JPS5936256A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPS5936256A JPS5936256A JP14655382A JP14655382A JPS5936256A JP S5936256 A JPS5936256 A JP S5936256A JP 14655382 A JP14655382 A JP 14655382A JP 14655382 A JP14655382 A JP 14655382A JP S5936256 A JPS5936256 A JP S5936256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- tank
- substrate
- gaseous
- photoconductive layer
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はアモルファスシリコン光導電層を有する感光体
に関する。
に関する。
従来技術
ここ数年、グロー放電分解法やスパッタリング法によっ
て生成されるアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉ
と略す）の電子写真感光体への応用が注目されてきて
いる。これはａ−３ｉ が従来の Ｓθや０ｔｉＳ感
光体等と比べて環境汚染性、耐熱性、耐湿性、摩耗性等
において一段と優れているためである。しかしながらａ
−３］−はそれ自体では暗抵抗が不充分に低く感光体と
しては使用し得ないものであった。
て生成されるアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉ
と略す）の電子写真感光体への応用が注目されてきて
いる。これはａ−３ｉ が従来の Ｓθや０ｔｉＳ感
光体等と比べて環境汚染性、耐熱性、耐湿性、摩耗性等
において一段と優れているためである。しかしながらａ
−３］−はそれ自体では暗抵抗が不充分に低く感光体と
しては使用し得ないものであった。
これに関連して本願出願人は先に特開昭５６ １５６８
３４号公報において、水素を約１０乃至４ Ｑ ａｔｏ
ｍｉｃ％、酸素を１０−５乃至５ Ｘ ＩＱ ’ａｔｏ
ｍｉｃ％並びに周期律表第■表Ａ族不純物を含有してな
る ａ−３ｉ光導電層を有する感光体を提案した。この
感光体にあっては ａ−３ｉ光導電層は高抵抗且つ高感
度で良好な画像の再現を保証するものである。
３４号公報において、水素を約１０乃至４ Ｑ ａｔｏ
ｍｉｃ％、酸素を１０−５乃至５ Ｘ ＩＱ ’ａｔｏ
ｍｉｃ％並びに周期律表第■表Ａ族不純物を含有してな
る ａ−３ｉ光導電層を有する感光体を提案した。この
感光体にあっては ａ−３ｉ光導電層は高抵抗且つ高感
度で良好な画像の再現を保証するものである。
ところが ａ−３ｉは一般に光吸収系数が小さい、つま
り光透過率が高いという問題がある。従ってＡＩ の
ような基板上に直接 ａ−３ｉ光導電層を形成した場合
には光が基板と光導電層間の界面で反射し、その結果と
して基板表面のムラや粗さがそのままコピー画像」二に
現われるという問題にＭ遇ずる。このため、例えば特開
昭５４ ８６３４１”３公報では ａ−３ｉミソ導電層
上に反射時＋Ｉ―層を形成して成る感光体が提案されて
いるが、この場合、ａ−Ｓｉ自体が持つ優ねた摩耗性、
表面硬度が生かされないこととなり、しかも反射時ｆ］
ユ層内体が作像表面となるためにその材質の選択、膜厚
等が良好な画像を得る上で重要となる。
り光透過率が高いという問題がある。従ってＡＩ の
ような基板上に直接 ａ−３ｉ光導電層を形成した場合
には光が基板と光導電層間の界面で反射し、その結果と
して基板表面のムラや粗さがそのままコピー画像」二に
現われるという問題にＭ遇ずる。このため、例えば特開
昭５４ ８６３４１”３公報では ａ−３ｉミソ導電層
上に反射時＋Ｉ―層を形成して成る感光体が提案されて
