、その熱膨張係数が光伝送路4を構成するガラスの熱
膨張係数と近い値のものである。
は、その熱膨張係数が光伝送路4を構成するガラスの熱
膨張係数と近い値のものである。
前述した本発明の第1の実施例において、接着部102
における第2の金属筒101の内径と光伝送路4の外径
との差による間隙は、前述した実施例では、溶融した封
着ガラスが毛細管現象により流れ込む程度に小さいとし
たが、それほど小さくする必要はなく、非接着部の間隙
より小さければよい。
における第2の金属筒101の内径と光伝送路4の外径
との差による間隙は、前述した実施例では、溶融した封
着ガラスが毛細管現象により流れ込む程度に小さいとし
たが、それほど小さくする必要はなく、非接着部の間隙
より小さければよい。
前述した本発明の第1の実施例によれば、第4図に示す
ように、第2の金属筒101と光伝送路4とを固定する
接着部102の軸長範囲を規定の長さに均一に作成する
ことができ、その結果、熱応力に対するガラス封着部の
強度信頼性の高い光導入部の構造を得ることができる。
ように、第2の金属筒101と光伝送路4とを固定する
接着部102の軸長範囲を規定の長さに均一に作成する
ことができ、その結果、熱応力に対するガラス封着部の
強度信頼性の高い光導入部の構造を得ることができる。
なお、第4図に示すように作成された光導入部の構造体
は、第3図に示すように、絶縁外囲器5に貫通して、金
属接着層6により接着固定されている第1の金属筒1の
内部に挿入され、該第1の金属筒1の端面と連結筒3の
端面とを溶接部15により気密に封着することにより、
光駆動半導体装置に組み立てられる。
は、第3図に示すように、絶縁外囲器5に貫通して、金
属接着層6により接着固定されている第1の金属筒1の
内部に挿入され、該第1の金属筒1の端面と連結筒3の
端面とを溶接部15により気密に封着することにより、
光駆動半導体装置に組み立てられる。
第5図は本発明の第2の実施例の構造を示す断面図であ
る。第5図において、16は溜り部であり、他の符号は
第1図〜第4図の場合と同一である。
る。第5図において、16は溜り部であり、他の符号は
第1図〜第4図の場合と同一である。
この本発明の第2の実施例による光導入部の構造体は、
第2の金属筒101の軸方向の一部分の内径部に矩形状
の溜り部16を設け、さらに、前述した本発明の第1の
実施例の場合と同様に、第2の金属筒1 ’Olと光伝
送路4とを、低融点封着ガラス等の接着剤7で接着固定
する接着部102の軸長Q、の範囲を予め決定しておき
、この部分の第2の金属筒101の内径が前記溜り部よ
り小さくなるように形成したものである。
第2の金属筒101の軸方向の一部分の内径部に矩形状
の溜り部16を設け、さらに、前述した本発明の第1の
実施例の場合と同様に、第2の金属筒1 ’Olと光伝
送路4とを、低融点封着ガラス等の接着剤7で接着固定
する接着部102の軸長Q、の範囲を予め決定しておき
、この部分の第2の金属筒101の内径が前記溜り部よ
り小さくなるように形成したものである。
このような本発明の第2の実施例は、第2の金属筒lo
tと光伝送路4とを、低融点封着ガラス等によって固定
する場合、接着部102を所定の均一な軸長島とするこ
とができ、前述した本発明の第1の実施例と同様な効果
を奏することができる。
tと光伝送路4とを、低融点封着ガラス等によって固定
する場合、接着部102を所定の均一な軸長島とするこ
とができ、前述した本発明の第1の実施例と同様な効果
を奏することができる。
第6図は本発明の第3の実施例の構造を示す断面図であ
る。第6図において、104は間隙部であり、他の符号
は第1図〜第4図の場合と同一である。
る。第6図において、104は間隙部であり、他の符号
は第1図〜第4図の場合と同一である。
この本発明の第3の実施例は、第2の金属筒101と光
伝送路4とを低融点封着ガラス等によって封着固定する
接着部102の部分の、軸方向の一部に比較的短いより
小さな間隙部104を構成したものである。
伝送路4とを低融点封着ガラス等によって封着固定する
接着部102の部分の、軸方向の一部に比較的短いより
小さな間隙部104を構成したものである。
この本発明の第3の実施例は、溶融した封着ガラスが、
前述した小さな間隙部104に、毛細管現象により流れ
込み、また、その表面張力により、封着ガラスが前記小
さな間隙部104の外部に流れ出すことがないので、軸
方向に均一な軸長Ω。
前述した小さな間隙部104に、毛細管現象により流れ
込み、また、その表面張力により、封着ガラスが前記小
さな間隙部104の外部に流れ出すことがないので、軸
方向に均一な軸長Ω。
の接着部102を得ることができ、前述した本発明の第
1、第2の実施例と同様な効果を奏することができる。
1、第2の実施例と同様な効果を奏することができる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、光駆動半導体装置
における。外部から光信号を導入する光伝送路を、第2
の金属筒の内径側に、軸対称状に気密に接着することが
でき、接着軸長を全周均一とすることができるので、熱
応力による曲げモーメントがガラス封着部に作用しなく
なり、この光導入部の強度信頼性の向上を図ることがで
きる。
における。外部から光信号を導入する光伝送路を、第2
の金属筒の内径側に、軸対称状に気密に接着することが
でき、接着軸長を全周均一とすることができるので、熱
応力による曲げモーメントがガラス封着部に作用しなく
なり、この光導入部の強度信頼性の向上を図ることがで
きる。
第1図は本発明の第1の実施例の構造を示す断面図、第
2図はその要部拡大断面図、第3図、第4図は組み立て
前の光導入部の断面図、第5図は本発明の第2の実施例
の構造を示す断面図、第6図は本発明の第3の実施例の
構造を示す断面図、第7図は従来技術の構造を示す断面
図、第8図は要部拡大断面図である。 l・・・・・・第1の金属筒、2、lOl・・・・・・
