JPS5935119A - 焦電型赤外線検出器 - Google Patents
焦電型赤外線検出器Info
- Publication number
- JPS5935119A JPS5935119A JP57147108A JP14710882A JPS5935119A JP S5935119 A JPS5935119 A JP S5935119A JP 57147108 A JP57147108 A JP 57147108A JP 14710882 A JP14710882 A JP 14710882A JP S5935119 A JPS5935119 A JP S5935119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyroelectric
- package
- circuit
- infrared
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
- H10F39/193—Infrared image sensors
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は赤外放射分布像を複数の赤外線検出素子で測定
する焦電型赤外線検出器に関する。
する焦電型赤外線検出器に関する。
従来例の構成とその問題点
被写体からの赤外放射分布を測定する赤外線検出器とし
て複数の赤外線検出素子を線状に配列した焦電型リンア
アレイ赤外線検出器がある。この焦電型リニアアレイ赤
外線検出器は、従来は、例えば第１図に示すように、シ
フトレジスタ１−１゜焦電素子アレイ１２．スイッチ用
電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）１３が１対１に対応
して配列され、このうちシフトレジスタ１１．スイッチ
用ＦＥＴ１３が１つの集積回路チップに１とめられて、
焦電素子アレイ１２ととも１つのパッケージ１４の中に
収められて焦電型赤外線検出器２１を構成している。パ
ッケージ１４は赤外線全透過する窓を有し、焦電素子ア
レイ１２に赤外線が入射できるようになっている。焦電
素子アレイ１２で検出された赤外線信号は、シフトレジ
スタ１１により順次切換えられるスイッチ用ＦＥＴ１３
を通って次々に出力端子１６にとり出される。
て複数の赤外線検出素子を線状に配列した焦電型リンア
アレイ赤外線検出器がある。この焦電型リニアアレイ赤
外線検出器は、従来は、例えば第１図に示すように、シ
フトレジスタ１−１゜焦電素子アレイ１２．スイッチ用
電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）１３が１対１に対応
して配列され、このうちシフトレジスタ１１．スイッチ
用ＦＥＴ１３が１つの集積回路チップに１とめられて、
焦電素子アレイ１２ととも１つのパッケージ１４の中に
収められて焦電型赤外線検出器２１を構成している。パ
ッケージ１４は赤外線全透過する窓を有し、焦電素子ア
レイ１２に赤外線が入射できるようになっている。焦電
素子アレイ１２で検出された赤外線信号は、シフトレジ
スタ１１により順次切換えられるスイッチ用ＦＥＴ１３
を通って次々に出力端子１６にとり出される。
出力端子１６にとり出された赤外線の検出信号は大変微
弱なので、第２図に示すように読み出した信号を増巾し
てやらねばならない。焦電型赤外線検出器２１からの出
力信号はプリアンプ２２を有する外部増幅回路２３によ
って増巾される。ところが、この外部増幅回路２３はパ
ッケージのすぐそばに配置しても、配線の引き捷わしに
よる浮遊容量によって信号の取り出し効果が低下する。
弱なので、第２図に示すように読み出した信号を増巾し
てやらねばならない。焦電型赤外線検出器２１からの出
力信号はプリアンプ２２を有する外部増幅回路２３によ
って増巾される。ところが、この外部増幅回路２３はパ
ッケージのすぐそばに配置しても、配線の引き捷わしに
よる浮遊容量によって信号の取り出し効果が低下する。
特に容量性の焦電素子の場合この影響が大きい。
発明の目的
本発明は以上のような欠点を解消するもので、浮遊容量
が小さく、信号対雑音比の高い焦電型赤外線検出器を提
供することを目的とする。
が小さく、信号対雑音比の高い焦電型赤外線検出器を提
供することを目的とする。
発明の構成
本発明は赤外線検出信号の増幅回路を集積回路化し、こ
の集積回路チップを焦電型赤外線検出器のパッケージの
中に、検出器とともに入れるようにしたものである。
の集積回路チップを焦電型赤外線検出器のパッケージの
中に、検出器とともに入れるようにしたものである。
実施例の説明
以下本発明を実施例をもとに図面を参照しながら詳細に
説明する。
説明する。
〔実施例１ 〕
第３図は本発明による焦電型赤外線検出器の実施例を示
す回路構成図である。プリアンプ３４を含む増１１］回
路３５はパッケージ３６の中に収容されている。シフト