いるが、この場合、ａ−Ｓｉ自体が持つ優ねた摩耗性、
表面硬度が生かされないこととなり、しかも反射時ｆ］
ユ層内体が作像表面となるためにその材質の選択、膜厚
等が良好な画像を得る上で重要となる。
更に ａ−３ｉ光導電層はそれ自体高抵抗のものが得ら
れたとしても、横方向への電荷の逃げに伴う像滲みの発
生と、導電性基板からの電荷の注入による暗減衰の低下
が避けられず、この点の改善も望まれているところであ
る。
れたとしても、横方向への電荷の逃げに伴う像滲みの発
生と、導電性基板からの電荷の注入による暗減衰の低下
が避けられず、この点の改善も望まれているところであ
る。
発明の目的
本発明は以上の事実に鑑みて成されたもので、その目的
とするところは、光反射による画像乱れを確実に防ｒト
し電荷受容能力にも優れた ａ−３ｉ光導電層を有する
感光体を提供することにある。
とするところは、光反射による画像乱れを確実に防ｒト
し電荷受容能力にも優れた ａ−３ｉ光導電層を有する
感光体を提供することにある。
発明の要旨
本発明の要旨は導電性基板上に湿式処理による化学皮膜
処理乃至は陽極酸化処理等により形成さね厚さ約１乃至
１０ミクロンの黒色酸化皮膜と、そのｆ−に ａ−３１
光導電層を積層してなる感光体にある。
処理乃至は陽極酸化処理等により形成さね厚さ約１乃至
１０ミクロンの黒色酸化皮膜と、そのｆ−に ａ−３１
光導電層を積層してなる感光体にある。
導電性基板上に形成される黒色酸化皮膜は反射防止層と
して有効に機能するとともに、基板からの電荷の注入防
止と ａ−３ｉ光導電層の横方向への電荷の逃げに伴う
像滲みの発生を防止する障壁層としても有効に機能する
。即ち、 ａ−３ｉ光導電層を導電性基板上に直接形成
しその表面を作像面となり低く、結果として多量の光が
ａ−８ｉ光導電層を透過し基板との界面で反射して画
像乱れを生じる。つまり導電性基板」二のムラや粗さが
そのままコピー画像上に現われる。第２に基板からの電
荷注入と ａ−８ｉ−＆導電層自体での電荷の横方向へ
の逃げにより像が滲む像流れの現象が生じる。このこと
は結局、 ａ−３ｉ光導電層の電荷受容能力が低いこと
を意味している。
して有効に機能するとともに、基板からの電荷の注入防
止と ａ−３ｉ光導電層の横方向への電荷の逃げに伴う
像滲みの発生を防止する障壁層としても有効に機能する
。即ち、 ａ−３ｉ光導電層を導電性基板上に直接形成
しその表面を作像面となり低く、結果として多量の光が
ａ−８ｉ光導電層を透過し基板との界面で反射して画
像乱れを生じる。つまり導電性基板」二のムラや粗さが
そのままコピー画像上に現われる。第２に基板からの電
荷注入と ａ−８ｉ−＆導電層自体での電荷の横方向へ
の逃げにより像が滲む像流れの現象が生じる。このこと
は結局、 ａ−３ｉ光導電層の電荷受容能力が低いこと
を意味している。
上記黒色酸化皮膜は湿式処理による例えば化学皮膜処理
乃至は１（す極酸化処理等により厚さ約１乃至１０ミク
ロンに形成することによって上記の不都合点を有効に解
消する。即ち、Ｅ記黒色酸化皮ＩＩ７．’ｆは ａ−Ｓ
ｉ光導電層に照射される光を有効に吸収する反射防止層
として機能し反射による画像汚染を確実に防止する。更
に反射時ｆに層としてばかりでなく基板からの電荷の注
入防止と ａ−３ｉ光導電層における電荷の横方向への
逃げを有効に防止する障壁層としても機能する。これに
関連して黒色酸化皮膜の膜厚を約１乃至１０ミクロンと
するのは、１ミクロン以下では反射時＋Ｌが不充分であ
ることに加えて、 ａ−３ｉ光導電層の暗減衰速度が速
く電荷受容能力も低く基板からの電荷注入と横方向への
電荷の逃げを防に（ユできないためで、また１０ミクロ
ン以−Ｆの厚さでは ａ−３ｉ光導電層の光感度が低下
し残留電位も高くなるためである。
乃至は１（す極酸化処理等により厚さ約１乃至１０ミク
ロンに形成することによって上記の不都合点を有効に解
消する。即ち、Ｅ記黒色酸化皮ＩＩ７．’ｆは ａ−Ｓ
ｉ光導電層に照射される光を有効に吸収する反射防止層
