JPS5936836B2 - 非晶質薄膜太陽電池 - Google Patents
非晶質薄膜太陽電池Info
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- JPS5936836B2 JPS5936836B2 JP54066347A JP6634779A JPS5936836B2 JP S5936836 B2 JPS5936836 B2 JP S5936836B2 JP 54066347 A JP54066347 A JP 54066347A JP 6634779 A JP6634779 A JP 6634779A JP S5936836 B2 JPS5936836 B2 JP S5936836B2
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- Japan
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- thin film
- solar cell
- sihx
- film solar
- amorphous
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、２種類の非晶質半導体材料を組み合せて用い
ることにより特性改善がなされた非晶質薄膜太陽電池を
得るものである。
ることにより特性改善がなされた非晶質薄膜太陽電池を
得るものである。
近年各方面から太陽エネルギーの有効利用の方法が試み
られ、太陽電池においても従来の単結晶半導体を利用し
た装置と更に非晶質半導体を利用した薄膜太陽電池の開
発が盛に試みられている。
られ、太陽電池においても従来の単結晶半導体を利用し
た装置と更に非晶質半導体を利用した薄膜太陽電池の開
発が盛に試みられている。
非晶質薄膜太陽電池は、半導体基板が比較的簡単な製造
プロセスで得ることができ且つ吸収係数が大きいことか
ら、薄膜化による省資源型、低コスト太陽電池装置とし
て開発が活発に行われている。この種の非晶質薄膜太陽
電池としては、モノシラン（ＳｉＨ４）ガスのグロー放
電によつて作成されるシリコン及び水素を主たる構成物
とする非晶質半導体（以下ａ−ＳｉＨｘと略す）薄膜太
陽電池、及び四フッ化シ９コン（ＳｉＦ４）ガスのグロ
ー放電によつて作成されるシ９コン及びフッ素を主たる
構成物とする非晶質半導体（以下ａ−ＳｉＦｘと略す）
薄膜太陽電池が実用化されている。前者のａ−ＳｉＨｘ
を用いた非晶質薄膜太陽電池は、ショットキ構造で光電
変換効率として５．５％が、ｐｉｎ構造で４．５％が得
られ、後者のａ−ＳｉＦ３ｃを用いた非晶質薄膜太陽電
池についてはショットキ構造でそれ以上の光電変換効率
が得られている。
プロセスで得ることができ且つ吸収係数が大きいことか
ら、薄膜化による省資源型、低コスト太陽電池装置とし
て開発が活発に行われている。この種の非晶質薄膜太陽
電池としては、モノシラン（ＳｉＨ４）ガスのグロー放
電によつて作成されるシリコン及び水素を主たる構成物
とする非晶質半導体（以下ａ−ＳｉＨｘと略す）薄膜太
陽電池、及び四フッ化シ９コン（ＳｉＦ４）ガスのグロ
ー放電によつて作成されるシ９コン及びフッ素を主たる
構成物とする非晶質半導体（以下ａ−ＳｉＦｘと略す）
薄膜太陽電池が実用化されている。前者のａ−ＳｉＨｘ
