JPS5935310A - ボンデイングワイヤ - Google Patents
ボンデイングワイヤInfo
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- JPS5935310A JPS5935310A JP14533082A JP14533082A JPS5935310A JP S5935310 A JPS5935310 A JP S5935310A JP 14533082 A JP14533082 A JP 14533082A JP 14533082 A JP14533082 A JP 14533082A JP S5935310 A JPS5935310 A JP S5935310A
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- bonding wire
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、半導体装置、集積回路（ＩＣ）等の（以下、
ＩＣ等と称す）電気的接続に用いられるボンディングワ
イヤに関するものである。
ＩＣ等と称す）電気的接続に用いられるボンディングワ
イヤに関するものである。
（背景技術）
従来、例えばＩＣチップとパッケージを電気接続するに
は、第１図に示すように、ＩＣＩの電極２とパッケージ
３の導電回路４の間をボンディングワイヤ５により接続
していた。
は、第１図に示すように、ＩＣＩの電極２とパッケージ
３の導電回路４の間をボンディングワイヤ５により接続
していた。
このボンディングワイヤには極細の金属線が用いられる
。従来ＡＩ線としては線径２５μ 近傍のもノニはＡ＃
−］％Ｓｉ合金線が使用されていたが、これはＩＣ等へ
のボンディングに超音波圧接によるウェッジボンディン
グしか使用できず、この方法には方向性があるため、ｌ
ボンディング当りの所要時間が長く、従来のＡｕ線の無
方向性ボールボンデ抗 インクに対栴できなかった。ここでポールボンディング
とは、酸水素炎や放電などの手段により接続部にボール
を形成させてボンディングする方法である。
。従来ＡＩ線としては線径２５μ 近傍のもノニはＡ＃
−］％Ｓｉ合金線が使用されていたが、これはＩＣ等へ
のボンディングに超音波圧接によるウェッジボンディン
グしか使用できず、この方法には方向性があるため、ｌ
ボンディング当りの所要時間が長く、従来のＡｕ線の無
方向性ボールボンデ抗 インクに対栴できなかった。ここでポールボンディング
とは、酸水素炎や放電などの手段により接続部にボール
を形成させてボンディングする方法である。
一方ＩＣチップの電極はｈ（ｌ又はＡｅ合金が殆んどで
の接続より劣っており、又Ａｕの使用によるコスト増加
が不可避であった。
の接続より劣っており、又Ａｕの使用によるコスト増加
が不可避であった。
（発明の開示）
本発明は、」二連の問題を解決するため成されたもので
、ボンディングワイヤにＡｌ−５ｂ−Ｂｅ合金を用いる
ことにより、Ａｕｆｉ！ｉ！を用いずにボールボンディ
ングを可能にし、ボンディングの速度を向上し、かつコ
ストを低減し得るボンディングワイヤを提供せんとする
ものである。
、ボンディングワイヤにＡｌ−５ｂ−Ｂｅ合金を用いる
ことにより、Ａｕｆｉ！ｉ！を用いずにボールボンディ
ングを可能にし、ボンディングの速度を向上し、かつコ
ストを低減し得るボンディングワイヤを提供せんとする
ものである。
本発明は、ｓｂ ｏ、ｏ ｔ 〜ｏ、１％、 Ｂｅ Ｏ
，００１〜０．１％を含み、Ｆｅ ｆ Ｏ，０５％以下
、Ｓｉを０．０３％以下に規定し、残部が本質的にＡ／
よりなる合金から成ることを特徴とするボンディングワ
イヤである。
，００１〜０．１％を含み、Ｆｅ ｆ Ｏ，０５％以下
、Ｓｉを０．０３％以下に規定し、残部が本質的にＡ／
よりなる合金から成ることを特徴とするボンディングワ
イヤである。
Ａβにｓｂｌ添加すると耐食性を向上することは知られ
ているが、極細線への応用については伸線性にも注意を
して製造する必要があり、本発明ではＢｅと共存させる
ことにより極細線への伸線加工性を改善するものである
。本発明において、合金中のＳｂ量を０．Ｏ１〜０．１
％に規定したのは、０．０１％未満では耐食性向上に効
果なく、０．１９６を越えると極細線への伸線加工性が
悪くなるためである。
ているが、極細線への応用については伸線性にも注意を
して製造する必要があり、本発明ではＢｅと共存させる
ことにより極細線への伸線加工性を改善するものである
。本発明において、合金中のＳｂ量を０．Ｏ１〜０．１
％に規定したのは、０．０１％未満では耐食性向上に効
果なく、０．１９６を越えると極細線への伸線加工性が
悪くなるためである。
本発明において、合金中のベリリウムはボンディングに
おけるボール形成能を改良するものである。この原因と
しては、べＩＪ ＩＪウム添加により溶融によるボール
形成時にアルミニウムの酸化皮膜形成を抑止して良好な
ボールを形成するものと考えられる。Ｂｅ量に０．００
１〜０α１％と規定したのは、Ｂｅ Ｏ，００１未満で
はボール形成化改善に効果なく、０．１％を越えるとそ
の効果が飽和し、又高価となるためである。
おけるボール形成能を改良するものである。この原因と
しては、べＩＪ ＩＪウム添加により溶融によるボール
形成時にアルミニウムの酸化皮膜形成を抑止して良好な
ボールを形成するものと考えられる。Ｂｅ量に０．００
１〜０α１％と規定したのは、Ｂｅ Ｏ，００１未満で
はボール形成化改善に効果なく、０．１％を越えるとそ
の効果が飽和し、又高価となるためである。
又合金中のＦｅは０．０５９６以下、Ｓｉは００３％以
下にそれぞれ抑える必要があり、それぞれ上記限界を越
えると極細線への伸線加工性が悪くなる。
下にそれぞれ抑える必要があり、それぞれ上記限界を越
えると極細線への伸線加工性が悪くなる。
又望ましくは伸線加工性の上からＦｅ量／Ｓ ｉ量の比
は２以上が好ましい。
は２以上が好ましい。
従って合金の製造には純度９９．９９６以上のＡＩ地金
を用いる必要があり、望ましくは９９．９５９６以上の
Ａ７（地金を用いる必要がある。
を用いる必要があり、望ましくは９９．９５９６以上の