として機能し反射による画像汚染を確実に防止する。更
に反射時ｆに層としてばかりでなく基板からの電荷の注
入防止と ａ−３ｉ光導電層における電荷の横方向への
逃げを有効に防止する障壁層としても機能する。これに
関連して黒色酸化皮膜の膜厚を約１乃至１０ミクロンと
するのは、１ミクロン以下では反射時＋Ｌが不充分であ
ることに加えて、 ａ−３ｉ光導電層の暗減衰速度が速
く電荷受容能力も低く基板からの電荷注入と横方向への
電荷の逃げを防に（ユできないためで、また１０ミクロ
ン以−Ｆの厚さでは ａ−３ｉ光導電層の光感度が低下
し残留電位も高くなるためである。
上述のように黒色酸化皮膜は湿式処理による例えば化学
皮膜処理や陽極酸化処理で形成されるのであるが、これ
は製造再現性に優れているためである。つまりアルミニ
ウム基板の脱脂、エツチング工程を経た表面は活性状態
にあり、そのときの環境雰囲気によって容易に左右され
易く再現性の優れた基板表面を得るのが困難である。そ
して乾式処理により酸化皮膜を形成する場合、基板表面
は連続的に工程を行えないから汚染される。これに対し
湿式処理では上記のような不都合はなく、エツチング後
に直ちに不活性な酸化皮膜を形成することによって再現
性の優れた基板を形成することができる。尚、湿式処理
法としては化学皮膜処理法、陽極酸化処理法等が挙げら
れるが、陽極酸化処理法では染色法、自然発色皮膜法等
により黒色酸化皮膜を得ることができる。
皮膜処理や陽極酸化処理で形成されるのであるが、これ
は製造再現性に優れているためである。つまりアルミニ
ウム基板の脱脂、エツチング工程を経た表面は活性状態
にあり、そのときの環境雰囲気によって容易に左右され
易く再現性の優れた基板表面を得るのが困難である。そ
して乾式処理により酸化皮膜を形成する場合、基板表面
は連続的に工程を行えないから汚染される。これに対し
湿式処理では上記のような不都合はなく、エツチング後
に直ちに不活性な酸化皮膜を形成することによって再現
性の優れた基板を形成することができる。尚、湿式処理
法としては化学皮膜処理法、陽極酸化処理法等が挙げら
れるが、陽極酸化処理法では染色法、自然発色皮膜法等
により黒色酸化皮膜を得ることができる。
黒色酸化皮膜上に形成される ａ−３ｉ光導電層はグロ
ー放電分解法、スパッタリング法等によって生成するこ
とができるが、それ自体、高感度、高抵抗であることが
要求される。このような ａ−８ｉ光導電層として特開
昭５６−１５６８３４号公報に永されるようにグロー放
電分解法によって生成され、水素を約１０乃至４ Ｑ
ａｔｏｍｉｏ％、酸素を１０−５乃至５ Ｘ １０−１
０−２ａｔｏ％並びに周期律表第１ＩＴＡ族不純物（好
ましくは硼素）を約１０乃至２００００ｐｐｍ含有して
なるものがある。この ａ−３ｉ光導電層にあってはカ
ールソン方式に一般に必要とされる１０ＢΩ・α以ｌ−
の暗抵抗が保証され、しかも従来の感光体には見られな
い優れた光感度を有する。尚、 ａ−３ｉ光導電層は高
感度、高抵抗であれば含有物は上記に限らず任意である
。
ー放電分解法、スパッタリング法等によって生成するこ
とができるが、それ自体、高感度、高抵抗であることが
要求される。このような ａ−８ｉ光導電層として特開
昭５６−１５６８３４号公報に永されるようにグロー放
電分解法によって生成され、水素を約１０乃至４ Ｑ
ａｔｏｍｉｏ％、酸素を１０−５乃至５ Ｘ １０−１
０−２ａｔｏ％並びに周期律表第１ＩＴＡ族不純物（好
ましくは硼素）を約１０乃至２００００ｐｐｍ含有して
なるものがある。この ａ−３ｉ光導電層にあってはカ
ールソン方式に一般に必要とされる１０ＢΩ・α以ｌ−
の暗抵抗が保証され、しかも従来の感光体には見られな
い優れた光感度を有する。尚、 ａ−３ｉ光導電層は高
感度、高抵抗であれば含有物は上記に限らず任意である
。
ａ−３ｉ 光導電層は黒色酸化皮膜上に５乃至６０ミ
クロンの厚さ、好ましくは約１０乃至３０ミクロンの厚
さに形成されるが、その生成装置として上述した特開昭