を用いた非晶質薄膜太陽電池は、ショットキ構造で光電
変換効率として５．５％が、ｐｉｎ構造で４．５％が得
られ、後者のａ−ＳｉＦ３ｃを用いた非晶質薄膜太陽電
池についてはショットキ構造でそれ以上の光電変換効率
が得られている。
ａ−ＳｉＨｘ、及びａ−ＳｉＦｘの物性を表１に、ドー
ピング特性の一例を第１図に示す。ａ−ＳｉＦｘは、 ギヤツブ内最小エネルギー準位密度Ｎ（Ｅ）が１０１６
ｃｍ−３ｅＶ−１で、ａ−ＳｉＨｘの１０１７ｃｍ−３
ｅＶ−１より１桁小さい。
ピング特性の一例を第１図に示す。ａ−ＳｉＦｘは、 ギヤツブ内最小エネルギー準位密度Ｎ（Ｅ）が１０１６
ｃｍ−３ｅＶ−１で、ａ−ＳｉＨｘの１０１７ｃｍ−３
ｅＶ−１より１桁小さい。
つまＢｌａ−ＳｉＨｘより良質な真性非晶質半導体と言
える。しかし、ドーピング特性をみると、ａ−ＳｉＦｘ
はフツ素含有のためｐ型ドープ剤Ｂ（ボロン）のドーピ
ング効率が第１図に示すようにａ−ＳｉＨｘに比べて悪
く、ｐ型電気伝導度も１０−Ｓ〜１０−２υ傭−１とａ
−ＳｉＨｘの１０−１０ｃｍ−１より１〜２桁小さい。
える。しかし、ドーピング特性をみると、ａ−ＳｉＦｘ
はフツ素含有のためｐ型ドープ剤Ｂ（ボロン）のドーピ
ング効率が第１図に示すようにａ−ＳｉＨｘに比べて悪
く、ｐ型電気伝導度も１０−Ｓ〜１０−２υ傭−１とａ
−ＳｉＨｘの１０−１０ｃｍ−１より１〜２桁小さい。
つまＢａ−ＳｉＦｘｌｔｉｐ型非晶質半導体の電気的特
性に訃いて、ａ−ＳｉＨｘより劣る。以上の特性により
従来、ａ−ＳｉＦｘはｐ型層を用いないシヨツトキ構造
非晶質薄膜太陽電池の材料として用いられ、ａ−ＳｉＦ
ｘを用いたそれよりも良好な太陽電池特性が得られてい
るが、シヨツトキ構造よりも良産性、安全性のすぐれた
Ｐｎ構造あるいはＰｉｎ構造を構成するには、良質なａ
−ＳｉＦｘＯｐ型が得られないために匍銀されてきた。
これに対し、ａ−ＳｉＨｃはａ−ＳｉＦｘに比べて良効
なｐ型非晶質半導体が得られるが、ａ−ＳｉＨｘのみを
用いたＰｎ構造成いはＰｉｎ構造太陽電池の光電変換効
率は通常の作製法では２．０〜２．５％であり微小面積
セルで最高４．５％であつた。本発明は上記従来装置に
おけるＰｎ構造あるいはＰｉｎ構造非晶質薄膜太陽電池
の光電変換効率の改良の問題に鑑みてなされたもので、
ギヤツプ内最小エネルギ準位密度がａ−ＳｉＨｘより小
さいａ−ＳｉＦｘから作成されたｎ型層あるいは不純物
ドーピングをしていない（以下、ｉ型と記す）真性層と
、ａ−ＳｉＦｘ＜７）ｐ型に比べて良質なａ一ＳｉＨｘ
から作成されたｐ型層を組合せて、Ｐｎ構造あるいはＰ
ｉｎ構造非晶質薄膜太陽電池とし、光 ・電変換効率を
改良するものである。
性に訃いて、ａ−ＳｉＨｘより劣る。以上の特性により
従来、ａ−ＳｉＦｘはｐ型層を用いないシヨツトキ構造
非晶質薄膜太陽電池の材料として用いられ、ａ−ＳｉＦ
ｘを用いたそれよりも良好な太陽電池特性が得られてい
るが、シヨツトキ構造よりも良産性、安全性のすぐれた
Ｐｎ構造あるいはＰｉｎ構造を構成するには、良質なａ
−ＳｉＦｘＯｐ型が得られないために匍銀されてきた。
これに対し、ａ−ＳｉＨｃはａ−ＳｉＦｘに比べて良効
なｐ型非晶質半導体が得られるが、ａ−ＳｉＨｘのみを
用いたＰｎ構造成いはＰｉｎ構造太陽電池の光電変換効
率は通常の作製法では２．０〜２．５％であり微小面積
セルで最高４．５％であつた。本発明は上記従来装置に