レジスタ３１はパッケージ３６の外からクロック信号、
電源の供給を受けられるようパッケージ３６外に端子３
８〜４０を出している。このシフトレジスタ３１には焦
電素子列３２の出力信号を順次読み出すためのＦＥＴス
イッチ３３が接続されていて、ＦＥＴスイッチ３３のゲ
ートに結線されている。ＦＥＴスイッチ３３のソース、
ドレインの一方は、焦電素子３２の出力電極に結線され
、他方は信号出力ラインとして一本に１とめられている
。この信号出力ラインは信号増巾回路３６の入力に結線
されている。増巾回路３５はプリアンプ３４とＦＥＴお
よび抵抗より成り、信号入力端子、信号出力端子４１電
源端子４２を有し、信号出力端子４１はパッケージ３６
の外に出ている。必要があれば、第３図のように増巾回
路３５の電源端子４２もパッケージ３６の外に出してい
る場合がある。増幅回路３５と、焦電素子数６４個で素
子配列が１脳当り１０ケの焦電素子アレイ３２と、シフ
トレジスタ３１及びＦＥＴアレイ３３を１チツプに集積
したＩＣチップ３７とをパッケージ３６内に配置する。
す回路構成図である。プリアンプ３４を含む増１１］回
路３５はパッケージ３６の中に収容されている。シフト
レジスタ３１はパッケージ３６の外からクロック信号、
電源の供給を受けられるようパッケージ３６外に端子３
８〜４０を出している。このシフトレジスタ３１には焦
電素子列３２の出力信号を順次読み出すためのＦＥＴス
イッチ３３が接続されていて、ＦＥＴスイッチ３３のゲ
ートに結線されている。ＦＥＴスイッチ３３のソース、
ドレインの一方は、焦電素子３２の出力電極に結線され
、他方は信号出力ラインとして一本に１とめられている
。この信号出力ラインは信号増巾回路３６の入力に結線
されている。増巾回路３５はプリアンプ３４とＦＥＴお
よび抵抗より成り、信号入力端子、信号出力端子４１電
源端子４２を有し、信号出力端子４１はパッケージ３６
の外に出ている。必要があれば、第３図のように増巾回
路３５の電源端子４２もパッケージ３６の外に出してい
る場合がある。増幅回路３５と、焦電素子数６４個で素
子配列が１脳当り１０ケの焦電素子アレイ３２と、シフ
トレジスタ３１及びＦＥＴアレイ３３を１チツプに集積
したＩＣチップ３７とをパッケージ３６内に配置する。
焦電素子アレイ３２とＦＥＴアレイ３３については各々
対応する６４組において超音波ボンディングにより３゜
μｍφの微細金線で結線されている。
対応する６４組において超音波ボンディングにより３゜
μｍφの微細金線で結線されている。
信号増巾回路３６は集積化され、ＩＣチップとして同一
パッケージ３６に組み適寸れ、この信号入力端子は、Ｆ
ＥＴアレイ３３の統一出力端子と結線される。
パッケージ３６に組み適寸れ、この信号入力端子は、Ｆ
ＥＴアレイ３３の統一出力端子と結線される。
パッケージ３６のフタは、焦電素子アレイ３２に赤外線
が入射するよう、赤外線に透明な窓板が設置されている
。
が入射するよう、赤外線に透明な窓板が設置されている
。
この実施例の赤外線検出器は、従来の赤外線検出器と比
較して信号は５ｏ％増大１雑音は２５チ低減し、Ｓ／Ｎ
は２倍であった。
較して信号は５ｏ％増大１雑音は２５チ低減し、Ｓ／Ｎ
は２倍であった。
〔実施例２〕
シフトレジスタ３１ 、ＦＥＴアレイ３３及び信号増巾
回路３５を１チツプに集積化して、パッケージに組み込
みこのチップのＦＥＴアレイ端子と焦電型赤外線検出素
子アレイ３２とを超音波ボンディングにより微細金線（
３０μｍφ）で結線する。焦電素子数は６４個で、１調
当り１０個であ６５、−１゜ る。パッケージサイズは１５ｍＸ７ｒｒｒｍでコンパク
トになっている。従来の方式であれば、はソ同じ大きさ
のパッケージとその数倍の大きさの増巾回路が必要であ
る。
回路３５を１チツプに集積化して、パッケージに組み込
みこのチップのＦＥＴアレイ端子と焦電型赤外線検出素
子アレイ３２とを超音波ボンディングにより微細金線（
３０μｍφ）で結線する。焦電素子数は６４個で、１調
当り１０個であ６５、−１゜ る。パッケージサイズは１５ｍＸ７ｒｒｒｍでコンパク
トになっている。従来の方式であれば、はソ同じ大きさ
のパッケージとその数倍の大きさの増巾回路が必要であ
る。
信号出力は従来より７０％増大し、雑音は６０係低減し
て、Ｓ／Ｎは４倍となった。
て、Ｓ／Ｎは４倍となった。
発明の効果
以上のように本発明によれば集積回路化した増巾回路Ｉ
Ｃチップを焦電型赤外線検出器とともにパッケージの中
に入れることにより、信号取出し端子とアース間の浮遊
容量が減少し、信号出力が増大し、かつパッケージによ
るシールド効果、結線引きまわしの減少によって雑音を
低減することができた。
Ｃチップを焦電型赤外線検出器とともにパッケージの中
に入れることにより、信号取出し端子とアース間の浮遊
容量が減少し、信号出力が増大し、かつパッケージによ
るシールド効果、結線引きまわしの減少によって雑音を
低減することができた。
また、従来の外部増巾回路がパッケージの中に入ること
により、赤外線検出装置としても、小型軽量にすること