５６−１５６８３４号に示されるグロー放電分解装置を
用いることができるのは勿論の事であるが、第１図に示
す容量結合型グロー放電分解装置によっても生成するこ
とができる。
クロンの厚さ、好ましくは約１０乃至３０ミクロンの厚
さに形成されるが、その生成装置として上述した特開昭
５６−１５６８３４号に示されるグロー放電分解装置を
用いることができるのは勿論の事であるが、第１図に示
す容量結合型グロー放電分解装置によっても生成するこ
とができる。
第１図は ａ−８ｉ光導電層を生成するための容量結合
型グロー放電分解装置を示し、図中の第１、第２、第３
、第４タンク（１）、（２）、（３）、（４）には夫々
Ｈ２、ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ４，０２ガスが密封されている
。ここで第１タンク（１）のＨ２ガスはＳ ｉＨ，ガス
のキャリアーガスである。但しＨ２ガスに代ってＡｒＸ
Ｈθであってもよい。尚、Ｂ２Ｈ６ガスのキャリアーも
水素である。これらガスは対応する第１、第２、第３、
第４調整弁（５）、（６）、（７）、（８）を開放する
ことにより放出すれ、その流量がマスフローコントロラ
ー（９）、（１０）、（＋ １） 、（１’２）により
規制され、第１乃至第３タンク＋１１ 、（２）、（３
）からのガスは第１主管（１３）へと、また第４タンク
（４）からの酸素ガスは第２主管（１４）へと送られる
。尚、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）は流量
計、（１９）、（２０）はｌトめ弁である。
型グロー放電分解装置を示し、図中の第１、第２、第３
、第４タンク（１）、（２）、（３）、（４）には夫々
Ｈ２、ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ４，０２ガスが密封されている
。ここで第１タンク（１）のＨ２ガスはＳ ｉＨ，ガス
のキャリアーガスである。但しＨ２ガスに代ってＡｒＸ
Ｈθであってもよい。尚、Ｂ２Ｈ６ガスのキャリアーも
水素である。これらガスは対応する第１、第２、第３、
第４調整弁（５）、（６）、（７）、（８）を開放する
ことにより放出すれ、その流量がマスフローコントロラ
ー（９）、（１０）、（＋ １） 、（１’２）により
規制され、第１乃至第３タンク＋１１ 、（２）、（３
）からのガスは第１主管（１３）へと、また第４タンク
（４）からの酸素ガスは第２主管（１４）へと送られる
。尚、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）は流量
計、（１９）、（２０）はｌトめ弁である。
第１、第２主管（＋ ３） 、（＋ ４）を通じて流れ
るガスは反応室（２１）において第３主管（２２）で合
流する。
るガスは反応室（２１）において第３主管（２２）で合
流する。
反応室（２１）内にはその表面に ａ−３ｉ光導電層が
形成される黒色酸化皮膜が形成されたアルミニウム基板
（２３）がモータ（２４）により回転可能であるターン
テーブル（２５）上に載置されており、該基板Ｃ２３）
自体は電気的に接地されるとともに適当な加熱手段によ
り約１００乃至４００℃、好ましくは１５０乃至３００
℃ の温度に均一加熱されている。該基板Ｃ２３）に近
接して高周波電源（２６）に接続された第１及び第２電
極板（２８）、（２９）が設けられており夫々第３主管
（２２）と第４主管（３０）に接続されている。第１′
市極板（２８）は直方体形状の第１、第２導体（３１）
、（３２）を２つ重ね合わせた構成で、基板（２３）に
対面する表面壁には多数のガス放出孔が、重ね合わせ部
の中間壁には少数のガス放出孔が、そして裏面壁には第
３主管（２２）と接続されるガス導入孔が形成されてお
り、まず第３主管（２２）からのガスを一旦第１導体（
３１）内で貯め、中間壁の孔から除々に放出し、第２導
体（３２）の表面壁の放出孔から均一に放出されるよう
になっている。第２電極板（２９）はその表面壁に形成