おけるＰｎ構造あるいはＰｉｎ構造非晶質薄膜太陽電池
の光電変換効率の改良の問題に鑑みてなされたもので、
ギヤツプ内最小エネルギ準位密度がａ−ＳｉＨｘより小
さいａ−ＳｉＦｘから作成されたｎ型層あるいは不純物
ドーピングをしていない（以下、ｉ型と記す）真性層と
、ａ−ＳｉＦｘ＜７）ｐ型に比べて良質なａ一ＳｉＨｘ
から作成されたｐ型層を組合せて、Ｐｎ構造あるいはＰ
ｉｎ構造非晶質薄膜太陽電池とし、光 ・電変換効率を
改良するものである。
尚非晶質のａ一Ｓｉｌｌｘ．！−ａ−ＳｉＦｘとの界面
は両者がＳｉを主体とする非晶質であるため、単結晶シ
リコンのような格子定数の差にもとづく電気的な悪影響
はない。第２図に本発明によるＰｉｎ構造非晶質薄膜太
陽電池の具体例を示す。
は両者がＳｉを主体とする非晶質であるため、単結晶シ
リコンのような格子定数の差にもとづく電気的な悪影響
はない。第２図に本発明によるＰｉｎ構造非晶質薄膜太
陽電池の具体例を示す。
図に於て１はガラス基板で、この上に１．Ｔ．Ｏ（Ｉｎ
，Ｏ，−ＳｎＯ，）透明導電膜２を基板温度２５０〜４
５０℃で電子ビーム蒸着により形成する。
，Ｏ，−ＳｎＯ，）透明導電膜２を基板温度２５０〜４
５０℃で電子ビーム蒸着により形成する。
次に水素ガスベースに四フツ化シリコンガスＳｉＦ４を
６０〜９５％添加した混合ガス（ＳｉＦ，／Ｈ，）にホ
スフインガス（ＰＨ，／Ｈ，，ｌＯＯ〜５００ｖｐｐｍ
）を更に加えたガスを原料とし、低圧グロー放電（動作
圧力０．２〜１０ｔ０ｒｒ）によりｎ＋型のａ−ＳｉＦ
ｘ（以下ａ−ＳｉＦＯ（ｎ＋）と記す）層３を１００〜
３００Ａ形成する。次にホスフインガスを添加しない四
フツ化シリコン混合ガス（ＳｉＦ４／Ｈ，）を原料とし
、同じく低圧グロー放電によりほぼ真性のａ−ＳｉＦｘ
（以下ａ−ＳｉＦｘ（１）と記す）層４を５０００〜１
００００λ形成する。次に水素ガスベースにモノシラン
ガス（ＳｉＨ４）を１０％添加した混合ガス（ＳｉＨ４
／Ｈ２）にジボランガス（Ｂ，Ｈ６／Ｈ，）を少量添加
したものを原料とし、低圧グロー放電によりｐ＋型のａ
−ＳｉＨｘ（以下ａ−ＳｉＨｘ（ｐ＋）と記す）層５を
約３００〜５００λ形成する。これらの非晶質膜の形成
は基板温度２５０〜３５０℃，圧力０．５〜１０ｔ０ｒ
ｒ，ガス流量１００〜５００ＣＣ／分で行い成長速度は
１〜４λ／Ｓｅｃであつた。次にアルミニウム電極６を
電子ビーム蒸着装置により１〜５μｍマスク蒸着により
形成する。以上のように構成した１．Ｔ．Ｏ／ａ−Ｓｉ
Ｆｘ（ｎ＋）／ａ−ＳｉＦｘ（１）／ａ−ＳｉＨｘ（ｐ
＋）／Ａｌ構造の非晶質薄膜太陽電池は、従来のａ−Ｓ
ｉＨｘのみによるＰｉｎ構造非晶質薄膜太陽電池に比べ
、開放電圧，短絡電流，変換効率ともに良好な特性が得
られた。即ち本発明によつて得られた素子は太陽光ＡＭ
Ｏ下において、開放電圧０．７５Ｖ，短絡電流１６ｍＡ
／Ｄ，ＦＦ＝０．６５，光電変換効率＝５．６％の特性
を示した。尚ａ−ＳｉＨｘのみによるＰｉｎ構造非晶質
薄膜太陽電池は、ｉ層即ちドーピングを行わずにモノシ
ランガス（ＳｉＨ４／Ｈ２）のみのグロー放電により得
られるａ−ＳｉＨｘ（１）が弱いｎ型であるため、Ｐｉ
ｎ構造の内でｐ層とｉ層の境界に接合が存在する。
６０〜９５％添加した混合ガス（ＳｉＦ，／Ｈ，）にホ
スフインガス（ＰＨ，／Ｈ，，ｌＯＯ〜５００ｖｐｐｍ
）を更に加えたガスを原料とし、低圧グロー放電（動作
