JPS5934681A - ホ−ル素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）技術分野 本発明は高感度なホール素子の改良に関する。

ｆｐ）従来技術 従来のホール素子は第１図に示す如く１強磁性体の基板
（１）上に化合物半導体材料層（２）を蒸着し、その上
に強磁性体のヨークｆ３ｊを設け、化合物半導体材料層
（２）の両端にリード（４）を半田ｆづけし、全体をエ
ポキシ樹脂（５Ｊ等でモールドしていた。

居る構造のホール素子は感磁部である化合物半導体材料
層（２）す強磁性体の基板（１）とヨーク（３）でシま
ざむ構造を有するので、感磁部にかかる実効的な磁束所
以を上げて出力電圧を大きくできた。

しかしこの構造ではヨーク（３）を用いるので１組立の
困＠さｔ伴い、またリード（４）の接続はヨーク（３）
があるため半導体素子の組立に用いられるは産性のある
ワイヤーポンディングを使用できない欠点がありた。

（ハ）発明の開示 本発明は上記した欠点ＶＣ鑑みてなされ、従来の欠点な
完全に除去したホール素子をＬｊＡ供するものである。

本発明の第１の目的はヨークを用いない高感度のホール
素子？提供することにある。

本発明の第２の目的はワイヤーボンディングにより電極
の取シ出しを行う高感度のホール素子を提供することに
ある。

に）実施例 本発明の一実施例を第２図を参照して詳述する。木兄１
−１１１に依るホール素子は基板α１）上に蒸着した化
合物半導体層（１２１と、化合物半導体材料層（１２＋
の両端と接続されたシード０３と、全体をモールドする
強磁性体の粉末を混入したモールド樹脂−より構成され
る。

基板ＣＤとしてはシリコンな用いる。シリコンは半導体
素子の製造に用いるクエへ−状のものを使用し、表面に
はシリコン酸化膜を形成したものをイ吏用する。

化合物半導体材料層０７Ｊは移動度およびホール係数ｃ
ＲＨ）（Ｄ大きいＩｎＳｂ、ＧａＡｓ等を用いる。断る
化合物半導体材料層［］２ＮＣはｖ　Ｈ−ＲＨＩ’Ｂな
る出力電圧が発生する。ここでＶＨはホール電圧、■は
入力上流、Ｂは磁束密度、ｄは膜厚である。

リード（１３１は金属板の打抜きフレームを用い、化合
物半導体材料１ｊｉｌ＋２１の両啼とネールへラドポン
ディング法によシポンディング細線で接続されている。

モールド樹脂−としてはエポキシ樹脂を用い、この中に
フェライトあるいトまパーマロイなどの強磁性体の粉末
を混入する。具体的には約４０〜８０喧酸パーセント混
入した。

（ホ）効果 本発明に依れば基板αυおよび化合物半導体材料層ｕ７
Ｊを強磁性体の粉末を混入したモールド樹脂−で被覆す
るので、ホール素子の感度な向上でき。

組立の障害となる９−りも除去できる。また基板αＤも
強磁性体な用いる必要がなくコスト低減を図れる。また
ｑ−りを用いないのでワイヤーボンディングを行なえＲ
１立の自動化・硅産化を図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本発明を説
明する断面図である。 （１υは基板、（弓は化合物半導体材料層、ａ′：９は
り一ド、　（１４１はモールド樹脂である。 出１）拍人三洋電Ｎ株式会社外１名 第１図 ５ ／／　　　１２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　基板上に蒸着した化合物半導体材料層を強磁性体
   の粉末を混入したモールド和、１脂で封止することを特
   徴とするホール素子。 ２、特許請求の範囲第１項記載のホール素子に２いて、
   前記基板にシリコンを用いること２特徴とするホール素
   子。 乙、特１１′「請求の範囲第１項記載のホール素子にお
   いて、前記化合物半導体材料層としてＩｎＳｂあるいは
   ＧａＡｓを用いることを特徴とするホール素子。 ４、持ｄ゛「請求の範囲第１項記戦のホール素子におい
   て、前記強６Ｂ性体としてフェライトあるいはパーマロ
   イをｊｌＪいることを特徴とするホール素子。