した多数のガス吸引孔でガスを吸引して第４主管（３０
）を通じて排出する構成となっている。第１、第２電極
板（２８） 、（２９）は導線又は導板（２７）で接続
されており高周波電源（２６）により前述の通り約０．
０５乃至］、５Ｋｉｌｏｗａｔｔ５の高周波電力が印加
されるようになっており、その周波数は１ＭＨｚ乃至５
０ＭＨ２が適当である。尚、基板（２３）はターンテー
ブル（２５）を介して接地しである。
形成される黒色酸化皮膜が形成されたアルミニウム基板
（２３）がモータ（２４）により回転可能であるターン
テーブル（２５）上に載置されており、該基板Ｃ２３）
自体は電気的に接地されるとともに適当な加熱手段によ
り約１００乃至４００℃、好ましくは１５０乃至３００
℃ の温度に均一加熱されている。該基板Ｃ２３）に近
接して高周波電源（２６）に接続された第１及び第２電
極板（２８）、（２９）が設けられており夫々第３主管
（２２）と第４主管（３０）に接続されている。第１′
市極板（２８）は直方体形状の第１、第２導体（３１）
、（３２）を２つ重ね合わせた構成で、基板（２３）に
対面する表面壁には多数のガス放出孔が、重ね合わせ部
の中間壁には少数のガス放出孔が、そして裏面壁には第
３主管（２２）と接続されるガス導入孔が形成されてお
り、まず第３主管（２２）からのガスを一旦第１導体（
３１）内で貯め、中間壁の孔から除々に放出し、第２導
体（３２）の表面壁の放出孔から均一に放出されるよう
になっている。第２電極板（２９）はその表面壁に形成
した多数のガス吸引孔でガスを吸引して第４主管（３０
）を通じて排出する構成となっている。第１、第２電極
板（２８） 、（２９）は導線又は導板（２７）で接続
されており高周波電源（２６）により前述の通り約０．
０５乃至］、５Ｋｉｌｏｗａｔｔ５の高周波電力が印加
されるようになっており、その周波数は１ＭＨｚ乃至５
０ＭＨ２が適当である。尚、基板（２３）はターンテー
ブル（２５）を介して接地しである。
あるいは一定の直流バイアス電圧を印加してもよい。ま
た反応室（２１）の内部は ａ−８ｉ光導電層形成時に
高度の真空状態（放電圧：ｏ、５乃至２．ＱＴｏｒｒ）
を必要とすることにより回転ポンプ（３３）と拡散ポン
プ（３４）に連結されている。
た反応室（２１）の内部は ａ−８ｉ光導電層形成時に
高度の真空状態（放電圧：ｏ、５乃至２．ＱＴｏｒｒ）
を必要とすることにより回転ポンプ（３３）と拡散ポン
プ（３４）に連結されている。
以上の構成の容量結合型グロー放電分解装置において、
ａ−５ｉ光導電層を基板（２３）上に形成するに際し
ては第１調整弁（５）、（６）を開放して適当な流量比
で第１、第２タンク（１）、（２）よりＨ２、Ｓ ｉＨ
４ガスを、また必要に応じて第４調整弁（８）を開放し
て第４タンク（４）より酸素ガスを、更に硼素を含有す
るときは第３調整弁（７）を開放して第３タンク（３）
よりＢ２Ｈ６ガスを放出する。放出量はマスフローコン
トロラー（９）、（１０）、（月）、（１２）Ｋより規
制され、Ｈ２をキャリアーガス とするＳｉＨ４ガスあ
るいはそれにＢ、Ｈ６ガスが混合されたガスが第１主管
を介して、またそれとともに５ｉＨｄＣ対し一定のモル
比にある酸素ガスが第２主管（１４）を介して送られ、
反応室内部の第３主管（２２）で合流し第】電極板（２
８）内に送られる。そして第１電極板（２８）からガス
が均一放出されることに加えて、反応室（２Ｉ）内部が
０５乃至２．００ Ｔｏｒｒ 程度の真空状態、基板温
度が１００乃至・１００℃、第１、第２電極板（２８）
、（２９）への高周波電力が００５乃至１．５ Ｋｉｌ
ｏｗａｔｔｓ、また周波数が１乃至５０俟 ＭＨｚに設電されていることに相接ってグロー放電が起
こり、ガスが分解して黒色酸化皮膜−に水素、硼素及び
酸素を含有した ａ−３ｉ光導電層が約０５乃至５ミク
ロン／６０分の早さで形成される。
ａ−５ｉ光導電層を基板（２３）上に形成するに際し
ては第１調整弁（５）、（６）を開放して適当な流量比