ができる。
により、赤外線検出装置としても、小型軽量にすること
ができる。
第１図は 従来の焦電型リニアアレイ赤外検出器の１−
例を示す結線図、第２図は従来のリニアア７ベーミ゛ レイ赤外検出器と外部増［１］回路の結線図、第３図は
本発明の一実施例における焦電型リニアアレイ赤夕）線
検出器の回路構成を示す結線図である。 ３１・・・・・シフトレジスタ、３２・・・・・・集電
型リニアアレイ赤外検出累子、３３ ・・・スイッチ用
ＦＥＴアレイ、３４・・・・−・プリアンプ、３５・・
・・・・増巾回路、３６・・・・・・パッケージ、３了
・・・・・シフトレジスタＩＣチップ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ／／ Ｌ〜−−−−−−−−−−＝
例を示す結線図、第２図は従来のリニアア７ベーミ゛ レイ赤外検出器と外部増［１］回路の結線図、第３図は
本発明の一実施例における焦電型リニアアレイ赤夕）線
検出器の回路構成を示す結線図である。 ３１・・・・・シフトレジスタ、３２・・・・・・集電
型リニアアレイ赤外検出累子、３３ ・・・スイッチ用
ＦＥＴアレイ、３４・・・・−・プリアンプ、３５・・
・・・・増巾回路、３６・・・・・・パッケージ、３了
・・・・・シフトレジスタＩＣチップ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ／／ Ｌ〜−−−−−−−−−−＝
Claims (2)
- （１）焦電素子アレイとその赤外信号を順次読み出す回
路と焦電素子からの赤外信号を増巾する回路を１つのパ
ッケージに収容したことを特徴とする焦電型赤外線検出
器。 - （２） 赤外信号を順次読み出す回路と赤外信号を増
巾する回路が集積回路として、１つのチップに１とまっ
ている特許請求の範囲第１項記載の焦電型赤外線検出器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147108A JPS5935119A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 焦電型赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147108A JPS5935119A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 焦電型赤外線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935119A true JPS5935119A (ja) | 1984-02-25 |
| JPH0220044B2 JPH0220044B2 (ja) | 1990-05-08 |
Family
ID=15422693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57147108A Granted JPS5935119A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 焦電型赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935119A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195318A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電型赤外線検出器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54154382A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-05 | Canon Inc | Photo sensor device |
-
1982
- 1982-08-24 JP JP57147108A patent/JPS5935119A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54154382A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-05 | Canon Inc | Photo sensor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195318A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電型赤外線検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0220044B2 (ja) | 1990-05-08 |
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