Ａ７（地金を用いる必要がある。
かように構成することにより、本発明のボンディングワ
イヤは線径２５μ前後の極細線として優れた加工性、耐
食性、ボールボンディング性を得ることかできる。
イヤは線径２５μ前後の極細線として優れた加工性、耐
食性、ボールボンディング性を得ることかできる。
（実施例）
純度９９．９９％のＡ５地金に５ｂＯ，０３％、Ｂｅｄ
、旧％を添加してＡβ−５ｂ−Ｂｅ合金を溶製し、溶湯
をセラミック製フィルターで介在物を除去しながらビレ
ットに鋳造した。
、旧％を添加してＡβ−５ｂ−Ｂｅ合金を溶製し、溶湯
をセラミック製フィルターで介在物を除去しながらビレ
ットに鋳造した。
このビレットヲ熱間圧延して９．５ ｍｙ ｆの荒引線
とした後、伸線、皮剥、焼鈍工程を組合せて２５μｆに
伸線した。
とした後、伸線、皮剥、焼鈍工程を組合せて２５μｆに
伸線した。
このワイヤを用い、放電方式のボールボンターによりＩ
Ｃ上ヘボールボンディングした結果、従来の純へβ線や
Ａ召１９６Ｓｉ合金線に比べ、ボールの形状の均一なボ
ンディングが可能であった。
Ｃ上ヘボールボンディングした結果、従来の純へβ線や
Ａ召１９６Ｓｉ合金線に比べ、ボールの形状の均一なボ
ンディングが可能であった。
又ボンディング後、温度４５°Ｃ１湿度９０％の恒湿試
験を１００時間行なった結果、従来のＡβ−１％Ｓｉ合
金線に比べて耐食性は、１．５倍以上の寿命を有するこ
とが分った。
験を１００時間行なった結果、従来のＡβ−１％Ｓｉ合
金線に比べて耐食性は、１．５倍以上の寿命を有するこ
とが分った。
（発明の効果）
以上述べたように本発明のボンディングワイヤは次のよ
うな効果がある。
うな効果がある。
（イＪ Ｓｂ Ｏ，０１〜０．１％、 Ｂｅ Ｏ，０
０１〜Ｏ，１％を含むため、Ｓｂｌ″ｉ耐食性を向上し
、Ｂｅの共存により伸線加工性が改善され、又Ｂｅ添加
により溶融によるボール形成時にｈｌの酸化皮膜の形成
を抑止してボール形成能を向上させるため、ポールボン
ディングが可能となるので、極細線として優れた加工性
、１制食性、ポールボンディング性を有する。
０１〜Ｏ，１％を含むため、Ｓｂｌ″ｉ耐食性を向上し
、Ｂｅの共存により伸線加工性が改善され、又Ｂｅ添加
により溶融によるボール形成時にｈｌの酸化皮膜の形成
を抑止してボール形成能を向上させるため、ポールボン
ディングが可能となるので、極細線として優れた加工性
、１制食性、ポールボンディング性を有する。
（ロ） ＩＣ等へのポールボンディングが可能である
ため、ボンディング速度を向上し、又Ａｕ線１［用せず
、かつ耐食性を向上するため、ＩＣ等の信頼性全向上し
、コストヲ低減する。
ため、ボンディング速度を向上し、又Ａｕ線１［用せず
、かつ耐食性を向上するため、ＩＣ等の信頼性全向上し
、コストヲ低減する。
（ハ） Ｆｅ ｆ’ ０．０５ ％以下、５ｉｔｏ、ｏ
ａ９６以下に規定したため、伸線加工性が良く、製造容
易である。
ａ９６以下に規定したため、伸線加工性が良く、製造容
易である。
図はＩＣのボンディングの例を示す断面図である。
■・・・ＩＣ，２・・・電極、３・・・バ・ノケージ、
４・・導電回路、５・・・ボンディングワイヤ。
４・・導電回路、５・・・ボンディングワイヤ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ｌ Ｓｂ Ｏ，０１〜０．１％、 Ｂｅ Ｏ，００
１〜０．１％を含み、Ｆｅを０．０５％以下、５ｉｉＯ
，（１３％以下に規定し、残部が本質的にＡＣよりなる
合金から成ることを特徴とするボンディングワイヤ。 （２） 合金が、純度９９．９％以上のＡβ地金を用
いて製造されたものである特許請求の範囲第１項記載の
ボンディングワイヤ。 （８） ボンディングワイヤが、ボールボンド用のも
のである特許請求の範囲第１項又は第２項記載のボンデ
ィングワイヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14533082A JPS5935310A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | ボンデイングワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14533082A JPS5935310A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | ボンデイングワイヤ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935310A true JPS5935310A (ja) | 1984-02-27 |
Family
ID=15382669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14533082A Pending JPS5935310A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | ボンデイングワイヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935310A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6137941A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-22 | Hitachi Cable Ltd | ボンデイングワイヤ |
-
1982
- 1982-08-20 JP JP14533082A patent/JPS5935310A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6137941A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-22 | Hitachi Cable Ltd | ボンデイングワイヤ |
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