圧力０．２〜１０ｔ０ｒｒ）によりｎ＋型のａ−ＳｉＦ
ｘ（以下ａ−ＳｉＦＯ（ｎ＋）と記す）層３を１００〜
３００Ａ形成する。次にホスフインガスを添加しない四
フツ化シリコン混合ガス（ＳｉＦ４／Ｈ，）を原料とし
、同じく低圧グロー放電によりほぼ真性のａ−ＳｉＦｘ
（以下ａ−ＳｉＦｘ（１）と記す）層４を５０００〜１
００００λ形成する。次に水素ガスベースにモノシラン
ガス（ＳｉＨ４）を１０％添加した混合ガス（ＳｉＨ４
／Ｈ２）にジボランガス（Ｂ，Ｈ６／Ｈ，）を少量添加
したものを原料とし、低圧グロー放電によりｐ＋型のａ
−ＳｉＨｘ（以下ａ−ＳｉＨｘ（ｐ＋）と記す）層５を
約３００〜５００λ形成する。これらの非晶質膜の形成
は基板温度２５０〜３５０℃，圧力０．５〜１０ｔ０ｒ
ｒ，ガス流量１００〜５００ＣＣ／分で行い成長速度は
１〜４λ／Ｓｅｃであつた。次にアルミニウム電極６を
電子ビーム蒸着装置により１〜５μｍマスク蒸着により
形成する。以上のように構成した１．Ｔ．Ｏ／ａ−Ｓｉ
Ｆｘ（ｎ＋）／ａ−ＳｉＦｘ（１）／ａ−ＳｉＨｘ（ｐ
＋）／Ａｌ構造の非晶質薄膜太陽電池は、従来のａ−Ｓ
ｉＨｘのみによるＰｉｎ構造非晶質薄膜太陽電池に比べ
、開放電圧，短絡電流，変換効率ともに良好な特性が得
られた。即ち本発明によつて得られた素子は太陽光ＡＭ
Ｏ下において、開放電圧０．７５Ｖ，短絡電流１６ｍＡ
／Ｄ，ＦＦ＝０．６５，光電変換効率＝５．６％の特性
を示した。尚ａ−ＳｉＨｘのみによるＰｉｎ構造非晶質
薄膜太陽電池は、ｉ層即ちドーピングを行わずにモノシ
ランガス（ＳｉＨ４／Ｈ２）のみのグロー放電により得
られるａ−ＳｉＨｘ（１）が弱いｎ型であるため、Ｐｉ
ｎ構造の内でｐ層とｉ層の境界に接合が存在する。
また空乏層はａ−ＳｉＨｘ（１）の中で０．２〜０．５
μｍ程度の幅であるため、ａ−ＳｉＨｘ（１）中のキヤ
リアの拡散長がかなｂ短いことを考慮するとＰｉｎ構造
は受光面側からａ−ＳｉＨｘ（ｐ＋）／ａ一ＳｉＨｘ（
１）／ａ−ＳｉＨｘ（ｎ＋）とする必要がある。これに
対し、本発明のａ−ＳｉＦｘ（１）を用いたＰｎあるい
はＰｉｎ構造非晶質薄膜太陽電池はａ−ＳｉＦｘ（１）
がａ−ＳｉＨｘ（１）と同様に弱いｎ型ではあるが、ギ
ヤツプ内最小エネルギー準位密度がａ一ＳｉＨｘ（１）
よりも１桁小さく、ａ−ＳｉＨｘ（１）よりも空乏層が
大きく、ａ−ＳｉＦＣ．ｉ）中のキヤリアの拡散長もａ
−ＳｉＨｘ（１）中のそれよりも数倍長いことから、第
２図に示した具体例のように受光面側からａ−ＲｉＦｘ
（ｎ＋）／ａ−ＳｉＦｘ（ＩＶａ−ＳｉｌＩｘ（Ｐ＋）
としてもよく、またその逆のａ−ＳｉＨｘ（ｐ＋）／ａ
一ＳｉＦｘ（１）／ａ−ＳｉＦｘ（ｎ＋）としてもよい
。第３図には受光面側からａ−ＳｉＨｘ（ｐ＋）／ａ一
ＳｉＦｘ（１）／ａ−ＳｉＦｘ（ｎ＋）とした非晶質薄
膜太陽電池を示す。この場合、ＩＴＯ２′とａ一ＳｉＨ
ｘ（ｐ＋）５′の間にａ−ＳｉＦｘ（ｎ＋）７を約１０
０Ａ挿入してある。これは、ＩＴＯ２′とａ一ＳｉＨｘ
（ｐ＋）５″との直接の接触を避けＩＴＯとＰｉｎセル
との接触特性を改善するのが目的であり１ａ−ＳｉＨｘ
（ｐ＋）とａ−ＳｉＦｘ（ｎ＋）との接触はオーミツク
である。以上本発明によれば、従来異なる非晶質半導体
材料として取り扱われていたモノシランから作成された
非晶質半導体薄膜と、四フツ化シリコンから作成された