で第１、第２タンク（１）、（２）よりＨ２、Ｓ ｉＨ
４ガスを、また必要に応じて第４調整弁（８）を開放し
て第４タンク（４）より酸素ガスを、更に硼素を含有す
るときは第３調整弁（７）を開放して第３タンク（３）
よりＢ２Ｈ６ガスを放出する。放出量はマスフローコン
トロラー（９）、（１０）、（月）、（１２）Ｋより規
制され、Ｈ２をキャリアーガス とするＳｉＨ４ガスあ
るいはそれにＢ、Ｈ６ガスが混合されたガスが第１主管
を介して、またそれとともに５ｉＨｄＣ対し一定のモル
比にある酸素ガスが第２主管（１４）を介して送られ、
反応室内部の第３主管（２２）で合流し第】電極板（２
８）内に送られる。そして第１電極板（２８）からガス
が均一放出されることに加えて、反応室（２Ｉ）内部が
０５乃至２．００ Ｔｏｒｒ 程度の真空状態、基板温
度が１００乃至・１００℃、第１、第２電極板（２８）
、（２９）への高周波電力が００５乃至１．５ Ｋｉｌ
ｏｗａｔｔｓ、また周波数が１乃至５０俟 ＭＨｚに設電されていることに相接ってグロー放電が起
こり、ガスが分解して黒色酸化皮膜−に水素、硼素及び
酸素を含有した ａ−３ｉ光導電層が約０５乃至５ミク
ロン／６０分の早さで形成される。
以丁実験例について説明する。
実施例
直径８０ｍｍのドラム状アルミニウム基板をまず脱脂し
続いて苛性ソーダによるエツチングを行い、引き続き硝
酸による中和工程を経て直ちに化学皮膜処理法により黒
色酸化皮膜を形成した。この化学皮膜処理法はＭＢＶ法
により、 Ｎ ａ２００３ ３％ Ｎａ２０ｒＯａ １．５％ 処理時間 ３〜５分 処理温度 ９０〜１００℃ の作成条件の下に厚さ約５ミクロンの灰色に近い黒色酸
化皮膜をアルミニウム基板上に形成した。
続いて苛性ソーダによるエツチングを行い、引き続き硝
酸による中和工程を経て直ちに化学皮膜処理法により黒
色酸化皮膜を形成した。この化学皮膜処理法はＭＢＶ法
により、 Ｎ ａ２００３ ３％ Ｎａ２０ｒＯａ １．５％ 処理時間 ３〜５分 処理温度 ９０〜１００℃ の作成条件の下に厚さ約５ミクロンの灰色に近い黒色酸
化皮膜をアルミニウム基板上に形成した。
次に第１図に示すグロー放電分解装置のターンテーブル
（２５）−ｆ−に厚さ５ミクロンの黒色酸化皮膜が形成
されたアルミニウム基板を載置し、第１、第２タンク（
１１、＋２１より水素をキャリアーガスとしたＳｉＨ４
ガスを、第３タンク（３）よりＢ２Ｈ６ガスを、更に第
４タンク（４）より０２ガスを放出し、アルミニウム基
板の黒色酸化皮膜上に厚さ２０ミクロンの酸素を０．０
１ａｔｏｍｉｃ％、硼素２０ｐｐｍ含有する ａ−８ｉ
光導電層を得た。このときの製造条件は放電圧を１５Ｔ
ｏｒｒ 基板温度を２００℃、高周波電力を］、２
Ｋｉｌｏｗａｔｔｓ。
（２５）−ｆ−に厚さ５ミクロンの黒色酸化皮膜が形成
されたアルミニウム基板を載置し、第１、第２タンク（
１１、＋２１より水素をキャリアーガスとしたＳｉＨ４
ガスを、第３タンク（３）よりＢ２Ｈ６ガスを、更に第
４タンク（４）より０２ガスを放出し、アルミニウム基
板の黒色酸化皮膜上に厚さ２０ミクロンの酸素を０．０
１ａｔｏｍｉｃ％、硼素２０ｐｐｍ含有する ａ−８ｉ
光導電層を得た。このときの製造条件は放電圧を１５Ｔ
ｏｒｒ 基板温度を２００℃、高周波電力を］、２
Ｋｉｌｏｗａｔｔｓ。
周波数を１．３．５５ ＭＨｚ、膜形成速度を６０分当
り１ミクロンとした。尚、上記試料への水素含有量は約
２５ａｔｏｍｉｃ％であった。
り１ミクロンとした。尚、上記試料への水素含有量は約
２５ａｔｏｍｉｃ％であった。
こうして得られた感光体をミノルタカメラ■製ＥＰ−３
］、０粉像転写型複写機に組み込んで作像実験を行った
ところ、極めて鮮明な複写画像が得られた。１００００
枚の繰り返し複写においても画像の劣化は認められなか
った。
］、０粉像転写型複写機に組み込んで作像実験を行った
ところ、極めて鮮明な複写画像が得られた。１００００
枚の繰り返し複写においても画像の劣化は認められなか
った。
実施例