第2の金属筒、3・・・・・・連結筒、4・・・・・・
光伝送路、5・・・・・・絶縁外囲器、6・・・・・・
金属接着層、7・・・・・・接着剤、8・・・・・・接
着部、10・・・・・・カソード外部電極、11・・・
・・・アノード外部電極、12・・・・・・サイリスタ
素子、14・・・・・・カソード側緩衝板、16・・・
・・・溜り部、18〜20・・・・・・金属フランジ、
102・・・・・・接着部、103・・・・・・非接着
部、104・・・・・・間隙部。 第6図 第2図 蔦 4 図 第 5 図 第 図 02 第 図 0 8 第 図
2図はその要部拡大断面図、第3図、第4図は組み立て
前の光導入部の断面図、第5図は本発明の第2の実施例
の構造を示す断面図、第6図は本発明の第3の実施例の
構造を示す断面図、第7図は従来技術の構造を示す断面
図、第8図は要部拡大断面図である。 l・・・・・・第1の金属筒、2、lOl・・・・・・
第2の金属筒、3・・・・・・連結筒、4・・・・・・
光伝送路、5・・・・・・絶縁外囲器、6・・・・・・
金属接着層、7・・・・・・接着剤、8・・・・・・接
着部、10・・・・・・カソード外部電極、11・・・
・・・アノード外部電極、12・・・・・・サイリスタ
素子、14・・・・・・カソード側緩衝板、16・・・
・・・溜り部、18〜20・・・・・・金属フランジ、
102・・・・・・接着部、103・・・・・・非接着
部、104・・・・・・間隙部。 第6図 第2図 蔦 4 図 第 5 図 第 図 02 第 図 0 8 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光信号によって作動する半導体素子と、該半導体素
子を気密封止する絶縁外囲器と、該外囲器を貫通して接
着され、その内部に光伝送路を通す金属筒とを備えた光
駆動半導体装置において、前記金属筒の内面と光伝送路
とを、所定の均一の接着長さとなるように接着したこと
を特徴とする光駆動半導体装置。 2、前記金属筒は、その内面の光伝送路と接着される部
分の内径寸法が、他の部分より小さく形成されることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光駆動半導体装
置。 3、前記金属筒は、その内面の光伝送路と接着される部
分に隣接して、その内径寸法が接着される部分より大き
い溜り部分を備えて形成されることを特徴とする特許請
求の範囲第1項または第2項記載の光駆動半導体装置。 4、前記金属筒は、その内面の光伝送路と接着される部
分の軸長の一部に、その内径寸法と光伝送路の外径寸法
との寸法差による間隙が極めて小さくなる部分を備えて
形成されることを特徴とする特許請求の範囲第1項また
は第2項記載の光駆動半導体装置。 5、前記金属筒の内面と光伝送路との接着は、光伝送路
の熱膨張係数とほぼ同一の熱膨張係数を有する接着剤に
より行われることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第4項のうち1項記載の光駆動半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1361690A JPH03219675A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 光駆動半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1361690A JPH03219675A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 光駆動半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219675A true JPH03219675A (ja) | 1991-09-27 |
Family
ID=11838164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1361690A Pending JPH03219675A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 光駆動半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03219675A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621237A (en) * | 1994-04-12 | 1997-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP0677879B1 (en) * | 1994-04-12 | 1999-06-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light trigger type semiconductor device |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP1361690A patent/JPH03219675A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621237A (en) * | 1994-04-12 | 1997-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP0677879B1 (en) * | 1994-04-12 | 1999-06-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light trigger type semiconductor device |
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