非晶質半導体薄膜とを、夫々の材料が持つ特性を有効に
利用してＰｎ或いはＰｉｎ構造の非晶質薄膜太陽電池を
形成することにより１光電変換効率を著しく改善するこ
とができ、低コスト太陽電池装置として太陽エネルギー
の有効利用を大きく進めるものである。
μｍ程度の幅であるため、ａ−ＳｉＨｘ（１）中のキヤ
リアの拡散長がかなｂ短いことを考慮するとＰｉｎ構造
は受光面側からａ−ＳｉＨｘ（ｐ＋）／ａ一ＳｉＨｘ（
１）／ａ−ＳｉＨｘ（ｎ＋）とする必要がある。これに
対し、本発明のａ−ＳｉＦｘ（１）を用いたＰｎあるい
はＰｉｎ構造非晶質薄膜太陽電池はａ−ＳｉＦｘ（１）
がａ−ＳｉＨｘ（１）と同様に弱いｎ型ではあるが、ギ
ヤツプ内最小エネルギー準位密度がａ一ＳｉＨｘ（１）
よりも１桁小さく、ａ−ＳｉＨｘ（１）よりも空乏層が
大きく、ａ−ＳｉＦＣ．ｉ）中のキヤリアの拡散長もａ
−ＳｉＨｘ（１）中のそれよりも数倍長いことから、第
２図に示した具体例のように受光面側からａ−ＲｉＦｘ
（ｎ＋）／ａ−ＳｉＦｘ（ＩＶａ−ＳｉｌＩｘ（Ｐ＋）
としてもよく、またその逆のａ−ＳｉＨｘ（ｐ＋）／ａ
一ＳｉＦｘ（１）／ａ−ＳｉＦｘ（ｎ＋）としてもよい
。第３図には受光面側からａ−ＳｉＨｘ（ｐ＋）／ａ一
ＳｉＦｘ（１）／ａ−ＳｉＦｘ（ｎ＋）とした非晶質薄
膜太陽電池を示す。この場合、ＩＴＯ２′とａ一ＳｉＨ
ｘ（ｐ＋）５′の間にａ−ＳｉＦｘ（ｎ＋）７を約１０
０Ａ挿入してある。これは、ＩＴＯ２′とａ一ＳｉＨｘ
（ｐ＋）５″との直接の接触を避けＩＴＯとＰｉｎセル
との接触特性を改善するのが目的であり１ａ−ＳｉＨｘ
（ｐ＋）とａ−ＳｉＦｘ（ｎ＋）との接触はオーミツク
である。以上本発明によれば、従来異なる非晶質半導体
材料として取り扱われていたモノシランから作成された
非晶質半導体薄膜と、四フツ化シリコンから作成された
非晶質半導体薄膜とを、夫々の材料が持つ特性を有効に
利用してＰｎ或いはＰｉｎ構造の非晶質薄膜太陽電池を
形成することにより１光電変換効率を著しく改善するこ
とができ、低コスト太陽電池装置として太陽エネルギー
の有効利用を大きく進めるものである。
第１図は非晶質半導体のドーピング特性を示す図、第２
図は本発明による一実施例を示す断面図、第３図は本発
明による他の実施例を示す断面図である。 ２：透明導伝膜、３：ａ−ＳｉＨｘから作成されたｐ型
層、４：ａ−ＳｉＦｘから作成されたｉ型層、５：ａ−
ＳｉＦｘから作成されたｎ型層、６：電極。
図は本発明による一実施例を示す断面図、第３図は本発
明による他の実施例を示す断面図である。 ２：透明導伝膜、３：ａ−ＳｉＨｘから作成されたｐ型
層、４：ａ−ＳｉＦｘから作成されたｉ型層、５：ａ−
ＳｉＦｘから作成されたｎ型層、６：電極。
Claims (1)
- １ ｐｎ構造或いはｐｉｎ構造を基体単位とする非晶質
薄膜太陽電池において、ｐ型非晶質半導体としてモノシ
ラン（ＳｉＨ＿４）のグロー放電によつて作成されるシ
リコン及び水素を主たる構成物とする非晶質半導体材料
で形成し、ｎ型或いは真性非晶質半導体として四フッ化
シリコン（ＳｉＦ＿４）のグロー放電によつて作成され
るシリコン及びフッ素を主たる構成物とする非晶質半導
体材料で形成することを特徴とする非晶質薄膜太陽電池
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54066347A JPS5936836B2 (ja) | 1979-05-28 | 1979-05-28 | 非晶質薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54066347A JPS5936836B2 (ja) | 1979-05-28 | 1979-05-28 | 非晶質薄膜太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55157276A JPS55157276A (en) | 1980-12-06 |
| JPS5936836B2 true JPS5936836B2 (ja) | 1984-09-06 |
Family
ID=13313226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54066347A Expired JPS5936836B2 (ja) | 1979-05-28 | 1979-05-28 | 非晶質薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936836B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122583A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5835987A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| US4379943A (en) * | 1981-12-14 | 1983-04-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Current enhanced photovoltaic device |
| JPS61255073A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US5391893A (en) * | 1985-05-07 | 1995-02-21 | Semicoductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonsingle crystal semiconductor and a semiconductor device using such semiconductor |
| JPS5954276A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| US7038238B1 (en) | 1985-05-07 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a non-single crystalline semiconductor layer |
-
1979
- 1979-05-28 JP JP54066347A patent/JPS5936836B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55157276A (en) | 1980-12-06 |
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