実験例１と同様、直径８０酊のアルミニウム基板♀
を脱脂、エツチング、中和し１続いてカルカフＡ陽極酸
化法により黒色酸化皮膜を形成した。具体的に 、 スルホサリチル酸 １０％ 硫酸 ２％ 電流密度（直流） ２’Ａ／ｄｍ２電解電圧
５０Ｖ ７１ｍ度 ２５
℃処理時間 ８分 の作成条件の下に厚さ約５ミクロンの黒色酸化皮膜をア
ルミニウム基板」−に形成した。
化法により黒色酸化皮膜を形成した。具体的に 、 スルホサリチル酸 １０％ 硫酸 ２％ 電流密度（直流） ２’Ａ／ｄｍ２電解電圧
５０Ｖ ７１ｍ度 ２５
℃処理時間 ８分 の作成条件の下に厚さ約５ミクロンの黒色酸化皮膜をア
ルミニウム基板」−に形成した。
次に実験例１と同一条件の下に」二記黒色酸化皮膜上に
厚は２０ミクロンの ａ−３ｉ光導電層を形成し、作像
実験を行ったところ極めて鮮明な画像が得られ、反復・
複写でも画像の劣化は認められなかった０
厚は２０ミクロンの ａ−３ｉ光導電層を形成し、作像
実験を行ったところ極めて鮮明な画像が得られ、反復・
複写でも画像の劣化は認められなかった０
第１図はアモルファスシリコン光導電層を生成するため
のグロー放電分解装置の概略構成図である。 （１）、（２）、（３）、（４）・・・第１・〜第４タ
ンク、（２１）・・反応室、（２５）・・・アルミニウ
ム基板、（２８）、（２９）・・・第１、第２電極板。 出願人 ミノルタカメラ株式会社
のグロー放電分解装置の概略構成図である。 （１）、（２）、（３）、（４）・・・第１・〜第４タ
ンク、（２１）・・反応室、（２５）・・・アルミニウ
ム基板、（２８）、（２９）・・・第１、第２電極板。 出願人 ミノルタカメラ株式会社
Claims (2)
- （１）導電性基板Ｉ：に厚き約１乃至１０ミクロンの黒
色酸化皮膜と、その−１−にアモルファスシリコン光導
電層を順次積層してなることを特徴とする感光体。 - （２） 前記黒色酸化皮膜は湿式処理による化学皮膜
処理乃至は陽極酸化処理によって形成されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14655382A JPS5936256A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14655382A JPS5936256A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936256A true JPS5936256A (ja) | 1984-02-28 |
Family
ID=15410261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14655382A Pending JPS5936256A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936256A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142241A (ja) * | 1973-07-30 | 1975-11-15 | ||
| JPS5486341A (en) * | 1977-12-22 | 1979-07-09 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP14655382A patent/JPS5936256A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142241A (ja) * | 1973-07-30 | 1975-11-15 | ||
| JPS5486341A (en) * | 1977-12-22 | 1979-07-09 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
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